WO2000065664A1 - Led-lichtquelle mit linse - Google Patents

Led-lichtquelle mit linse Download PDF

Info

Publication number
WO2000065664A1
WO2000065664A1 PCT/DE2000/001079 DE0001079W WO0065664A1 WO 2000065664 A1 WO2000065664 A1 WO 2000065664A1 DE 0001079 W DE0001079 W DE 0001079W WO 0065664 A1 WO0065664 A1 WO 0065664A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
led
light source
source according
lens
led light
Prior art date
Application number
PCT/DE2000/001079
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Jörg-Erich SORG
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=7905558&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=WO2000065664(A1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg
Priority to JP2000614512A priority Critical patent/JP5100926B2/ja
Publication of WO2000065664A1 publication Critical patent/WO2000065664A1/de
Priority to US10/007,398 priority patent/US6759803B2/en
Priority to US10/454,919 priority patent/US6746295B2/en
Priority to US10/854,098 priority patent/US7126273B2/en
Priority to US11/520,104 priority patent/US7594840B2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S362/00—Illumination
    • Y10S362/80—Light emitting diode

Definitions

  • the invention relates to a light source according to the preamble of claim 1.
  • LEDs based on GaN have recently been developed, with which blue or ultraviolet light can be generated. These LEDs can be used to manufacture light sources based on the wavelength conversion.
  • a concept which has already been implemented provides that part of the blue light emitted by the LED is converted into yellow light by means of a suitable converter material, so that white light is generated as a result of the resulting color mixture of the original blue light with the converted yellow light.
  • the converter material can either be contained in the semiconductor material of the LED or in an embedding material made of resin or the like surrounding the LED.
  • the LED components can be provided with an optical lens through which the light is focused and radiated in a directed manner.
  • FIG.l An example of such a design is shown in Fig.l.
  • an LED design is used, as described, for example, in the article "SIEMENS SMT-TOPLED for surface mounting" by F. Möllmer and G. Waitl in the magazine Siemens Components 29 (1991), No. 4, p. 147 is described in connection with Figure 1.
  • This form of LED is extremely compact and, if necessary, allows the arrangement of A large number of such LEDs in a row or matrix arrangement.
  • an LED 2 is mounted with one of its electrical contact surfaces on a conductor strip 5 which is connected to one pole of a voltage source, while an opposite conductor strip is connected to the other pole of the voltage source 5 is connected by a bonding wire 6 to the other electrical contact surface of the LED 2.
  • the two conductor strips 5 are extrusion-coated with a high-temperature-resistant thermoplastic.
  • a base body 1 is injection molded, in which there is a recess 1A, into which the LED 2 protrudes on the inside.
  • the thermoplastic preferably has a high diffuse reflectance of approximately 90%, so that the light emitted by the LED 2 can additionally be reflected on the inclined side walls of the recess 1A in the direction of the exit opening.
  • the recess 1A is filled with a transparent resin material 3, such as an epoxy resin, which contains a converter material, for example a suitable dye.
  • the resin material and the thermoplastic are carefully coordinated so that even thermal peak loads do not lead to mechanical faults.
  • blue or ultraviolet light is emitted by the LED 2, which can be produced, for example, on a GaN basis or also on the basis of II-VI connections.
  • the relatively short-wave emitted light radiation in the resin filling 3 containing the converter material is partially converted into long-wave light radiation.
  • a blue LED such a converter material can be used, by means of which the blue light radiation is at least partially converted into yellow light radiation.
  • a problem with this design is the different path lengths of the light beams in the one filled with the converter material Resin filling 3 from the LED 2 to the lens 4.
  • the present invention is therefore based on the object of specifying an LED light source in which the path length of the
  • Radiation through the converter material is essentially the same size and the light radiation can be emitted in a bundled form.
  • a method for producing such a light source is to be specified
  • Fig.l is a vertical section through an embodiment for an LED light source with glued lens
  • FIG. 2 shows a vertical section through an embodiment of an LED light source according to the invention.
  • FIG. 2 An embodiment according to the present invention is shown in FIG. 2, in which the same reference numerals are assigned to the same and functionally identical elements as in the light source of FIG. All of the advantageous features mentioned in relation to the design of FIG. 1 can also be used in the design of FIG. 2 according to the invention.
  • the light source of Figure 2 solves the problem mentioned in that the path length of the light radiation in the Resin filling 3 is standardized.
  • the resin filling 3 is produced with a convex surface 3A, which is at essentially the same distance from the LED 2 at each point.
  • the volume fraction of the converter material contained in the resin filling is adjusted so that a sufficiently large proportion of the blue light radiation is converted into yellow light radiation along this unified path length from the LED 2 to the convex surface 3A of the resin filling 3, so that the radiation for human beings Eye is perceived as white light radiation.
  • white light enters the lens 4 located above it at every point on the convex surface 3A due to the proportionally blue-yellow color mixture.
  • the lens 4 made of polycarbonate for example, has a concave surface 4A which is form-fitting with the convex surface 3A of the resin filling 3.
  • the light source according to the invention according to FIG. 2 can be manufactured in the following way.
  • An LED 2 is electrically connected to conductor strips 5 in the manner already described and the conductor strips 5 are extrusion-coated by a thermoplastic material in such a way that a base body 1 is formed and the LED 2 is located in a recess 1A of the base body 1.
  • the method is already described in the Möllmer and Waitl article. Then, however, the resin material 3 is not filled into the recess 1A up to the edge of the recess 1A, but only up to a precisely defined fill level below it.
  • a prefabricated lens 4 which has the shape shown in FIG. 2 with the concave underside 4A, is inserted into the still liquid resin material 3, the surface of the resin filling laying against the concave underside 4A of the lens 4, so that the convex surface 3A of the resin filling 3 is generated.
  • the resin filling is cured.
  • the filling quantity of the resin material 3 filled into the recess 1A must be adjusted as precisely as possible so that the volume missing up to the edge of the recess 1A corresponds to the displacement volume of the section of the lens 4 forming the concave underside 4A.
  • the shape of the convex surface 3A of the resin filling 3 and the concave underside 4A of the lens 4 is already determined when the lens 4 is manufactured.
  • the condition for this shape is that the distance of the actual light source, ie the active radiating surface of the LED, from these surfaces is constant.
  • the active radiating surface of the LED can be assumed to be point-shaped and placed in the center of the active radiating surface.
  • the base body can also be formed by a metallic block, such as a copper block, which has a recess, on the bottom surface of which the LED is mounted with one of its electrical contact surfaces, so that the copper block is a heat sink and an electrical connection at the same time.
  • the other electrical connection could then be formed on an outer surface of the copper block with an interposed insulator layer, this electrical connection being connected to the other contact area of the LED by a bonding wire before the resin filling.

Abstract

In einer erfindungsgemässen Lichtquelle ist eine vorzugsweise für die Oberflächenmontagetechnik gefertigte LED (2) in eine transparente Materialfüllung (3) eingebettet, in welcher eine Konvertersubstanz zur mindestens teilweisen Wellenlängenkonversion des von der LED emittierten Lichts enthalten ist, und auf die transparente Materialfüllung ist eine Linse (4) aufgeklebt, wobei die Materialfüllung eine konvexe Oberfläche (3A) aufweist und die Linse (4) eine mit der konvexen Oberfläche der Materialfüllung formschlüssige konkave Unterseite (4A) aufweist.

Description

Beschreibung
LED-Lichtquelle mit Linse
Die Erfindung bezieht sich auf eine Lichtquelle nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
In jüngster Zeit sind LEDs auf der Basis von GaN entwickelt worden, mit denen blaues oder ultraviolettes Licht erzeugt werden kann. Mithilfe dieser LEDs können Lichtquellen auf der Grundlage der Wellenlängenkonversion hergestellt werden. Ein bereits realisiertes Konzept sieht vor, daß ein Teil des von der LED emittierten blauen Lichts durch ein geeignetes Konvertermaterial in gelbes Licht umgewandelt wird, so daß in- folge der entstehenden Farbmischung des originären blauen Lichts mit dem konvertierten gelben Licht Weißlicht erzeugt wird. In einem zweiten Konzept wird vorgeschlagen, ultraviolettes Licht einer geeigneten LED in den sichtbaren Spektral - bereich zu konvertieren.
Das Konvertermaterial kann bei beiden Konzepten entweder in dem Halbleitermaterial der LED oder in einem die LED umgebenden Einbettungsmaterial aus Harz oder dergleichen enthalten sein.
Um die Strahlungsintensität des Bauelements in Abstrahlrichtung zu erhöhen, können die LED-Bauelemente mit einer optischen Linse versehen werden, durch welche das Licht fokus- siert und gerichtet abgestrahlt wird.
Ein Beispiel für eine derartige Bauform ist in Fig.l dargestellt. In dieser wird eine LED-Bauform verwendet, wie sie beispielsweise in dem Artikel "SIEMENS SMT-TOPLED für die Oberflächenmontage" von F. Möllmer und G. Waitl in der Zeit- schrift Siemens Components 29 (1991), Heft 4, S. 147 im Zusammenhang mit Bild 1 beschrieben ist. Diese Form der LED ist äußerst kompakt und erlaubt gegebenenfalls die Anordnung ei- ner Vielzahl von derartigen LEDs in einer Reihen- oder Matrixanordnung .
Bei einer SMT-TOPLED gemäß der Anordnung der Fig.l ist eine LED 2 mit einer ihrer elektrischen Kontaktflächen auf einem Leiterband 5 montiert, das mit einem Pol einer Spannungs- quelle verbunden ist, während ein gegenüberliegendes, mit dem anderen Pol der Spannungsquelle verbundenes Leiterband 5 durch einen Bonddraht 6 mit der anderen elektrischen Kontakt - fläche der LED 2 verbunden ist. Die beiden Leiterbänder 5 sind mit einem hochtemperaturfesten Thermoplast umspritzt. Dadurch wird ein Grundkörper 1 im Spritzguß geformt, in dem sich eine Ausnehmung 1A befindet, in die die LED 2 innenseitig hineinragt. Der Thermoplast weist vorzugsweise einen ho- hen diffusen Reflexionsgrad von etwa 90% auf, so daß das von der LED 2 emittierte Licht zusätzlich an den schräggestellten Seitenwänden der Ausnehmung 1A in Richtung auf die Aus- gangsöffnung reflektiert werden kann. Die Ausnehmung 1A wird mit einem transparenten Harzmaterial 3 wie einem Epoxidharz gefüllt, welches ein Konvertermaterial, beispielsweise einen geeigneten Farbstoff enthält . Das Harzmaterial und der Thermoplast sind sorgfältig aufeinander abgestimmt, damit auch thermische Spitzenbelastungen nicht zu mechanischen Störungen führen .
Im Betrieb wird durch die LED 2, die beispielsweise auf GaN- Basis oder auch auf Basis von II -VI -Verbindungen hergestellt sein kann, blaues oder ultraviolettes Licht emittiert. Auf ihrem Weg von der LED 2 zu der Linse 4 wird die relativ kurz- wellige emittierte Lichtstrahlung in der das Konvertermaterial enthaltenden Harzfüllung 3 partiell in langwellige Lichtstrahlung umgewandelt. Insbesondere kann bei Verwendung einer blauen LED ein solches Konvertermaterial verwendet werden, durch welches die blaue Lichtstrahlung mindestens partiell in gelbe Lichtstrahlung umgewandelt wird. Ein Problem dieser Bauform sind jedoch die unterschiedlichen Weglängen der Lichtstrahlen in der mit dem Konvertermaterial gefüllten Harzfüllung 3 von der LED 2 bis zu der Linse 4. Diese führen dazu, daß im Randbereich des Bauelements der gelbe Anteil in der Lichtstrahlung überwiegt, während im Gegensatz dazu in der Mitte der blaue Anteil in der Lichtstrahlung überwiegt. Dieser Effekt führt somit zu einem mit der Abstrahlrichtung oder Betrachtungsrichtung variierenden Farbort der emittierten Lichtstrahlung.
Der vorliegenden Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, eine LED-Lichtquelle anzugeben, bei der die Weglänge der
Strahlung durch das Konvertermaterial im wesentlichen gleich groß ist und die Lichtstrahlung in gebündelter Form abgestrahlt werden kann. Darüber hinaus soll ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Lichtquelle angegeben werden
Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen der Patentansprüche 1 und 13 gelöst.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbei- spielen in den Zeichnungen näher beschrieben. In den Zeichnungen zeigen:
Fig.l ein vertikaler Schnitt durch ein Ausführungsbeispiel für eine LED-Lichtquelle mit aufgeklebter Linse;
Fig.2 ein vertikaler Schnitt durch eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen LED-Lichtquelle .
Eine Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung ist in Fig.2 dargestellt, in der die gleichen Bezugszeichen für gleiche und funktionsgleiche Elemente wie bei der Lichtquelle der Fig.l vergeben sind. Alle in bezug auf die Bauform der Fig.l genannten vorteilhaften Merkmale sind auch bei der erfindungsgemäßen Bauform der Fig.2 verwendbar.
Die erfindungsgemäße Lichtquelle der Fig.2 löst das genannte Problem dadurch, daß die Weglänge der Lichtstrahlung in der Harzfüllung 3 vereinheitlicht wird. Um dieses zu erreichen, wird die Harzfüllung 3 mit einer konvexen Oberfläche 3A hergestellt, die an jedem Punkt im wesentlichen den gleichen Abstand von der LED 2 aufweist. Der Volumenanteil des in der Harzfüllung enthaltenen Konvertermaterials wird so eingestellt, daß entlang dieser vereinheitlichten Weglänge von der LED 2 bis zu der konvexen Oberfläche 3A der Harzfüllung 3 ein genügend großer Anteil der blauen Lichtstrahlung in gelbe Lichtstrahlung umgewandelt wird, so daß die Strahlung für das menschliche Auge als Weißlichtstrahlung wahrgenommen wird. Somit tritt an jedem Punkt der konvexen Oberfläche 3A aufgrund der anteilsgleichen blau-gelben Farbmischung weißes Licht in die darüber befindliche Linse 4 ein.
Die beispielsweise aus Polycarbonat gefertigte Linse 4 weist demgegenüber eine konkave Oberfläche 4A auf, die mit der konvexen Oberfläche 3A der Harzfüllung 3 formschlüssig ist.
Die erfindungsgemäße Lichtquelle gemäß Fig.2 kann auf folgen- de Weise hergestellt werden.
Eine LED 2 wird in der bereits beschriebenen Weise mit Leiterbändern 5 elektrisch verbunden und die Leiterbänder 5 werden durch ein thermoplastisches Material derart umspritzt, daß ein Grundkörper 1 gebildet wird und die LED 2 sich in einer Ausnehmung 1A des Grundkörpers 1 befindet. Insoweit ist das Verfahren bereits in dem genannten Artikel von Möllmer und Waitl beschrieben. Dann wird jedoch das Harzmaterial 3 nicht bis zum Rand der Ausnehmung 1A in diese eingefüllt son- dern nur bis zu einer genau festgelegten Füllhöhe darunter.
Dann wird eine vorgefertigte Linse 4, die die in Fig.2 dargestellte Form mit der konkaven Unterseite 4A aufweist, in das noch flüssige Harzmaterial 3 eingesetzt, wobei sich die Oberfläche der Harzfüllung an die konkave Unterseite 4A der Linse 4 anlegt, so daß dadurch die konvexe Oberfläche 3A der Harz- füllung 3 erzeugt wird. Nach dem Einsetzen der Linsen 4 wird die Harzfüllung ausgehärtet. Die Füllmenge des in die Ausnehmung 1A eingefüllten Harzmaterials 3 muß möglichst genau so eingestellt werden, daß das bis zum Rand der Ausnehmung 1A fehlende Volumen dem Verdrän- gungsvolumen des die konkave Unterseite 4A bildenden Abschnitts der Linse 4 entspricht.
Die Form der konvexen Oberfläche 3A der Harzfüllung 3 und der konkaven Unterseite 4A der Linse 4 wird bereits bei der Fer- tigung der Linse 4 festgelegt . Die Bedingung für diese Form ist, daß der Abstand der eigentlichen Lichtquelle, also der aktiven strahlenden Fläche der LED von diesen Oberflächen konstant ist. Zu diesem Zweck kann die aktive strahlende Fläche der LED als punktförmig angenommen und in den Mittelpunkt der aktiven strahlenden Fläche gelegt werden.
Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf die in Fig.2 dargestellte SMT-Bauform beschränkt. Beispielsweise kann der Grundkörper auch durch einen metallischen Block wie einen Kupferblock gebildet sein, der eine Ausnehmung aufweist, auf deren Bodenfläche die LED mit einer ihrer elektrischen Kon- taktierungsflachen montiert ist, so daß der Kupferblock gleichzeitig Wärmesenke und elektrischer Anschluß ist. Der andere elektrische Anschluß könnte dann auf einer äußeren Oberfläche des Kupferblocks mit einer dazwischenliegenden Isolatorschicht geformt sein, wobei dieser elektrische Anschluß mit der anderen Kontaktierungsflache der LED durch einen Bonddraht vor der Harzverfüllung verbunden wird.

Claims

Patentansprüche
1. LED-Lichtquelle, mit - mindestens einer LED (2), einem Grundkörper (1) mit einer Ausnehmung (1A), in der die LED (2) angeordnet ist, eine die LED (2) einbettende Füllung (3) aus einem transparenten Material, in welchem eine Konvertersubstanz zur mindestens teilweisen Wellenlängenkonversion des von der LED (2) emittierten Lichts enthalten ist, einer mit der Materialfüllung (3) in Kontakt stehenden Linse (4) , d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß - die Linse (4) eine konkave Unterseite (4A) aufweist und auf die Materialfüllung (3) aufgebracht ist und daß die Füllung (3) eine konvexe Oberfläche (3A) aufweist, derart, daß die Oberseite der Materialfüllung (3) "mit der konkaven Unterseite der Linse formschlüssig ist.
2. LED-Lichtquelle nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß das Volumen der Materialfüllung (3) kleiner ist als das freie Volumen der Ausnehmung (1A) mit der darin angeordneten LED (2) .
3. LED-Lichtquelle nach Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die konvexe Oberfläche (3A) der Materialfüllung (3) und die Unterseite (4A) der Linse (4) derart geformt sind, daß sie einen im wesentlichen gleichbleibenden Abstand von der LED (2) aufweisen.
4. LED-Lichtquelle nach Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die konvexe Oberfläche (3A) der Materialfüllung (3) und die Unterseite (4A) der Linse (4) derart geformt sind, daß sie einen im wesentlichen gleichbleibenden Abstand von dem geometrischen Mittelpunkt ihrer aktiven strahlenden Fläche aufweisen.
5. LED-Lichtquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die LED (2) eine blau emittierende LED auf GaN-Basis ist und die Konvertersubstanz für die Konversion von Lichtstrahlung im blauen Spektralbereich in Lichtstrahlung im gelben Spektralbereich ausgelegt ist .
6. LED-Lichtquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die LED (2) eine UV emitierende LED ist und die Konvertersubstanz das UV-Licht in den sichtbaren Spektralbereich konver- tiert.
7. LED- Licht quelle nach einem der Ansprüche 1 bis 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Abstand der konvexen Oberfläche (3A) von der LED (2), insbesondere von dem geometrischen Mittelpunkt ihrer aktiven strahlenden Fläche derart gewählt ist, daß entlang der optischen Weglänge der Lichtstrahlung der Konversionsgrad im wesentlichen 50% beträgt.
8. LED-Lichtquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 7, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Lichtquelle für Oberflächenmontagetechnik hergestellt ist.
9. LED-Lichtquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 8, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Materialfüllung (3) ein Harzmaterial, insbesondere ein Epoxidharz enthält.
10. LED-Lichtquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 9, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Grundkörper (1) ein thermoplastisches Material enthält.
11. LED-Lichtquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 10, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die LED (2) mit einer ihrer elektrischen Kontaktierungs- flächen auf einer ersten Leiterbahn (5) montiert ist, und ihre andere elektrische Kontaktierungsflache durch einen Bonddraht (6) mit einer zweiten Leiterbahn (5) verbun- den ist, und der Grundkörper (1) durch Spritzguß um die Leiterbänder (5) hergestellt ist.
12. LED-Lichtquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 11, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Seitenwände der Ausnehmung (1A) schräggestellt und reflektierend sind.
13. Verfahren zur Herstellung einer LED-Lichtquelle nach ei- nem der vorhergehenden Ansprüche, mit den Verfahrensschritten
Formen einer Ausnehmung mit ebener Bodenfläche in einen
Grundkörper,
Montieren einer LED auf der Bodenfläche,
Einfüllen einer definierten Menge eines ein Konvertermate- rial enthaltenden transparenten Materials, wie eines Harzmaterials in die Ausnehmung,
Bereitstellen einer Linse, die mit einer konvexen Oberseite und einer konkaven Unterseite vorgefertigt wurde, Einsetzen der Linse mit ihrer konkaven Unterseite in das noch flüssige transparente Material, und Aushärten des transparenten Materials .
PCT/DE2000/001079 1999-04-22 2000-04-07 Led-lichtquelle mit linse WO2000065664A1 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000614512A JP5100926B2 (ja) 1999-04-22 2000-04-07 レンズ付ｌｅｄ光源
US10/007,398 US6759803B2 (en) 1999-04-22 2001-10-22 LED light source with lens and corresponding production method
US10/454,919 US6746295B2 (en) 1999-04-22 2003-06-05 Method of producing an LED light source with lens
US10/854,098 US7126273B2 (en) 1999-04-22 2004-05-25 LED light source with lens
US11/520,104 US7594840B2 (en) 1999-04-22 2006-09-13 Method of encapsulating LED light source with embedded lens component

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19918370A DE19918370B4 (de) 1999-04-22 1999-04-22 LED-Weißlichtquelle mit Linse
DE19918370.8 1999-04-22

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US10/007,398 Continuation US6759803B2 (en) 1999-04-22 2001-10-22 LED light source with lens and corresponding production method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2000065664A1 true WO2000065664A1 (de) 2000-11-02

Family

ID=7905558

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/DE2000/001079 WO2000065664A1 (de) 1999-04-22 2000-04-07 Led-lichtquelle mit linse

Country Status (6)

Country Link
US (4) US6759803B2 (de)
JP (1) JP5100926B2 (de)
CN (4) CN100452461C (de)
DE (1) DE19918370B4 (de)
TW (1) TW575966B (de)
WO (1) WO2000065664A1 (de)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10129785A1 (de) * 2001-06-20 2003-01-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
GB2383681A (en) * 2001-09-27 2003-07-02 United Epitaxy Co Ltd High flux light emitting diode having a flip-chip type light emitting diode chip with a transparent substrate
JP2004158635A (ja) * 2002-11-06 2004-06-03 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型チップｌｅｄ及びその製造方法
WO2004084316A2 (en) * 2003-03-20 2004-09-30 Acol Technologies S.A. Light emitting diode package providing phosphor amount control
US6999493B2 (en) 2001-05-25 2006-02-14 Seiko Epson Corporation Surface emission laser and manufacturing method for surface emission laser, light reception element and manufacturing method for light reception element, and optical transceiver module
EP1885003A2 (de) * 2006-07-31 2008-02-06 Cree, Inc. Gehäuseelement für eine lichtemittierende Diode mit internem Meniskus zur blasenfreien Linsenpositionierung
WO2008016908A2 (en) * 2006-07-31 2008-02-07 3M Innovative Properties Company Led source with hollow collection lens
DE102010045403A1 (de) 2010-09-15 2012-03-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US10741735B2 (en) 2014-06-02 2020-08-11 3M Innovative Properties Company LED with remote phosphor and shell reflector

Families Citing this family (167)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19918370B4 (de) * 1999-04-22 2006-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit Linse
DE10020465A1 (de) * 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE10023353A1 (de) 2000-05-12 2001-11-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
DE10142009B4 (de) * 2001-08-28 2010-04-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED - Lichtquelle mit einem Konversionsmittel und mit einer UV-absorbierenden Schicht
US7186005B2 (en) * 2001-10-18 2007-03-06 Ilight Technologies, Inc. Color-changing illumination device
TWI229946B (en) 2002-05-08 2005-03-21 Phoseon Technology Inc High efficiency solid-state light source and methods of use and manufacture
DE10228634A1 (de) * 2002-06-26 2004-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbare Miniatur-Lumineszenz-und/oder Photo-Diode und Verfahren zu deren Herstellung
DE10229067B4 (de) 2002-06-28 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7775685B2 (en) * 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
JP4074498B2 (ja) * 2002-09-25 2008-04-09 セイコーエプソン株式会社 面発光型発光素子、光モジュールおよび光伝達装置
JP4143732B2 (ja) * 2002-10-16 2008-09-03 スタンレー電気株式会社 車載用波長変換素子
US7692206B2 (en) 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
DE10315131A1 (de) * 2003-04-03 2004-10-14 Hella Kg Hueck & Co. Scheinwerfer für Fahrzeuge
US7318659B2 (en) * 2004-03-03 2008-01-15 S. C. Johnson & Son, Inc. Combination white light and colored LED light device with active ingredient emission
DE102004001312B4 (de) * 2003-07-25 2010-09-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Chip-Leuchtdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP4317189B2 (ja) * 2003-07-30 2009-08-19 関西電力株式会社 高耐熱半導体装置
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
EP1521031A3 (de) 2003-09-30 2008-02-27 Toshiba Lighting & Technology Corporation Beleuchtungsvorrichtung mit Leuchtdioden und Notlicht mit einer Solchen
US6942360B2 (en) * 2003-10-01 2005-09-13 Enertron, Inc. Methods and apparatus for an LED light engine
DE10346452A1 (de) * 2003-10-03 2005-04-28 Schefenacker Vision Systems Leuchtelement mit Einlegelichtleitkörper
US7819550B2 (en) * 2003-10-31 2010-10-26 Phoseon Technology, Inc. Collection optics for led array with offset hemispherical or faceted surfaces
EP1693614B1 (de) * 2003-12-10 2009-12-16 Okaya Electric Industries Co., Ltd. Anzeigelampe
DE10361650A1 (de) * 2003-12-30 2005-08-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul und Verfahren zu dessen Herstellung
CN100341160C (zh) * 2004-02-27 2007-10-03 沈育浓 发光二极管晶片封装体及其封装方法
WO2005091392A1 (en) 2004-03-18 2005-09-29 Phoseon Technology, Inc. Micro-reflectors on a substrate for high-density led array
TWI257184B (en) * 2004-03-24 2006-06-21 Toshiba Lighting & Technology Lighting apparatus
US7326583B2 (en) * 2004-03-31 2008-02-05 Cree, Inc. Methods for packaging of a semiconductor light emitting device
US7279346B2 (en) * 2004-03-31 2007-10-09 Cree, Inc. Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another
US7517728B2 (en) * 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
US7719020B2 (en) * 2005-06-17 2010-05-18 The Regents Of The University Of California (Al,Ga,In)N and ZnO direct wafer bonded structure for optoelectronic applications, and its fabrication method
US8227820B2 (en) 2005-02-09 2012-07-24 The Regents Of The University Of California Semiconductor light-emitting device
US8860051B2 (en) * 2006-11-15 2014-10-14 The Regents Of The University Of California Textured phosphor conversion layer light emitting diode
US7768023B2 (en) * 2005-10-14 2010-08-03 The Regents Of The University Of California Photonic structures for efficient light extraction and conversion in multi-color light emitting devices
US7781789B2 (en) * 2006-11-15 2010-08-24 The Regents Of The University Of California Transparent mirrorless light emitting diode
US7456499B2 (en) * 2004-06-04 2008-11-25 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
US7280288B2 (en) * 2004-06-04 2007-10-09 Cree, Inc. Composite optical lens with an integrated reflector
US7534633B2 (en) 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
US7878232B2 (en) * 2004-07-09 2011-02-01 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting chip apparatuses with a thermally superconducting heat transfer medium for thermal management
US7233106B2 (en) * 2004-07-14 2007-06-19 Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. LED chip capping construction
EP1622237A1 (de) * 2004-07-28 2006-02-01 Infineon Technologies Fiber Optics GmbH Optisches oder elektronisches Modul und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4659414B2 (ja) * 2004-09-01 2011-03-30 アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 発光ダイオード及びそれを用いる発光制御システム
DE102004045950A1 (de) 2004-09-22 2006-03-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
CN100449801C (zh) * 2004-09-30 2009-01-07 晶元光电股份有限公司 半导体发光元件组成
DE102004050371A1 (de) 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer drahtlosen Kontaktierung
TWI277222B (en) * 2004-10-29 2007-03-21 Lighthouse Technology Co Ltd LED module and method of packing the same
KR100628001B1 (ko) 2004-11-12 2006-09-26 주식회사 메디아나전자 2개의 형광체를 이용하는 파스텔 칼라 발광 다이오드 소자및 그 제조방법
KR100580753B1 (ko) * 2004-12-17 2006-05-15 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
CN100388514C (zh) * 2005-01-20 2008-05-14 财团法人工业技术研究院 一种镜体及应用镜体的均匀发光的发光二极管
US7939842B2 (en) * 2005-01-27 2011-05-10 Cree, Inc. Light emitting device packages, light emitting diode (LED) packages and related methods
TW201403859A (zh) 2005-02-18 2014-01-16 Nichia Corp 具備控制配光特性用之透鏡之發光裝置
KR101136344B1 (ko) * 2005-04-06 2012-04-18 삼성전자주식회사 광학 렌즈, 이를 갖는 광학 모듈, 이를 갖는 백라이트어셈블리 및 이를 갖는 표시 장치
DE102005036520A1 (de) * 2005-04-26 2006-11-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisches Bauteil, optoelektronisches Bauelement mit dem Bauteil und dessen Herstellung
US7980743B2 (en) 2005-06-14 2011-07-19 Cree, Inc. LED backlighting for displays
DE102005034793B3 (de) * 2005-07-21 2007-04-19 G.L.I. Global Light Industries Gmbh Lichtemittierende Halbleiterdiode hoher Lichtleistung
US7748872B2 (en) * 2005-07-22 2010-07-06 Cooper Technologies Company Light-conducting pedestal configuration for an LED apparatus which collects almost all and distributes substantially all of the light from the LED
KR20080059418A (ko) * 2005-09-30 2008-06-27 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 고상 조명용 질화 및 산질화 세륨계 형광물질들
WO2007056354A2 (en) * 2005-11-04 2007-05-18 The Regents Of The University Of California High light extraction efficiency light emitting diode (led)
US20070102718A1 (en) * 2005-11-07 2007-05-10 Akira Takekuma Lens in light emitting device
KR20080077259A (ko) * 2005-12-08 2008-08-21 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 고효율 발광 다이오드
EP1974389A4 (de) 2006-01-05 2010-12-29 Illumitex Inc Separate optische vorrichtung zur lichtorientierung von einer led
US7182627B1 (en) * 2006-01-06 2007-02-27 Advanced Thermal Devices, Inc. High illumosity lighting assembly
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
EP1816688B1 (de) * 2006-02-02 2016-11-02 LG Electronics Inc. Gehäuse für eine Leuchtdiode
US7737634B2 (en) * 2006-03-06 2010-06-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED devices having improved containment for liquid encapsulant
US7808004B2 (en) * 2006-03-17 2010-10-05 Edison Opto Corporation Light emitting diode package structure and method of manufacturing the same
US8710737B2 (en) * 2006-03-28 2014-04-29 Kyocera Corporation Light-emitting device
US8969908B2 (en) 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
JP2007311707A (ja) * 2006-05-22 2007-11-29 Ushio Inc 紫外線発光素子パッケージ
US8075140B2 (en) * 2006-07-31 2011-12-13 3M Innovative Properties Company LED illumination system with polarization recycling
JP5330993B2 (ja) 2006-07-31 2013-10-30 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 光学投影サブシステム
US7943952B2 (en) * 2006-07-31 2011-05-17 Cree, Inc. Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method
TW200819899A (en) * 2006-07-31 2008-05-01 3M Innovative Properties Co Combination camera/projector system
US20080029774A1 (en) * 2006-08-04 2008-02-07 Acol Technologies S.A. Semiconductor light source packages with broadband and angular uniformity support
US20080035942A1 (en) * 2006-08-08 2008-02-14 Lg Electronics Inc. Light emitting device package and method for manufacturing the same
US20080064131A1 (en) * 2006-09-12 2008-03-13 Mutual-Tek Industries Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for the same
DE102006046301A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisches Element, strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements
JP2010506402A (ja) 2006-10-02 2010-02-25 イルミテックス， インコーポレイテッド Ｌｅｄのシステムおよび方法
US20090275157A1 (en) * 2006-10-02 2009-11-05 Illumitex, Inc. Optical device shaping
US7808013B2 (en) * 2006-10-31 2010-10-05 Cree, Inc. Integrated heat spreaders for light emitting devices (LEDs) and related assemblies
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
WO2008060601A2 (en) * 2006-11-15 2008-05-22 The Regents Of The University Of California High efficiency, white, single or multi-color light emitting diodes (leds) by index matching structures
TW200837997A (en) * 2006-11-15 2008-09-16 Univ California High light extraction efficiency sphere LED
US7769066B2 (en) 2006-11-15 2010-08-03 Cree, Inc. Laser diode and method for fabricating same
US20090121250A1 (en) * 2006-11-15 2009-05-14 Denbaars Steven P High light extraction efficiency light emitting diode (led) using glass packaging
TWI633679B (zh) 2006-11-15 2018-08-21 美國加利福尼亞大學董事會 豎立式透明無鏡發光二極體
US7889421B2 (en) 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
DE102006056272A1 (de) 2006-11-27 2008-05-29 Bernd Kussmaul Gmbh Beleuchtbarer Körper und Verfahren zu seiner Herstellung
TWI460881B (zh) 2006-12-11 2014-11-11 Univ California 透明發光二極體
DE102006059994A1 (de) * 2006-12-19 2008-06-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
KR100851183B1 (ko) * 2006-12-27 2008-08-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 패키지
US7834367B2 (en) 2007-01-19 2010-11-16 Cree, Inc. Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8232564B2 (en) 2007-01-22 2012-07-31 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
DE102007006349A1 (de) * 2007-01-25 2008-07-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung zur Erzeugung von Mischlicht und Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung
DE102007004807A1 (de) * 2007-01-31 2008-08-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierende Einrichtung mit optischem Körper
DE102007025092A1 (de) 2007-05-30 2008-12-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip
WO2008151009A1 (en) * 2007-05-31 2008-12-11 Lumination Llc Environmentally robust lighting devices and methods of manufacturing same
CN101315484B (zh) * 2007-06-01 2011-09-28 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 光源组件及包括光源组件的背光模组
KR100801621B1 (ko) * 2007-06-05 2008-02-11 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
US7911059B2 (en) * 2007-06-08 2011-03-22 SeniLEDS Optoelectronics Co., Ltd High thermal conductivity substrate for a semiconductor device
TW200910654A (en) 2007-06-27 2009-03-01 Univ California Optical designs for high-efficacy white-light emitting diodes
KR100880638B1 (ko) 2007-07-06 2009-01-30 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지
US9401461B2 (en) * 2007-07-11 2016-07-26 Cree, Inc. LED chip design for white conversion
US10505083B2 (en) * 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
TWI347687B (en) * 2007-07-13 2011-08-21 Lite On Technology Corp Light-emitting device with open-loop control
JP4888280B2 (ja) * 2007-08-28 2012-02-29 パナソニック電工株式会社 発光装置
US20090065792A1 (en) * 2007-09-07 2009-03-12 3M Innovative Properties Company Method of making an led device having a dome lens
US8519437B2 (en) 2007-09-14 2013-08-27 Cree, Inc. Polarization doping in nitride based diodes
US8444299B2 (en) 2007-09-25 2013-05-21 Enertron, Inc. Dimmable LED bulb with heatsink having perforated ridges
US9012937B2 (en) 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
TWI360238B (en) * 2007-10-29 2012-03-11 Epistar Corp Photoelectric device
JP5212777B2 (ja) * 2007-11-28 2013-06-19 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び照明装置
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US8167674B2 (en) 2007-12-14 2012-05-01 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
EP2240968A1 (de) 2008-02-08 2010-10-20 Illumitex, Inc. System und verfahren zur bildung einer emitterschicht
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
JP5216384B2 (ja) * 2008-03-19 2013-06-19 株式会社東芝 発光装置
US8877524B2 (en) 2008-03-31 2014-11-04 Cree, Inc. Emission tuning methods and devices fabricated utilizing methods
CN101626054B (zh) * 2008-07-10 2011-05-18 一品光学工业股份有限公司 非球面宽照角光学镜片及其所构成的发光二极管组件
TWI363907B (en) 2008-08-05 2012-05-11 Au Optronics Corp Backlight module and light emitting diode thereof
JP5284006B2 (ja) * 2008-08-25 2013-09-11 シチズン電子株式会社 発光装置
US7932529B2 (en) 2008-08-28 2011-04-26 Visera Technologies Company Limited Light-emitting diode device and method for fabricating the same
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
TWI463708B (zh) * 2009-02-24 2014-12-01 Advanced Optoelectronic Tech 側面出光型發光元件封裝結構及其製造方法
KR101041381B1 (ko) * 2009-03-20 2011-06-15 (주)레인보우옵틱코리아 띠무늬 제거기능을 가지는 led 조명장치
US8184440B2 (en) * 2009-05-01 2012-05-22 Abl Ip Holding Llc Electronic apparatus having an encapsulating layer within and outside of a molded frame overlying a connection arrangement on a circuit board
WO2010132517A2 (en) * 2009-05-12 2010-11-18 David Gershaw Led retrofit for miniature bulbs
KR101058718B1 (ko) * 2009-06-19 2011-08-22 삼성전기주식회사 노광 장치
CN101936500A (zh) * 2009-06-30 2011-01-05 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管模组
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
CN102003676B (zh) * 2009-08-28 2012-10-10 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 透镜
CN101672437A (zh) * 2009-09-18 2010-03-17 深圳市华海诚信电子显示技术有限公司 一种led模块和一种led屏
KR100986468B1 (ko) * 2009-11-19 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 렌즈 및 렌즈를 갖는 발광 장치
DE102009046872B4 (de) 2009-11-19 2018-06-21 Ifm Electronic Gmbh Berührungslos arbeitendes elektronisches Schaltgerät mit einer optischen Schaltzustandsanzeige
JP2011142268A (ja) * 2010-01-08 2011-07-21 Sumitomo Electric Ind Ltd 光モジュールおよびその製造方法
US8646949B2 (en) * 2010-03-03 2014-02-11 LumenFlow Corp. Constrained folded path resonant white light scintillator
KR101554542B1 (ko) * 2010-05-03 2015-09-21 오스람 실바니아 인코포레이티드 열사이펀 광 엔진 및 이를 포함하는 조명 기구
JP2012019062A (ja) * 2010-07-08 2012-01-26 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光半導体装置、実装基板及びそれらの製造方法
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
DE102010045316A1 (de) * 2010-09-14 2012-03-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
KR20120093679A (ko) * 2011-02-15 2012-08-23 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
FI122809B (fi) * 2011-02-15 2012-07-13 Marimils Oy Valolähde ja valolähdenauha
US9004724B2 (en) 2011-03-21 2015-04-14 GE Lighting Solutions, LLC Reflector (optics) used in LED deco lamp
DE102011105010A1 (de) * 2011-06-20 2012-12-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US8558252B2 (en) 2011-08-26 2013-10-15 Cree, Inc. White LEDs with emission wavelength correction
KR101817807B1 (ko) 2011-09-20 2018-01-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명시스템
US8500300B2 (en) * 2011-10-03 2013-08-06 National Applied Research Laboratories Optical lens, light-emitting diode optical component and light-emitting diode road lamp
US20130120986A1 (en) 2011-11-12 2013-05-16 Raydex Technology, Inc. High efficiency directional light source with concentrated light output
US8564004B2 (en) * 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
US9450152B2 (en) * 2012-05-29 2016-09-20 Micron Technology, Inc. Solid state transducer dies having reflective features over contacts and associated systems and methods
CN103515511B (zh) * 2012-06-29 2016-08-03 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其封装方法
WO2014007240A1 (ja) * 2012-07-06 2014-01-09 シャープ株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
KR20140044103A (ko) * 2012-10-04 2014-04-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5904671B2 (ja) * 2013-03-19 2016-04-20 京セラコネクタプロダクツ株式会社 半導体発光素子を備える照明器具
WO2014194044A1 (en) * 2013-05-29 2014-12-04 Venntis Technologies LLC Volumetric light emitting device
DE102013213073A1 (de) * 2013-07-04 2015-01-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
FR3016023A1 (fr) * 2013-12-26 2015-07-03 Commissariat Energie Atomique Dispositif d'eclairage de forme spherique
US10622522B2 (en) * 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
DE102016104659A1 (de) * 2016-03-14 2017-09-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauteil
DE102017121889B3 (de) * 2017-09-21 2018-11-22 Heraeus Noblelight Gmbh Breitbandige halbleiterbasierte UV-Lichtquelle für eine Spektralanalysevorrichtung
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device
CN114420827A (zh) * 2021-12-22 2022-04-29 华南理工大学 一种高对比度显示屏led器件及其制造方法
WO2023229405A1 (ko) * 2022-05-25 2023-11-30 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3875456A (en) * 1972-04-04 1975-04-01 Hitachi Ltd Multi-color semiconductor lamp
WO1983000408A1 (en) * 1981-07-16 1983-02-03 Joachim Sieg Optoelectronic component
EP0230336A1 (de) * 1986-01-24 1987-07-29 Philips Composants Optoelektronische Vorrichtung zum oberflächigen Einbau
US5043716A (en) * 1988-07-14 1991-08-27 Adaptive Micro Systems, Inc. Electronic display with lens matrix
EP0854523A2 (de) * 1997-01-15 1998-07-22 Toshiba Corporation Lichtemittierende Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren
US5847507A (en) * 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3593055A (en) * 1969-04-16 1971-07-13 Bell Telephone Labor Inc Electro-luminescent device
JPS5680181A (en) * 1979-12-05 1981-07-01 Toshiba Corp Semiconductor luminous device
JPS62196878A (ja) 1986-02-25 1987-08-31 Koito Mfg Co Ltd 照明装置
JPH0927642A (ja) * 1995-07-13 1997-01-28 Clarion Co Ltd 照明装置
JPH0983018A (ja) * 1995-09-11 1997-03-28 Nippon Denyo Kk 発光ダイオードユニット
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP3065258B2 (ja) * 1996-09-30 2000-07-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを用いた表示装置
JP4024892B2 (ja) 1996-12-24 2007-12-19 化成オプトニクス株式会社 蓄光性発光素子
JP2998696B2 (ja) 1997-05-17 2000-01-11 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JPH1117229A (ja) * 1997-06-27 1999-01-22 Iwasaki Electric Co Ltd 反射型発光ダイオード及びその実装方法
JPH1187778A (ja) * 1997-09-02 1999-03-30 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法
DE19755734A1 (de) 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
US6155699A (en) * 1999-03-15 2000-12-05 Agilent Technologies, Inc. Efficient phosphor-conversion led structure
DE19918370B4 (de) * 1999-04-22 2006-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit Linse
JP3948650B2 (ja) * 2001-10-09 2007-07-25 アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 発光ダイオード及びその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3875456A (en) * 1972-04-04 1975-04-01 Hitachi Ltd Multi-color semiconductor lamp
WO1983000408A1 (en) * 1981-07-16 1983-02-03 Joachim Sieg Optoelectronic component
EP0230336A1 (de) * 1986-01-24 1987-07-29 Philips Composants Optoelektronische Vorrichtung zum oberflächigen Einbau
US5043716A (en) * 1988-07-14 1991-08-27 Adaptive Micro Systems, Inc. Electronic display with lens matrix
EP0854523A2 (de) * 1997-01-15 1998-07-22 Toshiba Corporation Lichtemittierende Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren
US5847507A (en) * 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6999493B2 (en) 2001-05-25 2006-02-14 Seiko Epson Corporation Surface emission laser and manufacturing method for surface emission laser, light reception element and manufacturing method for light reception element, and optical transceiver module
DE10129785B4 (de) * 2001-06-20 2010-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US7256428B2 (en) 2001-06-20 2007-08-14 Osram Opto Semicondutors Gmbh Optoelectronic component and method for the production thereof
DE10129785A1 (de) * 2001-06-20 2003-01-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
GB2383681A (en) * 2001-09-27 2003-07-02 United Epitaxy Co Ltd High flux light emitting diode having a flip-chip type light emitting diode chip with a transparent substrate
GB2383681B (en) * 2001-09-27 2006-07-26 United Epitaxy Co Ltd High flux light emitting diode having flip-chip type light emitting diode chip with a transparent substrate
JP2004158635A (ja) * 2002-11-06 2004-06-03 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型チップｌｅｄ及びその製造方法
WO2004084316A2 (en) * 2003-03-20 2004-09-30 Acol Technologies S.A. Light emitting diode package providing phosphor amount control
WO2004084316A3 (en) * 2003-03-20 2005-04-28 Acol Technologies S A Light emitting diode package providing phosphor amount control
EP1885003A2 (de) * 2006-07-31 2008-02-06 Cree, Inc. Gehäuseelement für eine lichtemittierende Diode mit internem Meniskus zur blasenfreien Linsenpositionierung
WO2008016908A3 (en) * 2006-07-31 2008-06-12 3M Innovative Properties Co Led source with hollow collection lens
WO2008016908A2 (en) * 2006-07-31 2008-02-07 3M Innovative Properties Company Led source with hollow collection lens
EP1885003A3 (de) * 2006-07-31 2010-09-15 Cree, Inc. Gehäuseelement für eine lichtemittierende Diode mit internem Meniskus zur blasenfreien Linsenpositionierung
EP2372797A3 (de) * 2006-07-31 2017-01-18 3M Innovative Properties Co. Leuchtdiode-Quelle mit konkaver Sammellinse
DE102010045403A1 (de) 2010-09-15 2012-03-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
WO2012034826A1 (de) 2010-09-15 2012-03-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung
US8901592B2 (en) 2010-09-15 2014-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for producing it
US10741735B2 (en) 2014-06-02 2020-08-11 3M Innovative Properties Company LED with remote phosphor and shell reflector

Also Published As

Publication number Publication date
CN100452462C (zh) 2009-01-14
CN100555681C (zh) 2009-10-28
CN1881636A (zh) 2006-12-20
US20020057057A1 (en) 2002-05-16
JP2002543594A (ja) 2002-12-17
US20040232825A1 (en) 2004-11-25
US6759803B2 (en) 2004-07-06
JP5100926B2 (ja) 2012-12-19
CN1196204C (zh) 2005-04-06
DE19918370B4 (de) 2006-06-08
TW575966B (en) 2004-02-11
DE19918370A1 (de) 2000-11-02
US7126273B2 (en) 2006-10-24
CN1348608A (zh) 2002-05-08
CN1881635A (zh) 2006-12-20
US20070010157A1 (en) 2007-01-11
US20030211804A1 (en) 2003-11-13
US7594840B2 (en) 2009-09-29
CN1645638A (zh) 2005-07-27
US6746295B2 (en) 2004-06-08
CN100452461C (zh) 2009-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19918370B4 (de) LED-Weißlichtquelle mit Linse
DE69838597T2 (de) Lichtemittierende Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren
DE19549818B4 (de) Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement
DE102010028407B4 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
EP2057695B1 (de) Gehäuse für ein optoelektronisches bauelement, optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines gehäuses für ein optoelektronisches bauelement
DE102005014472A1 (de) Halbleiterlichtemittiervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
EP1095411A1 (de) Strahlungaussendendes und/oder -empfangendes bauelement
EP1588436A1 (de) Elektromagnetische strahlung aussendendes und/oder empfangendes halbleiter-bauelement und gehäuse-grundkörper für ein derartiges bauelement
EP2126989A1 (de) Optoelektronische vorrichtung mit gehäusekörper
DE102012101102A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Anordnung mit einer Mehrzahl von derartigen Bauelementen
WO2015040107A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
WO2015173118A1 (de) Optoelektronisches bauelement
DE102005019832A1 (de) Beleuchtungsvorrichtung
DE19831607B4 (de) Lineares Beleuchtungsbauelement und Bildlesevorrichtung, welche dieses verwendet
EP2327110B1 (de) Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils
DE202004005228U1 (de) Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement
EP1627455A2 (de) Verfahren zum herstellen eines laserdiodenbauelements, gehäuse für ein laserdiodenbauelement und laserdiodenbauelement
WO2017178332A1 (de) Bauelement mit reflektor und verfahren zur herstellung von bauelementen
WO2001015242A1 (de) Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements mit linse
DE2062139A1 (de) Festkörper Lampe und faseroptische Vorrichtung
DE102018104382A1 (de) Optoelektronisches bauelement und herstellungsverfahren
DE202008003752U1 (de) LED-Element
DE4327133B4 (de) Verfahren zum Aufbringen eines optischen Koppelmediums
WO2018162665A1 (de) Lichtemittierendes bauteil und verfahren zum herstellen eines lichtemittierenden bauteils
DE102017127621A1 (de) Vorrichtung mit Leiterrahmen und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Vorrichtungen

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 00806593.4

Country of ref document: CN

AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): CN JP US

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2000 614512

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10007398

Country of ref document: US