WO2000002243A1 - Dispositif a semi-conducteur, procede de fabrication associe, carte imprimee et dispositif electronique - Google Patents

Dispositif a semi-conducteur, procede de fabrication associe, carte imprimee et dispositif electronique Download PDF

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WO2000002243A1
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manufacturing
adhesive
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semiconductor element
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Nobuaki Hashimoto
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Seiko Epson Corporation
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    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
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    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49144—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. by metal fusion

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor device and a method for manufacturing the same, a circuit board, and an electronic device.
  • a substrate on which a wiring pattern connected to a semiconductor chip is formed may be used.
  • An object of the present invention is to solve this problem, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device having excellent reliability and productivity, and a semiconductor device, a circuit board, and an electronic device manufactured by the method. It is in.
  • the semiconductor element on which the electrode is formed and the protective layer except for a wiring pattern formed on the wiring pattern and the electrical connection between the electrode and the electrode are formed.
  • the adhesive is provided so as to cover the protective layer, no gap is formed between the adhesive and the protective layer, the wiring pattern is not exposed, and the migration is prevented. Can be.
  • Conductive particles may be dispersed in the adhesive, and the conductive particles may electrically connect the wiring pattern and the electrode.
  • a semiconductor device can be manufactured by a method excellent in reliability and productivity.
  • the adhesive may be provided in advance on the surface of the semiconductor element on which the electrodes are formed.
  • the adhesive may be provided in advance on a surface of the substrate on which the wiring pattern is formed.
  • the adhesive may be a thermosetting adhesive.
  • the adhesive is provided so as to protrude from the semiconductor element.
  • heat is applied between the semiconductor element and the substrate, so that the adhesive is applied between the semiconductor element and the substrate. Curing the adhesive with
  • a third step of applying heat to a portion of the adhesive that has not been cured in the second step may be included.
  • the adhesive may be heated by a heating jig.
  • the adhesive may be heated by interposing a release layer having high releasability from the adhesive between the heating jig and the adhesive. (9) In this method of manufacturing a semiconductor device,
  • the release layer may be provided on the heating jig.
  • the release layer may be provided on the adhesive.
  • the adhesive may be heated in a non-contact manner.
  • a step of forming a solder ball connected to the wiring node on the substrate including a step of forming a solder ball
  • the third step may be performed in the reflow step.
  • the third step may be performed in the reflow step.
  • the substrate may be cut in a region other than the contact region of the adhesive with the semiconductor element.
  • the position where the substrate is cut may be a region outside the end of the wiring pattern of the substrate.
  • the entirety of the adhesive may be cured, and the cured adhesive may be cut together with the substrate.
  • the adhesive may flow around at least a part of the side surface of the semiconductor element.
  • the adhesive covers at least a part of the side surface of the semiconductor element, in addition to protecting the semiconductor element from mechanical destruction, it is also possible to prevent moisture from reaching the electrodes. This can prevent the collision.
  • the adhesive is provided in the first step with a large thickness between the semiconductor element and the substrate after the completion of the second step, and is provided between the semiconductor element and the substrate in the second step. And may protrude from the semiconductor element.
  • the adhesive may contain a light-shielding material.
  • the adhesive contains the light-shielding material, stray light to the surface of the semiconductor element having the electrode can be blocked. Thereby, malfunction of the semiconductor element can be prevented.
  • the substrate covered with the protective layer except for the mounting region of the semiconductor element and its periphery may be prepared in advance.
  • a semiconductor device is provided on the substrate except for a semiconductor element having an electrode, a substrate on which a wiring pattern is formed, and an electrical connection portion between the electrode of the semiconductor element in the wiring pattern.
  • the adhesive is provided from the mounting region of the semiconductor element to the protective layer, and electrically connects the electrode of the semiconductor element and the wiring pattern.
  • the adhesive is provided so as to cover the protective layer, no gap is formed between the adhesive and the protective layer, the wiring pattern is not exposed, and the migration is prevented. Can be.
  • Conductive particles may be dispersed in the adhesive to form an anisotropic conductive material. According to this, since the wiring pattern and the electrode are electrically conducted by the anisotropic conductive material, the reliability and the productivity are excellent.
  • the anisotropic conductive material may be provided to cover the entire wiring pattern. (24) In this semiconductor device,
  • the adhesive may cover at least a part of a side surface of the semiconductor element. According to this, the adhesive covers at least a part of the side surface of the semiconductor element, thereby protecting the semiconductor element from mechanical destruction. In addition, since the semiconductor element is covered with the adhesive to a position far from the electrode, it is difficult for moisture to reach the electrode, and it is possible to prevent the electrode from being corroded.
  • the adhesive may contain a light-shielding material.
  • the adhesive contains the light-shielding material, stray light to the surface of the semiconductor element having the electrode can be blocked. Thereby, malfunction of the semiconductor element can be prevented.
  • the protective layer may be formed except for a mounting region of the semiconductor element and a periphery thereof.
  • a semiconductor device according to the present invention is manufactured by the above method. (28) The semiconductor device is mounted on a circuit board according to the present invention.
  • An electronic device includes the circuit board.
  • FIGS. 1A to 1D are views showing a method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment
  • FIGS. 2A and 2B are views showing a modification of the first embodiment
  • FIGS. 3A and 3B are diagrams illustrating a method of manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment
  • FIGS. 4A and 4B are diagrams illustrating a method of manufacturing a semiconductor device according to the embodiment
  • 5A and 5B are diagrams showing a method for manufacturing a semiconductor device according to the third embodiment
  • FIG. 6 shows a circuit board on which the semiconductor device according to the present embodiment is mounted.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating an electronic apparatus including a circuit board on which the semiconductor device according to the present embodiment is mounted.
  • FIGS. 4A and 4B Embodiments of the present invention are shown in FIGS. 4A and 4B. The following reference embodiments can be applied to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 1A to 1D are views showing a method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment.
  • a substrate 12 having a wiring pattern 10 formed on at least one surface 18 is used.
  • the substrate 12 may be any one of an organic material such as a flexible substrate, an inorganic material such as a metal substrate, or a combination of both.
  • a tape carrier may be used as the flexible substrate.
  • a through hole 14 is formed in the substrate 12, and the wiring pattern 10 is formed over the through hole 14.
  • a land 17 for forming an external electrode is formed on the through hole 14 as a part of the wiring pattern 10.
  • an anisotropic conductive material 16 is provided on the substrate 12 as an example of an adhesive.
  • the anisotropic conductive material is an example of an adhesive.
  • the anisotropic conductive material 16 is a material in which conductive particles (conductive filler) are dispersed in an adhesive (binder), and a dispersant may be added in some cases.
  • the anisotropic conductive material 16 may be formed into a sheet in advance and then attached to the substrate 12 or may be provided on the substrate 12 in a liquid state. Further, the anisotropic conductive material 16 may be provided larger than the surface 24 having the electrode 22 of the semiconductor element 20, but may be provided smaller than the surface 24 to be pressed from the surface 24. It may be provided in a protruding amount.
  • the anisotropic conductive material 16 may be provided on the surface 24 of the semiconductor element 20 in such an amount that it is pressed and protrudes from the surface 24.
  • the electrode 22 and the wiring pattern 10 can be electrically connected even if an adhesive containing no conductive particles is used.
  • a thermosetting adhesive is used for the anisotropic conductive material, and the anisotropic conductive material 16 may contain a light-shielding material.
  • the light-shielding material for example, a material in which a black dye or a black pigment is dispersed in an adhesive resin can be used.
  • thermosetting adhesive represented by an epoxy-based adhesive
  • photocurable adhesive represented by an epoxy-based or acrylate-based adhesive
  • an electron beam curing type or a thermoplastic (thermal bonding) type adhesive may be used.
  • energy may be applied instead of heating or pressurizing in all the embodiments below.
  • the semiconductor element 20 is mounted on the anisotropic conductive material 16. Specifically, the semiconductor element 20 is placed with the surface 24 having the electrode 22 of the semiconductor element 20 facing the anisotropic conductive material 16. Further, the semiconductor element 20 is arranged so that the electrode 22 is located on a land (not shown) for connecting the electrode of the wiring pattern 10.
  • the semiconductor element 20 may have the electrodes 22 formed only on two sides, or may have the electrodes 22 formed on four sides.
  • a protrusion such as gold or solder provided on the A 1 pad is often used, but the protrusion formed by etching the above-described protrusion or the wiring pattern 10 is provided on the wiring pattern 10 side. May be used.
  • the anisotropic conductive material 16 is formed between the surface 24 of the semiconductor element 20 on which the electrode 22 is formed and the surface 18 of the substrate 12 on which the wiring pattern 10 is formed. Intervene. Then, the jig 30 is pressed against the surface 26 opposite to the surface 24 on which the electrodes 22 are formed, and the semiconductor element 20 is pressed in the direction of the substrate 12. Alternatively, pressure is applied between the semiconductor element 20 and the substrate 12.
  • the anisotropic conductive material 16, which is an example of the adhesive protrudes from the surface 24 due to the pressure even when provided in the region of the surface 24 of the semiconductor element 20.
  • the jig 30 has a built-in heater 32 and heats the semiconductor element 20.
  • a jig having a plane area larger than the plane area of the semiconductor element 20 is considered. Preferably, it is used. By doing so, heat is easily applied to the periphery of the semiconductor element 20.
  • the electrode 22 of the semiconductor element 20 and the wiring pattern means that electrical conduction is achieved via the conductive particles of the anisotropic conductive material 16.
  • the wiring pattern 10 and the electrode 22 are electrically conducted by the anisotropic conductive material 16, the semiconductor device can be manufactured by a method excellent in reliability and productivity. it can.
  • the anisotropic conductive material 16 is hardened in a contact area with the semiconductor element 20. However, in this state, a region that is not in contact with the semiconductor element 20 or a region that is remote from the semiconductor element 20 is not completely cured because heat does not reach the anisotropic conductive material 16. Absent. This area is cured in the next step.
  • a solder 34 is provided in the through hole 14 of the substrate 12 and in the vicinity thereof.
  • the solder 34 can be provided by a printing method using, for example, cream solder. It is also acceptable to place a preformed solder ball at the above position.
  • solder 34 is heated to form a solder ball 36 as shown in FIG. 1D.
  • the solder balls 36 serve as external electrodes.
  • the anisotropic conductive material 16 is heated.
  • the uncured region of the anisotropic conductive material 16 is also cured by this heat. That is, of the anisotropic conductive material 16, a region that is not in contact with the semiconductor element 20 or a region that is distant from the semiconductor element 20 is cured in the reflow step for forming the solder ball 36. .
  • the anisotropic conductive material 16 is entirely cured, the anisotropic conductive material 16 is separated from the substrate 12 at the outer periphery of the semiconductor element 20. This prevents moisture from entering and causing migration of the wiring pattern 10. Further, since the whole of the anisotropic conductive material 16 is cured, it is possible to prevent moisture from being contained in the anisotropic conductive material 16.
  • FIG. 2A and FIG. 2B are views showing a modification of the first embodiment.
  • the same components as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description of the configuration and the effects caused by the configuration will be omitted. This is the same in the following embodiments.
  • the step shown in FIG. 2A is performed after the step of FIG. 1B and before the step of FIG. 1C. Specifically, a region of the anisotropic conductive material 16 that is not in contact with the semiconductor element 20 or a region that is distant from the semiconductor element 20 is heated by the heating jig 38. In order to prevent the uncured anisotropic conductive material 16 from adhering to the heating jig 38, a separation made of Teflon or the like, which has a high mold release property with the anisotropic conductive material 16, which is an example of an adhesive, Preferably, a mold layer 39 is provided. Alternatively, the release layer 39 may be provided on an anisotropic conductive material 16 which is an example of an adhesive.
  • this may be heated without contacting the anisotropic conductive material 16 which is an example of the adhesive. By doing so, a region of the anisotropic conductive material 16 that is not in contact with the semiconductor element 20 or a region that is distant from the semiconductor element 20 can be cured. Instead of a jig, hot air or light heater that can be partially heated may be used.
  • an electronic component 40 different from the semiconductor element 20 is electrically connected to the wiring pattern 10.
  • a reflow step may be performed.
  • the electronic component 40 includes, for example, a resistor, a capacitor, a coil, an oscillator, a filter, a temperature sensor, a semiconductor device, a Norris device, a volume or a fuse.
  • all of the anisotropic conductive material 16 can be cured, so that the anisotropic conductive material 16 is peeled off from the substrate 12 to allow moisture to enter, and the wiring pattern 1 0 migration is prevented. Further, since the entire anisotropic conductive material 16 is cured, it is possible to prevent moisture from being contained.
  • the substrate 12 may be cut in a region of the anisotropic conductive material 16, which is an example of the adhesive, protruding from the semiconductor element 20.
  • the substrate 12 may be cut in a region of the anisotropic conductive material 16, which is an example of the adhesive, protruding from the semiconductor element 20.
  • the present invention is not limited to this, and a double-sided wiring board or a multilayer wiring board may be used.
  • the solder ball may be formed on a land provided on the surface opposite to the semiconductor element mounting surface without forming the solder in the through hole.
  • other conductive protrusions may be used instead of the solder balls.
  • the connection between the semiconductor element and the substrate may be made by wire bonding. These are the same in the following embodiments.
  • thermosetting adhesive not only a thermosetting adhesive but also an anisotropic conductive material 16 which is an example of a thermoplastic adhesive may be used.
  • Thermoplastic adhesives can be cooled and cured.
  • an adhesive that cures with radiation such as ultraviolet light may be used. This is the same in the following embodiments.
  • 3A and 3B are views showing a method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment. This embodiment is performed following the first embodiment.
  • the anisotropic conductive material 16 and the substrate 12 are fixed to a size slightly larger than the semiconductor element 20.
  • the semiconductor device 2 shown in FIG. 3B is obtained by cutting with the movable blade 42 while holding it with the blade 41.
  • the cutting means is not limited to this, and any other cutting means and fixing means can be applied.
  • the substrate 12 since the substrate 12 is cut together with the anisotropic conductive material 16, the cut surfaces of both are flush, and the entire surface of the substrate 12 is covered with the anisotropic conductive material 16. Since the wiring pattern 10 is not exposed, moisture does not reach the wiring pattern 10 and migration can be prevented.
  • the anisotropic conductive material 16 since the anisotropic conductive material 16 is cut, it is not necessary to cut the anisotropic conductive material 16 into a size equal to or slightly larger than the semiconductor element 20 in advance. It is not necessary to exactly align the position to correspond to the 20 position.
  • the present embodiment is an example in which the solder balls 36 are formed, and then the anisotropic conductive material 16 and the substrate 12 are cut. After being placed on conductive conductive material 16, it is not related to the formation of solder ball 36. It can be anytime. However, it is preferable that the anisotropic conductive material 16 is hardened at least in a contact area with the semiconductor element 20. In this case, misalignment between the semiconductor element 20 and the wiring pattern 10 can be prevented. In addition, the cutting process is easier if the anisotropic conductive material 16 is hardened even at the cut portion, rather than being unhardened.
  • the entire anisotropic conductive material 16 which is an example of the adhesive may be cured at a time.
  • the entire anisotropic conductive material 16, which is an example of an adhesive is heated or cooled. You can do it.
  • a thermosetting adhesive specifically, a jig that contacts both the semiconductor element 20 and the adhesive protruding from the semiconductor element 20 may be used. Alternatively, it may be heated in an oven.
  • FIGS. 4A and 4B are views showing a method for manufacturing a semiconductor device according to the embodiment.
  • the substrate 12 of the first embodiment is used, and a protective layer 50 is formed on the substrate 12.
  • the protective layer 50 covers the wiring pattern 10 so as not to come into contact with moisture, and for example, a solder resist is used.
  • the protective layer 50 is formed excluding a region 52 wider than a region for mounting the semiconductor element 20 on the substrate 12. That is, the region 52 is larger than the surface 24 having the electrode 22 of the semiconductor element 20, and in this region 52, a land for connection with the electrode 22 of the semiconductor element 20 (not shown) Are formed in the wiring pattern 10.
  • the protective layer 50 may be formed so as to avoid at least an electrical connection with the electrode 20 of the semiconductor element 20.
  • Such a substrate 12 is provided with an anisotropic conductive material 54 (adhesive) made of a material selectable as the anisotropic conductive material 16 of the first embodiment. It is not essential that the anisotropic conductive material 54 contains a light-shielding material, but if it does, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
  • the anisotropic conductive material 54 is kept from the mounting area of the semiconductor element 20. It is provided over the protective layer 50. That is, the anisotropic conductive material 54 covers the wiring pattern 10 and the substrate 12 in the region 52 where the protective layer 50 is not formed, and the end portion where the region 52 of the protective layer 50 is formed. Are formed to overlap.
  • the anisotropic conductive material 54 as an example of the adhesive may be provided on the semiconductor element 20 side. For details, the contents described in the first embodiment apply.
  • the semiconductor element 20 is pressed and heated in the direction of the substrate 12 via the jig 30.
  • a pressure is applied at least between the semiconductor element 20 and the substrate 12.
  • the electrode 22 of the semiconductor element 20 and the wiring pattern 10 are electrically connected.
  • solder balls are formed in the same steps as those shown in FIGS. 1C and 1D to obtain a semiconductor device.
  • the anisotropic conductive material 54 is not only formed in the region 52 where the protective layer 50 is not formed, but also at the end where the region 52 of the protective layer 50 is formed. It is formed by overlapping. Therefore, no gap is formed between the anisotropic conductive material 54 and the protective layer 50, so that the wiring pattern 10 is not exposed and migration can be prevented.
  • the anisotropic conductive material 54 be cured in a region protruding from the semiconductor element 20.
  • the same step as in the first embodiment can be applied.
  • FIG. 5A and 5B are views showing a method for manufacturing a semiconductor device according to the third embodiment.
  • the substrate 12 of the first embodiment is used, and an anisotropic conductive material 56 (adhesive) is provided on the substrate 12.
  • This embodiment differs from the first embodiment in the thickness of the anisotropic conductive material 56. That is, as shown in FIG. 5A, in the present embodiment, the thickness of the anisotropic conductive material 56 is larger than the thickness of the anisotropic conductive material 16 shown in FIG. 1A.
  • the anisotropic conductive material 56 is thicker than the space between the surface 24 of the semiconductor element 20 having the electrode 22 and the wiring pattern 10 formed on the substrate 12.
  • the anisotropic conductive material 56 is at least slightly larger than the semiconductor element 20. The conditions for this thickness and size are small. At least one of them should be satisfied.
  • the semiconductor element 20 is pressed and heated in the direction of the substrate 12 via a jig 30.
  • the anisotropic conductive material 56 extends around part or all of the side surface 28 of the semiconductor element 20.
  • a solder ball is formed by the same steps as those shown in FIGS. 1C and 1D to obtain a semiconductor device.
  • the semiconductor element 20 since at least a part of the side surface 28 of the semiconductor element 20 is covered with the anisotropic conductive material 56, the semiconductor element 20 is protected from mechanical destruction. Since the anisotropic conductive material difference 56 covers the position away from the electrode 22, the collision of the electrode 22 and the like can be prevented.
  • Chip Size / Scale Package Chip Size / Scale Package
  • present invention also applies to semiconductor devices to which FDB is applied, for example, semiconductor devices to which COF (Chip on Film) and COB (Chip on Board) are applied. Can be applied.
  • FIG. 6 shows a circuit board 100 on which the semiconductor device 110 manufactured by the method according to the above-described embodiment is mounted.
  • an organic substrate such as a glass epoxy substrate is used as the circuit board 100.
  • a wiring pattern made of, for example, copper is formed so as to form a desired circuit. Then, by electrically connecting the wiring pattern and the external electrode of the semiconductor device 110, electrical continuity therebetween is achieved.
  • the semiconductor device 110 can reduce the mounting area to the area for mounting with bare chips, the electronic device itself can be downsized by using the circuit board 100 for the electronic device. Also, within the same area, more mounting space can be secured, and higher functionality can be achieved.
  • FIG. 7 shows a notebook personal computer 1200 as an electronic apparatus including the circuit board 100.
  • the present invention can be applied to various surface-mount electronic components regardless of whether they are active components or passive components.
  • electronic components for example, resistors, capacitors, coils, Oscillator, filter, temperature sensor, summit, Norris, volume or fuse.

Description

明細 半導体装置及びその製造方法、 回路基板並びに電子機器 技術分野
本発明は、 半導体装置及びその製造方法、 回路基板並びに電子機器に関する。 背景技術
近年の電子機器の小型化に伴い、 高密度実装に適した半導体装置のパッケージ が要求されている。 これに応えるために、 B G A (BaH Grid Array) や C S P (Chip Scale/Size Package) のような表面実装型パヅケージが開発されている。 表面実装型パッケージでは、 半導体チップに接続される配線パターンの形成され た基板が使用されることがある。
従来の表面実装型ノ ッケージでは、 配線ノ ターンなどを隙間無く保護するため に保護膜を形成することが難しいため、 生産性の向上が難しかった。
本発明は、 この問題点を解決するものであり、 その目的は、 信頼性及び生産性 に優れた半導体装置の製造方法及びその方法により製造される半導体装置、 回路 基板並びに電子機器を提供することにある。
発明の開示
( 1 ) 本発明に係る半導体装置の製造方法は、 電極が形成された半導体素子と、 配線パターンが形成され前記配線ノ ターンにおける前記電極との電気的な接続部 分を除いて保護層にて覆われた基板とを接着剤により接続半導体装置の製造方法 であって、
前記配線ノ ターンと前記電極との間であって、 前記基板における前記半導体素 子の搭載領域から前記保護層上にかけて前記接着剤を設ける第 1工程と、
前記接着剤によって前記基板と前記半導体素子とを接着し、 前記配線パ夕一ン と前記電極とを電気的に導通させる第 2工程と、 を含む。
本発明によれば、 接着剤は、 保護層にかかるように設けられるので、 接着剤と 保護層との間に隙間が形成されず、 配線パターンが露出せずそのマイグレーショ ンを防止することができる。
( 2 ) この半導体装置の製造方法において、
前記接着剤には導電粒子が分散されており、 前記導電粒子により前記配線パ夕 ーンと前記電極とを電気的に導通させてもよい。
これによれば、 導電粒子によって配線パターンと電極とを電気的に導通させる ので、 信頼性及び生産性に優れた方法で半導体装置を製造することができる。
( 3 ) この半導体装置の製造方法において、
前記第 1工程前に、 前記接着剤を予め前記半導体素子の前記電極が形成された 前記面に設けておいてもよい。
( 4 ) この半導体装置の製造方法において、
前記第 1工程前に、 前記接着剤を予め前記基板の前記配線パターンが形成され た面に設けておいてもよい。
( 5 ) この半導体装置の製造方法において、
前記接着剤は、 熱硬化性の接着剤であってもよい。
( 6 ) この半導体装置の製造方法において、
前記第 1工程で、 前記接着剤を前記半導体素子からはみ出した状態で設け、 前記第 2工程で、 前記半導体素子と前記基板との間に熱を加えて、 前記半導体 素子と前記基板との間で前記接着剤を硬化させ、
前記第 2工程後に、 前記接着剤のうち、 前記第 2工程において硬化が完了しな い部分に熱を加える第 3工程を含んでもよい。
( 7 ) この半導体装置の製造方法において、
前記第 3工程で、 加熱治具によって前記接着剤を加熱してもよい。
( 8 ) この半導体装置の製造方法において、
前記加熱治具と前記接着剤との間に、 前記接着剤との離型性の高い離型層を介 在させて前記接着剤を加熱してもよい。 (9) この半導体装置の製造方法において、
前記離型層を、 前記加熱治具に設けておいてもよい。
( 10) この半導体装置の製造方法において、
前記離型層を、 前記接着剤上に設けておいてもよい。
( 1 1) この半導体装置の製造方法において、
前記第 3工程で、 非接触で前記接着剤を加熱してもよい。
( 12) この半導体装置の製造方法において、
前記配線ノ 夕一ンに接続されるハンダボールを前記基板に形成するときのリフ 口一工程を含み、
前記第 3工程を前記リフロー工程で行ってもよい。
( 13) この半導体装置の製造方法において、
前記半導体素子の他に電子部品を前記配線パターンに電気的に接合するときの リフロー工程を含み、
前記第 3工程を前記リフロー工程で行ってもよい。
( 14) この半導体装置の製造方法において、
前記第 2工程後に、 前記接着剤の前記半導体素子との接触領域以外の領域で、 前記基板を切断してもよい。
( 15) この半導体装置の製造方法において、
前記基板を切断する位置は、 前記基板の前記配線パターンの端部よりも外側の 領域であってもよい。
( 16) この半導体装置の製造方法において、
前記基板を切断する前に前記接着剤の全体を硬化させて、 硬化した前記接着剤 を前記基板とともに切断してもよい。
( 17) この半導体装置の製造方法において、
前記第 2工程で、 前記接着剤を、 前記半導体素子の側面の少なくとも一部に至 るまで回り込ませてもよい。
これによれば、 接着剤は、 半導体素子の側面の少なくとも一部を覆うので、 機 械的な破壊から半導体素子を保護することに加え、 電極に水分が到達することを 防止してコロ一ジョンを防止することができる。
( 1 8 ) この半導体装置の製造方法において、
前記接着剤は、 前記第 2工程完了後における前記半導体素子と前記基板との間 隔ょりも大きな厚みで前記第 1工程で設けられ、 前記第 2工程で前記半導体素子 と前記基板との間で加圧されて前記半導体素子からはみ出してもよい。
( 1 9 ) この半導体装置の製造方法において、
前記接着剤は、 遮光性材料を含有してもよい。
これによれば、 接着剤が遮光性材料を含有するので、 半導体素子の電極を有す る面への迷光を遮断することができる。 これにより、 半導体素子の誤作動を防止 することができる。
( 2 0 ) この半導体装置の製造方法において、
予め、 前記半導体素子の搭載領域及びその周辺を除いて前記保護層にて覆われ た前記基板を用意してもよい。
( 2 1 ) 本発明に係る半導体装置は、 電極を有する半導体素子と、 配線パターン が形成された基板と、 前記配線パターンにおける半導体素子の電極との電気的な 接続部分を除いて前記基板に設けられた保護層と、 接着剤と、
を有し、
前記接着剤は、 前記半導体素子の搭載領域から前記保護層上にかけて設けられ、 前記半導体素子の前記電極と前記配線パ夕一ンとが電気的に導通する。
本発明によれば、 接着剤は、 保護層にかかるように設けられるので、 接着剤と 保護層との間に隙間が形成されず、 配線パターンが露出せずそのマイグレーショ ンを防止することができる。
( 2 2 ) この半導体装置において、
前記接着剤には導電粒子が分散されて異方性導電材料を構成していてもよい。 これによれば、 異方性導電材料によって配線ノ ^ターンと電極とが電気的に導通 しているので、 信頼性及び生産性に優れている。
( 2 3 ) この半導体装置において、
前記異方性導電材料は、 前記配線パターンの全てを覆って設けられてもよい。 ( 2 4 ) この半導体装置において、
前記接着剤は、 前記半導体素子の側面の少なくとも一部を覆っていてもよい。 これによれば、 接着剤は、 半導体素子の側面の少なくとも一部を覆うので、 機 械的な破壊から半導体素子を保護する。 また、 半導体素子は、 電極から遠い位置 まで接着剤にて覆われるので、 電極に水分が到達しにく くなり、 電極のコロージ ヨンを防止することができる。
( 2 5 ) この半導体装置において、
前記接着剤は、 遮光性材料を含有してもよい。
これによれば、 接着剤が遮光性材料を含有するので、 半導体素子の電極を有す る面への迷光を遮断することができる。 これにより、 半導体素子の誤作動を防止 することができる。
( 2 6 ) この半導体装置において、
前記保護層は、 前記半導体素子の搭載領域及びその周辺を除いて形成されてい てもよい。
( 2 7 ) 本発明に係る半導体装置は、 上記方法により製造されたものである。 ( 2 8 ) 本発明に係る回路基板には、 上記半導体装置が実装されている。
( 2 9 ) 本発明に係る電子機器は、 上記回路基板を有する。 図面の簡単な説明
図 1 A〜図 1 Dは、 第 1の参考形態に係る半導体装置の製造方法を示す図であ り、 図 2 A及び図 2 Bは、 第 1の参考形態の変形例を示す図であり、 図 3 A及び 図 3 Bは、 第 2の参考形態に係る半導体装置の製造方法を示す図であり、 図 4 A 及び図 4 Bは、 実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図であり、 図 5 A 及び図 5 Bは、 第 3の参考形態に係る半導体装置の製造方法を示す図であり、 図 6は、 本実施の形態に係る半導体装置が実装された回路基板を示す図であり、 図 7は、 本実施の形態に係る半導体装置が実装された回路基板を備える電子機器を 示す図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の好適な実施の形態について図面を参照して説明する。 本発明の 実施の形態は、 図 4 A及び図 4 Bに示されている。 本発明の実施には、 次の参考 形態を適用することができる。
(第 1の参考形態）
図 1 A〜図 1 Dは、 第 1の参考形態に係る半導体装置の製造方法を示す図であ る。 本参考形態では、 図 1 Aに示すように、 配線パターン 1 0が少なくとも一方 の面 1 8に形成された基板 1 2が使用される。
基板 1 2は、 フレキシブル基板等の有機系材料から形成されたもの、 金属系基 板等の無機系材料から形成されたもの、 両者の組み合わされたもののうちいずれ であってもよい。 フレキシブル基板として、 テープキャリアが使用されてもよい。 基板 1 2の導電性が高い場合には、 基板 1 2と配線パターン 1 0との間及びスル 一ホール 1 4の内側、 又はこれに加えて配線パターン 1 0の形成面とは逆の面に、 絶縁膜が形成される。
基板 1 2にはスルーホール 1 4が形成されており、 配線パターン 1 0はスルー ホール 1 4上をまたいで形成されている。 また、 配線パターン 1 0の一部として、 スルーホール 1 4上には外部電極形成用のランド 1 7が形成されている。
このような基板 1 2が用意されると、 基板 1 2に接着剤の一例として異方性導 電材料 1 6を設ける。 以下の説明において、 異方性導電材料は、 接着剤の一例で ある。 異方性導電材料 1 6は、 接着剤 （バインダ） に導電粒子 （導電フィラー） が分散されたもので、 分散剤が添加される場合もある。 異方性導電材料 1 6は、 予めシート状に形成されてから基板 1 2に貼り付けてもよく、 あるいは液状のま ま基板 1 2に設けてもよい。 また、 異方性導電材料 1 6は、 半導体素子 2 0の電 極 2 2を有する面 2 4よりも大きく設けてもよいが、 面 2 4よりも小さく設けて、 押圧されて面 2 4からはみ出す量で設けてもよい。
あるいは、 異方性導電材料 1 6を、 半導体素子 2 0の面 2 4に、 押圧されて面 2 4からはみ出す量で設けてもよい。 なお、 導電粒子を含有しない接着剤を使用 しても、 電極 2 2と配線パターン 1 0とを電気的に接続することができる。 本参考形態では、 異方性導電材料に熱硬化性の接着剤が使用され、 さらに、 異 方性導電材料 1 6は遮光性材料を含有してもよい。 遮光性材料として、 例えば黒 色染料あるいは黒色顔料を接着剤樹脂中に分散させたものを用いることができる。 使用する接着剤としては、 エポキシ系を代表例とする熱硬化型接着剤を使用し てもよいし、 エポキシ系又はァクリレート系を代表例とする光硬化型接着剤を使 用してもよい。 さらに、 電子線硬化タイプ、 熱可塑 （熱接着） タイプの接着剤を 用いてもよい。 熱硬化型以外の接着剤を使用する場合、 以下全ての実施の形態中 で、 加熱又は加圧する代わりに、 エネルギーを加えればよい。
次に、 例えば、 異方性導電材料 1 6上に、 半導体素子 2 0を載せる。 詳しくは、 半導体素子 2 0の電極 2 2を有する面 2 4を、 異方性導電材料 1 6に向けて半導 体素子 2 0を載せる。 また、 電極 2 2が、 配線パターン 1 0の電極接続用のラン ド （図示せず） 上に位置するように、 半導体素子 2 0を配置する。 なお、 半導体 素子 2 0は、 二辺にのみ電極 2 2が形成されたものであっても、 四辺に電極 2 2 が形成されたものでもよい。 電極 2 2は、 金又はハンダ等の突起を A 1パッド上 に設けたものを用いることが多いが、 配線パターン 1 0側に、 前述の突起又は配 線パターン 1 0をエッチングして作成した突起を用いても良い。
以上の工程により、 半導体素子 2 0の電極 2 2が形成された面 2 4と、 基板 1 2の配線パターン 1 0が形成された面 1 8と、 の間に異方性導電材料 1 6が介在 する。 そして、 治具 3 0を、 電極 2 2が形成された面 2 4とは反対の面 2 6に押 しっけて、 半導体素子 2 0を基板 1 2の方向に加圧する。 あるいは、 半導体素子 2 0と基板 1 2との間に圧力を加える。 接着剤の一例である異方性導電材料 1 6 は、 半導体素子 2 0の面 2 4の領域内に設けられていた場合でも、 圧力によって、 面 2 4からはみ出すようになる。 また、 治具 3 0は、 ヒー夕 3 2を内蔵しており、 半導体素子 2 0を加熱する。 なお、 治具 3 0として、 異方性導電材料 1 6がはみ 出した部分にも熱を出来るだけ加えたい点を考慮すると、 半導体素子 2 0の平面 積よりも大きい平面積を有するものを用いることが好ましい。 こうすることで、 半導体素子 2 0の周囲まで熱が加わり易くなる。
こうして、 図 1 Bに示すように、 半導体素子 2 0の電極 2 2と、 配線パターン 1 0とは、 異方性導電材料 1 6の導電粒子を介して、 電気的に導通する。 本参考 形態によれば、 異方性導電材料 1 6によって配線パターン 1 0と電極 2 2とを電 気的に導通させるので、 信頼性及び生産性に優れた方法で半導体装置を製造する ことができる。
また、 治具 3 0によって半導体素子 2 0が加熱されているので、 異方性導電材 料 1 6は、 半導体素子 2 0との接触領域において硬化している。 ただし、 この状 態では、 半導体素子 2 0と接触してない領域又は半導体素子 2 0から離れた領域 は、 異方性導電材料 1 6には熱が行き届かないので、 完全には硬化していない。 この領域の硬化は、 次の工程で行われる。
図 1 Cに示すように、 基板 1 2のスルーホール 1 4内及びその付近に、 ハンダ 3 4を設ける。 ノヽンダ 3 4は、 例えばクリームハンダを用いて、 印刷法により設 けることができる。 また、 予め形成されたハンダボールを上記位置に載せても良 レ、
続いて、 リフロー工程においてハンダ 3 4を加熱して、 図 1 Dに示すように、 ハンダボ一ル 3 6を形成する。 ハンダボール 3 6は、 外部電極となる。 このリフ 口一工程では、 ハンダ 3 4のみならず異方性導電材料 1 6も加熱される。 この熱 によって、 異方性導電材料 1 6の未硬化の領域も硬化する。 すなわち、 異方性導 電材料 1 6のうち、 半導体素子 2 0と接触していない領域又は半導体素子 2 0か ら離れた領域が、 ハンダボ一ル 3 6の形成のためのリフロー工程で硬化する。 こうして得られた半導体装置 1によれば、 異方性導電材料 1 6の全てが硬化し ているので、 半導体素子 2 0の外周部において異方性導電材料 1 6が基板 1 2か らはがれて水分が侵入して配線パターン 1 0のマイグレーシヨンを引き起こすこ とが防止される。 また、 異方性導電材料 1 6の全体が硬化するので、 異方性導電 材料 1 6中への水分の含有も防止することができる。
さらに、 半導体装置 1は、 遮光性材料を含有する異方性導電材料 1 6によって、 半導体素子 2 0の電極 2 2を有する面 2 4が覆われているので、 この面 2 4への 迷光を遮断することができる。 これにより、 半導体素子 2 0の誤作動を防止する ことができる。 図 2 A及び図 2 Bは、 第 1の参考形態の変形例を示す図である。 この変形例で は、 第 1の参考形態と同じ構成には同じ符号をとり、 その構成及びその構成に起 因する効果についての説明を省略する。 この点は、 以降の実施の形態でも同様で ある。
図 2 Aに示す工程は、 図 1 Bの工程後で図 1 Cの工程前に、 行われる。 具体的 には、 異方性導電材料 1 6のうち、 半導体素子 2 0と接触していない領域又は半 導体素子 2 0から離れた領域を、 加熱治具 3 8にて加熱する。 加熱治具 3 8には、 未硬化の異方性導電材料 1 6が付着しにくいように、 接着剤の一例である異方性 導電材料 1 6との離型性が高いテフロンなどからなる離型層 3 9が設けられてい ることが好ましい。 あるいは、 離型層 3 9を、 接着剤の一例である異方性導電材 料 1 6上に設けておいてもよい。 さらに、 接着剤の一例である異方性導電材料 1 6とは非接触で、 これを加熱してもよい。 こうすることで、 異方性導電材料 1 6 のうち、 半導体素子 2 0と接触していない領域又は半導体素子 2 0から離れた領 域を硬化させることができる。 また、 治具ではなく、 部分的に加熱できる熱風又 は光ヒー夕を用いても良い。
あるいは、 図 2 Bに示すように、 図 1 Bの工程後で図 1 Cの工程前に、 半導体 素子 2 0とは別の電子部品 4 0を配線パターン 1 0に電気的に接合するためのリ フロー工程を行ってもよい。 このリフロー工程によって、 異方性導電材料 1 6の うち、 半導体素子 2 0と接触していない領域又は半導体素子 2 0から離れた領域 が加熱されて硬化する。 なお、 電子部品 4 0として、 例えば、 抵抗器、 コンデン サ、 コイル、 発振器、 フィル夕、 温度センサ、 サ一ミス夕、 ノ リス夕、 ボリユー ム又はヒューズなどがある。
これらの変形例によっても、 異方性導電材料 1 6の全てを硬化させることがで きるので、 異方性導電材料 1 6が基板 1 2からはがれて水分が侵入し、 配線パ夕 ーン 1 0のマイグレーションを引き起こすことが防止される。 また、 異方性導電 材料 1 6の全体が硬化するので、 水分の含有も防止することができる。
また、 上記工程後に、 接着剤の一例である異方性導電材料 1 6の半導体素子 2 0からはみ出した領域で、 基板 1 2を切断してもよい。 本参考形態では、 基板 1 2として片面配線基板を用いた例を述べたが、 これに 限ることはなく、 両面配線板又は多層配線板を用いてもよい。 この場合、 スルー ホール中にハンダを形成せず、 半導体素子載置面とは逆の面に設けられるランド 上にハンダボ一ルを形成してもよい。 また、 ハンダボールのかわりに、 他の導電 性突起を用いても良い。 さらに、 半導体素子と基板との接続は、 ワイヤーボンデ イングによってもよい。 これらは、 以降の実施の形態でも同様である。
また、 本実施の形態では、 熱硬化性の接着剤のみならず、 熱可塑性の接着剤の 一例となる異方性導電材料 1 6を使用してもよい。 熱可塑性の接着剤は、 冷却し て硬化させることができる。 あるいは、 紫外線などの放射線で硬化する接着剤を 使用してもよい。 このことは、 以下の実施の形態でも同様である。
(第 2の参考形態）
図 3 A及び図 3 Bは、 第 2の参考形態に係る半導体装置の製造方法を示す図で ある。 本参考形態は、 第 1の参考形態に引き続き行われる。
すなわち、 本参考形態では、 図 1 Dの工程に続いて、 図 3 Aに示すように、 異 方性導電材料 1 6及び基板 1 2を、 半導体素子 2 0よりもわずかに大きいサイズ に、 固定刃 4 1にて押さえながら可動刃 4 2によって切断して、 図 3 Bに示す半 導体装置 2を得る。 切断の手段は、 これに限定されるものではなく、 他の切断手 段及び固定手段があれば適用することができる。 半導体装置 2は、 異方性導電材 料 1 6とともに基板 1 2が切断されるので、 両者の切断面が面一になり、 基板 1 2の全面を異方性導電材料 1 6が覆う。 そして、 配線パターン 1 0が露出しない ので、 水分が配線パターン 1 0に到達せずマイグレーションを防止することがで きる。
また、 本参考形態によれば、 異方性導電材料 1 6は、 切断されることになるの で、 半導体素子 2 0と等しいかわずかに大きいサイズに予め切断しておく必要も なく、 半導体素子 2 0の位置に対応するように正確に位置合わせする必要がなレ、。 なお、 本参考形態は、 ハンダボール 3 6を形成してから異方性導電材料 1 6及 び基板 1 2が切断される例であるが、 切断の時期は、 少なくとも半導体素子 2 0 が異方性導電材料 1 6上に載せられた後であればハンダボ一ル 3 6の形成に関わ らずいつでもよい。 ただし、 異方性導電材料 1 6は、 少なくとも半導体素子 2 0 との接触領域において硬化していることが好ましい。 この場合には、 半導体素子 2 0と配線パターン 1 0との位置ずれを防止することができる。 また、 異方性導 電材料 1 6は、 切断箇所においても未硬化であるよりも硬化していた方が、 切断 工程が容易である。
なお、 基板 1 2を切断するのであれば、 接着剤の一例である異方性導電材料 1 6の全体を一度に硬化させてもよい。 例えば、 半導体素子 2 0の電極 2 2と配線 パターン 1 0とを電気的に接続させるときに、 接着剤の一例である異方性導電材 料 1 6の全体に対して、 加熱したり冷却したりすればよい。 熱硬化性の接着剤が 使用されるときには、 具体的には、 半導体素子 2 0及び半導体素子 2 0からはみ 出した接着剤の両方に接触する治具を使用してもよい。 あるいは、 オーブンによ つて加熱してもよい。
(実施の形態）
図 4 A及び図 4 Bは、 実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。 本実施の形態では、 第 1の参考形態の基板 1 2が使用され、 基板 1 2には、 保護 層 5 0が形成される。 保護層 5 0は、 配線パターン 1 0を覆って水分に触れない ようにするもので、 例えばソルダレジストが使用される。
保護層 5 0は、 半導体素子 2 0を基板 1 2に搭載するための領域よりも広い領 域 5 2を除いて形成されている。 すなわち、 領域 5 2は、 半導体素子 2 0の電極 2 2を有する面 2 4よりも大きく、 この領域 5 2内において、 半導体素子 2 0の 電極 2 2との接続用のランド （図示せず） が、 配線パターン 1 0に形成されてい る。 あるいは、 保護層 5 0は、 少なくとも半導体素子 2 0の電極 2 0との電気的 な接続部を避けて形成されていればよい。
このような基板 1 2に、 第 1の参考形態の異方性導電材料 1 6として選択可能 な材料からなる異方性導電材料 5 4 (接着剤） が設けられる。 なお、 異方性導電 材料 5 4は、 遮光性材料を含有することが必須ではないが、 含有していれば第 1 の参考形態と同様の効果を得られる。
本実施の形態では、 異方性導電材料 5 4は、 半導体素子 2 0の搭載領域から保 護層 5 0にかけて設けられる。 すなわち、 異方性導電材料 5 4は、 保護層 5 0の 形成されない領域 5 2において配線パ夕一ン 1 0及び基板 1 2を覆うとともに、 保護層 5 0の領域 5 2を形成する端部に重なって形成される。 あるいは、 接着剤 の一例となる異方性導電材料 5 4は、 半導体素子 2 0側に設けてもよい。 詳しく は、 第 1の参考形態で説明した内容が適用される。
そして、 図 4 Aに示すように、 治具 3 0を介して半導体素子 2 0を基板 1 2の 方向に加圧して加熱する。 あるいは、 少なくとも半導体素子 2 0と基板 1 2との 間に圧力を加える。 こうして、 図 4 Bに示すように、 半導体素子 2 0の電極 2 2 と配線パターン 1 0とが電気的に導通する。 その後、 図 1 C及び図 1 Dに示すの と同様の工程で、 ハンダボールを形成して半導体装置が得られる。
本実施の形態によれば、 異方性導電材料 5 4が、 保護層 5 0の形成されない領 域 5 2に形成されるだけでなく、 保護層 5 0の領域 5 2を形成する端部に重なつ て形成されている。 したがって、 異方性導電材料 5 4と保護層 5 0との間に隙間 が形成されないので、 配線パターン 1 0が露出せず、 マイグレーションを防止す ることができる。
なお、 本実施の形態においても、 半導体素子 2 0からはみだした領域において 異方性導電材料 5 4を硬化させることが好ましい。 その硬化の工程は、 第 1の参 考形態と同様の工程を適用することができる。
(第 3の参考形態）
図 5 A及び図 5 Bは、 第 3の参考形態に係る半導体装置の製造方法を示す図で ある。 本参考形態では、 第 1の参考形態の基板 1 2が使用され、 基板 1 2の上に、 異方性導電材料 5 6 (接着剤） が設けられる。 本参考形態が第 1の参考形態と相 違するのは、 異方性導電材料 5 6の厚みにある。 すなわち、 図 5 Aに示すように、 本参考形態では、 異方性導電材料 5 6の厚みが、 図 1 Aに示す異方性導電材料 1 6の厚みよりも大きくなつている。 具体的には、 異方性導電材料 5 6は、 半導体 素子 2 0の電極 2 2を有する面 2 4と、 基板 1 2に形成された配線パターン 1 0 との間隔よりも厚くなつている。 また、 異方性導電材料 5 6は、 半導体素子 2 0 よりも少なくとも若干大きくなつている。 なお、 この厚みと大きさの条件は、 少 なくともいずれか一方が満たされていればよい。
そして、 図 5 Aに示すように、 例えば、 治具 3 0を介して半導体素子 2 0を基 板 1 2の方向に加圧して加熱する。 そうすると、 図 5 Bに示すように、 異方性導 電材料 5 6が、 半導体素子 2 0の側面 2 8の一部又は全部に至るまでまわりこむ。 その後、 図 1 C及び図 1 Dに示すのと同様の工程で、 ハンダボ一ルを形成して半 導体装置が得られる。
本参考形態によれば、 半導体素子 2 0の側面 2 8の少なくとも一部が異方性導 電材料 5 6によって覆われるので、 機械的な破壊から半導体素子 2 0が保護され ることに加えて、 電極 2 2から離れた位置まで異方性導電材料異 5 6が覆うので、 電極 2 2などのコロ一ジョンを防止することができる。
前述した実施の形態は、 F D B (Face Down Bonding) の C S P
(Chip Size/Scale Package) を中心に記述されているが、 F D Bを適用した半 導体装置、 例えば C O F (Chip on Film) や C O B (Chip on Board) を適用し た半導体装置などにも、 本発明を適用することができる。
図 6には、 上述した実施の形態に係る方法によって製造された半導体装置 1 1 0 0を実装した回路基板 1 0 0 0が示されている。 回路基板 1 0 0 0には例えば ガラスエポキシ基板等の有機系基板を用いることが一般的である。 回路基板 1 0
0 0には、 例えば銅からなる配線パターンが所望の回路となるように形成されて いる。 そして、 配線パターンと半導体装置 1 1 0 0の外部電極とを機械的に接続 することでそれらの電気的導通が図られる。
なお、 半導体装置 1 1 0 0は、 実装面積をベアチップにて実装する面積にまで 小さくすることができるので、 この回路基板 1 0 0 0を電子機器に用いれば電子 機器自体の小型化が図れる。 また、 同一面積内においてはより実装スペースを確 保することができ、 高機能化を図ることも可能である。
そして、 この回路基板 1 0 0 0を備える電子機器として、 図 7には、 ノート型 パーソナルコンピュータ 1 2 0 0が示されている。
なお、 能動部品か受動部品かを問わず、 種々の面実装用の電子部品に本発明を 応用することもできる。 電子部品として、 例えば、 抵抗器、 コンデンサ、 コイル、 発振器、 フィル夕、 温度センサ、 サ一ミス夕、 ノ リス夕、 ボリューム又はヒュ一 ズなどがある。

Claims

請求の範囲
1 . 電極が形成された半導体素子と、 配線パターンが形成され前記配線パターン における前記電極との電気的な接続部分を除いて保護層にて覆われた基板とを接 着剤により接続する半導体装置の製造方法であって、
前記配線ノ ターンと前記電極との間であって、 前記基板における前記半導体素 子の搭載領域から前記保護層上にかけて前記接着剤を設ける第 1工程と、 前記接着剤によって前記基板と前記半導体素子とを接着し、 前記配線ノ ターン と前記電極とを電気的に導通させる第 2工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
2 . 請求項 1記載の半導体装置の製造方法において、
前記接着剤には導電粒子が分散されており、 前記導電粒子により前記配線パ夕 ーンと前記電極とを電気的に導通させる半導体装置の製造方法。
3 . 請求項 1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第 1工程前に、 前記接着剤を予め前記半導体素子の前記電極が形成された 前記面に設けておく半導体装置の製造方法。
4 . 請求項 1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第 1工程前に、 前記接着剤を予め前記基板の前記配線パターンが形成され た面に設けておく半導体装置の製造方法。
5 . 請求項 1記載の半導体装置の製造方法において、
前記接着剤は、 熱硬化性の接着剤である半導体装置の製造方法。
6 . 請求項 5記載の半導体装置の製造方法において、
前記第 1工程で、 前記接着剤を前記半導体素子からはみ出した状態で設け、 前記第 2工程で、 前記半導体素子と前記基板との間に熱を加えて、 前記半導体 素子と前記基板との間で前記接着剤を硬化させ、
前記第 2工程後に、 前記接着剤のうち、 前記第 2工程において硬化が完了しな い部分に熱を加える第 3工程を含む半導体装置の製造方法。
7 . 請求項 6記載の半導体装置の製造方法において、
前記第 3工程で、 加熱治具によって前記接着剤を加熱する半導体装置の製造方 法。
8 . 請求項 7記載の半導体装置の製造方法において、
前記加熱治具と前記接着剤との間に、 前記接着剤との離型性の高い離型層を介 在させて前記接着剤を加熱する半導体装置の製造方法。
9 . 請求項 8記載の半導体装置の製造方法において、
前記離型層を、 前記加熱治具に設けておく半導体装置の製造方法。
1 0 . 請求項 8記載の半導体装置の製造方法において、
前記離型層を、 前記接着剤上に設けておく半導体装置の製造方法。
1 1 . 請求項 6記載の半導体装置の製造方法において、
前記第 3工程で、 非接触で前記接着剤を加熱する半導体装置の製造方法。
1 2 . 請求項 6記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線ノ 夕一ンに接続されるハンダボールを前記基板に形成するときのリフ ロー工程を含み、
前記第 3工程を前記リフロ一工程で行う半導体装置の製造方法。
1 3 . 請求項 6記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体素子の他に電子部品を前記配線パターンに電気的に接合するときの リフロー工程を含み、
前記第 3工程を前記リフロ一工程で行う半導体装置の製造方法。
1 4 . 請求項 1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第 2工程後に、 前記接着剤の前記半導体素子との接触領域以外の領域で、 前記基板を切断する半導体装置の製造方法。
1 5 . 請求項 1 4記載の半導体装置の製造方法において、
前記基板を切断する位置は、 前記基板の前記配線パターンの端部よりも外側の 領域である半導体装置の製造方法。
1 6 . 請求項 1 4記載の半導体装置の製造方法において、
前記基板を切断する前に前記接着剤の全体を硬化させて、 硬化した前記接着剤 を前記基板とともに切断する半導体装置の製造方法。
1 7 . 請求項 1記載の半導体装置の製造方法において、 前記第 2工程で、 前記接着剤を、 前記半導体素子の側面の少なくとも一部に至 るまで回り込ませる半導体装置の製造方法。
1 8 . 請求項 1 7記載の半導体装置の製造方法において、
前記接着剤は、 前記第 2工程完了後における前記半導体素子と前記基板との間 隔よりも大きな厚みで前記第 1工程で設けられ、 前記第 2工程で前記半導体素子 と前記基板との間で加圧されて前記半導体素子からはみだす半導体装置の製造方 法。
1 9 . 請求項 1記載の半導体装置の製造方法において、
前記接着剤は、 遮光性材料を含有する半導体装置の製造方法。
2 0 . 請求項 1記載の半導体装置の製造方法において、
予め、 前記半導体素子の搭載領域及びその周辺を除いて前記保護層にて覆われ た前記基板を用意する半導体装置の製造方法。
2 1 . 電極を有する半導体素子と、 配線パターンが形成された基板と、 前記配線 パターンにおける半導体素子の電極との電気的な接続部分を除いて前記基板に設 けられた保護層と、 接着剤と、
を有し、
前記接着剤は、 前記半導体素子の搭載領域から前記保護層上にかけて設けられ、 前記半導体素子の前記電極と前記配線パ夕ーンとが電気的に導通する半導体装
2 2 . 請求項 2 1記載の半導体装置において、
前記接着剤には導電粒子が分散されて異方性導電材料を構成している半導体装
2 3 . 請求項 2 2記載の半導体装置において、
前記異方性導電材料は、 前記配線パターンの全てを覆って設けられる半導体装
2 4 . 請求項 2 1記載の半導体装置において、
前記接着剤は、 前記半導体素子の側面の少なくとも一部を覆っている半導体装
2 5 . 請求項 2 1記載の半導体装置において、
前記接着剤は、 遮光性材料を含有する半導体装置。
2 6 . 請求項 2 1記載の半導体装置において、
前記保護層は、 前記半導体素子の搭載領域及びその周辺を除いて形成されてい る半導体装置の製造方法。
2 7 . 請求項 1から請求項 2 0のいずれかの方法により製造された半導体装置。
2 8 . 請求項 2 1から請求項 2 6のいずれかに記載の半導体装置が実装された回 路基板。
2 9 . 請求項 2 8記載の回路基板を有する電子機器。
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