WO2003005451A1 - Field-effect transistor constituting channel by carbon nano tubes - Google Patents

Field-effect transistor constituting channel by carbon nano tubes Download PDF

Info

Publication number
WO2003005451A1
WO2003005451A1 PCT/JP2002/006355 JP0206355W WO03005451A1 WO 2003005451 A1 WO2003005451 A1 WO 2003005451A1 JP 0206355 W JP0206355 W JP 0206355W WO 03005451 A1 WO03005451 A1 WO 03005451A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
effect transistor
field
channel
carbon nanotube
transistor according
Prior art date
Application number
PCT/JP2002/006355
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Fumiyuki Nihey
Original Assignee
Nec Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nec Corporation filed Critical Nec Corporation
Priority to EP02741291A priority Critical patent/EP1411554A4/en
Priority to US10/482,713 priority patent/US20040238887A1/en
Publication of WO2003005451A1 publication Critical patent/WO2003005451A1/ja

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/221—Carbon nanotubes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/211—Fullerenes, e.g. C60

Definitions

  • the present invention relates to a field effect transistor for controlling or amplifying a digital or analog electric signal of a very high frequency.
  • FIG. 6 is a schematic diagram of a cross section of a typical field-effect transistor
  • FIG. 7 is a schematic diagram of the top surface.
  • 1 is a substrate
  • 2 is a channel
  • 3 is a source electrode
  • 4 is a drain electrode
  • 5 is an insulator
  • 6 is a gate electrode.
  • Channels are generally composed of semiconductors, and there are charged particles in the channel that contribute to electrical conduction. Charged particles are electrons or holes.
  • a field-effect transistor is a device that converts a voltage signal input to a gate electrode into a current signal output from a source electrode or a drain electrode.
  • a voltage is applied between the source electrode and the drain electrode, the charged particles existing in the channel move between the source electrode and the drain electrode according to the direction of the electric field, and are output as a current signal from the source electrode or the drain electrode.
  • the current signal is proportional to the density and velocity of the charged particles in the channel.
  • the operating speed of a field-effect transistor is determined by the time that a charged particle travels through a channel. More precisely, the length (gate length) of the portion of the channel in contact with the gate electrode via the insulator is determined by the time that the charged particles travel.
  • Source electrode and drain The traveling speed of the charged particles existing in the channel is increased by increasing the voltage between the charged electrode and the electrode. However, the scattering probability increases as the running speed increases, so the speed does not increase beyond a certain level. That value is called the saturation speed.
  • Cut-off frequency f T which is an index of the operation speed of a field effect transistor data is the saturation velocity V s of the charged particles, the gate length as l g, given by Bruno 2 ⁇ 1 8.
  • the saturation speed may be increased or the gate length may be reduced.
  • the gate length is determined by the fine processing technology for the gate electrode, and can be reduced to about ⁇ . ⁇ at present.
  • a semiconductor having a high saturation speed may be used as a channel.
  • gallium arsenide are often used, its saturation rate is lxl0 7 cm / s. If the gate length is ⁇ . ⁇ ⁇ ⁇ , the cutoff frequency is 160 GHz.
  • the present invention provides a channel installed on a substrate, a source electrode connected to the beginning of the channel, a drain electrode connected to the end of the channel, and an insulator installed on the channel.
  • a field-effect transistor comprising a gate electrode provided on a channel via an insulator, wherein the channel is formed of carbon nanotubes.
  • the carbon nanotube is of a semiconductor type.
  • the carbon nanotubes may be either single-walled carbon nanotubes or multi-walled carbon nanotubes.
  • the present invention provides a field effect transistor in which a charge donor is added to a channel.
  • a field-effect transistor using an alkali metal as a charge donor is provided.
  • a field-effect transistor using a halogen molecule is provided.
  • the present invention provides a field effect transistor having a carbon nanotube as a channel, wherein a charged particle donor is included in the carbon nanotube.
  • a field-effect transistor using a carbon nanotube containing fullerenes as a channel is provided.
  • Saturation speed of the carbon nanotubes by the impurity scattering or lattice scattering is suppressed reach the 8xl0 7 cm / s. This is equivalent to eight times that of gallium arsenide.
  • a field-effect transistor with a cut-off frequency of more than 1 THz can be obtained by using this material as a channel.
  • the diameter of carbon nanotubes is very small, the current that can flow through a single-walled carbon nanotube is limited, up to about 1 ⁇ A. In practice, about 1 mA is required for the current signal of the field effect transistor.
  • a field effect transistor that can withstand practical use can be provided by configuring a channel formed by arranging a plurality of carbon nanotubes. The number of arranged carbon nanotubes ranges from 10 to 100,000.
  • switching operation is performed with a certain gate voltage (threshold voltage) as a boundary.
  • the voltage value is determined by the characteristics of the channel itself and the charged particle donor.
  • a charged particle donor can be added to the channel for the purpose of adjusting the threshold voltage.
  • the charged particle donor includes an electron donor and an H hole donor.
  • Alkali metals such as sodium, potassium, rubidium and cesium have been found to be effective as electron donors.
  • halogen atoms or halogen molecules such as chlorine, bromine and iodine have been found to be effective as hole donors.
  • molecules also act as charged particle donors, for example, ammonia and nitrogen serve as electron donors, and oxygen molecules serve as hole donors.
  • an electron donor When an electron donor is added, it operates as an n-type field-effect transistor, and the threshold voltage can be adjusted in the negative direction by increasing the amount of addition.
  • a hole donor when a hole donor is added, it operates as a p-type field effect transistor, and the threshold voltage can be adjusted in the positive direction by increasing the amount of addition.
  • the charged particle donor may be outside the carbon nanotube, Nanotubes may be included. When the charged particle donor is included in the carbon nanotube, it is less susceptible to external influences, and stable electrical characteristics can be obtained.
  • FIG. 1 is a schematic view of a cross section of a field effect transistor according to a first embodiment of the present invention. .
  • FIG. 2 is a schematic diagram of the top surface of the field-effect transistor according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic diagram of a cross section of a field effect transistor in which an insulating film is provided on a conductive substrate in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic top view of a field-effect transistor according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic top view of a field-effect transistor according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic view of a cross section of a conventional field effect transistor.
  • FIG. 7 is a schematic diagram of a top surface of a conventional field effect transistor. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a cross-sectional structure of a first embodiment of the field-effect transistor of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of the upper surface of the first embodiment.
  • 1 is a substrate
  • 2 is a channel
  • 3 is a source electrode
  • 5 is an insulator
  • 6 is a gate electrode.
  • the substrate may be an insulating substrate or a semiconductor substrate.
  • insulating substrate for example, insulating resin such as silicon oxide, silicon nitride, aluminum oxide, titanium oxide, fluorocarbon, acrylic resin, epoxy resin, polyimide, tetrafluoroethylene resin, or the like may be used.
  • semiconductor substrate for example, silicon, germanium, gallium arsenide, indium phosphorus, silicon carbide, or the like may be used. It is desirable that the substrate surface be flat.
  • a structure in which an insulating film is formed on a conductive substrate as shown in FIG. 3 may be employed. In this case, the conductive substrate can also function as the second gate electrode.
  • a channel is formed by arranging a plurality of carbon nanotubes between a source electrode and a drain electrode.
  • the method for synthesizing the carbon nanotube is not limited. For example, it may be synthesized by a laser ablation method, an arc discharge method, or a chemical vapor deposition method.
  • the carbon nanotube may be a single-walled carbon nanotube or a multi-walled carbon nanotube.
  • the adjacent distance of the carbon nanotubes arranged in the channel may be in the range of 0.3 mn to ⁇ .
  • the arrangement direction of the carbon nanotubes is not limited to the horizontal direction. They may be arranged in the vertical direction at the same time.
  • Both ends of the carbon nanotube are electrically connected to a source electrode and a drain electrode.
  • a method for arranging carbon nanotubes on a substrate there is a method using a self-assembled molecular film.
  • One part of the substrate is covered with, for example, an aminopropylethoxysilane molecular film, and the other part is covered with, for example, a hexamethyldisilazane molecular film.
  • the former molecular film has the property of being positively charged. Since carbon nanotubes have the property of being positively charged, they are selectively adsorbed to the former molecular film by Coulomb force. Almost no adsorption to the latter molecular film. 'Because the molecular film pattern can be formed by electron beam exposure or optical exposure, the nanotubes can be arranged at any position, and can be similarly arranged.
  • the nanotubes As a method of operating carbon nanotubes, there is a method using optical tweezers. This is because micron-sized particles aggregate when light is focused. A method of accumulating carbon nanotubes in a channel using this method may be used. In addition, the nanotubes may be aligned using the property that the nanotubes are easily oriented in the direction of the electric field.
  • the source electrode and the drain electrode may be metal.
  • gold, silver, platinum, titanium, titanium carbide, tungsten, aluminum / remium, molybdenum, chromium, or the like may be used.
  • the source electrode and the drain electrode may be attached to the tip of the carbon nanotube, or may be attached to the side.
  • the source electrode and drain electrode are It may be formed before the channel is formed, or may be formed after the channel is formed. In forming the electrodes, a heat treatment in the range of 300 ° C. and 1000 ° C. may be performed for better electrical connection.
  • a resist in which carbon nanotubes are diffused may be applied on a substrate, and the resist may be exposed and developed, and an electrode may be attached.
  • the gate electrode may be formed directly on the carbon nanotube. However, the gate electrode may be formed via a thin insulating film.
  • the insulating film include inorganic materials such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxide aluminum, titanium oxide, and calcium fluoride; polymer materials such as acrylic resin, epoxy resin, polyimide, and tetrafluoroethylene resin; A self-assembled molecular film such as toxicsilane may be used. Since there is no dangling bond on the side of the carbon nanotube, it is chemically inert, and there is flexibility in selecting an insulator.
  • a conductor may be used for the gate electrode.
  • gold, silver, platinum, titanium, titanium carbide, titanium nitride, tungsten, tungsten silicate, tungsten nitride, aluminum, molybdenum, chromium, polycrystalline silicon, or a combination thereof may be used.
  • Carbon nanotubes may be used as the gate electrode. In that case, a very short gate length is obtained.
  • the carbon nanotube used may be a single-walled carbon nanotube, a multi-walled carbon nanotube, or a metal-encapsulated carbon nanotube.
  • Metallic carbon nanotubes are preferred.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing a top surface of a second embodiment of the field-effect transistor of the present invention.
  • 1 is a substrate
  • 2 is a channel
  • 3 is a source electrode
  • 4 is a drain electrode
  • 5 is an insulator
  • 6 is a gate electrode
  • 7 is a charged particle donor.
  • Charged particle donors donate electrons or holes to carbon nanotubes. This makes it possible to control the density of charged particles present in the carbon nanotube.
  • FIG. 5 is a schematic diagram showing the upper surface of a third embodiment of the field-effect transistor of the present invention.
  • Charge donor 7 is present inside the carbon nanotube. Fullerenes may be used as the charge donor. For example, C 6. , C70 , C76 , C78 , C82 , C84 , C92, etc. may be used.
  • fullerenes chemically modified with osmium complex—fluorine or the like may be used.
  • fullerenes may contain other atoms or molecules. For example, La, Er ⁇ Gd, Ho, Nd, Y, S c, S c 2, the S c 3 N may be used ⁇ follicles were hula Len. Both of these fullerenes effectively act as charged particle donors.
  • a channel can be formed by a carbon nanotube having a gate length equivalent to that of a conventional III-V compound field-effect transistor and having a very high saturation speed.
  • a field effect transistor that controls or amplifies an electric signal or an analog electric signal can be realized.

Description

明細書 カーボンナノチューブによりチャネルを構成する電界効果トランジスタ 技術分野
本発明は、 非常に高い周波数のデジタル電気信号あるいはアナログ電気信号を 制御あるいは増幅するための電界効果トランジスタに関する 背景技術
近年の情報処理や通信などの高速化にともない、 100GHz以上の非常に高い周 波数のデジタル電気信号あるいはアナ口グ電気信号を制御あるいは増幅する電子 デバイスの需要が高まっている。
上記の目的に用いられる代表的な電子デバイスとして G a A s等の III— V属 ィ匕合物電界効果トランジスタがある。 典型的な電界効果トランジスタの断面の模 式図を第 6図に、 上面の模式図を第 7図に示す。 第 6図および第 7図において、 1は基板、 2はチャネル、 3はソース電極、 4はドレイン電極、 5は絶縁体、 6は ゲート電極である。 チャネルは一般的に半導体で構成され、 チャネルには電気伝 導に寄与する荷電粒子が存在する。 荷電粒子は電子あるいは正孔である。
電界効果トランジスタはゲート電極に入力される電圧信号を、 ソース電極ある ' いはドレイン電極から出力される電流信号に変換する装置である。 ソース電極と ドレイン電極との間に電圧を加えると、 チャネルに存在する荷電粒子がソース電 極とドレイン電極との間を電界方向に従って移動し、 ソース電極あるいはドレイ ン電極から電流信号として出力される。 電流信号はチャネルにおける荷電粒子の 密度おょぴ速度に比例する。 絶縁体を介してチャネルの上あるいは側面に接した ゲート電極に電圧を加えると、 チャネルに存在する荷電粒子の密度が変化するた め、 ゲート電圧を変化させる事により電流信号を変化させる事ができる。
電界効果トランジスタの動作速度は荷電粒子がチャネルを走行する時間で決定 される。 より正確には、 チャネルのうち絶縁体を介してゲート電極に接した部分 の長さ（ゲート長）を荷電粒子が走行する時間で決定される。 ソース電極とドレイ ン電極との間の電圧を増加する事によりチャネルに存在する荷電粒子の走行速度 は増大する。 し力 し、 走行速度の増加にともない散乱確率が増加するため、 ある 一定以上には速度が増大しない。 その値を飽和速度という。 電界効果トランジス タの動作速度の指標である遮断周波数 fTは、 荷電粒子の飽和速度を Vs、 ゲート 長を lg として、 ノ2兀18で与えられる。
動作速度を増大、 つまり遮断速度を増大させるには、 飽和速度を増加させるか 、 あるいはゲート長を減少させればよい。 ゲート長はゲート電極に対する微細加 ェ技術によって決定され、 現状では Ο. ΐ μ ιη程度まで減少できる。 飽和速度を増 加させるには、 高い飽和速度を持つ半導体をチャネルとして用いればよい。 現在 、 ガリウム砒素がよく用いられており、 その飽和速度は lxl07cm/sである。 ゲー ト長を Ο. ΐ μ πιとすると、 遮断周波数は 160GHzとなる。
近年の情報処理や通信などの高速化にともない、 ガリゥム砒素を材料とする電 界効果トランジスタで処理できる周波数よりさらに高い周波数のデジタル電気信 号あるいはアナログ電気信号を制御あるいは増幅する電子デバイスが必要となつ ている。 そのため、 飽和速度がさらに大きい材.料を用いた電界効果トランジスタ が必要となる。 発明の開示
本発明は、 基板の上に設置されたチャネルと、 チャネルの始端に接続されたソー ス電極と、 チャネルの終端に接続されたドレイン電極と、 チャネルの上に設置さ れた絶縁体と、.絶縁体を介してチャネルの上に設置されたゲート電極とからなる 電界効果トランジスタにおいて、 チャネルがカーボンナノチューブにより構成さ れる事を特徴とする電界効果トランジスタを提供する。
また、 カーボンナノチュ プが半導体型であると、 さらに効果的である。 カー ボンナノチューブとして単層カーボンナノチューブあるいは多層力—ボンナノチ ユーブのどちらでもよい。
また、 チャネルに電荷供与体を添加した電界効果トランジスタを提供する。 荷 電供与体として、 アルカリ金属を用いた電界効果トランジスタを提供する。 また 、 ハロゲン分子を用いた電界効果トランジスタを提供する。 また、 カーボンナノチューブをチャネルとする電界効果トランジスタにおいて 、 荷電粒子供与体がカーボンナノチューブに内包されている事を特徴とする電界 効果トランジスタを提供する。 フラーレン類を内包したカーボンナノチューブを チャネルとする電界効果トランジスタを提供する。
不純物散乱や格子散乱が抑制される事によってカーボンナノチューブの飽和速 度は 8xl07cm/sにまで達する。 これは、 ガリウム砒素の 8倍に相当する。 この材 料をチャネルとする事により lTHz以上の遮断周波数を持つ電界効果トランジス タが得られる事を我々は見い出した。
カーボンナノチューブの直径は非常に小さいため、 1本の単層カーボンナノチ ユーブに流すことのできる電流には限度があり、 最大 1 μ A程度である。 実用上 は電界効果トランジスタの電流信号として 1mA程度は必要である。 しかし、 複数 本のカーボンナノチューブを配列したものをチャネルとして構成する事によって 実用に耐えうる電界効果トランジスタを提供できる。 配列するカーボンナノチュ ーブは 10本から 10万本である。
通常の電界効果トランジスタにおいては、 あるゲート電圧 （しきい値電圧） を 境界としてスィツチング動作をする。 その電圧値はチャネル自身の特性おょぴ荷 電粒子供与体により決定される。 しきい値電圧を調整する事を目的として、 チヤ ネルに荷電粒子供与体を添加することができる。
通常、 荷電粒子供与体には、 電子供与体おょぴ] H孔供与体がある。 電子供与体 として、 ナトリウム、 カリウム、 ルビジウム、 セシウムなどのアルカリ金属が有 効である事がわかっている。 また、 正孔供与体として、 塩素、 臭素、 ヨウ素など のハロゲン原子あるいはハロゲン分子が有効である事がわかっている。 また、 分 子も荷電粒子供与体として働き、 例えばアンモニア、 ィ匕べンザルコェゥムは電 子供与体として、 酸素分子は正孔供与体として働く。 電子供与体を添加すると n 型の電界効果トランジスタとして動作し、 その添加量を増やすことにより閾値電 圧を負方向に調整できる。 また、 正孔供与体を添加すると p型の電界効果トラン ジスタとして動作し、 その添加量を増やすことにより閾値電圧を正方向に調整で きる。
荷電粒子供与体は、 カーボンナノチューブの外部に存在してもよいし、 カーボ ンナノチューブが内包してもよい。 荷電粒子供与体がカーボンナノチューブに内 包されていると外界からの影響が受けにくくなり、 安定した電気特性が得られる 図面の簡単な説明
第 1図は本発明の第 1の実施例である電界効果トランジスタの断面の模式図で ある。 .
第 2図は発明の第 1の実施例である電界効果トランジスタの上面の模式図であ る。
第 3図は本発明の第 1の実施例において導電性基板の上に絶縁膜を設置した電 界効果トランジスタの断面の模式図である。
第 4図は本発明の第 2の実施例である電界効果トランジスタの上面の模式図で ある。
第 5図は本発明の第 3の実施例である電界効果トランジスタの上面の模式図で ある。
第 6図は従来例である電界効果トランジスタの断面の模式図である。
第 7図は従来例である電界効果トランジスタの上面の模式図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 図面を参照しつつ本発明の実施例を詳細に説明する。
第 1図は、 本発明の電界効果トランジスタの第 1の実施例の断面構造を示す模 式図である。 第 2図は第 1の実施例の上面の模式図である。 第 1図おょぴ第 2図 において、 1は基板、 2はチャネル、 3はソース電極、 はドレイン電極、 5は絶 縁体、 6はゲート電極である。
基板は絶縁性基板あるいは半導体性基板であればよい。 絶縁性基板として、 た とえば酸化シリコン、 窒化シリコン、 酸化アルミニウム、 酸化チタン、 フッ化力 ルシゥム、 アクリル樹脂、 エポキシ樹脂等の絶縁性榭脂、 ポリイミド、 テトラフ ロロエチレン樹脂等を用いればよい。 半導体基板としては、 たとえばシリコン、 ゲルマニウム、 ガリウム砒素、 インジウム燐、 炭化シリコン等を用いればよい。 基板表面は平坦である事が望ましい。 第 3図のように導電性基板の上に絶縁膜を形成した構造をとってもよい。 この 場合、 導電性基板は第 2のゲート電極としても作用させる事ができる。
複数のカーボンナノチューブをソース電極とドレイン電極の間に配列させる事 によりチャネルとする。 カーボンナノチューブの合成方法については限定しない 。 たとえば、 レーザーアブレーシヨン法、 アーク放電法、 化学気相成長法で合成 すればよい。 また、 カーボンナノチューブは単層カーボンナノチューブでもよい し、 多層カーボンナノチューブでもよい。 チャネルに配列したカーボンナノチュ ープの隣接距離は、 0. 3mnから ΙΟ μ ιηの範囲にあればよい。 カーボンナノチュー プの配列方向は横方向のみに限定しない。 上下方向にも同時に配列していてもよ い。
カーボンナノチューブの両端はソース電極おょぴドレイン電極に電気的に接続 させる。
基板上にカーボンナノチューブを配列させる方法としては、 自己組織化分子膜 を使う方法がある。 基板の一部分を例えばァミノプロピルェトキシシラン分子膜 で覆い、 他の部分を例えばへキサメチルジシラザン分子膜で覆う。 前者の分子膜 は正に帯電する性質を持つ。 カーボンナノチューブは ^に帯電する性質を持つの で、 クーロン力により選択的に前者の分子膜に吸着する。 後者の分子膜にはほと んど吸着しない。'電子ビーム露光や光学露光の方法により分子膜のパタン形成が 可能なので、 ナノチューブを任意の位置に配置することができ、 同様に配列する 事もできる。
カーボンナノチューブを操作する方法として光ピンセットを用いる方法がある 。 これは、 光を収束させるとミクロンサイズの粒子が凝集する。 この方法を用い てカーボンナノチューブをチャネルに集積させる方法を用いてもよい。 また、 ナ ノチューブは電場の方向に向きやすい性質を用いて、 ナノチューブを整列させて もよい。
ソース電極およびドレイン電極は金属であればよい。 たとえば、 金、 銀、 白金 、 チタン、 炭化チタン、 タングステン、 ァ /レミ二ゥム、 モリブデン、 クロムなど を用いればよい。 ソース電極やドレイン電極をカーボンナノチューブの先端に取 りつけてもよいし、 側面に取りつけてもよい。 ソース電極おょぴドレイン電極は 、 チャネルを形成する前に形成してもよいし、 チャネルを形成した後に形成して もよい。 また電極形成の際に、 よりよい電気的接続を目的として 300°Cと 1000°C の範囲の熱処理を行なってもよい。 また、 カーボンナノチューブを拡散させたレ ジストを基板上に塗布し、 このレジストを露光， 現像し、 電極を付着させてもよ い。
カーボンナノ.チューブの上に直接ゲート電極を形成してもかまわないが薄い 絶縁膜を介してゲート電極を形成してもよい。 絶縁膜としては、 酸化シリコン、 窒化シリコン、 酸ィ匕アルミニウム、 酸化チタン、 フッ化カルシウムなどの無機材 料、 アクリル樹脂、 エポキシ樹脂、 ポリイミド、 テトラフロロエチレン樹脂など の高分子材料、 ァミノプロピルェトキシシランなどの自己組織化分子膜などを用 いればよい。 カーボンナノチューブの側面にはダングリングボンドがないため化 学的に不活性であり、 絶縁体の選択には自由度がある。
ゲート電極には導体を用いればよい。 例えば、 金、 銀、 白金、 チタン、 炭化 チタン、 窒化チタン、 タングステン、 ケィ化タングステン、 窒化タングステン、 アルミニウム、 モリプデン、 クロム、 多結晶シリコン、 あるいはその組み合せで あればよい。
カーボンナノチューブをゲート電極として用いてもよい。 その場合、 非常に短 ぃゲート長が得られる。 使用するカーボンナノチューブは単層カーボンナノチュ ーブ、 多層カーボンナノチューブ、 金属内包カーボンナノチューブでよい。 金属 性のカーボンナノチユーブが好ましい。
第 4図は、 本発明の電界効果トランジスタの第 2の実施例の上面を示す模式図 である。 1は基板、 2はチャネル、 3はソース電極、 4はドレイン電極、 5は絶縁 体、 6はゲート電極、 7は荷電粒子供与体である。 荷電粒子供与体は、 カーボン ナノチューブに対して電子あるいは正孔を供与する。 これによつてカーボンナノ チューブに存在する荷電粒子の密度を制御する事ができる。
電子供与体として、 ナトリウム、 カリウム、 ルビジウム、 セシウムなどのアル カリ金属を用いればよい。 正孔供与体として、 塩素、 臭素、 ヨウ素などのハロゲ ン原子あるいはハロゲン分子を用いればよい。 また、 酸素分子、 アンモニア、 塩 化べンザルコニゥムなどの分子を荷電粒子供与体として用いてもよい。 第 5図は、 本発明の電界効果ドランジスタの第 3の実施例の上面を示す模式図 である。 荷電供与体 7がカーボンナノチューブの内部に存在している。 荷電供与 体としてフラーレン類を用いてよい。 たとえば、 C6。、 C70、 C76、 C78、 C82、 C84、 C92 などを用いればよい。 またオスミウム錯体ゃフッ素などにより化学修飾されたフ ラーレン類でもよい。 またフラーレンがさらに別の原子あるいは分子を内包して いてもよレ、。 たとえば、 La、 Erヽ Gd、 Ho、 Nd、 Y、 S c、 S c2、 S c3Nを內 包したフラ レンを用いてもよい。 これらのフラーレンはともに荷電粒子供与体 として有効に作用する。
カーボンナノチューブに電子あるいは正孔を供給する方法としては、 放射線 照射およぴ金属蒸着による製造方法を用いることができる。 産業上の利用可能性
本発明によれば、 従来の III一 V属の化合物電界効果トランジスタと同等のゲ 一ト長で飽和速度が非常に大きいカーボンナノチューブによりチャネルを構成す る事ができるので、 非常に高い周波数でデジタル電気信号あるいはアナ口グ電気 信号を制御あるいは増幅する電界効果トランジスタが実現できる。

Claims

請求の範囲
1 . 荷電粒子が走行するチャネルと、 チャネルの一部にそれぞれ接続されるソ ース領域、 ドレイン領域と、 チャネルと電磁気的に結合するゲート電極とからな る電界効果トランジスタにおいて、 前記チャネルがカーボンナノチューブで構成 される事を特 ^5：とする電界効果トランジスタ。
2 . 前記カーボンナノチューブの電気特性が半導体型である事を特徴とする請求 の範囲第 1項に記載の電界効果トランジスタ。
3 . 前記カーボンナノチューブに単層カーボンナノチューブあるいは多層カーボ ンナノチューブを含み、 且つ、 カーボンナノチューブに螺旋性がある場合あるい は無 、場合を含む事を特徴とする請求の範囲第 1項または第 2項に記載の電界効
4 . 前記カーボンナノチューブに荷電粒子供与体が添カ卩されている事を特徴とす る請求の範囲第 1項から第 3項までのいずれか 1項に記載の電界効果小ランジス タ。
5 . 前記荷電粒子供与体はアルカリ金属である事を特徴とする請求の範囲第 4項 に記載の電界効果トランジスタ。
6 . 前記荷電粒子供与体はハロゲン原子あるいはハロゲン分子である事を特徴と する請求の範囲第 4項に記載の電界効果トランジスタ。
7 . 前記家電粒子供与体は酸素分子、 ァンモユアまたは塩化ベンザルコニゥム である事を特徴とする請求項第 4項に記載の電界効果トランジスタ。
8 . 前記カーボンナノチューブが荷電粒子供給体を内包している事を特徴とする 請求の範囲第 1項から第 7項までのいずれか 1項に記載の電界効果トランジスタ
9 . 前記カーボンナノチューブに內包されている荷電粒子供与体がフラーレン類 である事を特徴とする請求の範囲第 8項に記載の電界効果トランジスタ。
1 0 . 前記フラーレンは化学修飾されている事を特徴とする請求の範囲第 9項に 記載の電界効果
1 1 . 前記フラーレンは金属あるいは分子を内包している事を特徴とする請求の 範囲第 9項または第 1 0項に記載の電界効果トランジスタ。
1 2. 前記ゲート電極が絶縁膜を介してチャネルに接続されていることを特徴と する請求項の範囲第 1項から第 1 1項までのいずれか 1項に記載の電界効果トラ ンジスタ。
1 3 . 前記ゲート電極としてカーボンナノチューブを用いたことを特 1数とする請 求の範囲第 1項から第 1 2項までのいずれか 1項に記載の電界効果トランジスタ。
PCT/JP2002/006355 2001-07-05 2002-06-25 Field-effect transistor constituting channel by carbon nano tubes WO2003005451A1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP02741291A EP1411554A4 (en) 2001-07-05 2002-06-25 FIELD EFFECT TRANSISTOR COMPRISING A CHANNEL CONSISTING OF CARBON NANOTUBES
US10/482,713 US20040238887A1 (en) 2001-07-05 2002-06-25 Field-effect transistor constituting channel by carbon nano tubes

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001-204182 2001-07-05
JP2001204182A JP2003017508A (ja) 2001-07-05 2001-07-05 電界効果トランジスタ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2003005451A1 true WO2003005451A1 (en) 2003-01-16

Family

ID=19040687

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2002/006355 WO2003005451A1 (en) 2001-07-05 2002-06-25 Field-effect transistor constituting channel by carbon nano tubes

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20040238887A1 (ja)
EP (1) EP1411554A4 (ja)
JP (1) JP2003017508A (ja)
CN (1) CN1332450C (ja)
WO (1) WO2003005451A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7598516B2 (en) * 2005-01-07 2009-10-06 International Business Machines Corporation Self-aligned process for nanotube/nanowire FETs
US8178402B2 (en) 2004-01-21 2012-05-15 Intel Corporation End functionalization of carbon nanotubes
US9481672B2 (en) 2012-05-09 2016-11-01 Bayer Pharma Aktiengesellschaft Bicyclically substituted uracils and the use thereof

Families Citing this family (123)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7084507B2 (en) 2001-05-02 2006-08-01 Fujitsu Limited Integrated circuit device and method of producing the same
EP1415351A1 (en) * 2001-07-26 2004-05-06 Technische Universiteit Delft Electronic device using carbon nanotubes
US6872645B2 (en) * 2002-04-02 2005-03-29 Nanosys, Inc. Methods of positioning and/or orienting nanostructures
JP4974263B2 (ja) 2002-05-20 2012-07-11 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP4338948B2 (ja) * 2002-08-01 2009-10-07 株式会社半導体エネルギー研究所 カーボンナノチューブ半導体素子の作製方法
US7358121B2 (en) * 2002-08-23 2008-04-15 Intel Corporation Tri-gate devices and methods of fabrication
WO2004032193A2 (en) 2002-09-30 2004-04-15 Nanosys, Inc. Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor
US7067867B2 (en) 2002-09-30 2006-06-27 Nanosys, Inc. Large-area nonenabled macroelectronic substrates and uses therefor
US7135728B2 (en) * 2002-09-30 2006-11-14 Nanosys, Inc. Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor
EP1563480A4 (en) * 2002-09-30 2010-03-03 Nanosys Inc INTEGRATED ADS WITH NANOWIRE TRANSISTORS
US7051945B2 (en) 2002-09-30 2006-05-30 Nanosys, Inc Applications of nano-enabled large area macroelectronic substrates incorporating nanowires and nanowire composites
US7619562B2 (en) * 2002-09-30 2009-11-17 Nanosys, Inc. Phased array systems
WO2004105140A1 (ja) 2003-05-22 2004-12-02 Fujitsu Limited 電界効果トランジスタ及びその製造方法
JP4036454B2 (ja) * 2003-05-30 2008-01-23 独立行政法人理化学研究所 薄膜トランジスタ。
US7280394B2 (en) 2003-06-09 2007-10-09 Nantero, Inc. Field effect devices having a drain controlled via a nanotube switching element
US6909151B2 (en) 2003-06-27 2005-06-21 Intel Corporation Nonplanar device with stress incorporation layer and method of fabrication
US7456476B2 (en) 2003-06-27 2008-11-25 Intel Corporation Nonplanar semiconductor device with partially or fully wrapped around gate electrode and methods of fabrication
JP2005045188A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Fuji Xerox Co Ltd 電子素子、集積回路およびその製造方法
JP4669213B2 (ja) 2003-08-29 2011-04-13 独立行政法人科学技術振興機構 電界効果トランジスタ及び単一電子トランジスタ並びにそれを用いたセンサ
US20060284218A1 (en) * 2003-09-03 2006-12-21 The Regents Of The University Of California Nanoelectonic devices based on nanowire networks
WO2005027226A1 (ja) * 2003-09-12 2005-03-24 Sony Corporation 電界効果半導体装置の製造方法
JP4834950B2 (ja) * 2003-09-12 2011-12-14 ソニー株式会社 電界効果半導体装置の製造方法
US7767185B2 (en) 2003-09-30 2010-08-03 Nec Corporation Method of producing a carbon nanotube and a carbon nanotube structure
JP2005150410A (ja) * 2003-11-17 2005-06-09 Japan Science & Technology Agency 薄膜トランジスタ
CN1784788A (zh) * 2003-12-08 2006-06-07 松下电器产业株式会社 场效应晶体管、电气元件阵列以及它们的制造方法
US7105390B2 (en) * 2003-12-30 2006-09-12 Intel Corporation Nonplanar transistors with metal gate electrodes
US7624192B2 (en) 2003-12-30 2009-11-24 Microsoft Corporation Framework for user interaction with multiple network devices
US7268058B2 (en) 2004-01-16 2007-09-11 Intel Corporation Tri-gate transistors and methods to fabricate same
JP4769931B2 (ja) * 2004-02-16 2011-09-07 国立大学法人名古屋大学 カーボンナノチューブに対する電極の形成方法及びそれを用いたカーボンナノチューブｆｅｔ
KR100574971B1 (ko) * 2004-02-17 2006-05-02 삼성전자주식회사 멀티-게이트 구조의 반도체 소자 및 그 제조 방법
US7154118B2 (en) 2004-03-31 2006-12-26 Intel Corporation Bulk non-planar transistor having strained enhanced mobility and methods of fabrication
US7180107B2 (en) * 2004-05-25 2007-02-20 International Business Machines Corporation Method of fabricating a tunneling nanotube field effect transistor
US7042009B2 (en) 2004-06-30 2006-05-09 Intel Corporation High mobility tri-gate devices and methods of fabrication
KR100615233B1 (ko) * 2004-07-21 2006-08-25 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 및 이를 구비한 평판 표시장치
WO2006076044A2 (en) * 2004-07-30 2006-07-20 Agilent Technologies, Inc. Nanostructure-based transistor
DE102004036956B3 (de) * 2004-07-30 2006-03-23 Infineon Technologies Ag Logik-Aktivierungsschaltung
JP2006049435A (ja) * 2004-08-02 2006-02-16 Sony Corp カーボンナノチューブ及びその配置方法と、これを用いた電界効果トランジスタとその製造方法及び半導体装置
US7348284B2 (en) 2004-08-10 2008-03-25 Intel Corporation Non-planar pMOS structure with a strained channel region and an integrated strained CMOS flow
US20060063318A1 (en) * 2004-09-10 2006-03-23 Suman Datta Reducing ambipolar conduction in carbon nanotube transistors
KR101025846B1 (ko) * 2004-09-13 2011-03-30 삼성전자주식회사 탄소나노튜브 채널을 포함하는 반도체 장치의 트랜지스터
US7071064B2 (en) * 2004-09-23 2006-07-04 Intel Corporation U-gate transistors and methods of fabrication
US7422946B2 (en) 2004-09-29 2008-09-09 Intel Corporation Independently accessed double-gate and tri-gate transistors in same process flow
US7332439B2 (en) 2004-09-29 2008-02-19 Intel Corporation Metal gate transistors with epitaxial source and drain regions
US7361958B2 (en) * 2004-09-30 2008-04-22 Intel Corporation Nonplanar transistors with metal gate electrodes
KR100601965B1 (ko) * 2004-10-02 2006-07-18 삼성전자주식회사 ｎ형 탄소 나노튜브를 구비한 ｎ형 탄소나노튜브 전계효과트랜지스터 및 그 제조방법
WO2006124055A2 (en) * 2004-10-12 2006-11-23 Nanosys, Inc. Fully integrated organic layered processes for making plastic electronics based on conductive polymers and semiconductor nanowires
US20070246784A1 (en) * 2004-10-13 2007-10-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Unipolar nanotube transistor using a carrier-trapping material
US7473943B2 (en) * 2004-10-15 2009-01-06 Nanosys, Inc. Gate configuration for nanowire electronic devices
US20060086977A1 (en) 2004-10-25 2006-04-27 Uday Shah Nonplanar device with thinned lower body portion and method of fabrication
CA2585009C (en) 2004-11-24 2014-09-30 Nanosys, Inc. Contact doping and annealing systems and processes for nanowire thin films
US7560366B1 (en) 2004-12-02 2009-07-14 Nanosys, Inc. Nanowire horizontal growth and substrate removal
JP4779172B2 (ja) * 2005-01-06 2011-09-28 独立行政法人産業技術総合研究所 ドーピングされたカーボンナノチューブ及びその製造方法
US8362525B2 (en) 2005-01-14 2013-01-29 Nantero Inc. Field effect device having a channel of nanofabric and methods of making same
US7193279B2 (en) * 2005-01-18 2007-03-20 Intel Corporation Non-planar MOS structure with a strained channel region
JP4891550B2 (ja) * 2005-02-10 2012-03-07 独立行政法人科学技術振興機構 ｎ型トランジスタ、ｎ型トランジスタセンサ及びｎ型トランジスタ用チャネルの製造方法
US7518196B2 (en) 2005-02-23 2009-04-14 Intel Corporation Field effect transistor with narrow bandgap source and drain regions and method of fabrication
US20060202266A1 (en) 2005-03-14 2006-09-14 Marko Radosavljevic Field effect transistor with metal source/drain regions
CN100367480C (zh) * 2005-03-17 2008-02-06 上海交通大学 由碳纳米管构成沟道的多沟道场效应晶体管的制造方法
KR100594327B1 (ko) * 2005-03-24 2006-06-30 삼성전자주식회사 라운드 형태의 단면을 가지는 나노와이어를 구비한 반도체소자 및 그 제조 방법
US9287356B2 (en) 2005-05-09 2016-03-15 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
KR101109623B1 (ko) 2005-04-07 2012-01-31 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터와 그 제조방법.
US7835170B2 (en) 2005-05-09 2010-11-16 Nantero, Inc. Memory elements and cross point switches and arrays of same using nonvolatile nanotube blocks
US7479654B2 (en) 2005-05-09 2009-01-20 Nantero, Inc. Memory arrays using nanotube articles with reprogrammable resistance
US8513768B2 (en) 2005-05-09 2013-08-20 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
KR100687100B1 (ko) 2005-05-11 2007-02-26 삼성전자주식회사 나노선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
KR100755367B1 (ko) 2005-06-08 2007-09-04 삼성전자주식회사 실린더형 게이트를 갖는 나노-라인 반도체 소자 및 그제조방법
CN101287986B (zh) * 2005-06-14 2012-01-18 三美电机株式会社 场效应晶体管、具备该场效应晶体管的生物传感器及检测方法
US7858481B2 (en) 2005-06-15 2010-12-28 Intel Corporation Method for fabricating transistor with thinned channel
US7547637B2 (en) 2005-06-21 2009-06-16 Intel Corporation Methods for patterning a semiconductor film
US7279375B2 (en) * 2005-06-30 2007-10-09 Intel Corporation Block contact architectures for nanoscale channel transistors
US7829474B2 (en) * 2005-07-29 2010-11-09 Lg. Display Co., Ltd. Method for arraying nano material and method for fabricating liquid crystal display device using the same
US7402875B2 (en) 2005-08-17 2008-07-22 Intel Corporation Lateral undercut of metal gate in SOI device
JP2007081185A (ja) * 2005-09-15 2007-03-29 Fujifilm Corp 光検出素子
EP1938381A2 (en) * 2005-09-23 2008-07-02 Nanosys, Inc. Methods for nanostructure doping
US7479421B2 (en) 2005-09-28 2009-01-20 Intel Corporation Process for integrating planar and non-planar CMOS transistors on a bulk substrate and article made thereby
US20070090416A1 (en) * 2005-09-28 2007-04-26 Doyle Brian S CMOS devices with a single work function gate electrode and method of fabrication
US7485503B2 (en) 2005-11-30 2009-02-03 Intel Corporation Dielectric interface for group III-V semiconductor device
JP4997750B2 (ja) * 2005-12-12 2012-08-08 富士通株式会社 カーボンナノチューブを用いた電子素子及びその製造方法
KR101197767B1 (ko) 2005-12-30 2012-11-06 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 이를 구비하는 액정표시장치 및 이의제조 방법
KR101232050B1 (ko) * 2005-12-31 2013-02-15 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 제조방법
JP5289678B2 (ja) * 2006-01-12 2013-09-11 富士通株式会社 電界効果型トランジスタ
US7611906B2 (en) * 2006-01-23 2009-11-03 Applied Nanotech Holdings, Inc. Functionalized carbon nanotubes
KR100668355B1 (ko) * 2006-02-16 2007-01-12 삼성전자주식회사 캐리어 트래핑 물질을 구비한 유니폴라 탄소나노튜브 및유니폴라 전계효과 트랜지스터
JP5157074B2 (ja) * 2006-03-16 2013-03-06 富士通株式会社 電界効果トランジスタ及びその製造方法
WO2007108122A1 (ja) * 2006-03-23 2007-09-27 Fujitsu Limited カーボンナノチューブデバイス及びその製造方法
US7714386B2 (en) * 2006-06-09 2010-05-11 Northrop Grumman Systems Corporation Carbon nanotube field effect transistor
US8143646B2 (en) 2006-08-02 2012-03-27 Intel Corporation Stacking fault and twin blocking barrier for integrating III-V on Si
DE102006047388A1 (de) * 2006-10-06 2008-04-17 Polyic Gmbh & Co. Kg Feldeffekttransistor sowie elektrische Schaltung
US7786024B2 (en) 2006-11-29 2010-08-31 Nanosys, Inc. Selective processing of semiconductor nanowires by polarized visible radiation
US20080149970A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-26 Thomas Shawn G Multi-gated carbon nanotube field effect transistor
US20080237682A1 (en) * 2007-03-26 2008-10-02 Kuo-Ching Chiang Semiconductor memory with conductive carbon
WO2008129992A1 (ja) 2007-04-16 2008-10-30 Nec Corporation 半導体装置及びその製造方法
WO2009011956A2 (en) * 2007-05-01 2009-01-22 The Research Foundation Of State University Of New York Hybrid magnetoelectronic transistor
KR101375833B1 (ko) * 2007-05-03 2014-03-18 삼성전자주식회사 게르마늄 나노로드를 구비한 전계효과 트랜지스터 및 그제조방법
KR100902128B1 (ko) * 2007-09-28 2009-06-09 삼성전기주식회사 방열 인쇄회로기판 및 반도체 칩 패키지
US8065634B1 (en) 2007-09-28 2011-11-22 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University System and method for analyzing a nanotube logic circuit
CN101126735B (zh) * 2007-09-30 2010-06-23 董益阳 一种场效应晶体管生物传感器的制备方法
US8043978B2 (en) * 2007-10-11 2011-10-25 Riken Electronic device and method for producing electronic device
FI20075767A0 (fi) * 2007-10-30 2007-10-30 Canatu Oy Pinnoite ja sähkölaitteita jotka käsittävät tätä
US7875878B2 (en) * 2007-11-29 2011-01-25 Xerox Corporation Thin film transistors
US8946683B2 (en) 2008-06-16 2015-02-03 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Medium scale carbon nanotube thin film integrated circuits on flexible plastic substrates
US8362566B2 (en) 2008-06-23 2013-01-29 Intel Corporation Stress in trigate devices using complimentary gate fill materials
US8357921B2 (en) * 2008-08-14 2013-01-22 Nantero Inc. Integrated three-dimensional semiconductor system comprising nonvolatile nanotube field effect transistors
US7915637B2 (en) * 2008-11-19 2011-03-29 Nantero, Inc. Switching materials comprising mixed nanoscopic particles and carbon nanotubes and method of making and using the same
DE102009009442A1 (de) 2009-02-18 2010-09-09 Polylc Gmbh & Co. Kg Organische Elektronikschaltung
WO2011103558A1 (en) 2010-02-22 2011-08-25 Nantero, Inc. Logic elements comprising carbon nanotube field effect transistor (cntfet) devices and methods of making same
US8288759B2 (en) * 2010-08-04 2012-10-16 Zhihong Chen Vertical stacking of carbon nanotube arrays for current enhancement and control
US8546246B2 (en) 2011-01-13 2013-10-01 International Business Machines Corporation Radiation hardened transistors based on graphene and carbon nanotubes
KR20120100630A (ko) * 2011-03-04 2012-09-12 삼성전자주식회사 반도체소자와 그 제조방법 및 반도체소자를 포함하는 전자장치
JP6215535B2 (ja) * 2013-02-01 2017-10-18 本田技研工業株式会社 電界効果トランジスタ
JP6215537B2 (ja) * 2013-02-01 2017-10-18 本田技研工業株式会社 半導体装置に好適なカーボンナノチューブ束群を用いた半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP5637231B2 (ja) * 2013-03-04 2014-12-10 富士通株式会社 電界効果型トランジスタの製造方法
JP6455910B2 (ja) * 2013-09-04 2019-01-23 公立大学法人首都大学東京 赤外線受光素子
US9299430B1 (en) 2015-01-22 2016-03-29 Nantero Inc. Methods for reading and programming 1-R resistive change element arrays
JP6772462B2 (ja) * 2016-01-05 2020-10-21 株式会社ニコン 物体位置決め方法及び物体位置決め装置、並びに、デバイス製造方法及びデバイス製造装置
JP6772472B2 (ja) * 2016-02-03 2020-10-21 株式会社ニコン 配置方法及び配置装置、並びに、デバイス製造方法及びデバイス製造方法
US9941001B2 (en) 2016-06-07 2018-04-10 Nantero, Inc. Circuits for determining the resistive states of resistive change elements
US9934848B2 (en) 2016-06-07 2018-04-03 Nantero, Inc. Methods for determining the resistive states of resistive change elements
US10665799B2 (en) 2016-07-14 2020-05-26 International Business Machines Corporation N-type end-bonded metal contacts for carbon nanotube transistors
US10665798B2 (en) * 2016-07-14 2020-05-26 International Business Machines Corporation Carbon nanotube transistor and logic with end-bonded metal contacts
RU175418U1 (ru) * 2016-12-12 2017-12-04 Российская Федерация, от имени которой выступает федеральное государственное казенное учреждение "Войсковая часть 68240" (ФГКУ "В/ч" 68240) Полевой транзистор на углеродной пленке с вертикальным каналом проводимости
CN110268535A (zh) * 2017-02-10 2019-09-20 国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学 n型导电材料及其制造方法
EP3881367A4 (en) * 2018-11-16 2022-10-12 Neurosilica, Inc. NOVEL MULTI-LAYER COMPOSITE USING QUANTUM-POINT BASED PHOTOVOLTAIC ACTION FOR A BI-DIRECTIONAL BRAIN-COMPUTER INTERFACE

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0663396A (ja) * 1992-08-18 1994-03-08 Osaka Gas Co Ltd 吸蔵材
US5457343A (en) * 1992-12-22 1995-10-10 Nec Corporation Carbon nanotubule enclosing a foreign material
WO1996018059A1 (en) * 1994-12-08 1996-06-13 Hyperion Catalysis International, Inc. Functionalized fibrils
JPH09260635A (ja) * 1996-03-21 1997-10-03 Hitachi Ltd 電流制御素子
JP2000156423A (ja) * 1998-11-18 2000-06-06 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 電界効果トランジスタを含む超小型電子素子
JP2002076324A (ja) * 2000-08-31 2002-03-15 Fuji Xerox Co Ltd トランジスタ
JP2002118248A (ja) * 2000-07-18 2002-04-19 Lg Electronics Inc カーボンナノチューブの水平成長方法及びこれを利用した電界効果トランジスタ

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU7211494A (en) * 1993-06-28 1995-01-17 William Marsh Rice University Solar process for making fullerenes
KR100360476B1 (ko) * 2000-06-27 2002-11-08 삼성전자 주식회사 탄소나노튜브를 이용한 나노 크기 수직 트랜지스터 및 그제조방법
US6423583B1 (en) * 2001-01-03 2002-07-23 International Business Machines Corporation Methodology for electrically induced selective breakdown of nanotubes

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0663396A (ja) * 1992-08-18 1994-03-08 Osaka Gas Co Ltd 吸蔵材
US5457343A (en) * 1992-12-22 1995-10-10 Nec Corporation Carbon nanotubule enclosing a foreign material
WO1996018059A1 (en) * 1994-12-08 1996-06-13 Hyperion Catalysis International, Inc. Functionalized fibrils
JPH09260635A (ja) * 1996-03-21 1997-10-03 Hitachi Ltd 電流制御素子
JP2000156423A (ja) * 1998-11-18 2000-06-06 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 電界効果トランジスタを含む超小型電子素子
JP2002118248A (ja) * 2000-07-18 2002-04-19 Lg Electronics Inc カーボンナノチューブの水平成長方法及びこれを利用した電界効果トランジスタ
JP2002076324A (ja) * 2000-08-31 2002-03-15 Fuji Xerox Co Ltd トランジスタ

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HIRAHARA K. ET AL.: "One-dimensional metallofullerence crystal generated inside single-walled carbon nanotubes", PHYSICAL REVIEW LETTERS, vol. 85, no. 25, 18 December 2000 (2000-12-18), pages 5384 - 5387, XP002907431 *
MCEUEN P.L. ET AL.: "Nanotube nanoelectronics", DEVICE RESEARCH CONFERENCE 2001, 25 June 2001 (2001-06-25), pages 107 - 110, XP002957181 *
PHILIP G. ET AL.: "Engineering carbon nanotubes and nanotube circuits using electrical breakdown", SCIENCE, vol. 292, 27 April 2001 (2001-04-27), pages 706 - 709, XP002957182 *
See also references of EP1411554A4 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8178402B2 (en) 2004-01-21 2012-05-15 Intel Corporation End functionalization of carbon nanotubes
US7598516B2 (en) * 2005-01-07 2009-10-06 International Business Machines Corporation Self-aligned process for nanotube/nanowire FETs
US8003453B2 (en) 2005-01-07 2011-08-23 International Business Machines Corporation Self-aligned process for nanotube/nanowire FETs
US8119466B2 (en) 2005-01-07 2012-02-21 International Business Machines Corporation Self-aligned process for nanotube/nanowire FETs
US9481672B2 (en) 2012-05-09 2016-11-01 Bayer Pharma Aktiengesellschaft Bicyclically substituted uracils and the use thereof

Also Published As

Publication number Publication date
EP1411554A1 (en) 2004-04-21
CN1332450C (zh) 2007-08-15
JP2003017508A (ja) 2003-01-17
EP1411554A4 (en) 2009-08-05
CN1547777A (zh) 2004-11-17
US20040238887A1 (en) 2004-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2003005451A1 (en) Field-effect transistor constituting channel by carbon nano tubes
US8115187B2 (en) Triodes using nanofabric articles and methods of making the same
JP5263755B2 (ja) トンネル・ナノチューブ電界効果トランジスタおよびそれを製作する方法
US7102157B2 (en) Nanotube-based vacuum devices
US7790539B2 (en) Electronic device and method for producing the same
US7709827B2 (en) Vertically integrated field-effect transistor having a nanostructure therein
US8455311B2 (en) Solid state klystron
JP2006114912A (ja) キャリヤトラッピング物質を含む単極性ナノチューブトランジスタ及びその製造方法
US10062857B2 (en) Carbon nanotube vacuum transistors
US8581233B2 (en) Variable capacitor single-electron transistor including a P-N junction gate electrode
US7332740B2 (en) Memory device having molecular adsorption layer
US7176478B2 (en) Nanotube-based vacuum devices
JP2007217273A (ja) キャリアトラッピング物質を含む単極性炭素ナノチューブ及び単極性電界効果トランジスタ
JPH07122198A (ja) カーボンナノチューブトランジスタ
US6930322B1 (en) Combination insulator and organic semiconductor formed from self-assembling block co-polymers
Xie et al. Carbon nanotube-based CMOS transistors and integrated circuits
Monshipouri et al. Field emission current from a junction field-effect transistor
US8629480B2 (en) Hetero-junction tunneling transistor
Wei et al. Directed assembly of carbon nanotube electronic circuits by selective area chemical vapor deposition on prepatterned catalyst electrode structures
US20220406556A1 (en) Electron source for generating an electron beam
WO2024039807A1 (en) Insulating self-developing resist for electronic devices and quantum point contacts
Hartangel New microwave concepts based on carbon nano tubes
JPH04368136A (ja) 超微粒子トランジスタ

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): CN KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2002741291

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 20028166639

Country of ref document: CN

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2002741291

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10482713

Country of ref document: US