WO1999060626A1 - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
WO1999060626A1
WO1999060626A1 PCT/JP1999/002357 JP9902357W WO9960626A1 WO 1999060626 A1 WO1999060626 A1 WO 1999060626A1 JP 9902357 W JP9902357 W JP 9902357W WO 9960626 A1 WO9960626 A1 WO 9960626A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
resin package
lead
semiconductor device
along
semiconductor chip
Prior art date
Application number
PCT/JP1999/002357
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Masashi Sano
Nobuaki Suzuki
Shinichi Suzuki
Original Assignee
Rohm Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP13869298A external-priority patent/JP3993302B2/ja
Priority claimed from JP24602398A external-priority patent/JP4028101B2/ja
Application filed by Rohm Co., Ltd. filed Critical Rohm Co., Ltd.
Priority to US09/700,631 priority Critical patent/US6486543B1/en
Priority to EP99918314A priority patent/EP1089335A4/en
Publication of WO1999060626A1 publication Critical patent/WO1999060626A1/ja

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565Moulds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512Aligning
    • H01L2224/85148Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518Translational movements
    • H01L2224/85181Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01039Yttrium [Y]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12043Photo diode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • H01L2924/1815Shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Definitions

  • the present invention relates to a resin package type semiconductor device that can be surface-mounted on a mounting target such as a circuit board, and particularly to a semiconductor device suitably used as a light emitting portion or a light receiving portion of an optical sensor.
  • FIGS. 29 and 30 of the accompanying drawings show a conventional typical resin package type semiconductor device.
  • the semiconductor device Y is configured as a so-called frame type light emitting diode (LED) manufactured from a lead frame obtained by punching a metal plate or the like.
  • LED light emitting diode
  • the light emitting diode Y was mounted on a pair of leads 1 and 2 having internal terminals 10 and 20 and external terminals 11 and 21, respectively, and an internal terminal 10 of one lead 1.
  • a semiconductor chip (light emitting element) 3 a wire W for connecting the upper surface 30 of the light emitting element 3 to an internal terminal 20 of the other lead 20, and an internal terminal 10 of both leads 1 and 2; , 20, a light emitting element 3, and a resin package 4 for enclosing the wire W.
  • the resin package 4 is formed such that a semispherical convex lens 46 is formed immediately above the light emitting element 3.
  • Each of the external terminals 11 and 21 is configured so as to be bent in a crank shape so that the tips 11 a and 21 a are flush with the bottom surface 45 of the resin package 4.
  • the light emitting diode Y thus configured is mounted on a mounting target 5 such as a circuit board and used as various light sources, for example, a light emitting unit of an optical sensor.
  • a so-called solder reflow method is generally adopted.
  • cream solder is applied in advance to the tips 1 1 & 2 la of the external terminals 11 1 and 21, and the tips 1 1 a and 2 1 a and terminal pad 5 of mounting object 5
  • the light-emitting diode Y is positioned and mounted on the mounting object 5 and carried into the reflow furnace. In this reflow furnace, the solder paste is heated to about 200 and re-melted, but the solidified molten solder fixes the light emitting diode Y to the mounting target 5.
  • the mounting position when mounting the light emitting diode Y on the mounting target 5 is only the tips 11 a and 2 la of the external terminals 11 and 21. Is uniquely determined. That is, when the upper surface 30 of the light-emitting element 3 is a light-emitting surface, the light-emitting diode Y can only be mounted so as to emit light toward the upper side of the mounting target 5, and the mounting target Light emitting diode Y cannot be mounted to emit light parallel to 5. Therefore, in order to emit light in parallel to the mounting object 5, another light emitting diode whose light emitting surface is perpendicular to the bottom surface 45 (mounting surface) of the resin package 4 is necessary.
  • an object of the present invention is to provide a semiconductor device that can solve the above-mentioned problem.
  • a semiconductor chip a first lead connected to one pole of the semiconductor chip, a second lead connected to the other pole of the semiconductor chip, A semiconductor chip, a resin package for sealing the internal terminals of the first lead and the internal terminals of the second lead, wherein the resin package has first to fourth side surfaces, a top surface, and a bottom surface.
  • each of the first and second leads has at least one external terminal along the same side surface and the bottom surface among the first to fourth side surfaces of the resin package.
  • an anode-no cathode pair is formed on each of at least one side surface and the bottom surface of the resin package. For this reason, such as circuit boards When the semiconductor device is mounted on the mounting target, any of the side surface and the bottom surface can be selected as the mounting surface.
  • an external terminal of the first lead includes a drop portion extending from a corresponding internal terminal along a first side surface of the resin package; A bottom portion extending along the bottom surface of the resin package; and a riser portion extending from the bottom surface along a third side surface of the resin package.
  • the external terminal of the second lead is a corresponding internal terminal.
  • a drop portion extending along the first side surface of the resin package from the bottom, a bottom portion extending from the drop portion along the bottom surface of the resin package, and a third side surface of the resin package from the bottom portion A riser portion extending along a fourth side opposite to the first side.
  • the external terminal of the first lead includes a drop portion extending from a corresponding internal terminal along a first side surface of the resin package; A bottom portion extending along the bottom surface of the package; and a riser portion extending from the bottom surface along a third side surface of the resin package.
  • the external terminal of the second lead has a corresponding internal terminal.
  • the external terminal of the first lead includes a dope portion extending from a corresponding internal terminal along a third side surface of the resin package; A bottom portion extending along the bottom surface of the resin package from the bottom surface; and a riser portion extending from the bottom portion along a third side surface of the resin package, and an external terminal of the second lead.
  • a drop portion extending from the corresponding internal terminal along the third side surface of the resin package, a bottom portion extending from the drop portion along the bottom surface of the resin package, and a resin portion extending from the bottom portion.
  • a riser portion extending along a second side surface opposite to the first side surface of the package.
  • the external terminal of the first lead has two branches, one of which is provided on the first side surface and the bottom surface of the resin package.
  • the external terminal of the second lead has two branches, one of which is bent along the first side surface and the bottom surface of the resin package. Have been.
  • the other branch portion of the external terminal of the first lead extends along the first side surface of the resin package and projects beyond the third side surface
  • the external terminal of the second lead has The other branch extends along a first side of the resin package and projects beyond a fourth side opposite to the third side.
  • the other branch of the external terminal of the first lead is bent along the first side surface and the third side surface of the resin package
  • the external terminal of the second lead is The other branch portion is bent along a first side surface of the resin package and along a fourth side surface opposite to the third side surface.
  • the external terminal of the first lead has two branches, one of which is provided on the first side surface and the bottom surface of the resin package.
  • the other branch portion is bent along the first side surface and the third side surface of the resin package, and the external terminal of the second lead has two branch portions.
  • One of the branches is bent along the second side and the bottom opposite to the first side of the resin package, and the other branch is The resin package is bent along the second side surface and the third side surface.
  • the external terminal of the first lead has two branches, one of which is a third side surface and a bottom surface of the resin package.
  • the external terminal of the second lead has two branches, one of which branches along the third side surface and the bottom surface of the resin package. It is bent.
  • the other branch portion of the external terminal of the first lead extends along the third side surface of the resin package and projects beyond the first side surface, and the other branch portion of the external terminal of the second lead.
  • the branch portion extends along a third side surface of the resin package, and protrudes beyond a second side surface opposite to the first side surface.
  • the other branch of the external terminal of the first lead is the resin package.
  • P / JP 2357 is bent along the third side surface and the first side surface of the resin
  • the other branch of the external terminal of the second lead is along the third side surface of the resin package, It is bent along a second side opposite to the first side.
  • the semiconductor chip is mounted on an internal terminal of the first lead, and an internal terminal of the second lead is connected to the semiconductor chip via a wire. Further, it is particularly advantageous that the connection point between the internal terminal of the second lead and the wire is located substantially at the center in the longitudinal direction of the resin package. Further, when the semiconductor chip is a light emitting element or a light receiving element, the upper surface of the resin package may include a convex lens portion at a position corresponding to the semiconductor chip.
  • a semiconductor chip a resin package for encapsulating the semiconductor chip, and four external terminals electrically connected to the semiconductor chip outside the resin package.
  • the resin package has four side surfaces, a top surface, and a bottom surface, and the external terminals are arranged at four corners on the bottom surface side of the resin package, respectively.
  • a semiconductor device is provided, wherein the external terminals extend along selected side surfaces and a bottom surface of the resin package.
  • each of the external terminals includes a drop portion extending along the selected side surface of the resin package, and a drop portion extending from the drop portion along a bottom surface of the resin package. And a razor portion extending from the bottom surface along another side surface of the resin package adjacent to the selected side surface.
  • each external terminal has two branches, one of which is the selected side of the resin package. And bent along the bottom.
  • the other branch of each of the external terminals extends along the selected side surface of the resin package and projects beyond the side surface adjacent to the selected side surface.
  • the other branch of each of the external terminals is bent along the selected side surface of the resin package and a side surface adjacent thereto.
  • two of said four external terminals are connected by a first internal terminal.
  • the remaining two external terminals are connected by a second internal terminal
  • the semiconductor chip is mounted on the first internal terminal
  • the second internal terminal is connected to a wire.
  • the connection point between the second internal terminal and the wire is located substantially at the center in the longitudinal direction of the resin package.
  • the semiconductor chip is a light emitting element or a light receiving element
  • the upper surface of the resin package may include a convex lens portion at a position corresponding to the semiconductor chip.
  • a semiconductor chip a first lead connected to one pole of the semiconductor chip, a second lead connected to the other pole of the semiconductor chip, and the semiconductor A chip, a resin package for sealing the internal terminal of the first lead and the internal terminal of the second lead, wherein the resin package is such that the semiconductor chip is mounted on the internal terminal of the first lead;
  • the internal terminal of the second lead is connected to the semiconductor chip via a wire, the wire extends parallel to one side surface of the resin package, and the first and second leads
  • Each has at least one external terminal led out of the resin package via the one side surface from the respective internal terminal, and the internal terminal of the second lead and the wire Contact with
  • the semiconductor device is provided, wherein the continuation portion is located substantially at the center of the resin package in plan view.
  • the semiconductor chip is a light emitting element or a light receiving element
  • an upper surface of the resin package has a convex lens portion at a position corresponding to the semiconductor chip.
  • the internal terminal of the first lead has an ear piece protruding toward the second lead for mounting the semiconductor chip, and the internal terminal of the second lead connects to the wire.
  • an ear piece protruding toward the first lead is provided.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a semiconductor device according to a first example of the present invention.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along the line II-II in FIG.
  • FIG. 3 is a plan perspective view of the semiconductor device.
  • FIG. 4 is a bottom view of the semiconductor device.
  • FIG. 5 is a plan view of a lead frame used for manufacturing the semiconductor device.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining the wire bonding step.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining a resin packaging step.
  • FIG. 8 is a perspective view showing a state of an intermediate product in which external terminals of the semiconductor device are not bent.
  • FIG. 9 is a perspective view illustrating a state where a portion to be an external terminal of the semiconductor device of FIG. 8 is bent downward.
  • FIG. 10 is a perspective view showing a state where a portion to be an external terminal of the semiconductor device of FIG. 9 is further bent once again.
  • FIG. 11 is a perspective view showing a state where a portion to be an external terminal of the semiconductor device of FIG. 10 is further bent once more.
  • FIG. 12 is a side view showing a state where the semiconductor device of FIG. 1 is mounted on a circuit board.
  • FIG. 13 is a perspective view illustrating a semiconductor device according to a second example of the present invention.
  • FIG. 14 is a side view showing a state where the semiconductor device shown in FIG. 13 is mounted on a mounting target (a circuit board or the like).
  • FIG. 15 is a sectional view taken along the line XV—XV in FIG.
  • FIG. 16 is a perspective view illustrating a semiconductor device according to a third example of the present invention.
  • FIG. 17 is a perspective view illustrating a semiconductor device according to a fourth example of the present invention.
  • FIG. 18 is a plan perspective view of the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 19 is a perspective view illustrating a semiconductor device according to a fifth example of the present invention.
  • FIG. 20 is a perspective view illustrating a semiconductor device according to a sixth example of the present invention.
  • FIG. 21 is a plan perspective view of the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 22 is a perspective view illustrating a semiconductor device according to a seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 23 is a perspective view illustrating a modification of the semiconductor device illustrated in FIG. 21.
  • FIG. 24 is a perspective view illustrating a semiconductor device according to an eighth embodiment of the present invention.
  • FIG. 25 is a perspective view illustrating a semiconductor device according to a ninth embodiment of the present invention.
  • FIG. 26 is a perspective view illustrating a semiconductor device according to a tenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 27 is a plan perspective view of the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 28 is a perspective view illustrating a semiconductor device according to a first example of the present invention.
  • FIG. 29 is a perspective view illustrating an example of a conventional semiconductor device.
  • FIG. 30 is a cross-sectional view of a state where a conventional semiconductor device is mounted on a mounting target such as a circuit board.
  • FIGS. 1 to 4 show a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIGS. 5 to 28 the same or similar elements as those of the conventional semiconductor device (see FIGS. 29 and 30) are denoted by the same reference numerals.
  • the semiconductor device XI is manufactured from a lead frame obtained by stamping and forming a metal plate.
  • the semiconductor device XI is configured as a light emitting diode.
  • the semiconductor device X is electrically connected to a first lead 1 (see FIGS. 3 and 4) on which the light emitting element 3 as a semiconductor chip is mounted, and an upper surface 30 of the light emitting element 3 via a wire W.
  • a resin package 4 formed in a rectangular parallelepiped shape so as to encapsulate the light emitting element 3 and the wire W.
  • the first lead 1 has an internal terminal 10 sealed in the resin package 4 and external terminals 11 and 12 bent outside the resin package 4.
  • the internal terminal 10 has a main body 10 a extending parallel to the bottom surface 45 of the resin package 4 between the first side surface 40 and the second side surface 41 of the resin package 4. I have.
  • An ear piece 1 Ob is formed so as to protrude from the center of the main body 10a toward the center of the resin package 4.
  • a die bonding area is formed by the ear piece 1 O b and a part of the main body 10 a.
  • the die bonding region is provided at a position deviated toward the third side surface 43 of the resin package 4. As a result, it is mounted on the die bonding area.
  • the light emitting element 3 is also shifted toward the third side surface 43.
  • the external terminals 11 and 12 are formed continuously from both ends of the internal terminal 10, respectively.
  • the external terminals 11 and 12 are provided with dope portions 11 a and 12 a extending downward along the first side surface 41 or the second side surface 42 of the resin package 4, respectively.
  • Bottom portions 11b, 12 extending along the bottom surface 45 of the resin package 4 continuously from 1a, 12a, and upward from the bottom portion lib, 12b along the third side surface 43.
  • riser portions 11c and 12c that is, the external terminals 11 and 12 surround two corners on the bottom surface 45 side of the resin package 4.
  • the second lead 2 has an internal terminal 20 sealed in the resin package 4 and external terminals 21 and 22 bent outside the resin package 4.
  • the internal terminals 20 extend between the first side surface 40 and the second side surface 41 of the resin package 4 in parallel with the bottom surface 45 of the resin package 4, and extend inside the first lead 1. It has a main body 20 a parallel to the terminal 10.
  • An ear piece 20b is formed from the center of the main body 20a so as to project toward the internal terminal 10 of the first lead 1, and the ear piece 20b is made of, for example, gold.
  • It is a wire bonding area for connecting to the upper surface of the light emitting element 3 via the wire W. This wire bonding region is located at the center in the width direction of the resin package 4. Further, the connection portion between the wire W and the ear piece portion 20 b is located substantially at the center in the width direction and the longitudinal direction of the resin package 4.
  • the external terminals 21 and 22 are formed continuously from each end of the second internal terminal 20. Further, the external terminals 21 and 22 are respectively provided with drop portions 2 la and 22 a extending downward along the first side surface 41 or the second side surface 42 of the resin package 4, bottom portions 21 b and 22 b extending from la and 22 a along the bottom surface 45 of the resin package 4, and a riser part extending upward from the bottom portions 21 b and 22 b along the fourth side surface 44 21 c and 22 c. As described above, the external terminals 21 and 22 of the second lead 2 The remaining two corners on the bottom surface 45 side of the resin package 4 are surrounded.
  • the resin package 4 is formed in the shape of a rectangular parallelepiped as a whole by die molding or the like described later, but has a hemispherical convex lens portion 46 protruding upward.
  • the convex lens portion 46 is formed such that the top portion is located directly above the light emitting element 3, so that light emitted from the light emitting element 3 is not diffused in all directions.
  • the light emitting element 3 is formed so as to be deviated from the center of the resin package 4 to the third side surface 43 side. For this reason, the convex lens portion 46 provided immediately above the light emitting element 3 is also displaced to the third side surface 43 side of the resin package 4, and the convex lens portion 46 on the upper surface of the resin package 4 is formed.
  • 4 Side 4 A relatively large flat surface is secured on the 4 side.
  • the first side surface 41 of the resin package 4 has a drop portion 1 1 of the external terminal 1 1 on the first lead 1. a and the drop portion 21 a of the external terminal 21 in the second lead 2 are located.
  • the first side surface 41 can be a mounting surface for a mounting target such as a circuit board.
  • the second side surface 42 of the resin package 4 also has a drop portion 12 a of the external terminal 12 on the first lead 1 and a second lead 2. Since the drop portion 22 a of the external terminal 22 is located, the second side surface 42 can also be a mounting surface.
  • the bottom surface 45 of the resin package 4 has a bottom surface lib, 12 b, 21 b, of the external terminals 11, 12, 21, 22. Since 22b is formed respectively, the bottom surface 45 can also be a mounting surface.
  • a lead frame 6 as shown in FIG. 5 is used.
  • This lead frame 6 is used to punch metal plates such as copper, iron or nickel alloy. It has a pair of side bands 60 extending in parallel.
  • Cross member pairs 61 composed of the first and second cross members 61a and 61b are formed at regular intervals so as to bridge these side bands 60, and the cross members of each pair are formed.
  • the first and second bands 61 a and 61 b are connected to each other by the support members 62 at the portions from the side bands 60.
  • the first cross member 61 a of each cross member pair 61 is connected to the second cross member 61 b of the adjacent cross member pair 61 by two tie bars 63.
  • ears are formed so as to protrude from the first cross member 61a side to the second cross member 61b side.
  • An ear piece 20 projecting from the second cross member 61b toward the first cross member 61a so that the piece 10b faces the ear piece 10b. b is stamped and formed.
  • the semiconductor chip 3 (virtual line) is connected to the ear piece 10b of each of the first cross members 61a of the lead frame 6 via a conductive paste or the like. (Indicated by the area H enclosed by).
  • a light emitting element such as a light emitting diode chip is used as the semiconductor chip 3.
  • a light receiving element such as a photodiode chip is used as the semiconductor chip 3.
  • semiconductor chips other than those exemplified above may be mounted as appropriate according to the application.
  • the upper surface 30 (see FIG. 2) of the semiconductor chip 3 and the second cross member 61b are connected by a wire W.
  • the connection by the wire W includes first bonding performed on the upper surface 30 of the semiconductor chip 3 and second bonding performed on the second cross member 61b.
  • the tip of the wire W is made to protrude from the tip of the cavity 7, and this portion is melted into a pole shape. This is done by pressing against.
  • the wire W is pulled out from the tip of the cable 7 to the ear piece 2 Ob (wire bonding area) of the other cross member 61b. This is performed by moving the wire 7 and crimping the wire W.
  • the lead frame 6 may be heated on the support 8 when performing wire bonding, or an ultrasonic wave may be supplied when performing second bonding.
  • a resin package 4 (indicated by a region P surrounded by a virtual line in FIG. 5) is formed in the lead frame 6 using a predetermined mold. That is, as shown in FIG. 7, first, the mold is held so that the lead frame 6 is sandwiched in a state in which the semiconductor chip 3 is housed in the cavity 90 formed by the upper and lower molds 9A and 9B. Close the mold. Then, a thermosetting resin such as a molten epoxy resin is injected into the cavity 90, and after the injected resin is cured, the mold is opened to form the resin package 4. At this time, the convex lens portion 46 is also formed at the same time.
  • a thermosetting resin such as a molten epoxy resin
  • a highly transparent resin for example, an epoxy resin is suitably used as a material for forming the resin package 4.
  • a light receiving element such as a photodiode chip or a phototransistor chip is used as the semiconductor chip 3
  • a highly transparent epoxy resin or the like is preferably used as a material for forming the resin package 4.
  • the resin package 4 is preferably formed of a black resin that selectively transmits infrared light.
  • an intermediate product Y of the semiconductor device as shown in FIG. 8 is obtained.
  • the intermediate product Y is provided with a portion 11 A, 12 A from the first side 41 and the second side 42 of the resin package 4 to be the external terminals 11, 12, 21, 22. , 21 A, and 22 A each have an L-shaped protruding configuration.
  • the respective L-shaped portions 11A, 12A, 21A and 22A of the intermediate product Y are bent to obtain the semiconductor device XI as shown in FIG. Specifically, first, as shown in FIG. 9, each of the L-shaped portions 11 A, 12 A, 2357
  • the respective portions 11 A, 12 A, 21 A, and 22 A are further bent along the bottom surface 45 of the resin package 4, and the respective external terminals 11, 12, 21, 22 are formed.
  • the tips of the respective portions 11A, 12A, 21A, 22A protrude from the third and fourth side surfaces 43, 44 of the resin package 4.
  • the protruding tips of the respective portions 11 A, 12 A, 21 A, and 22 A are bent upward and the resin package 4 is connected to the third or fourth side surface 43. , 44.
  • the tip of each of the parts 11 A, 12 A, 21 A, and 22 A constitutes a riser part 1 lb, 12 c, 21 c, and 22 c of each of the external terminals 11, 12, 21, and 22.
  • the semiconductor device XI as shown in FIG. 1 is obtained.
  • the semiconductor device XI manufactured in this manner is used by being mounted on a circuit board or the like.
  • the semiconductor device XI in which a light emitting element is employed as the semiconductor chip 3 can be mounted on a circuit board and used as various light sources, for example, a light emitting unit of an optical sensor.
  • an appropriate mounting surface in the present embodiment, any one of the first side surface 41, the second side surface 42, and the bottom surface 45 of the resin package 4
  • a circuit board or the like can be obtained. It is possible to select between a mounting state in which light is emitted perpendicular to the mounting target and a mounting state in which light is emitted in parallel to the mounting target.
  • the upper surface 30 of the light emitting element 3 in the semiconductor device XI is a light emitting surface, as shown in FIG. 12, if the bottom surface 45 of the resin package 4 is a mounting surface, as shown in FIG. It can be configured to emit light vertically, and can be configured to emit light in parallel to the mounting target if the first or second side surface 41, 42 is the mounting surface.
  • a light receiving element is used as the semiconductor chip 3, it can be used as a light receiving section of an optical sensor.
  • a solder reflow technique is preferably used for mounting the semiconductor device X1. Is done. In this solder reflow method, a cream is previously applied to the surface of the external terminals 11, 12, 21, 22 of the semiconductor device X 1 or the surface of the terminal pad 50 formed on the mounting target 5 such as a circuit board. After the solder is applied and the external terminals 11, 12, 21, 22 are aligned with the terminal pads 50, the semiconductor device X 1 is put together with the circuit board 5 in a single furnace with a riff opening. Carry in and heat. After the solder paste is heated to about 200 to re-melt it, the solder paste is carried out from the reflow furnace and the solder paste is cooled and solidified, whereby the light emitting diode X is mounted on the circuit board 5.
  • a plurality of semiconductor devices XI are housed in an appropriate tray or the like, and this is automatically performed using a mounter or the like. it can.
  • the convex lens portion 46 in the semiconductor device XI is deviated to the third side surface 43 side of the resin package 4, the fourth lens portion 46 on the upper surface of the resin package 4 Side 4 A relatively large flat surface is secured on the 4 side. Therefore, when the semiconductor device XI is moved and mounted by the mounter, the existing flat suction collet 90 can be used, and there is no need to use a special collet capable of suctioning a spherical surface.
  • the second bonding portion is located at the center of the resin package 4 in a plan view, the stress acting on the second bonding portion is suppressed as much as possible. That is, the amount of displacement with respect to the terminal pads 50 on the circuit board 5 due to thermal expansion or thermal contraction of the resin package 4 during heating and cooling is the smallest at the center of the resin package 4 in plan view. Even if the resin package 4 thermally expands or contracts, the second bonding portion almost at the center is hardly displaced. Accordingly, the stress acting on the second bonding portion is suppressed, and it is difficult for the wire W to break at the second bonding portion when the semiconductor device XI is mounted.
  • the semiconductor device X2 of the present embodiment is the same as that of the above-described first embodiment. It is similar to the semiconductor device XI, but differs from it in the following points.
  • the semiconductor chip 3 is located substantially at the center of the resin package 4 in the width direction and the longitudinal direction. Accordingly, the convex lens portion 46 of the resin package 4 is also substantially at the center of the resin package 4 in the width direction and the longitudinal direction. positioned. Further, the internal terminal 20 of the second lead 2 has no ear piece.
  • each of the external terminals 11, 12, 21, and 22 has two branches 11A, 11B, 12A, 12B, 21A, 21B, 22A, 22 B.
  • the one branch portion 11A, 12A, 21A, 22A extends along the first or second side surface 41, 42 of the resin package 4, but is not bent, and is not bent. 4 projects beyond the sides 43,44.
  • the other branches 11 B, 12 B, 21 B, and 22 B of the external terminals 11, 12, 21, and 22 are connected to the first or second side surface 41, 42 and the bottom surface 45 of the resin package 4. It is bent so as to follow.
  • any of the first side surface 41, the second side surface 42, and the bottom surface 45 can be selected as a mounting surface and mounted on a mounting target such as a circuit board.
  • FIG. 14 shows an example in which the first or second side surface 41, 42 is used as a mounting surface and mounted on a mounting target 5 (circuit board).
  • a mounting target 5 circuit board
  • the soldering reflow method is used for mounting the semiconductor device X2 on the mounting target 5, and the cream solder applied to the external terminals 11, 12, 21, and 22 at the time of mounting is re-melted. Therefore, in a configuration in which the branch portions 11A, 12A, 21A, and 22A of the external terminals 11, 12, 21, and 22 protrude from the third or fourth side surfaces 43, 44 of the resin package 4, Re-melt to the top surface as shown in Figure 15. Solder Ha rides. Then, in this state, the hang Ha is solidified and the semiconductor device X2 is mounted on the mounting target 5 such as a circuit board, so that a strong connection state can be achieved.
  • FIG. 16 shows a semiconductor device X3 according to the third embodiment of the present invention.
  • the semiconductor device X3 of this embodiment is similar to the semiconductor device X2 of the second embodiment, except that one of the branch terminals 11A, 11A,
  • the second implementation is that 21A, 12A, 22A is bent along the first or second side 41, 42 and the adjacent side (third or fourth side 43, 44). It is different from the example.
  • the semiconductor device X3 having this configuration there is an advantage that the four corners of the bottom surface 45 of the resin package 4 are surrounded by the external terminals 11, 12, 21, 22 and reinforced.
  • both external terminals 11 and 12 of the first lead 1 are formed on the first side 41 side of the resin package 4, and both external terminals 2 1 of the second lead 2 are formed.
  • 22 are formed on the second side surface 42 side, which is different from the semiconductor device X1 of the first embodiment.
  • Each of the external terminals 11 and 12 of the first lead 1 is connected to a drop portion 11 a and 12 a extending along the first side surface 41 of the resin package 4, and from the drop portion 11 a and 12 a to the resin package 4.
  • a bottom surface 11b, 12b extending along the bottom surface 45 of 4 and a riser portion 11c, 12 extending from the bottom surface lib, 12b along the third or fourth side surface 43, 44; It is bent so that it may have.
  • each of the external terminals 21 and 22 of the second lead 2 is connected to a drop portion 2 la, 22 a extending along the second side surface 42 of the resin package 4, and a resin package from the drop portion 2 la, 22 a.
  • one Bottom surfaces 21 b, 22 b extending along the bottom surface 45 of the die 4, risers 21 c, 22 c extending from the bottom surface lib, 12 b along the third or fourth side surface 43, 44; It is bent so that it may have.
  • FIG. 19 shows a semiconductor device X5 according to the fifth embodiment of the present invention. According to the present embodiment, as in the fourth embodiment (FIGS.
  • both external terminals 11 and 12 of the first lead 1 are formed on the first side surface 41 side of the resin package 4.
  • Both external terminals 21 and 22 of the second lead 2 are formed on the second side surface 42 side.
  • each of the external terminals 11, 12, 21, and 22 has two branch portions 11A, 11B, 12A, 12B, 21A, 21B, It has 22 A and 22 B.
  • One of the branches 11A, 12A, 21A, 22A extends along the first or second side surface 41, 42 and the third or fourth side surface 43, 44 of the resin package 4. It is bent.
  • the other branch portions 11 B, 12 B, 21 B and 22 B of the external terminals 11, 12, 21 and 22 are connected to the first or second side surfaces 41 and 42 and the bottom surface 45 of the resin package 4. It is bent so as to follow.
  • any of the third side surface 43, the fourth side surface 44, and the bottom surface 45 can be selected as a mounting surface and mounted on a mounting target such as a circuit board.
  • FIGS. 20 and 21 show a semiconductor device X6 according to a sixth embodiment of the present invention.
  • the present embodiment differs from the semiconductor devices X1 to X5 of the first to fifth embodiments in that the first and second leads 1 and 2 have single external terminals 11 and 12, respectively. I have.
  • the external terminal 11 of the first lead 1 starts from the internal terminal 10 of the lead 4, a drop 11a extending along the third side 4 3; a bottom 11b extending from the drop 11a along the bottom 45 of the resin package 4; a bottom 11b And a riser portion 11 c extending along the first side surface 41 of the resin package 4.
  • the external terminal 21 of the second lead 2 includes a drop part 2 1a extending from the internal terminal 2Q of the lead along the third side surface 43 of the resin package 4, and a drop part 2 1a From the bottom surface 21 of the resin package 4 and a riser portion 2 lc extending from the bottom surface 21 b along the second side surface 42 of the resin package 4. Have been.
  • FIG. 22 shows a semiconductor device X7 according to a seventh embodiment of the present invention.
  • the first and second leads 1 and 2 have single external terminals 11 and 21 respectively, and each of the external terminals 11 and 21 has two external terminals 11 and 21 respectively. It has branch portions 11 A, 11 B, 12 A, and 12 B. Then, one branch portion 11 A, 21 A of each of the external terminals 11, 21 extends along the third side surface 43 of the resin package 4 without being bent. Or, it protrudes beyond the second side surface 41, 42.
  • the other branches 11 B and 2 IB of the external terminals 11 and 21 are bent along the third side surface 43 and the bottom surface 45 of the resin package 4.
  • both the third side surface 43 and the bottom surface 45 can be selected as a mounting surface for a mounting target such as a circuit board.
  • FIG. 23 shows a semiconductor device X8 according to the eighth embodiment of the present invention.
  • the semiconductor device X8 of this embodiment is similar to the semiconductor device X7 of the seventh embodiment, except that one of the branches 11A and 21A of the external terminals 11 and 21 is different.
  • the third embodiment differs from the seventh embodiment in that it is bent along the third side surface 43 and the first or second side surface 41, 42. In the semiconductor device X8 of this configuration, when the two corners on the bottom surface 45 of the resin package 4 are surrounded by the external terminals 11 and 21 and reinforced, These advantages are obtained.
  • FIG. 24 shows a semiconductor device X9 according to the ninth embodiment of the present invention.
  • This embodiment is the same as the sixth embodiment in that the first and second leads 1 and 2 have single external terminals 11 and 12, respectively, but the external terminals are slightly different in form.
  • the external terminal 11 of the first lead 1 is composed of a drop 11 a extending from the internal terminal 10 of the lead along the first side surface 41 of the resin package 4, and a drop 11 1 a a bottom surface 1 1 b extending from the bottom surface 45 along the bottom surface 45 of the resin package 4, and a riser portion 1 1 c extending from the bottom surface 1 1 b along the third side surface 43 of the resin package 4. It is bent to have.
  • the external terminal 21 of the second lead 2 is formed by a drop portion 21 a extending from the internal terminal 20 of the lead along the second side surface 42 of the resin package 4, and a drop portion 21 a
  • the resin package 4 includes a bottom surface 21 b extending along the bottom surface 45 of the resin package 4, and a riser portion 21 c extending from the bottom surface 21 b along the third side surface 43 of the resin package 4. It is bent.
  • FIG. 25 shows a semiconductor device XI0 according to a tenth embodiment of the present invention.
  • the first and second leads 1 and 2 have single external terminals 11 and 21 respectively.
  • Each of the external terminals 11 and 21 has two branch portions 11 A, 11 B, 12 A and 12 B, respectively.
  • One branch 11 A of the external terminal 11 of the first lead 1 is bent along the first side surface 41 and the third side surface 43 of the resin package 4.
  • the other branch portion 11 B is bent along the first side surface 41 and the bottom surface 45 of the resin package 4.
  • one branch portion 21 A of the external terminal 21 of the second lead 2 is bent along the second side surface 42 and the third side surface 43 of the resin package 4
  • the branch portion 21 B of the resin package 4 is bent along the second side surface 42 and the bottom surface 45 of the resin package 4.
  • FIGS. 26 and 27 show a semiconductor device XI1 according to a first embodiment of the present invention.
  • the first and second leads 1 and 2 each have a single external terminal 1 1 and 1 2, but both external terminals 1 1 and 1 2 are arranged diagonally in the resin package 4. Located away.
  • the external terminal 11 of the first lead 1 is connected to the drop terminal 11 a extending from the internal terminal 10 of the lead along the first side surface 41 of the resin package 4, and to the drop terminal 11 a.
  • the resin package 4 is bent so as to have a bottom portion 11b extending along the bottom surface 45 of the resin package 4 and a riser portion llc extending from the bottom portion 11b along the third side surface 43 of the resin package 4. ing.
  • the external terminal 21 of the second lead 2 is connected to a drop portion 21 a extending from the internal terminal 20 of the lead along the second side surface 42 of the resin package 4, and from the drop portion 21 a
  • the resin package 4 has a bottom surface 21 extending along the bottom surface 45 and a riser portion 2 lc extending from the bottom surface 21 b along the fourth side surface 44 of the resin package 4. It is bent.
  • FIG. 28 shows a semiconductor device XI2 according to a twelfth embodiment of the present invention.
  • the first and second leads 1 and 2 have single external terminals 11 and 12, respectively, and as in the first embodiment, both external terminals 1 1 and 1 2 Are arranged diagonally away from the resin package 4.
  • One branch 11 A of the external terminal 11 of the first lead 1 is bent along the first side surface 41 and the third side surface 43 of the resin package 4, and the other branch portion 11 A is formed.
  • the branch 11 B is bent along the first side surface 41 and the bottom surface 45 of the resin package 4.
  • one branch portion 21 A of the external terminal 21 of the second lead 2 is bent along the second side surface 42 and the fourth side surface 44 of the resin package 4, and
  • the branch portion 21B is bent along the second side surface 42 and the bottom surface 45 of the resin package 4.

Description

明細書 半導体装置 技術分野
本発明は、 回路基板などの実装対象に対して面実装可能とされた樹脂パッケー ジ型の半導体装置、 とくに光センサの発光部又は受光部として好適に使用される 半導体装置に関する。 背景技術
添付図面のうちの図 2 9及び 3 0は、 従来の典型的な樹脂パッケージ型の半導 体装置を示す。 この半導体装置 Yは、 金属板を打ち抜くなどして得らるリ一ドフ レ一ムから製造された、 いわゆるフレームタイプの発光ダイオード (L E D) と して構成されたものである。
具体的には、 前記発光ダイオード Yは、 内部端子 1 0 , 2 0と外部端子 1 1, 2 1をそれぞれ有する 1対のリード 1, 2と、 一方のリード 1の内部端子 1 0に 搭載した半導体チップ (発光素子) 3と、 この発光素子 3の上面 3 0を他方のリ —ド 2 0の内部端子 2 0に接続するためのワイヤ Wと、 両リード 1, 2の内部端 子 1 0, 2 0、 発光素子 3及びワイヤ Wを封入するための樹脂パッケージ 4と、 を備えている。 樹脂パッケージ 4は、 発光素子 3の直上が半球状の凸レンズ 4 6 となるように形成されている。 各外部端子 1 1 , 2 1は、 それぞれがクランク状 に屈曲されて、 その先端部 1 1 a, 2 1 aが樹脂パッケージ 4の底面 4 5と面一 になるように構成されている。
このように構成された発光ダイォ一ド Yは、 回路基板などの実装対象 5に面実 装されて各種の光源、 たとえば光センサの発光部などとして使用される。 前記発 光ダイオード Yを実装対象 5に面実装する場合には、 いわゆるハンダリフロー法 が一般的に採用されている。 このハンダリフロー法による発光ダイオード Yの実 装は、 たとえば各外部端子 1 1 , 2 1の先端部1 1 &, 2 l aにクリームハンダ を予め塗布しておき、 各先端部 1 1 a , 2 1 aと実装対象 5の端子パッド 5 0と を対応させて発光ダイォード Yを実装対象 5に位置決め載置した状態でリフロー 炉に搬入することによって行なわれる。 このリフロー炉では、 ハンダぺ一ストが 2 0 0で程度にまで加熱されて再溶融させられるが、 溶融したハンダを固化させ れば発光ダイォード Yが実装対象 5に実装固定される。
しかしながら、 前記した発光ダイオード Yでは、 これを実装対象 5に実装する 際の実装箇所が各外部端子 1 1, 2 1の先端部 1 1 a , 2 l aのみであるため、 発光ダイオード Yの実装姿勢が一義的に定められてしまう。 すなわち、 発光素子 3の上面 3 0が発光面とされている場合には、 実装対象 5の上方に向けて光を発 するようにしか発光ダイォ一ド Yを実装することができず、 実装対象 5に対して 平行に光を発するように発光ダイオード Yを実装することはできない。 従って、 実装対象 5に対して平行に光を発するようにするためには、 発光面が樹脂パッケ ージ 4の底面 4 5 (実装面) に対して垂直状とされた別の発光ダイオードが必要 となる。 このように、 従来の発光ダイオードにおいては、 光を発すべき方向に応 じて発光ダイォードを使い分ける必要があり不便である。 このような不具合は、 半導体チップ 3として受光素子が採用されてフォトダイオードゃフォトトランジ スタとして構成された半導体装置においても同様に生じうる。 発明の開示
従って、 本発明の目的は、 前記した問題を解決することができる半導体装置を 提供することである。
本発明の第 1の側面によれば、 半導体チップと、 この半導体チップの一方の極 に接続された第 1リードと、 前記半導体チップの他方の極に接続された第 2リ一 ドと、 前記半導体チップ、 第 1リードの内部端子及び第 2リードの内部端子を封 入する樹脂パッケージと、 を備え、 前記樹脂パッケージは、 第 1〜第 4の側面と、 上面と、 底面と、 を有しており、 前記第 1及び第 2リードの各々は、 前記榭脂パ ッケージの第 1〜第 4の側面のうちの同じ側面及び底面に沿う少なくとも 1つの 外部端子を有している、 半導体装置が提供される。
以上の構成によれば、 樹脂パッケージの少なくとも 1つの側面と底面とにそれ ぞれアノードノカソード対が形成されることになる。 このため、 回路基板などの 実装対象に半導体装置を実装する際に、 上記側面及び底面のいずれをも、 実装面 として選択することができる。
本発明の 1つの実施形態によれば、 前記第 1リードの外部端子は、 対応する内 部端子から前記樹脂パッケージの第 1の側面に沿うように延びるドロップ部と、 このドロップ部から前記樹脂パッケージの底面に沿うよう延びる底面部と、 この 底面部から前記樹脂パッケージの第 3の側面に沿うように延びるライザ部と、 を 有しており、 前記第 2リードの外部端子は、 対応する内部端子から前記樹脂パッ ケージの第 1の側面に沿うように延びるドロップ部と、 このドロップ部から前記 樹脂パッケージの底面に沿うよう延びる底面部と、 この底面部から前記榭脂パッ ケージの第 3の側面とは反対の第 4の側面に沿うように延びるライザ部と、 を有 している。
本発明の他の実施形態によれば、 前記第 1リードの外部端子は、 対応する内部 端子から前記樹脂パッケージの第 1の側面に沿うように延びるドロップ部と、 こ のドロップ部から前記榭脂パッケージの底面に沿うよう延びる底面部と、 この底 面部から前記樹脂パッケージの第 3の側面に沿うように延びるライザ部と、 を有 しており、 前記第 2リードの外部端子は、 対応する内部端子から前記樹脂パッケ —ジの第 1の側面とは反対の第 2の側面に沿うように延びるドロップ部と、 この ド口ップ部から前記樹脂パッケージの底面に沿うよう延びる底面部と、 この底面 部から前記樹脂パッケージの第 3の側面に沿うように延びるライザ部と、 を有し ている。
本発明のさらに別の実施形態によれば、 前記第 1リードの外部端子は、 対応す る内部端子から前記樹脂パッケージの第 3の側面に沿うように延びるド口ップ部 と、 このドロップ部から前記榭脂パッケージの底面に沿うよう延びる底面部と、 この底面部から前記榭脂パッケージの第 3の側面に沿うように延びるライザ部と、 を有しており、 前記第 2リードの外部端子は、 対応する内部端子から前記榭脂パ ッケージの第 3の側面に沿うように延びるドロップ部と、 このドロップ部から前 記樹脂パッケージの底面に沿うよう延びる底面部と、 この底面部から前記樹脂パ ッケージの第 1の側面とは反対の第 2の側面に沿うように延びるライザ部と、 を 有している。 本発明のさらに別の実施形態によれば、 前記第 1リードの外部端子は 2つの分 枝部を有しており、 そのうちの一方の分枝部は前記樹脂パッケージの第 1の側面 と底面に沿うように折り曲げられており、 前記第 2リードの外部端子は 2つの分 枝部を有しており、 そのうちの一方の分枝部は前記樹脂パッケージの第 1の側面 と底面に沿うように折り曲げられている。 この場合、 前記第 1リードの外部端子 の他方の分枝部は前記榭脂パッケージの第 1の側面に沿って延び、 第 3の側面を 越えて突出しており、 前記第 2リードの外部端子の他方の分枝部は前記樹脂パッ ケージの第 1の側面に沿って延び、 第 3の側面と反対の第 4の側面を越えて突出 している。 或いは、 前記第 1リードの外部端子の他方の分枝部は前記樹脂パッケ —ジの第 1の側面と第 3の側面に沿うように折り曲げられており、 前記第 2リ一 ドの外部端子の他方の分枝部は前記樹脂パッケージの第 1の側面に沿うとともに、 第 3の側面とは反対の第 4の側面に沿うように折り曲げられている。
本発明のさらに別の実施形態によれば、 前記第 1リードの外部端子は 2つの分 枝部を有しており、 そのうちの一方の分枝部は前記樹脂パッケージの第 1の側面 と底面に沿うように折り曲げられており、 他方の分枝部は前記樹脂パッケージの 第 1の側面と第 3の側面に沿うように折り曲げられており、 前記第 2リードの外 部端子は 2つの分枝部を有しており、 そのうちの一方の分枝部は前記榭脂パッケ 一ジの第 1の側面とは反対の第 2の側面と底面に沿うように折り曲げられており、 他方の分枝部は前記樹脂パッケージの第 2の側面と第 3の側面に沿うように折り 曲げられている。
本発明のさらに別の実施形態によれば、 前記第 1リードの外部端子は 2つの分 枝部を有しており、 そのうちの一方の分枝部は前記榭脂パッケージの第 3の側面 と底面に沿うように折り曲げられており、 前記第 2リードの外部端子は 2つの分 枝部を有しており、 そのうちの一方の分枝部は前記樹脂パッケージの第 3の側面 と底面に沿うように折り曲げられている。 この場合、 前記第 1リードの外部端子 の他方の分枝部は前記榭脂パッケージの第 3の側面に沿って延び、 第 1の側面を 越えて突出しており前記第 2リードの外部端子の他方の分枝部は前記樹脂パッケ 一ジの第 3の側面に沿って延び、 第 1の側面と反対の第 2の側面を越えて突出し ている。 或いは、 前記第 1リードの外部端子の他方の分枝部は前記樹脂パッケ一 P /JP 2357 ジの第 3の側面と第 1の側面に沿うように折り曲げられており、 前記第 2リード の外部端子の他方の分枝部は前記樹脂パッケージの第 3の側面に沿うとともに、 第 1の側面とは反対の第 2の側面に沿うように折り曲げられている。
好ましくは、 前記半導体チップは前記第 1リードの内部端子上に搭載されてお り、 前記第 2リードの内部端子はワイヤを介して前記半導体チップに接続されて いる。 さらに、 前記第 2リードの内部端子と前記ワイヤとの接続箇所を前記樹脂 パッケージの長手方向ほぼ中央に位置させると特に有利である。 また、 前記半導 体チップが発光素子又は受光素子である場合には、 前記樹脂パッケージの上面は 前記半導体チップに対応する箇所に凸レンズ部を備えていてもよい。
本発明の第 2の側面によれば、 半導体チップと、 この半導体チップを封入する 樹脂パッケージと、 この樹脂パッケージの外部において、 前記半導体チップに電 気的に接続された 4つの外部端子と、 を備え、 前記樹脂パッケージは、 4つの側 面と、 上面と、 底面と、 を有しており、 前記外部端子は、 前記樹脂パッケージの 底面側の 4つの角部にそれぞれ配置されており、 前記各外部端子は、 前記榭脂パ ッケージの選択された側面及び底面に沿うように延びている、 半導体装置が提供 される。
本発明の第 2の側面の 1つの実施形態では、 前記各外部端子は、 前記樹脂パッ ケージの前記選択された側面に沿うように延びるドロップ部と、 このドロップ部 から前記樹脂パッケージの底面に沿うよう延びる底面部と、 この底面部から前記 選択された側面に隣接する前記樹脂パッケージの他の側面に沿うように延びるラ ィザ部と、 を有している。
本発明の第 2の側面の別の実施形態では、 前記各外部端子は 2つの分枝部を有 しており、 そのうちの一方の分枝部は前記榭脂パッケ一ジの前記選択された側面 と底面に沿うように折り曲げられている。 この場合、 前記各外部端子の他方の分 枝部は前記榭脂パッケージの前記選択された側面に沿って延び、 当該選択された 側面に隣接する側面を越えて突出している。 或いは、 前記各外部端子の他方の分 枝部は前記樹脂パッケージの前記選択された側面とそれにに隣接する側面に沿う ように折り曲げられている。
好ましくは、 前記 4つの外部端子のうちの 2つは第 1の内部端子により接続さ れており、 残る 2つの外部端子は第 2の内部端子により接続されており、 前記半 導体チップは前記第 1の内部端子上に搭載されており、 前記第 2の内部端子はヮ ィャを介して前記半導体チップに接続されている。 また、 前記第 2の内部端子と 前記ワイヤとの接続箇所を前記樹脂パッケージの長手方向ほぼ中央に位置させる のが特に有利である。 さらに、 前記半導体チップが発光素子又は受光素子である 場合、 前記樹脂パッケージの上面は前記半導体チップに対応する箇所に凸レンズ 部を備えていてもよい。
本発明の第 3の側面によれば、 半導体チップと、 この半導体チップの一方の極 に接続された第 1リードと、 前記半導体チップの他方の極に接続された第 2リー ドと、 前記半導体チップ、 第 1リードの内部端子及び第 2リードの内部端子を封 入する樹脂パッケージと、 を備え、 前記樹脂パッケージは、 前記半導体チップは 前記第 1リードの内部端子上に搭載されており、 前記第 2リードの内部端子はヮ ィャを介して前記半導体チップに接続されており、 前記ワイヤは、 前記樹脂パッ ケージの 1つの側面に平行に延びており、 前記第 1及び第 2リ一ドの各々は、 そ れぞれの内部端子から前記 1つの側面を介して前記樹脂パッケージの外部に導出 された少なくとも 1つの外部端子を有しており、 前記第 2リードの内部端子と前 記ワイヤとの接続箇所は前記榭脂パッケージの平面視ほぼ中央に位置している、 半導体装置が提供される。
本発明の第 3の側面の好適な実施形態では、 前記半導体チップは発光素子又は 受光素子であり、 前記樹脂パッケージの上面は前記半導体チップに対応する箇所 に凸レンズ部を備えている。 また、 前記第 1リードの内部端子は前記半導体チッ プを搭載するべく前記第 2リードに向けて突出する耳片部を備えており、 前記第 2リードの内部端子は前記ワイヤとの接続を行うべく前記第 1 リードに向けて突 出する耳片部を備えている。
本発明の他の目的、 特徴及び利点は、 以下に添付図面に基づいて説明する好適 な実施例から明らかとなろう。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の第 1の実施例に係る半導体装置を示す斜視図である。 図 2は、 図 1の II一 II線に沿う断面図である。
図 3は、 前記半導体装置の平面透視図である。
図 4は、 前記半導体装置の底面図である。
図 5は、 前記半導体装置の製造に用いられるリードフレームの平面図である。 図 6は、 ワイヤボンディング工程を説明するための図である。
図 7は、 樹脂パッケージング工程を説明するための断面図である。
図 8は、 前記半導体装置の外部端子を折り曲げていない中間品の状態を表す斜 視図である。
図 9は、 図 8の半導体装置の外部端子となるべき部位を下方に折り曲げた状態 を表す斜視図である。
図 1 0は、 図 9の半導体装置の外部端子となるべき部位をさらにもう一度折り 曲げた状態を表す斜視図である。
図 1 1は、 図 1 0の半導体装置の外部端子となるべき部位をさらにもう一度折 り曲げた状態を表す斜視図である。
図 1 2は、 図 1の半導体装置を回路基板に実装した状態を表す側面図である。 図 1 3は、 本発明の第 2の実施例に係る半導体装置を表す斜視図である。 図 1 4は、 図 1 3に示した半導体装置を、 実装対象 (回路基板など) に実装し た状態を表す側面図である。
図 1 5は、 図 1 4の XV— XV線に沿う断面図である。
図 1 6は、 本発明の第 3の実施例に係る半導体装置を表す斜視図である。 図 1 7は、 本発明の第 4の実施例に係る半導体装置を表す斜視図である。 図 1 8は、 図 1 7に示した半導体装置の平面透視図である。
図 1 9は、 本発明の第 5の実施例に係る半導体装置を表す斜視図である。 図 2 0は、 本発明の第 6の実施例に係る半導体装置を表す斜視図である。 図 2 1は、 図 2 0に示した半導体装置の平面透視図である。
図 2 2は、 本発明の第 7の実施例に係る半導体装置を表す斜視図である。 図 2 3は、 図 2 1に示した半導体装置の変形例を表す斜視図である。
図 2 4は、 本発明の第 8の実施例に係る半導体装置を表す斜視図である。 図 2 5は、 本発明の第 9の実施例に係る半導体装置を表す斜視図である。 図 2 6は、 本発明の第 1 0の実施例に係る半導体装置を表す斜視図である。 図 2 7は、 図 2 6に示した半導体装置の平面透視図である。
図 2 8は、 本発明の第 1 1の実施例に係る半導体装置を表す斜視図である。 図 2 9は、 従来の半導体装置の一例を表す斜視図である。
図 3 0は、 従来の半導体装置を回路基板などの実装対象物に実装した状態の断 面図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の好ましい実施例を、 添付図面を参照して具体的に説明する。 図 1〜4は、 本発明の第 1の実施例に係る半導体装置を示している。 なお、 こ れらの図 (並びに、 図 5〜2 8 ) において、 従来の半導体装置 (図 2 9及び 3 0 参照) と同一又は類似の要素には同一の符号を付してある。
図 1〜4に示すように、 前記半導体装置 X Iは、 金属板を打ち抜き形成するな どして得られるリードフレームから製造されたものであり、 本実施例では発光ダ ィオードとして構成されている。 前記半導体装置 Xは、 半導体チップとしての発 光素子 3が実装される第 1リード 1 (図 3及び 4参照) と、 前記発光素子 3の上 面 3 0とワイヤ Wを介して電気的に導通される第 2リード 2と、 前記発光素子 3 及びワイヤ Wを封入するようにして直方体状に形成された樹脂パッケージ 4と、 を備えて大略構成されている。
前記第 1リード 1は、 前記樹脂パッケージ 4内に封入された内部端子 1 0と、 前記榭脂パッケージ 4の外部において屈曲形成された外部端子 1 1 , 1 2とを有 している。
前記内部端子 1 0は、 前記樹脂パッケージ 4の第 1の側面 4 0及び第 2の側面 4 1間において前記樹脂パッケージ 4の底面 4 5に対して平行に延びる本体部 1 0 aを有している。 この本体部 1 0 aの中央部から前記樹脂パッケージ 4の中心 に向けて突出するようにして耳片部 1 O bが形成されている。 この耳片部 1 O b と前記本体部 1 0 aの一部とによってダイボンディング領域が構成されている。 このダイボンディング領域は、 前記樹脂パッケージ 4の第 3の側面 4 3側に偏位 した位置に設けられている。 この結果、 前記ダイボンディング領域に実装される 前記発光素子 3も前記第 3の側面 43側に偏位することになる。
前記各外部端子 11, 12は、 前記内部端子 10の両端部からそれぞれ連続し て形成されている。 前記各外部端子 11, 12は、 前記樹脂パッケージ 4の第 1 の側面 41又は第 2の側面 42にそれぞれ沿うようして下方に延びるド口ップ部 11 a, 12 aと、 このドロップ部 1 1 a, 12 aから連続して前記榭脂パッケ ージ 4の底面 45に沿って延びる底面部 11 b, 12 と、 この底面部 l i b, 12 bから第 3の側面 43に沿うように上方に延びるライザ一部 11 c, 12 c と、 を備えている。 すなわち、 前記外部端子 1 1, 12によって、 前記樹脂パッ ケージ 4の底面 45側の 2つの角部が囲まれている。
前記第 2リード 2は、 前記樹脂パッケージ 4内に封入された内部端子 20と、 前記樹脂パッケージ 4の外部において屈曲形成された外部端子 21, 22とを有 している。
前記内部端子 20は、 前記榭脂パッケージ 4の第 1の側面 40及び第 2の側面 41間において前記樹脂パッケージ 4の底面 45に対して平行に延びるようにし て、 かつ前記第 1リード 1の内部端子 10と平行とされた本体部 20 aを有して いる。 この本体部 20 aの中央部からは、 前記第 1リード 1の内部端子 10側に 突出するように耳片部 20 bが形成されており、 この耳片部 20 bは、 例えば金 などからなるワイヤ Wを介して前記発光素子 3の上面と繋げるためのワイヤボン デイング領域とされている。 このワイヤボンディング領域は、 前記樹脂パッケ一 ジ 4の幅方向中央部に位置している。 また、 前記ワイヤ Wと前記耳片部 20 bと の接続部位は、 前記樹脂パッケージ 4の幅方向及び長手方向のほぼ中央部に位置 する。
前記各外部端子 21, 22は、 前記第 2の内部端子 20の各端部から連続して 形成されている。 また、 前記各外部端子 21, 22は、 前記樹脂パッケージ 4の 第 1の側面 41又は第 2の側面 42にそれぞれ沿うようして下方に延びるドロッ プ部 2 l a, 22 aと、 このドロップ部 2 l a, 22 aから前記樹脂パッケージ 4の底面 45に沿うよう延びる底面部 21 b, 22 bと、 この底面部 21 b, 2 2 bから第 4の側面 44に沿うように上方に延びるライザ一部 21 c, 22 cと、 を備えている。 このように、 前記第 2リード 2の外部端子 21, 22によって、 前記樹脂パッケージ 4の底面 4 5側の残りの 2つの角部が囲まれた構成とされて いる。
このように、 前記樹脂パッケージ 4における底面 4 5側の全ての角部は、 前記 第 1及び第 2リード 1, 2の外部端子 1 1 , 1 2 , 2 1, 2 2によって実質的に 保護されている。
前記樹脂パッケージ 4は、 後述する金型成形などによって全体としては直方体 状に形成されているが、 上方に突出する半球状の凸レンズ部 4 6を有している。 この凸レンズ部 4 6は、 その頂部が前記発光素子 3の直上に位置するようにして 形成されており、 発光素子 3から発せられた光が四方に拡散しないようになされ ている。 前記発光素子 3は、 前記樹脂パッケージ 4中心から第 3の側面 4 3側に 偏位して形成されている。 このため、 前記発光素子 3の直上に設けられた凸レン ズ部 4 6も前記榭脂パッケージ 4の第 3の側面 4 3側に偏位することになり、 前 記樹脂パッケージ 4の上面における第 4の側面 4 4側に、 比較的に大きな平坦面 が確保されている。
このように構成された半導体装置 X Iでは、 図 1に良く表れているように、 前 記樹脂パッケージ 4の第 1の側面 4 1には、 第 1リード 1における外部端子 1 1 のドロップ部 1 1 aと第 2リード 2における外部端子 2 1のドロップ部 2 1 aと が位置している。 このため、 前記第 1の側面 4 1を回路基板などの実装対象に対 する実装面とすることができる。 また、 図 3及び図 4に良く表れているように、 前記樹脂パッケージ 4の第 2の側面 4 2にも、 第 1リード 1における外部端子 1 2のドロップ部 1 2 aと第 2リード 2における外部端子 2 2のドロップ部 2 2 a とが位置しているため、 第 2の側面 4 2も実装面とすることができる。 さらに、 図 4に良く表れているように、 前記樹脂パッケージ 4の底面 4 5には、 前記外部 端子 1 1, 1 2, 2 1, 2 2の底面部 l i b , 1 2 b, 2 1 b , 2 2 bがそれぞ れ形成されているため、 底面 4 5をも実装面とすることができる。
次に前記構成の半導体装置 X 1の製造方法について図 5〜 1 1を参照しつつ簡 単に説明する。
半導体装置 X 1の製造には、 図 5に示すようなリードフレーム 6が使用される。 このリードフレーム 6は、 銅や鉄あるいはニッケル合金などの金属板を打ち抜く などして得られるものであり、 平行に延びる一対のサイドバンド 6 0を有してい る。 これらのサイドバンド 6 0を掛け渡すようにして第 1及び第 2のクロスメン バ一 6 1 a , 6 1 bからなるクロスメンバー対 6 1が等間隔毎に形成されており、 各対のクロスメンバ一 6 1 a , 6 1 bは前記各サイドバンド 6 0よりの部位にお いてサポートメンバ一 6 2によって連結されている。 また、 各クロスメンバー対 6 1における第 1のクロスメンバー 6 1 aは、 隣合うクロスメンバ一対 6 1の第 2のクロスメンバ一 6 1 bと 2つのタイバー 6 3によってそれぞれ連結されてい る。 前記クロスメンバー対 6 1及び前記各サポートメンバ一 6 2によって囲まれ る矩形領域には、 第 1のクロスメンバー 6 1 a側から第 2のクロスメンバ一 6 1 b側に突出するようにして耳片部 1 0 bが、 この耳片部 1 0 bに対峙するように して第 2のクロスメンバー 6 1 b側から第 1のクロスメンバ一 6 1 a側に突出す る耳片部 2 0 bがそれぞれ打ち抜き形成されている。
半導体装置 X 1の製造に際しては、 前記リ一ドフレーム 6の各第 1のクロスメ ンバ一 6 1 aにおける前記耳片部 1 0 bに導電性ペーストなどを介して半導体チ ップ 3 (仮想線で囲んだ領域 Hにて示す) が実装される。 前述したように前記半 導体装置 X 1が発光ダイォ一ドとして構成される場合には、 半導体チップ 3とし ては発光ダイオードチップなどの発光素子が使用される。 また、 前記半導体装置 X 1がフォトダイォ一ドとして構成される場合には、 前記半導体チップ 3として はフォトダイオードチップなどの受光素子などが使用される。 もちろん、 用途に 応じて例示したもの以外の半導体チップを適宜実装してもよい。
次いで、 前記半導体チップ 3の上面 3 0 (図 2参照) と第 2のクロスメンバ一 6 1 bとをワイヤ Wによって接続する。 このワイヤ Wによる接続は、 前記半導体 チップ 3の上面 3 0について行われるファーストボンディングと第 2のクロスメ ンバ一 6 1 bについて行われるセカンドボンディングとからなる。
図 6に示すように、 ファ一ストボンディングは、 キヤビラリ 7の先端部からヮ ィャ Wの先端部を突出させておき、 この部位を溶融させてポール状とし、 これを 前記半導体チップ 3の上面に圧し付けることによつて行われる。 セカンドボンデ ィングは、 前記キヤビラリ 7の先端部からワイヤ Wを引き出しつつ他方のクロス メンバ一 6 1 bの耳片部 2 O b (ワイヤボンディング領域) にまで前記キヤビラ リ 7を移動させ、 ワイヤ Wを圧着することによって行われる。 なお、 ワイヤボン ディングを行うのに際して、 前記リードフレーム 6を支持台 8上にて加熱しても よく、 またセカンドボンディングを行う際に超音波を供給してもよい。
続いて、 所定の金型を用いて前記リードフレーム 6において樹脂パッケージ 4 (図 5において、 仮想線で囲まれた領域 Pにて示す) を形成する。 すなわち、 図 7に示すように、 まず、 上下の各金型 9 A, 9 Bによって形成されるキヤビティ 9 0内に前記半導体チップ 3を収容した状態で前記リードフレーム 6を挟持する ように金型を型締めする。 そして、 前記キヤビティ 9 0に溶融したエポキシ樹脂 などの熱硬化性樹脂を注入し、 注入樹脂が硬化した後に金型を型開きすることに よって樹脂パッケージ 4が形成される。 このとき、 凸レンズ部 4 6も同時に形成 される。
前記半導体装置 X 1が発光ダイォードとして構成される場合には、 前記樹脂パ ッケージ 4を形成する材料としては透明性の高い樹脂、 たとえばエポキシ樹脂な どが好適に採用される。 また、 半導体チップ 3としてフォトダイオードチップや フォトトランジスタチップなどの受光素子を採用する場合にも、 前記樹脂パッケ —ジ 4を形成する材料としては、 透明性の高いエポキシ樹脂などが好適に採用さ れる。 しかしながら、 発光や受光を行わない半導体装置の場合には、 必ずしも透 明性の高い樹脂によって前記樹脂パッケージ 4を形成する必要はなく、 前記凸レ ンズ部 4 6を設ける必要もない。 また、 受光素子として赤外光を選択的に受光で きるものを使用する場合には、 赤外光を選択的に透過させる黒色の樹脂によって 前記樹脂パッケージ 4を形成するのが好ましい。
樹脂パッケージ 4が形成された後に、 リードフレーム 6を所定の切断線 (図 5 において、 一点鎖線で示す) に沿って切断することによって、 図 8に示すような 半導体装置の中間品 Yが得られる。 この中間品 Yは、 前記樹脂パッケージ 4の第 1の側面 4 1及び第 2の側面 4 2から外部端子 1 1 , 1 2, 2 1, 2 2となるベ き部位 1 1 A, 1 2 A, 2 1 A, 2 2 Aがそれぞれ L字状に突出したような構成 をしている。 そして、 この中間品 Yにおける前記各 L字状の部位 1 1 A, 1 2 A, 2 1 A, 2 2 Aが折り曲げられて、 図 1に示したような半導体装置 X Iとされる。 具体的には、 まず、 図 9に示すように、 前記各 L字状の部位 1 1 A, 1 2 A, 2357
21 A, 22 Aを前記榭脂パッケージ 4の第 1及び第 2の側面 41, 42に沿う ように下方に折り曲げる。 これにより、 各外部端子 11, 12, 21, 22のド 口ップ部 1 1 a, 12 a, 21 a, 22 aが形成される。
次に、 図 10に示すように、 前記各部位 11 A, 12 A, 21A, 22 Aを前 記樹脂パッケージ 4の底面 45に沿うようにさらに折り曲げて、 各外部端子 11, 12, 21, 22の底面部 l i b, 12 b, 21 b, 22 bを形成する。 このと き、 各部位 11 A, 12 A, 21 A, 22 Aの先端部は、 前記樹脂パッケージ 4 の第 3及び第 4の側面 43, 44からはみ出す。
続いて、 図 1 1に示すように、 各部位 1 1 A, 12A, 21 A, 22 Aのはみ 出し先端部を上方に向けて折り曲げて前記樹脂パッケージ 4前記第 3又は第 4の 側面 43, 44に沿うようにする。 これにより、 前記各部位 11 A, 12 A, 2 1 A, 22 Aの先端部が前記各外部端子 11, 12, 21, 22のライザ一部 1 l b, 12 c, 21 c, 22 cを構成し、 図 1に示したような半導体装置 XIが 得られる。
このようにして製造された半導体装置 XIは、 回路基板などに実装されて使用 される。 前記半導体チップ 3として発光素子が採用された半導体装置 XIは、 回 路基板に搭載して各種の光源、 たとえば光センサの発光部として利用することが できる。 また、 前記半導体装置 XIにおける適宜の実装面 (本実施例では、 樹脂 パッケージ 4の第 1の側面 41、 第 2の側面 42、 及び底面 45のいずれか) を 選択することによって、 回路基板などの実装対象に垂直に光を発するような実装 状態と、 実装対象に対して平行に光を発するような実装状態とを選択することが できるようになる。 たとえば、 前記半導体装置 XIにおける発光素子 3の上面 3 0が発光面となされている場合には、 図 12に示すように、 前記樹脂パッケージ 4の底面 45を実装面とすれば、 実装対象 5に垂直に光を発するように構成する ことができ、 第 1又は第 2の側面 41, 42を実装面とすれば実装対象に対して 平行に光を発するように構成することができる。 なお、 前記半導体チップ 3とし て受光素子を用いた場合には、 光センサの受光部などとして使用することができ る。
前記半導体装置 X 1の実装には、 たとえばハンダリフローの手法が好適に採用 される。 このハンダリフローの手法では、 予め前記半導体装置 X 1の外部端子 1 1, 1 2 , 2 1 , 2 2の表面、 あるいは回路基板などの実装対象 5に形成された 端子パッド 5 0の表面にクリームハンダを塗布しておき、 前記外部端子 1 1 , 1 2 , 2 1, 2 2と前記端子パッド 5 0とを位置合わせさせた後に、 半導体装置 X 1を前記回路基板 5とともにリフ口一炉に搬入して加熱させる。 そして、 ハンダ ペーストを 2 0 0で程度にまで加熱して再溶融させた後に、 リフロー炉から搬出 してハンダペーストを冷却固化させることによって、 発光ダイォード Xが回路基 板 5に実装される。
前記回路基板 5に対して半導体装置 X 1を載置するには、 たとえば適宜のトレ ィなどに複数個の半導体装置 X Iを収容しておき、 これをマウンタなどを用いて 自動的に行うことができる。 図 2に良く表れているように、 前記半導体装置 X I における凸レンズ部 4 6は前記樹脂パッケージ 4の第 3の側面 4 3側に偏位して いるので、 前記樹脂パッケージ 4の上面における第 4の側面 4 4側には比較的に 大きな平坦面が確保されている。 従って、 前記半導体装置 X Iをマウンタにより 移動 ·載置させる場合には、 既存の平面吸着用コレット 9 0を使用することがで き、 球状表面を吸着できる特殊なコレツトを使用する必要はない。
半導体装置 X Iを回路基板 5に実装するに際しては、 樹脂パッケージ 4の熱膨 張や熱収縮を伴う。 しかしながら、 前述したように、 セカンドボンディング部位 が前記樹脂パッケージ 4の平面視中央部に位置しているため、 当該セカンドボン デイング部位に作用する応力が極力抑制されている。 すなわち、 加熱 ·冷却時に おける前記樹脂パッケージ 4の熱膨張あるいは熱収縮に伴う、 回路基板 5上の端 子パッド 5 0に対する変位量は、 前記樹脂パッケージ 4の平面視中心部において 最小であるから、 当該樹脂パッケージ 4が熱膨張や熱収縮しても、 ほぼ中央部に 一する前記セカンドボンディング部位は殆ど変位しない。 従って、 セカンドボン デイング部位に作用する応力が抑制されており、 半導体装置 X Iの実装時にワイ ャ Wがセカンドボンディング部位において断線し難いのである。
次に、 本発明の第 2の実施例に係る半導体装置について図 1 3〜1 5を参照し つつ説明する。
図 1 3に示すように、 本実施例の半導体装置 X 2は、 上述した第 1の実施例の 半導体装置 XIと類似するが、 以下の点でそれとは相違する。
先ず、 半導体チップ 3は、 榭脂パッケージ 4の幅方向及び長手方向のほぼ中央 部に位置しており、 これに伴い、 樹脂パッケージ 4における凸レンズ部 46もほ ぼ幅方向及び長手方向の中央部に位置している。 また、 第 2リ一ド 2の内部端子 20は、 耳片部を有していない。
次に、 第 1リ一ド 1及び第 2リード 2の各外部端子 11, 12, 21, 22の 形態が第 1の実施例のものとは異なる。 すなわち、 第 2の実施例においては、 各 外部端子 11, 12, 21, 22が、 2つの分枝部 11 A, 1 1 B, 12 A, 1 2 B, 21 A, 21 B, 22 A, 22 Bを有している。 そして、 一方の分枝部 1 1A, 12 A, 21 A, 22 Aは、 樹脂パッケージ 4の第 1又は第 2の側面 41, 42に沿って延びるが、 折り曲げられておらず、 第 3又は第 4の側面 43, 44 を越えて突出している。 これに対し、 各外部端子 11, 12, 21, 22の他方 の分枝部 11 B, 12 B, 21 B, 22 Bは、 樹脂パッケージ 4の第 1又は第 2 の側面 41, 42と底面 45に沿うように折り曲げられている。
このように構成された半導体装置 X 2では、 第 1の側面 41及び第 2の側面 4 2のそれぞれに 1つのアノード Z力ソード対が形成されており、 底面 45には 2 つのアノード カソード対が形成されている。 従って、 本実施例の半導体装置 X 2では、 第 1の側面 41、 第 2の側面 42及び底面 45のいずれをも実装面とし て選択して回路基板などの実装対象に実装することができる。
図 14には、 第 1又は第 2の側面 41, 42を実装面として実装対象 5 (回路 基板) に実装した例を示す。 この場合、 各分枝部 11 A, 12A, 21 A, 22 Aは、 第 3又は第 4の側面 43, 44から突出していることから、 接合面積をそ の分大きくすることができる。 この結果、 半導体装置 X 2を安定して実装対象 5 に実装できることになる。
前述したように、 実装対象 5への半導体装置 X 2の実装には、 ハンダリフロー 法が採用され、 実装時に各外部端子 11, 12, 21, 22に塗布されたクリー ムハンダが再溶融される。 このため、 外部端子 11, 12, 21, 22の各分枝 部 11 A, 12 A, 21 A, 22 Aが樹脂パッケージ 4の第 3又は第 4の側面 4 3, 44から突出する構成では、 図 15に示したようにその上面にまで再溶融し たハンダ Haが乗り上げる。 そして、 この状態でハング Haが固化して半導体装 置 X 2が回路基板などの実装対象 5に実装されるため、 強固な接続状態を達成す ることができる。
また、 前記構成の半導体装置 X 2では、 図 14に表れているように、 外部端子 1 1, 12, 21, 22の分枝部 1 1 B, 12 B, 2 1 B, 22 Bが底面 45の 四隅に離散的に配置されている。 このために、 底面 45を実装面とする場合には 実装対象 5との接続箇所が 4力所となり、 より安定した状態で半導体装置 X 2を 実装できるばかりでなく、 半田リフ口一時の 4方向の引張りによりセルファライ メント効果を発揮させて、 精度良く半導体装置 X 2を実装することができる。 図 16は、 本発明の第 3の実施例に係る半導体装置 X 3を示す。 この実施例の 半導体装置 X 3は、 第 2の実施例の半導体装置 X 2に類似するものであるが、 各 外部端子 1 1, 12, 2 1, 22の一方の分枝部 1 1 A, 21 A, 12 A, 22 Aが第 1又は第 2の側面 41, 42とそれに隣接する側面 (第 3又は第 4の側面 43, 44) に沿うように折り曲げられている点で第 2の実施例のものとは相違 している。 この構成の半導体装置 X 3では、 樹脂パッケージ 4の底面 45におけ る四隅部が、 各外部端子 1 1, 1 2, 21, 22によって囲まれて補強されると いった利点が得られる。
図 17及び 18は、 本発明の第 4の実施例に係る半導体装置を示している。 こ の実施例の半導体装置 X 4は、 第 1リード 1の両方の外部端子 1 1, 12が樹脂 パッケージ 4の第 1の側面 41側に形成され、 第 2リード 2の両方の外部端子 2 1, 22が第 2の側面 42側に形成されている点において、 第 1の実施例の半導 体装置 X 1とは異なっている。
第 1リード 1の各外部端子 1 1, 12は、 樹脂パッケージ 4の第 1の側面 41 に沿って延びるドロップ部 1 1 a, 12 aと、 このドロップ部 1 1 a, 12 aか ら樹脂パッケージ 4の底面 45に沿って延びる底面部 1 1 b, 12 bと、 この底 面部 l i b, 12 bから第 3又は第 4の側面 43, 44に沿って延びるライザ部 1 1 c, 12じと、 を有するように折り曲げられている。 同様に、 第 2リード 2 の各外部端子 2 1, 22は、 樹脂パッケージ 4の第 2の側面 42に沿って延びる ドロップ部 2 l a, 22 aと、 このドロップ部 2 l a, 22 aから樹脂パッケ一 ジ 4の底面 45に沿って延びる底面部 21 b, 22 bと、 この底面部 l i b, 1 2 bから第 3又は第 4の側面 43, 44に沿って延びるライザ部 21 c, 22 c と、 を有するように折り曲げられている。
このような構成では、 樹脂パッケージ 4の底面 45に 2つのアノード カソ一 ドが形成され、 第 3及び第 4の側面 43, 44の各々には 1つのアノード カソ —ド対が形成されている。 このため、 本実施例の半導体装置 X 4では、 樹脂パッ ケージ 4の底面 45、 並びに第 3及び第 4の側面 43, 44のいずれをも実装面 として選択することができる。 しかも、 樹脂パッケージ 4の底面 45側の四隅部 は各外部端子 11, 12, 21, 22によってそれぞれ囲まれて補強される。 図 19は、 本発明の第 5の実施例に係る半導体装置 X 5を示している。 本実施 例によれば、 前記第 4の実施例 (図 17及び 18) と同様に、 第 1リード 1の両 方の外部端子 11, 12が樹脂パッケージ 4の第 1の側面 41側に形成され、 第 2リード 2の両方の外部端子 21, 22が第 2の側面 42側に形成されている。 また、 第 3の実施例 (図 16) と同様に、 各外部端子 11, 12, 21, 22が、 2つの分枝部 1 1A, 11 B, 12 A, 12 B, 21 A, 21 B, 22 A, 22 Bを有している。 一方の分枝部 11A, 12 A, 21 A, 22Aは、 樹脂パッケ —ジ 4の第 1又は第 2の側面 41, 42と第 3又は第 4の側面 43, 44に沿つ て延びるように折り曲げられている。 また、 各外部端子 11, 12, 21, 22 の他方の分枝部 1 1 B, 12B, 21 B, 22 Bは、 榭脂パッケージ 4の第 1又 は第 2の側面 41, 42と底面 45に沿うように折り曲げられている。
このように構成された半導体装置 X 5では、 第 3の側面 43及び第 4の側面 4 4のそれぞれに 1つのアノードノカソ一ド対が形成されており、 底面 45には 2 つのアノード Z力ソード対が形成されている。 従って、 本実施例の半導体装置 X 5では、 第 3の側面 43、 第 4の側面 44及び底面 45のいずれをも実装面とし て選択して回路基板などの実装対象に実装することができる。
図 20及び 21は、 本発明の第 6の実施例に係る半導体装置 X 6を示している。 本実施例では、 第 1及び第 2リード 1, 2が各々単一の外部端子 1 1, 12を有 する点で、 第 1〜 5の実施例の半導体装置 X 1〜X 5とは異なっている。
第 1リード 1の外部端子 11は、 同リードの内部端子 10から樹脂パッケージ 4の第 3の側面 4 3に沿って延びるドロップ部 1 1 aと、 このドロップ部 1 1 a から樹脂パッケージ 4の底面 4 5に沿って延びる底面部 1 1 bと、 この底面部 1 1 bから樹脂パッケージ 4の第 1の側面 4 1に沿って延びるライザ部 1 1 c、 と を有するように折り曲げられている。 同様に、 第 2リード 2の外部端子 2 1は、 同リードの内部端子 2 Qから榭脂パッケージ 4の第 3の側面 4 3に沿つて延びる ドロップ部 2 1 aと、 このドロップ部 2 1 aから樹脂パッケージ 4の底面 4 5に 沿って延びる底面部 2 1 と、 この底面部 2 1 bから樹脂パッケージ 4の第 2の 側面 4 2に沿って延びるライザ部 2 l c、 とを有するように折り曲げられている。 このような構成の半導体装置 X 6では、 樹脂パッケージ 4の第 3の側面 4 3及 び底面 4 5のそれぞれに 1つのアノード カソード対が形成されている。 従って、 第 3の側面 4 3及び底面 4 5のいずれをも実装面として選択することができる。 図 2 2は、 本発明の第 7の実施例に係る半導体装置 X 7を示す。 本実施例の半 導体装置 X 7では、 第 1及び第 2リード 1 , 2がそれぞれ単一の外部端子 1 1, 2 1を有しており、 各外部端子 1 1 , 2 1がそれぞれ 2つの分枝部 1 1 A, 1 1 B, 1 2 A, 1 2 Bを有している。 そして、 各外部端子 1 1 , 2 1の一方の分枝 部 1 1 A, 2 1 Aは、 それぞれが折り曲げられずに榭脂パッケージ 4の第 3の側 面 4 3に沿って延び、 第 1又は第 2の側面 4 1 , 4 2を越えて突出している。 一 方、 各外部端子 1 1, 2 1の他方の分枝部 1 1 B, 2 I Bは、 樹脂パッケージ 4 の第 3の側面 4 3と底面 4 5に沿うように折り曲げられている。
この構成の半導体装置 X 7では、 樹脂パッケージ 4の第 3の側面 4 3及び底面 4 5のそれぞれに、 1つのアノード 力ソード対が形成されている。 従って、 第 3の側面 4 3及び底面 4 5のいずれをも回路基板などの実装対象に対する実装面 として選択することができる。
図 2 3は、 本発明の第 8の実施例に係る半導体装置 X 8を示す。 この実施例の 半導体装置 X 8は、 第 7の実施例の半導体装置 X 7に類似するものであるが、 各 外部端子 1 1, 2 1の一方の分枝部 1 1 A, 2 1 Aが第 3の側面 4 3と第 1又は 第 2の側面 4 1 , 4 2に沿うように折り曲げられている点で第 7の実施例のもの とは相違している。 この構成の半導体装置 X 8では、 樹脂パッケージ 4の底面 4 5における 2つの角部が、 各外部端子 1 1 , 2 1によって囲まれて補強されると いった利点が得られる。
図 2 4は、 本発明の第 9の実施例に係る半導体装置 X 9を示す。 本実施例では、 第 1及び第 2リード 1 , 2が各々単一の外部端子 1 1 , 1 2を有する点で、 第 6 の実施例と同じであるが、 当該外部端子の形態において若干の相違点がある。 す なわち、 第 1リード 1の外部端子 1 1は、 同リードの内部端子 1 0から樹脂パッ ケージ 4の第 1の側面 4 1に沿って延びるドロップ部 1 1 aと、 このドロップ部 1 1 aから樹脂パッケージ 4の底面 4 5に沿って延びる底面部 1 1 bと、 この底 面部 1 1 bから榭脂パッケージ 4の第 3の側面 4 3に沿って延びるライザ部 1 1 c、 とを有するように折り曲げられている。 同様に、 第 2リード 2の外部端子 2 1は、 同リードの内部端子 2 0から樹脂パッケージ 4の第 2の側面 4 2に沿って 延びるドロップ部 2 1 aと、 このドロップ部 2 1 aから榭脂パッケージ 4の底面 4 5に沿って延びる底面部 2 1 bと、 この底面部 2 1 bから樹脂パッケージ 4の 第 3の側面 4 3に沿って延びるライザ部 2 1 c、 とを有するように折り曲げられ ている。
このような構成の半導体装置 X 9では、 樹脂パッケージ 4の第 3の側面 4 3及 び底面 4 5のそれぞれに 1つのアノード/力ソード対が形成されている。 従って、 第 3の側面 4 3及び底面 4 5のいずれをも実装面として選択することができる。 図 2 5は、 本発明の第 1 0の実施例に係る半導体装置 X I 0を示す。 本実施例 においても、 第 8の実施例 (図 2 3 ) と同様に、 第 1及び第 2リード 1 , 2がそ れぞれ単一の外部端子 1 1, 2 1を有しており、 各外部端子 1 1 , 2 1がそれぞ れ 2つの分枝部 1 1 A, 1 1 B , 1 2 A, 1 2 Bを有している。 そして、 第 1リ —ド 1の外部端子 1 1における一方の分枝部 1 1 Aは、 榭脂パッケージ 4の第 1 の側面 4 1と第 3の側面 4 3に沿って折り曲げられており、 他方の分枝部 1 1 B は、 樹脂パッケージ 4の第 1の側面 4 1と底面 4 5に沿って折り曲げられている。 一方、 第 2リード 2の外部端子 2 1における一方の分枝部 2 1 Aは、 樹脂パッケ ージ 4の第 2の側面 4 2と第 3の側面 4 3に沿って折り曲げられており、 他方の 分枝部 2 1 Bは、 榭脂パッケージ 4の第 2の側面 4 2と底面 4 5に沿って折り曲 げられている。
この構成の半導体装置 X I 0でも、 樹脂パッケージ 4の第 3の側面 4 3及び底 面 4 5のそれぞれに、 1つのアノードノ力ソード対が設けられている。 従って、 第 3の側面 4 3及び底面 4 5のいずれをも実装面として選択することができる。 図 2 6及び 2 7は、 本発明の第 1 1の実施例に係る半導体装置 X I 1を示す。 本実施例でも、 第 1及び第 2リード 1 , 2がそれぞれ単一の外部端子 1 1 , 1 2 を有しているが、 両外部端子 1 1 , 1 2は樹脂パッケージ 4の対角方向に離れて 配置されている。 第 1リード 1の外部端子 1 1は、 同リードの内部端子 1 0から 樹脂パッケージ 4の第 1の側面 4 1に沿って延びるドロップ部 1 1 aと、 このド 口ップ部 1 1 aから樹脂パッケージ 4の底面 4 5に沿って延びる底面部 1 1 bと、 この底面部 1 1 bから樹脂パッケージ 4の第 3の側面 4 3に沿って延びるライザ 部 l l c、 とを有するように折り曲げられている。 同様に、 第 2リード 2の外部 端子 2 1は、 同リードの内部端子 2 0から樹脂パッケージ 4の第 2の側面 4 2に 沿って延びるドロップ部 2 1 aと、 このドロップ部 2 1 aから榭脂パッケージ 4 の底面 4 5に沿って延びる底面部 2 1 と、 この底面部 2 1 bから樹脂パッケ一 ジ 4の第 4の側面 4 4に沿って延びるライザ部 2 l c、 とを有するように折り曲 げられている。
図 2 8は、 本発明の第 1 2の実施例に係る半導体装置 X I 2を示す。 本実施例 でも、 第 1及び第 2リード 1, 2がそれぞれ単一の外部端子 1 1, 1 2を有して おり、 第 1 1の実施例と同様に、 両外部端子 1 1 , 1 2は樹脂パッケージ 4の対 角方向に離れて配置されている。 そして、 第 1リード 1の外部端子 1 1における 一方の分枝部 1 1 Aは、 樹脂パッケージ 4の第 1の側面 4 1と第 3の側面 4 3に 沿って折り曲げられており、 他方の分枝部 1 1 Bは、 樹脂パッケージ 4の第 1の 側面 4 1と底面 4 5に沿って折り曲げられている。 一方、 第 2リード 2の外部端 子 2 1における一方の分枝部 2 1 Aは、 樹脂パッケージ 4の第 2の側面 4 2と第 4の側面 4 4に沿って折り曲げられており、 他方の分枝部 2 1 Bは、 樹脂パッケ —ジ 4の第 2の側面 4 2と底面 4 5に沿って折り曲げられている。
以上、 本発明の技術的範囲に属する種々の半導体装置について説明したが、 本 発明の技術的範囲は、 上述した各実施例に限定されないのはいうまでもない。

Claims

請求の範囲
1 . 半導体チップと、
この半導体チップの一方の極に接続された第 1リードと、
前記半導体チップの他方の極に接続された第 2リードと、
前記半導体チップ、 第 1リ一ドの内部端子及び第 2リ一ドの内部端子を封入 する榭脂パッケージと、 を備え、
前記樹脂パッケージは、 第 1〜第 4の側面と、 上面と、 底面と、 を有してお 前記第 1及び第 2リードの各々は、 前記樹脂パッケージの第 1〜第 4の側面 のうちの同じ側面及び底面に沿う少なくとも 1つの外部端子を有している、 半導 体装置。
2 . 前記第 1リードの外部端子は、 対応する内部端子から前記樹脂パッケージの 第 1の側面に沿うように延びるドロップ部と、 このドロップ部から前記樹脂パッ ケージの底面に沿うよう延びる底面部と、 この底面部から前記樹脂パッケージの 第 3の側面に沿うように延びるライザ部と、 を有しており、
前記第 2リードの外部端子は、 対応する内部端子から前記樹脂パッケージの 第 1の側面に沿うように延びるドロップ部と、 このドロップ部から前記榭脂パッ ケージの底面に沿うよう延びる底面部と、 この底面部から前記樹脂パッケージの 第 3の側面とは反対の第 4の側面に沿うように延びるライザ部と、 を有している、 請求項 1に記載の半導体装置。
3 . 前記第 1リードの外部端子は、 対応する内部端子から前記樹脂パッケージの 第 1の側面に沿うように延びるドロップ部と、 このドロップ部から前記樹脂パッ ケージの底面に沿うよう延びる底面部と、 この底面部から前記樹脂パッケージの 第 3の側面に沿うように延びるライザ部と、 を有しており、
前記第 2リードの外部端子は、 対応する内部端子から前記樹脂パッケージの 第 1の側面とは反対の第 2の側面に沿うように延びるドロップ部と、 このドロッ プ部から前記樹脂パッケージの底面に沿うよう延びる底面部と、 この底面部から 前記榭脂パッケージの第 3の側面に沿うように延びるライザ部と、 を有している、 請求項 1に記載の半導体装置。
4. 前記第 1リードの外部端子は、 対応する内部端子から前記樹脂パッケージの 第 3の側面に沿うように延びるドロップ部と、 このドロップ部から前記樹脂パッ ケージの底面に沿うよう延びる底面部と、 この底面部から前記樹脂パッケージの 第 3の側面に沿うように延びるライザ部と、 を有しており、
前記第 2リードの外部端子は、 対応する内部端子から前記樹脂パッケージの 第 3の側面に沿うように延びるドロップ部と、 このドロップ部から前記樹脂パッ ケージの底面に沿うよう延びる底面部と、 この底面部から前記樹脂パッケージの 第 1の側面とは反対の第 2の側面に沿うように延びるライザ部と、 を有している、 請求項 1に記載の半導体装置。
5 . 前記第 1リードの外部端子は 2つの分枝部を有しており、 そのうちの一方の 分枝部は前記樹脂パッケージの第 1の側面と底面に沿うように折り曲げられてお 0、
前記第 2リードの外部端子は 2つの分枝部を有しており、 そのうちの一方の 分枝部は前記樹脂パッケージの第 1の側面と底面に沿うように折り曲げられてい る、 請求項 1に記載の半導体装置。
6 . 前記第 1リードの外部端子の他方の分枝部は前記樹脂パッケージの第 1の側 面に沿って延び、 第 3の側面を越えて突出しており、
前記第 2リ一ドの外部端子の他方の分枝部は前記樹脂パッケージの第 1の側 面に沿って延び、 第 3の側面と反対の第 4の側面を越えて突出している、 請求項 5に記載の半導体装置。
7 . 前記第 1リードの外部端子の他方の分枝部は前記樹脂パッケージの第 1の側 面と第 3の側面に沿うように折り曲げられており、 前記第 2リードの外部端子の他方の分枝部は前記榭脂パッケージの第 1の側 面に沿うとともに、 第 3の側面とは反対の第 4の側面に沿うように折り曲げられ ている、 請求項 5に記載の半導体装置。
8 . 前記第 1リードの外部端子は 2つの分枝部を有しており、 そのうちの一方の 分枝部は前記榭脂パッケージの第 1の側面と底面に沿うように折り曲げられてお り、 他方の分枝部は前記樹脂パッケージの第 1の側面と第 3の側面に沿うように 折り曲げられており、
前記第 2リードの外部端子は 2つの分枝部を有しており、 そのうちの一方の 分枝部は前記樹脂パッケージの第 1の側面とは反対の第 2の側面と底面に沿うよ うに折り曲げられており、 他方の分枝部は前記樹脂パッケージの第 2の側面と第 3の側面に沿うように折り曲げられている、 請求項 1に記載の半導体装置。
9 . 前記第 1リードの外部端子は 2つの分枝部を有しており、 そのうちの一方の 分枝部は前記樹脂パッケージの第 3の側面と底面に沿うように折り曲げられてお
D、
前記第 2リードの外部端子は 2つの分枝部を有しており、 そのうちの一方の 分枝部は前記樹脂パッケージの第 3の側面と底面に沿うように折り曲げられてい る、 請求項 1に記載の半導体装置。
10. 前記第 1リードの外部端子の他方の分枝部は前記樹脂パッケージの第 3の側 面に沿って延び、 第 1の側面を越えて突出しており、
前記第 2リードの外部端子の他方の分枝部は前記樹脂パッケージの第 3の側 面に沿って延び、 第 1の側面と反対の第 2の側面を越えて突出している、 請求項 9に記載の半導体装置。
11. 前記第 1リードの外部端子の他方の分枝部は前記樹脂パッケージの第 3の側 面と第 1の側面に沿うように折り曲げられており、
前記第 2リードの外部端子の他方の分枝部は前記榭脂パッケージの第 3の側 面に沿うとともに、 第 1の側面とは反対の第 2の側面に沿うように折り曲げられ ている、 請求項 9に記載の半導体装置。
12. 前記半導体チップは前記第 1リードの内部端子上に搭載されており、 前記第 2リードの内部端子はワイヤを介して前記半導体チップに接続されている、 請求 項 1に記載の半導体装置。
13. 前記第 2リードの内部端子と前記ワイヤとの接続箇所は前記樹脂パッケージ の長手方向ほぼ中央に位置している、 請求項 1 2に記載の半導体装置。
14. 前記半導体チップは発光素子又は受光素子であり、 前記樹脂パッケージの上 面は前記半導体チップに対応する箇所に凸レンズ部を備えている、 請求項 1に記 載の半導体装置。
15. 半導体チップと、
この半導体チップを封入する榭脂パッケージと、
この榭脂パッケージの外部において、 前記半導体チップに電気的に接続され た 4つの外部端子と、 を備え、
前記樹脂パッケージは、 4つの側面と、 上面と、 底面と、 を有しており、 前記外部端子は、 前記樹脂パッケージの底面側の 4つの角部にそれぞれ配置 されており、
前記各外部端子は、 前記樹脂パッケージの選択された側面及び底面に沿うよ うに延びている、 半導体装置。
16. 前記各外部端子は、 前記樹脂パッケージの前記選択された側面に沿うように 延びるドロップ部と、 このドロップ部から前記榭脂パッケージの底面に沿うよう 延びる底面部と、 この底面部から前記選択された側面に隣接する前記樹脂パッケ —ジの他の側面に沿うように延びるライザ部と、 を有している、 請求項 1 5に記 載の半導体装置。
17. 前記各外部端子は 2つの分枝部を有しており、 そのうちの一方の分枝部は前 記樹脂パッケージの前記選択された側面と底面に沿うように折り曲げられている、 請求項 1 5に記載の半導体装置。
18. 前記各外部端子の他方の分枝部は前記榭脂パッケージの前記選択された側面 に沿って延び、 当該選択された側面に隣接する側面を越えて突出している、 請求 項 1 7に記載の半導体装置。
19. 前記各外部端子の他方の分枝部は前記樹脂パッケージの前記選択された側面 とそれにに隣接する側面に沿うように折り曲げられている、 請求項 1 7に記載の 半導体装置。
20. 前記 4つの外部端子のうちの 2つは第 1の内部端子により接続されており、 残る 2つの外部端子は第 2の内部端子により接続されており、 前記半導体チップ は前記第 1の内部端子上に搭載されており、 前記第 2の内部端子はワイヤを介し て前記半導体チップに接続されている、 請求項 1 5に記載の半導体装置。
21. 前記第 2の内部端子と前記ワイヤとの接続箇所は前記樹脂パッケージの長手 方向ほぼ中央に位置している、 請求項 2 0に記載の半導体装置。
22. 前記半導体チップは発光素子又は受光素子であり、 前記樹脂パッケージの上 面は前記半導体チップに対応する箇所に凸レンズ部を備えている、 請求項 1 5に 記載の半導体装置。
23. 半導体チップと、
この半導体チップの一方の極に接続された第 1リードと、
前記半導体チップの他方の極に接続された第 2リードと、
前記半導体チップ、 第 1リードの内部端子及び第 2リードの内部端子を封入 する榭脂パッケージと、 を備え、 前記樹脂パッケージは、 前記半導体チップは前記第 1リードの内部端子上に 搭載されており、
前記第 2リードの内部端子はワイヤを介して前記半導体チップに接続されて おり、
前記ワイヤは、 前記榭脂パッケージの 1つの側面に平行に延びており、 前記第 1及び第 2リードの各々は、 それぞれの内部端子から前記 1つの側面 を介して前記樹脂パッケージの外部に導出された少なくとも 1つの外部端子を有 しており、
前記第 2リードの内部端子と前記ワイヤとの接続箇所は前記榭脂パッケージ の平面視ほぼ中央に位置している、 半導体装置。
24. 前記半導体チップは発光素子又は受光素子であり、 前記樹脂パッケージの上 面は前記半導体チップに対応する箇所に凸レンズ部を備えている、 請求項 1に記 載の半導体装置。
25. 前記第 1リ一ドの内部端子は前記半導体チップを搭載するべく前記第 1リ一 ドに向けて突出する耳片部を備えており、 前記第 2リードの内部端子は前記ワイ ャとの接続を行うべく前記第 1リードに向けて突出する耳片部を備えている、 請 求項 2 3に記載の半導体装置。
PCT/JP1999/002357 1998-05-20 1999-04-30 Semiconductor device WO1999060626A1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/700,631 US6486543B1 (en) 1998-05-20 1999-04-30 Packaged semiconductor device having bent leads
EP99918314A EP1089335A4 (en) 1998-05-20 1999-04-30 SEMICONDUCTOR DEVICE

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10/138692 1998-05-20
JP13869198 1998-05-20
JP13869298A JP3993302B2 (ja) 1998-05-20 1998-05-20 半導体装置
JP10/138691 1998-05-20
JP24602398A JP4028101B2 (ja) 1998-05-20 1998-08-31 半導体装置
JP10/246023 1998-08-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1999060626A1 true WO1999060626A1 (en) 1999-11-25

Family

ID=27317720

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP1999/002357 WO1999060626A1 (en) 1998-05-20 1999-04-30 Semiconductor device

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6486543B1 (ja)
EP (1) EP1089335A4 (ja)
KR (1) KR100378917B1 (ja)
CN (1) CN1219320C (ja)
TW (1) TW413834B (ja)
WO (1) WO1999060626A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1211735A1 (en) * 2000-12-04 2002-06-05 Mu-Chin Yu Light emitting diode with improved heat dissipation
US7242033B2 (en) * 2002-03-08 2007-07-10 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device using LED chip

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3930710B2 (ja) * 2000-09-13 2007-06-13 シチズン電子株式会社 チップ型発光ダイオード及びその製造方法
US20020070387A1 (en) * 2000-12-07 2002-06-13 Bily Wang Focusing cup on a folded frame for surface mount optoelectric semiconductor package
TW523942B (en) * 2002-03-05 2003-03-11 Hsiu-Hen Chang package socket and package legs structure for LED and manufacturing of the same
KR100457380B1 (ko) * 2002-05-06 2004-11-16 삼성전기주식회사 광마우스용 칩 온 보드 리드 패키지 및 그에 사용되는렌즈커버
DE10237084A1 (de) * 2002-08-05 2004-02-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Leiterrahmens und Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements
JP2005079329A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型発光ダイオード
JP2005183531A (ja) * 2003-12-17 2005-07-07 Sharp Corp 半導体発光装置
US8174036B2 (en) * 2003-12-30 2012-05-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lighting device
JP4698234B2 (ja) * 2005-01-21 2011-06-08 スタンレー電気株式会社 表面実装型半導体素子
US7385227B2 (en) * 2005-04-12 2008-06-10 Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd Compact light emitting device package with enhanced heat dissipation and method for making the package
US7329942B2 (en) * 2005-05-18 2008-02-12 Ching-Fu Tsou Array-type modularized light-emitting diode structure and a method for packaging the structure
DE102006032416A1 (de) * 2005-09-29 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
KR100735325B1 (ko) * 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
JP2007294615A (ja) * 2006-04-24 2007-11-08 Rohm Co Ltd 光通信モジュール
JP4922663B2 (ja) * 2006-05-18 2012-04-25 スタンレー電気株式会社 半導体光学装置
US20100032189A1 (en) * 2007-02-15 2010-02-11 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Led package and attachment structure of molded circuit component
US7993038B2 (en) * 2007-03-06 2011-08-09 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting device
JP4689637B2 (ja) * 2007-03-23 2011-05-25 シャープ株式会社 半導体発光装置
TWI330415B (en) * 2007-04-02 2010-09-11 Chimei Innolux Corp Light emitting diode and a backlight module using the same
US20100163920A1 (en) * 2007-06-14 2010-07-01 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
US7524087B1 (en) * 2007-11-16 2009-04-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical device
TWM337834U (en) * 2007-12-10 2008-08-01 Everlight Electronics Co Ltd Package structure for light emitting diode
WO2009098967A1 (ja) * 2008-02-08 2009-08-13 Nichia Corporation 発光装置
JP5236406B2 (ja) * 2008-03-28 2013-07-17 ローム株式会社 半導体発光モジュールおよびその製造方法
DE202008005708U1 (de) 2008-04-24 2008-07-10 Vishay Semiconductor Gmbh Oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement
KR101488453B1 (ko) * 2008-06-30 2015-02-02 서울반도체 주식회사 다면 리드단자를 갖는 led 패키지 및 그의 표면실장용리드프레임 구조체
US9022632B2 (en) * 2008-07-03 2015-05-05 Samsung Electronics Co., Ltd. LED package and a backlight unit unit comprising said LED package
CN101420007B (zh) * 2008-10-23 2010-12-29 旭丽电子(广州)有限公司 一种led晶片的封装结构和封装方法
KR100888236B1 (ko) * 2008-11-18 2009-03-12 서울반도체 주식회사 발광 장치
US8089075B2 (en) * 2009-04-17 2012-01-03 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LFCC package with a reflector cup surrounded by a single encapsulant
US8101955B2 (en) * 2009-04-17 2012-01-24 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. PLCC package with a reflector cup surrounded by an encapsulant
JP5351065B2 (ja) * 2010-01-25 2013-11-27 矢崎総業株式会社 Ledランプユニット
KR101705700B1 (ko) * 2010-07-01 2017-02-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
JP2012080026A (ja) * 2010-10-06 2012-04-19 Toshiba Corp Ledパッケージ
KR101852388B1 (ko) * 2011-04-28 2018-04-26 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
CN103178191B (zh) * 2011-12-24 2015-10-28 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管
TW201330332A (zh) * 2012-01-02 2013-07-16 Lextar Electronics Corp 固態發光元件及其固態發光封裝體
US10026676B2 (en) * 2012-12-11 2018-07-17 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor lead frame package and LED package
JP6476567B2 (ja) 2013-03-29 2019-03-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102013226721A1 (de) 2013-12-19 2015-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit asymmetrischen Trägerarmen
JP6592902B2 (ja) 2014-03-28 2019-10-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
USD762184S1 (en) * 2014-11-13 2016-07-26 Mitsubishi Electric Corporation Light emitting diode
USD758977S1 (en) * 2015-06-05 2016-06-14 Kingbright Electronics Co. Ltd. LED component
US10823355B2 (en) * 2016-01-27 2020-11-03 Lite-On Electronics (Guangzhou) Limited Light-emitting module for vehicle lamp
CN106711135A (zh) * 2017-01-09 2017-05-24 丽智电子(昆山)有限公司 一种模组化的光电二极管封装器件
WO2020147004A1 (zh) * 2019-01-15 2020-07-23 泉州三安半导体科技有限公司 发光二极管封装器件及发光装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05243442A (ja) * 1992-02-27 1993-09-21 Nec Corp 表面実装型ダイオード
JPH0799277A (ja) * 1993-09-28 1995-04-11 Sharp Corp 半導体装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5291038A (en) * 1990-12-19 1994-03-01 Sharp Kabushiki Kaisha Reflective type photointerrupter
DE4446566A1 (de) * 1994-12-24 1996-06-27 Telefunken Microelectron Mehrpoliges, oberflächenmontierbares, elektronisches Bauelement
JP3596689B2 (ja) 1995-05-31 2004-12-02 ローム株式会社 電子部品の樹脂封止装置およびこれを用いた樹脂封止方法
DE19680637T1 (de) 1995-06-21 1997-10-02 Rohm Co Ltd Leuchtdiodenchip und eine einen Leuchtdiodenchip umfassende Leuchtdiode
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JPH1051034A (ja) 1996-08-01 1998-02-20 Rohm Co Ltd 面実装型電子部品、その製造方法、これを回路基板上に実装する方法、およびこれを実装した回路基板
JP4198284B2 (ja) * 1999-10-07 2008-12-17 ローム株式会社 面実装用光半導体装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05243442A (ja) * 1992-02-27 1993-09-21 Nec Corp 表面実装型ダイオード
JPH0799277A (ja) * 1993-09-28 1995-04-11 Sharp Corp 半導体装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1089335A4 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1211735A1 (en) * 2000-12-04 2002-06-05 Mu-Chin Yu Light emitting diode with improved heat dissipation
US7242033B2 (en) * 2002-03-08 2007-07-10 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device using LED chip

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010071289A (ko) 2001-07-28
US6486543B1 (en) 2002-11-26
CN1301399A (zh) 2001-06-27
CN1219320C (zh) 2005-09-14
EP1089335A4 (en) 2002-02-06
KR100378917B1 (ko) 2003-04-07
EP1089335A1 (en) 2001-04-04
TW413834B (en) 2000-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO1999060626A1 (en) Semiconductor device
JP5038623B2 (ja) 光半導体装置およびその製造方法
US20220364688A1 (en) Lighting assembly and method for manufacturing a lighting assembly
JP5782618B2 (ja) パッケージ回路、及び集積回路をパッケージングする方法
US7138673B2 (en) Semiconductor package having encapsulated chip attached to a mounting plate
EP1187202A2 (en) Semiconductor package
KR20060134969A (ko) 표면 장착 발광 칩 패키지
WO2008047933A1 (en) Package assembly for upper/lower electrode light-emitting diodes and light-emitting device manufacturing method using same
JP3993302B2 (ja) 半導体装置
JP2005294736A (ja) 半導体発光装置の製造方法
JP4028101B2 (ja) 半導体装置
JPWO2009130743A1 (ja) 光素子用パッケージ、半導体発光装置および照明装置
JPH11346008A (ja) 半導体装置
JP3808627B2 (ja) 面実装型半導体装置
KR100735309B1 (ko) 표면 실장 발광다이오드 패키지
JP2007150045A (ja) 半導体装置
JP2010027689A (ja) 光半導体装置
JP3556834B2 (ja) 半導体装置
JP2000031582A (ja) 光モジュール
JP2006054234A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
JP2006278401A (ja) 半導体装置
KR20000035215A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP2009182230A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JP3631372B2 (ja) 樹脂パッケージ型半導体装置
JPH02198178A (ja) 発光ダイオード装置

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 99806411.4

Country of ref document: CN

AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): CN KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1999918314

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 09700631

Country of ref document: US

Ref document number: 1020007012944

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1999918314

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020007012944

Country of ref document: KR

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1020007012944

Country of ref document: KR