DE1614389B2 - Feldeffekt halbleiterbauelement - Google Patents

Feldeffekt halbleiterbauelement

Info

Publication number
DE1614389B2
DE1614389B2 DE19671614389 DE1614389A DE1614389B2 DE 1614389 B2 DE1614389 B2 DE 1614389B2 DE 19671614389 DE19671614389 DE 19671614389 DE 1614389 A DE1614389 A DE 1614389A DE 1614389 B2 DE1614389 B2 DE 1614389B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
area
field effect
insulating layer
electrode
areas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19671614389
Other languages
English (en)
Other versions
DE1614389A1 (de
Inventor
John Aaron Somerville Jacobus jufi Lewis Alfred Middlesex Athanas Terry George Lebanon N J Olmstead (V St A)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RCA Corp
Original Assignee
RCA Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RCA Corp filed Critical RCA Corp
Publication of DE1614389A1 publication Critical patent/DE1614389A1/de
Publication of DE1614389B2 publication Critical patent/DE1614389B2/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772Field effect transistors
    • H01L29/78Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7831Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with multiple gate structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/49105Connecting at different heights
    • H01L2224/49107Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1306Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]

Description

Die Erfindung betrifft ein gitterisoliertes Feldeffekt-Halbleiterbauelement aus einem Halbleitersubstrat eines ersten Leitungstyps, einer auf einer Substratoberfläche angeordneten Isolierschicht, zwei im Substrat unmittelbar an dieser Fläche im Abstand voneinander gebildeten Gebieten eines zweiten Leitungstyps und einem zwischen dem ersten und zweiten Gebiet liegenden, an die gleiche Substratoberfläche angrenzenden dritten Gebiet niedrigen spezifischen Widerstands, wobei auf der genannten Fläche vollständig innerhalb des ersten Gebiets eine erste Elektrode und vollständig innerhalb des zweiten Gebiets eine zweite Elektrode angebracht ist und auf der Isolierschicht über dem Zwischenraum zwischen dem ersten und dritten Gebiet eine dritte Elektrode und über dem Zwischenraum zwischen dem zweiten und dritten Gebiet eine vierte Elektrode vorgesehen ist.
Ein derartiges Feldeffekt-Halbleiterbauelement ist bekannt (IBM Technical Disclosure Bulletin, Bd. 7, Nr. 1, Juni 1964, S. 7) und stellt eine besondere Ausgestaltung bzw. Abwandlung der als »MOS-Transistoren« (Metall-Oxyd-Halbleiter-Transistoren) bekannten Elemente dar. Bei diesen Feldeffekt-Transistoren sind außer der Isolierschicht nur die beiden ersten, eingangs erwähnten Gebiete vorhanden, die als Hauptelektroden unter den Bezeichnungen »Quelle« und »Senke« bekannt sind.
Eine einzige auf der Isolierschicht zwischen den beiden Gebieten angebrachte Steuerelektrode, die auch als »Gitter« bezeichnet wird, dient zur Beeinflussung des Stromflusses in dem zwischen den beiden Gebieten im Substrat gebildeten Kanal. Die eingangs beschriebene bekannte Weiterbildung mit dem zwischen den beiden ersten Gebieten befindlichen dritten Gebiet und der jeweils als Steuerelektrode dienenden dritten und vierten Elektrode ist als Schaltelement zur Herstellung einer logischen UND-Funktion vorgeschlagen worden, wobei die beiden Steuerelektroden als Eingänge dienen, und das dritte Gebiet zur Verminderung des elektrischen Widerstandes im Kanal und somit zur Verbesserung der Einschaltcharakteristik des Elements vorgesehen ist. Es ist auch angeregt worden, dieses Bauelement mit den beiden Steuerelektroden auf anderen Gebieten, beispielsweise zur Signalmodulation, zur Verstärkung, usw., zu verwenden.
Es ist die Aufgabe der Erfindung, das Leistungsvermögen einer Feldeffekttetrode, wie sie durch das eingangs beschriebene Halbleiterbauelement gebildet wird, für hohe Frequenzen zu verbessern. Bei einem gitterisolierten Feldeffekt-Halbleiterbauelement der
eingangs erwähnten Art wird diese Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das zwischen den ersten beiden Gebieten niedrigen spezifischen Widerstands befindliche dritte Gebiet eine Breite von weniger als 16,3 Mikron hat. Die Erfindung besteht somit in der praktischen Anwendung der neuen Erkenntnis, daß Merkmale des als Insel im Kanal befindlichen dritten Gebietes für das Frequenzverhalten der Feldeffekttetrode eine Rolle spielen und daß es einen gewissen Bereich gerade der Breitenabmessung des Inselgebiets einzuhalten gilt, wenn das Hochfrequenzverhalten des Bauelements optimiert werden soll. Ein rechnerischer Nachweis dafür, daß die erfindungsgemäß angegebene obere Grenze der Inselbreite wesentlich ist, wird später noch erbracht werden.
Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung umgibt das erste Gebiet das zweite Gebiet teilweise. Diese Ausführungsform hat den Vorteil, daß der unmodulierte Strom, der zwischen Quelle und Senke fließen kann, in seinem Betrag verringert ist. Gemäß einer anderen Ausgestaltung der Erfindung umgibt das erste Gebiet den Umfang des zweiten Gebietes vollständig und ist das dritte Gebiet im Abstand von diesen beiden Gebieten unterhalb des Zwischenraumes der dritten und vierten Elektrode angeordnet, die sich auf der Isolierschicht zwischen den drei genannten Gebieten befinden. Bauelemente nach dieser Ausführungsform haben den Vorteil, daß der gesamte zwischen Quelle und Senke fließende Strom durch die Gitterelektroden modulierbar ist. Das Senkengebiet durch das Quellengebiet vollständig zu umgeben, ist bei Feldeffekt-Transistoren mit nur einer Steuerelektrode zwischen diesen beiden Gebieten an sich bekannt (französische Patentschrift 1 392 748 und belgische Patentschrift 637 064).
Es ist günstig, wenn die Isolierschicht des erfindungsgemäßen Feldeffekt-Halbleiterbauelementes aus Siliciummonoxyd, Siliciumdioxyd, Siliciumnitrid, Siliciumoxynitrid, Siliciumcarbid, Magnesiumoxyd, Magnesiumfluorid, Titancarbid, Titanoxyd, Titannitrid, Hafniumoxyd, Vanadiumoxyd oder Aluminiumoxyd besteht.
Es ist bekannt, insbesondere Siliciumdioxyd, Magnesiumfluorid, Titanoxyd oder Aluminiumoxyd als Material für eine Isolierschicht bei Halbleiterbauelementen zu verwenden (britische Patentschrift 900 334).
In weiterer Ausgestaltung der Erfindung werden zwischen dem ersten und dem zweiten Gebiet mehrere Zwischengebiete vorgesehen, wobei auf der Isolierschicht jeweils über dem Zwischenraum zwischen zwei benachbarten Gebieten bzw. Zwischengebieten eine Elektrode mit entsprechender Anschlußleitung vorgesehen ist. Ein solches Bauelement kann dazu verwendet werden, mehrere verschiedene Signale in einer Schaltungsanordnung zu vereinigen.
Einzelheiten und Ausführungsformen der Erfindung werden an Ausführungsbeispielen und an Hand der Zeichnungen nachstehend erläutert. In den Zeichnungen zeigen
F ] g. 1 a bis Id Schnittdarstellungen eines Halbleitersubstrats zur Veranschaulichung aufeinanderfolgender Verfahrensschritte bei der Herstellung einer Feldeffekttetrode gemäß einer Ausführungsform der Erfindung,
F i g. 2 einen Grundriß des Bauelements nach Fig. Id,
F i g. 3 einen Grundriß eines Bauelements gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung,
F i g. 4 einen Grundriß eines Bauelements gemäß einer weiteren Ausfuhrungsform der Erfindung,
F i g. 5 Schnittdarstellungen eines Bauelements mit mehr als zwei Steuerelektroden gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung und
F i g. 6 ein Diagramm, das die Leistungsverstärkung bei 200 MHz als Funktion der Zweitgitter-Quellenspannung für eine Feldeffekt-Tetrode gemäß einer Ausführungsform der Erfindung einerseits und ein vergleichbares Bauelement ohne Insel andererseits wiedergibt.
>5 B e i s ρ i e 1 I
Ein kristallines Halbleitersubstrat 10 (F i g. la) mit mindestens einer Hauptfläche 11 wird zubereitet. Die genaue Größe, Form, Zusammensetzung und Leitfähigkeit des Halbleitersubstrats 10 sind nicht kritisch. Das Halbleitersubstrat 10 kann aus Germanium, Silicium, Germanium-Silicium-Legierung, den Nitriden, Phosphiden, Arseniden oder Antimoniden des Bors, Aluminiums, Indiums oder Galliums oder den Sulfiden, Seleniden oder Telluriden des Zinks, Cadmiums oder Quecksilbers bestehen. Im vorliegenden Fall besteht das Halbleitersubstrat 10 aus monokristallinem Silicium vom p-Leitungstyp mit einer Flächenausdehnung von ungefähr 0,125 cm ins Quadrat und einer Dicke von ungefähr 0,015 cm. Der spezifische Widerstand des Halbleitersubstrats 10 beträgt vorzugsweise mindestens 1 Ohmzentimeter, und zwar im vorliegenden Fall ungefähr 20 Ohmzentimeter.
Auf die Fläche 11 wird ein als Diffusionsmaske dienender Belag 12 aufgebracht. Der Belag 12 kann beispielsweise aus Siliciumoxyd, Siliciumnitrid, Siliciumoxynitrid od. dgl. bestehen und z. B. durch Aufdampfen oder genetisches Aufwachsen aufgebracht werden. Im vorliegenden Fall besteht der Belag 12 aus Siliciumoxyd, das durch Erhitzen des Siliciumkörpers 10 in einer oxydierenden Atmosphäre, beispielsweise Wasserdampf oder Sauerstoff, gebildet ist. Mit Hilfe des bekannten Diffusionsverfahrens werden im Halbleiterkörper 10 unmittelbar an der Fläche 11 im Abstand voneinander zwei Gebiete 13 und 14 (F i g. 1 b) niedrigen spezifischen Widerstandes gebildet, deren Leitungstyp dem des Hauptteils des Substrats 10 entgegengesetzt ist. Zugleich wird im Substrat 10 unmittelbar an der Hauptfläche 11 im Abstand zwischen den beiden Gebieten 13 und 14 ein drittes derartiges Gebiet 15 gebildet. Im MaskieF-belag 12 werden durch Herausätzen entsprechende Fenster gebildet, und ein geeigneter Dotierstoff in Dampfform wird in die dadurch frei gelegten Teile der Fläche 11 eindiffundiert. Da das Substrat 10 in diesem Fall vom p-Leitungstyp ist, wird ein Donator, wie Arsen, Antimon, Phosphor od. dgl., eindiffundiert. Damit die Gebiete 13, 14 und 15 den gewünschten niedrigen spezifischen Widerstand erhalten, erfolgt die Diffusion unter solchen Bedingungen der Dotierstoffquellenkonzentration und Wärmeanwendung, daß die Konzentration an Ladungsträgern (in diesem Falle Elektronen) an der Oberfläche der Gebiete 13, 14 und 15 mindestens 1019 pro Kubikzentimeter beträgt. An den Grenzflächen zwischen dem p-leitenden Hauptteil des Substrats 10 und den η-leitenden Diffusionsgebieten 13, 14 und 15 entstehen pn-Ubergänge
16, 17 bzw. 18. Die genaue Größe und Form des Quellen- und des Senkengebiets sind nicht kritisch. Die Gebiete 13 und'14 können entweder gleiche oder unterschiedliche Größe und/oder Form haben. Im vorliegenden Fall sind die Gebiete 13 und 14 ungefähr 250 μ lang und 10 μ breit. Vorzugsweise ist das Gebiet 15 in beiderseits gleichem Abstand zwischen den Gebieten 13 und 14 angeordnet.
Es wurde gefunden, daß die Breite des mittleren Diffusionsgebietes 15 (auch als »Inseldiffusion« bezeichnet) ein kritischer Faktor im Hinblick auf das Leistungsvermögen des Bauelements bei hohen Frequenzen ist. Und zwar sollte, um einen zufriedenstellenden Betrieb bei Frequenzen oberhalb 100 MHz zu gewährleisten, das mittlere Diffusionsgebiet 15 weniger als 16,3 μ breit sein. Die wahrscheinlichen physikalischen Gründe für diese Begrenzung werden später erörtert. Im vorliegenden Fall hat das Gebiet 15 eine Breite von 10 μ und eine Länge von 250 μ.
Der Maskierbelag 12 wird entfernt, und eine Schicht 19 (F i g. 1 c) aus Dielektrikum oder Isoliermaterial wird auf die Fläche 11 des Substrats 10 aufgebracht. Die Isolierschicht 19 kann aus Siliciummonoxyd, Siliciumdioxyd, Siliciumnitrid, Siliciumoxynitrid, Siliciumkarbid, Magnesiumoxyd, Magnesiumfiuorid, Titankarbid, Titanoxyd, Hafniumoxyd, Vanadiumoxyd, Aluminiumoxyd od. dgl. bestehen. Im vorliegenden Fall besteht die Schicht 19 aus Siliciumoxyd. Mit Hilfe üblicher Maskier- und Ätzverfahren werden in der Schicht 19 zwei Fenster oder öffnungen, und zwar eine innerhalb des Gebietes 13 und die andere innerhalb des Gebietes 14 gebildet.
Ein Metall wie Aluminium, Palladium, Chrom od. dgl. wird nach irgendeinem geeigneten Verfahren, beispielsweise durch Aufdampfen mittels einer Maske auf die frei liegenden Teile der Gebiete 13 und 14 sowie auf Teile der Isolierschicht 19 über dem Trennspalt zwischen den Gebieten 13 und 14 aufgebracht. Auf diese Weise werden das Gebiet 13 mit einer metallischen Elektrode 20 und das Gebiet 14 mit einer metallischen Elektrode 21 kontaktiert. Eine dritte metallische Elektrode 22 wird auf der Isolierschicht 19 über dem Trennspalt zwischen den Gebieten 13 und 15 gebildet, und eine vierte Elektrode 23 wird auf der Isolierschicht 19 über dem Trennspalt zwischen den Gebieten 14 und 15 gebildet. Im Betrieb dienen die Elektroden 20 und 21 als Quellen- bzw. Senkenelektroden, die Elektrode 22 als erstes oder Eingangsgitter und die Elektrode 23 als zweites oder Steuergitter. Die Elektroden 20, 21, 22 und 23 können mit elektrischen Zuleitungen 24, 25, 26 bzw. 27 versehen werden. Zweckmäßigerweise verwendet man zu diesem Zweck Zuleitungsdrähte aus Aluminium oder Gold, die man durch Ultraschall- oder Thermokompressionsbindung befestigt. Das Bauelement kann dann mittels bekannter Methoden gekapselt und mit Gehäuse versehen werden.
F i g. 1 d ist in mehrerer Hinsicht eine schematische Darstellung. So sind die vier Zuleitungsdrähte 24 bis 27 als direkt an den schmalen Elektroden 20 bis 23 angebracht dargestellt. In der Praxis ist es zweckmäßiger, die einzelnen Elektroden jeweils in einer erweiterten Fläche, dem sogenannten Klemmenstreifen oder Anschlußplättchen, enden zu lassen. Die Klemmenstreifen haben eine so große Fläche, daß die Zuleitungsdrähte ohne weiteres daran befestigt werden können. Ferner sind die einzelnen Klemmenstreifen vorzugsweise auf der Oberfläche der Isolierschicht 19
angeordnet, so daß die elektrischen Zuleitungsdrähte nicht solche Bereiche der Halbleiterfläche 11, mit denen sie keinen Kontakt geben dürfen, berühren können. Wie in F i g. 2 im Grundriß gezeigt, enden die Elektroden 20, 21, 22 und 23 des Bauelements nach F i g. 1 d vorzugsweise in Klemmenstreifen 28, 29, 30 bzw. 31. Vorteilhafterweise werden die Zuleitungsdrähte 24, 25, 26 und .27 an diesen Klemmenstreifen befestigt.
Im Betrieb des Bauelements arbeitet das Diffusionsgebiet 15 als Senke für das Quellengebiet 13 und zugleich als Quelle für das Senkengebiet 14. Auf diese Weise ergeben sich zwei getrennte gitterisolierte Feldeffekt-Transistoren in Kaskadenschaltung, derart, daß der Ausgang des ersten Transistors (mit dem Quellengebiet 13, dem ersten oder Eingangsgitter 22 und dem Senkengebiet 15) den Eingang des zweiten Transistors (mit dem Quellengebiet 15, dem zweiten oder Steuergitter 23 und dem Senkengebiet 14) bildet.
Es hat sich unerwarteterweise herausgestellt, daß das mittlere Diffusionsgebiet 15, obwohl es mit keinerlei äußeren elektrischen Anschlüssen versehen ist, die Stabilität der elektrischen Eigenschaften des Bauelements gegenüber vergleichbaren Bauelementen ohne ein solches mittleres Diffusionsgebiet erhöht. Ferner wurde gefunden, daß durch das Diffusionsgebiet 15 die HF-Leistungsverstärkung für eine gegebene Steuergitter-Quellenspannung erheblich verbessert wird.
Es soll jetzt eine mathematische Analyse oder Ableitung der erforderlichen Inseldiffusionsbreite gegeben werden. Man kann zeigen, daß die Durchlaßtranskonduktanz (der Ubertragungsleitwert in der Durchlaßrichtung) Y21 einer M OS-Tetrode von der im vorliegenden Beispiel angeführten Art als die Transkonduktanz eines ersten MOS-Transistors (mit dem Eingangsgitter) und eines zweiten MOS-Transistors (mit dem Steuergitter) in Kaskadenschaltung aufgefaßt und durch die folgende Gleichung wiedergegeben werden kann:
Um -jw (-J- + Cjj] \gtri -jw
gm
C'
(1)
Cs
worin gm die Transkonduktanz des ersten MOS-Transistors mit dem Eingangsgitter,
die Quadratwurzel von — 1,
die Winkelfrequenz in rad/s,
die Gitter-Kanalkapazität des ersten MOS-Transistors,
Cj die Rückkopplungskapazität des ersten MOS-Transistors,
gm! die Transkonduktanz des zweiten MOS-Transistors mit dem Steuergitter,
Cg die Gitter-Kanalkapazität des zweiten MOS-Transistors und
Css die Verarmungsschichtkapazität des Inseldiffusionsgebietes bedeutet.
Für ein VHF-Bauelement kommt es darauf an, daß die Durchlaßtranskonduktanz Y21 hoch ist. Aus Gleichung (1) sieht man, daß, wenn
Css>±f + Cr, (2)
Y21 sich erniedrigt und damit die VHF-Leistungsfähigkeit des Bauelements sich vermindert.
7 8
Die Größe -§- läßt sich wie folgt ausdrücken: Setzt man die Gleichungen (3) und (9) in Gleichung
1 (10) ein, so ergibt sich:
C9 _ Einszc (3) Einsze Einsze l/3Einsze
z · z l'"s -3 2tins atins tins
worin Eins die Dielektrizitätskonstante des Isolators Man kann unterstellen, daß e ein gewisser Teil
unter dem zweiten oder Steuergitter, c der Abstand von c ist, so daß e = bc, wobei b eine reine Zahlen-
zwischen dem Inseldiffusionsgebiet und der Quelle, größe ist. Alsdann gilt
i,„s die Dicke des Isolators unter dem zweiten oder io
Steuergitter und ζ die Länge des Inseldiffusions- „ ,p x. F
gebietes und des leitenden Kanals in Richtung css <c ins Z ° + inszc + '3 ins z c . (12)
senkrecht zur Zeichenebene bedeutet. ss 2 tins α tins tins
Die Rückkoppelungskapazität C1 kann als aus
zwei Komponenten zusammengesetzt aufgefaßt wer- 15 Durch Vereinigen der Ausdrücke in Gleichung (12) den: Einer ersten Komponente Cf0, die durch das erhält man
Übergreifen der Diffusionsgebiete durch die Elektroden bedingt ist, und einer zweiten Komponente Cff, „ Eins ζ c Γ b_ JfJ
die durch über die Länge des Kanals verteilte Streu- · ss ^ J7s [ a Xl
felder bedingt ist. Wenn daher sämtliche Isolier- io
schichten des Bauelements die gleiche Dicke haben, Die Größe CfS, also die Verarmungsschichtkapazität
gilt: des Inseldiffusionsgebietes, läßt sich demnach wie
Cf = Cf0 + Cff. (4) folgt ausdrücken:
Man kann zeigen, daß Crf gleich 1I2 Cn ist. Es 25 r^sor z ^
gilt daher: °ss " tdl '
Cf = Cy0 + /3 Cf0 (5)
worin tdl die Verarmungsschichtdicke, Esor die Di-
Die Größe C10 läßt sich wie folgt ausdrücken: elektrizitätskonstante des Halbleiters und d die Breite
30 des Inseldiffusionsgebietes bedeutet.
r _ Eins z e ,{x Durch Vereinigen der Gleichungen (13) und (14)
30 ~ tins ' K ' erhält man
worin e die Breite des das Inseldiffusionsgebiet über- Esor ζ d Eins ζ c Γ b b~\
läppenden Teils des ersten Gitters bedeutet. 35 ^ ^ ^ [_ T Τ]' *■ '
Durch Vereinigen der Gleichungen (5) und (6)
ergibt sich: Durch Umordnen der Ausdrücke in Gleichung (15)
ergibt sich
*■ 1 / ρ
c Esor tins L a 3
Wenn die Dicke der Isolierschicht über dem Inseldiffusionsgebiet von der Dicke der Isolierschicht über Die Verarmungsschichtdicke tdl ist gegeben durch dem Kanal abweicht, wie es in der Praxis vorkommen die Gleichung
kann, so vermindert sich Cf0 um das Verhältnis der 45 ' '
beiden Isolierschichtdicken. Es gilt daher für unter- _ 1/2 Esor V
schiedliche Isolierschichtdicken: tdl ~ J/ qlsTa '
sr = '"5 z e (8) worin V die Spannung am Inseldiffusionsgebiet,
■^ r'ins ' 50 q die elektrische Ladung und Na die Dotierstoffkonzentration im Halbleiter unter dem Inseldiffu-
worin SCf0 die Uberlappungsrückkopplungskapazität sionsgebiet bedeutet.
für eine M OS-Tetrode mit abgestufter Isolierschicht- Bei einem typischen Bauelement sind i,„s (die
dicke und t'ins die Dicke der Isolierschicht unter dem Dicke des Isolators über dem Kanal) ungefähr
Uberlappungsteil des Eingangsgitters bedeutet. 55 1000 Ä, i';s (die Dicke des Isolators unter dem über-
Durch Vereinigen der Gleichungen (7) und (8) läppenden Teil des Gitters) ungefähr 7000 Ä, die
erhält man ZaM b gleich Q^ die ZaM fl gleich 7000 oder ^
C = Eins z e 4- V3 Eins z e m Eins gleich 4, £sor gleich 12 und q gleich 1,6 χ ΙΟ19
f 4s tfa. ' K) 6o Coulomb.
Jedoch darf die Verarmungsschichtdicke täl nicht
Der Bequemlichkeit halber kann man t'ins = α tins größer sein als 0,5 c, da an dieser Stelle die vom
setzen, wobei α eine reine Zahlengröße ist. Damit der Senkengebiet ausgehende Verarmungsschicht einen
Einfluß von Css auf Y21 vernachlässigbar wird, muß »Durchgriff« verursachen würde. Um einen einwand-
65 freien Betrieb zu gewährleisten, sollte ddl den Wert
Q <g; g 1 C1 (10) 0,25 c nicht übersteigen, und zwar besonders bei
2 VHF-Bauelementen, wo der Abstand zwischen Quelle
sein. und Senke klein ist.
209 510/236
Durch Einsetzen vo» tdl = 0,25 c in Gleichung (16) ergibt sich:
c Esor
tins
■J+f\- (18)
Durch Einsetzen typischer Werte in Gleichung (18) für eine MOS-Tetrode der beschriebenen Art erhält
Durch Umordnen der Gleichung (19) ergibt sich:
d <L 6,32 χ 103 c2. (20)
Setzt man für c typische Werte von 5 χ 10~4 cm ein, so ergibt sich:
el -< (6,32 χ 103) (25,8 χ ΙΟ"8). ^ (21)
Rechnet man die Gleichung aus, so ergibt sich:
d <: 163 χ 10"s cm. (22)
Man sieht also, daß durch Gleichung (18) eine obere Grenze für die Breite des mittleren Diffusionsgebietes (oder Inseldiffusionsgebietes) einer M OS-Tetrode unter Berücksichtigung der anderen physikalischen Kenndaten der Tetrode gesetzt ist. Obwohl die in den Gleichungen (19) bis (22) für diese Kenndaten verwendeten speziellen Werte für eine MOS-Tetrode gelten, bei welcher der Halbleiter aus Silicium und der Isolator aus Siliciumoxyd bestehen, scheint in der Praxis bei VHF-Bauelementen der für d, die Breite des Inseldiffusionsgebietes, erhaltene obere Grenzwert nicht allzusehr von dem angegebenen Wert von ungefähr 16,3 μ abzuweichen.
Nach unten ist die Breite des mittleren Diffusionsgebietes oder Inseldiffusionsgebietes offenbar nicht begrenzt, da die Transkonduktanz der MOS-Tetrode mit abnehmender Breite des Inseldiffusionsgebietes ansteigt. Das Inseldiffusionsgebiet sollte daher so schmal gemacht werden, wie es nach dem Stand der Technik praktikabel ist. Jedoch soll das Inseldiffusionsgebiet nicht gänzlich entfallen, da, wie man aus dem Diagramm nach F i g. 6 sieht, die Leistungsverstärkung des Bauelements bei fehlendem Inseldiffusionsgebiet sich verringert.
Beispiel II
Im Beispiel I waren das Quellengebiet, das mittlere Diffusionsgebiet (inseldiffusionsgebiet) und das Senkengebiet geradlinig nebeneinander angeordnet. Im vorliegenden Beispiel ist dagegen das Senkengebiet teilweise vom Quellengebiet und vom Inseldiffusionsgebiet umgeben.
Das Bauelement besteht in diesem Fall (s. F i g. 3) aus einem kristallinen Halbleitersubstrat 10' eines gegebenen Leitungstyps, und zwar irgendeinem der im Beispiel I genannten kristallinen Halbleiterstoffe oder Legierungen, beispielsweise Galliumantimonid/ Indiumantimonid-Legierungen oder Indiumarsenid/ Indiumphosphid-Legierungen. Auf der Hauptfläche des im Grundriß gezeigten Substrats 10' befindet sich eine Isolierschicht 19' aus z. B. Siliciumnitrid oder einem der anderen im Beispiel I genannten Isoliermaterialien.
Das Quellengebiet 13' ist U-förmig. Innerhalb des »U« des Quellengebiets 13', jedoch im Abstand davon, ist das Senkengebiet 14' angeordnet. Zwischen dem
' Quellengebiet 13' und dem Senkengebiet 14' befindet sich ein schmales U-förmiges Zwischengebiet 15'.
Die Breite dieses Gebietes 15' ist kleiner als 16,3 μ.
Die Gebiete 13', 14' und 15' haben sämtlich den entgegengesetzten Leitungstyp wie das Halbleitersubstrat 10', so daß an den Grenzflächen zwischen diesen Gebieten und dem Hauptteil des Substrats pn-Ubergänge bestehen.
Eine U-förmige metallische Elektrode 20' kontaktiert das U-förmige Quellengebiet 13'. Eine Elektrode 21' kontaktiert das Senkengebiet 14'. Auf der Isolierschicht 19' über dem Zwischenraum zwischen dem Quellengebiet 13' und dem Diffusionsgebiet 15' befindet sich eine erste U-förmige Gitterelektrode 22'. Ebenfalls auf der Isolierschicht 19', jedoch über dem Zwischenraum zwischen dem Diffusionsgebiet 15' und dem Senkengebiet 14' befindet sich eine U-förmige isolierte Gitterelektrode 23'. Die vier Elektroden 20' bis 23' enden jeweils in einem Anschlußplättchen 28' ... 31' auf der Isolierschicht 19'. Das Bauelement wird nach den im Beispiel I erwähnten Standardmethoden hergestellt und durch Anbringen elektrischer Zuleitungsdrähte (nicht gezeigt) an die einzelnen Anschlußplättchen 28' ... 31' sowie durch Kapseln und Versehen des Halbleitersubstrats 10' mit einem Gehäuse nach üblichen Methoden vervollständigt.
Ein Vorteil dieser Ausführungsform, bei der das Quellengebiet das Senkengebiet teilweise umgibt, besteht darin, daß der unmodulierte Strom, der zwischen Quelle und Senke fließen kann, in seinem Betrag verringert ist.
Beispiel III
Bei dieser Ausführungsform ist das Senkengebiet vom Quellengebiet und vom Inseldiffusionsgebiet oder Zwischengebiet vollständig umgeben.
Das Bauelement nach diesem Beispiel (s. F i g. 4) besteht aus einem kristallinen Halbleitersubstrat 10" eines gegebenen Leitungstyps. Auf der Hauptfläche des Halbleitersubstrats 10", der im Grundriß gezeigt ist, befindet sich eine Schicht 19" aus Isoliermaterial Das Bauelement hat ein X-förmiges Senkengebiet.
ein X-förmiges, das Abflußgebiet im dichten Abstand umgebendes Zwischengebiet, ein X-förmiges, das Zwischengebiet im dichten Abstand umgebendes Quellengebiet, eine X-förmige Senkenelektrode 21", eine X-förmige Quellenelektrode 20" und zwei X-förmige Gitterelektroden 22" und 23" auf der Isolierschicht 19" im Abstand zwischen Quellen- und Senkenelektrode. Das Quellengebiet, das Zwischengebiet und das Senkengebiet, die sich unter den entsprechenden Elektroden befinden und in der Zeichnung um der besseren Übersichtlichkeit willen nicht gezeigt sind, sind in ihrer Form genau der Quellenelektrode, der Senkenelektrode bzw. dem Zwischenraum zwischen den beiden Gitterelektroden 22" und 23" angepaßt. Auch hier beträgt die Breite des Inseldiffusionsgebietes weniger als 16,3 μ. Die vier Elektroden 20" ... 23" haben jeweils ein Anschlußplättchen 28" ... 31" auf der Isolierschicht 19".
Derartige Bauelemente, bei denen das Quellengebiet das Senkengebiet vollständig umgibt, haben den Vorteil, daß der gesamte zwischen Quelle und Senke fließende Strom durch die Gitterelektrode^ moduliert wird. Bei einer praktisch erprobten Ausführungsform gemäß diesem Beispiel bestanden das
Halbleitersubstrat aus monokristallinem Silicium und die Isolierschicht aus Siliciumoxyd, hatten die einzelnen Arme des X-förmigen Quellengebiets eine Länge von ungefähr 635 μ und waren die einzelnen Elektroden jeweils ungefähr 10 μ breit. Die Breite des Zwischengebiets oder Inseldiffusionsgebiets betrug 10 μ. Mit diesem Bauelement wurde die der Kurve A in F i g. 6 entsprechende Kennlinie für die Änderung der Leistungsverstärkung, gemessen in db, als Funktion der Änderung der Steuergitter-Quellenspannung, gemessen in Volt, bei einer Frequenz von 200 MHz erhalten. Zum Vergleich wurde ein entsprechendes Bauelement, jedoch ohne Inseldiffusionsgebiet zwischen Quelle und Senke hergestellt. Untersuchungen dieses Bauelements ergaben die der Kurve ß in F i g. 6 entsprechende Kennlinie. Wie man sieht, ist die Leistungsverstärkung über den gesamten Bereich von angelegten Gitterspannungen bei dem Bauelement, wie es in den Ansprüchen gekennzeichnet ist, erheblich besser als bei dem anderen Bauelement.'20
Gitterisolierte Feldeffekt-Bauelemente der vorliegenden Art können sowohl im stromerhöhenden als auch im stromdrosselnden Betrieb arbeiten. Für ein einwandfreies Arbeiten im stromdrosselnden Betrieb werden die Bauelemente mit einem dünnen leitenden Kanal, z. B. in Form einer Inversionsschicht, zwischen Quelle und Senke versehen. Derartige Bauelemente können entweder im stromerhöhenden Betrieb oder, bei Vorhandensein eines leitenden Kanals zwischen Quelle und Senke, im stromdrosselnden Betrieb arbeiten.
Die X-förmigen Gebiete bei der vorliegenden Ausführungsform sind in topographischer Hinsicht geschlossenen Kurven äquivalent. Eine gleichwertige Ausführung läßt sich mit einem kreisförmigen mittleren Senkengebiet, einem dessen Umfang im Abstand umgebenden ringförmigen Quellengebiet, einem im Abstand zwischen Quellen- und Senkengebiet angeordneten ringförmigen Zwischengebiet oder Inseldiffusionsgebiet, einer ersten ringförmigen Gitterelektrode (Eingangsgitter) auf einer Isolierschicht über dem Zwischenraum zwischen Quellengebiet und Zwischengebiet sowie einer zweiten ringförmigen Gitterelektrode (Steuergitter) auf der Isolierschicht über dem Zwischenraum zwischen Senkengebiet und Zwischengebiet erhalten.
Beispiel IV
Bei den bisher beschriebenen Ausfuhrungsformen war jeweils ein einzelnes Zwischengebiet oder Inseldiffusionsgebiet zwischen Quelle und Senke vorgesehen und waren über dem Zwischenraum zwischen Quellenelektrode und Senkenelektrode jeweils zwei isolierte Gitterelektroden angeordnet. Statt dessen kann man auch mehrere, im Abstand zwischen Quelle und Senke angeordnete Zwischengebiete vorsehen, wobei dann die Anzahl der isolierten Steuerelektroden jeweils um 1 größer ist als die Anzahl der Zwischengebiete.
F i g. 5 zeigt eine entsprechende Ausführungsform, bei der das Bauelement aus einem kristallinen Halbleitersubstrat 50 eines . gegebenen Leitungstyps mit mindestens einer Hauptfläche 51, einer auf dieser Fläche 51 angeordneten Isolierschicht 52, zwei im Abstand voneinander im Substrat 50 unmittelbar an der Fläche 51 angeordneten Gebieten 53 und 54 entgegengesetzten Leitungstyps, die als Quelle bzw. Senke dienen, einer Anzahl (in diesem Fall zwei) von im Substrat 50 unmittelbar an der Fläche 51 und im Abstand zwischen Quellengebiet 53 und Senkengebiet
54 angeordneten Zwischengebieten 55 vom entgegengesetzten Leitungstyp mit einer Breite von jeweils weniger als 16,3 μ, zwischen den Gebieten 53, 54 und
55 und dem Substrat 50 gebildeten gleichrichtenden Sperrschichten 56, 57 bzw. 58, einer auf der Fläche 51 innerhalb des Quellengebietes 53 angeordneten Quellenelektrode 59, einer auf der Fläche 51 innerhalb des Senkengebietes 54 angeordneten Senkenelektnode 60, einer Anzahl von im Abstand voneinander auf der Isolierschicht 52 über dem Zwischenraum zwischen Quelle und Senke angeordneten Gitterelektroden 61, 62 und 63 (drei, weil in diesem Fall zwei Inseldiffusionsgebiete vorgesehen sind), die jeweils den Zwischenraum zwischen zwei benachbarten Gebieten des entgegengesetzten Leitungstyps im Substrat 50 überlagern, und an den Elektroden 59, 60, 61, 62 und 63 angebrachten Zuleitungsdrähten 64, 65, 66, 67 bzw. 68 besteht. Nach seiner Herstellung wird das Bauelement in der üblichen Weise gekapselt und mit Gehäuse versehen. Das Bauelement kann dazu verwendet werden, mehrere verschiedene Signale in einer Schaltungsanordnung zu vereinigen — entsprechend der Funktionsweise der sogenannten Pentagrid-Mischröhre oder Mischheptode.
Die beschriebenen Ausführungsformen lassen sich in verschiedener Hinsicht abwandeln und anders ausgestalten. Beispielsweise können die Quellen- und Senkengebiete sowie die verschiedenen Elektroden auch andere Formgebungen haben. Ferner kann das Bauelement auch nach dem bekannten Dünnschichtprinzip aus dünnen Halbleiterschichten auf einer isolierenden Unterlage aufgebaut sein.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (7)

Patentansprüche:
1. Gitterisoliertes Feldeffekt - Halbleiterbauelement aus einem Halbleitersubstrat eines ersten Leitungstyps, einer auf einer Substratoberfläche angeordneten Isolierschicht, zwei im Substrat unmittelbar an dieser Fläche im Abstand voneinander gebildeten Gebieten eines zweiten Leitungstyps und einem zwischen dem ersten und zweiten Gebiet liegenden, an die gleiche Substratoberfläche angrenzenden dritten Gebiet niedrigen spezifischen Widerstands, wobei auf der genannten Fläche vollständig innerhalb des ersten Gebietes eine erste Elektrode und vollständig innerhalb des zweiten Gebietes eine zweite Elektrode angebracht ist und auf der Isolierschicht über dem Zwischenraum zwischen dem ersten und dritten Gebiet eine dritte Elektrode und über dem Zwischenraum zwischen dem zweiten und dritten Gebiet eine vierte Elektrode vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß das zwischen den ersten beiden Gebieten (13, 14) niedrigen spezifischen Widerstands befindliche dritte Gebiet (15) eine Breite von weniger als 16,3 μ hat.
2. Gitterisoliertes Feldeffekt - Halbleiterbauelement nacn Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Gebiet (13') das zweite Gebiet (14') teilweise umgibt (F i g. 3).
3. Gitterisoliertes Feldeffekt - Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitersubstrat aus Germanium, Siliciuir^Germanium-Silicium- Legierung, den Nitriden, Phosphiden, Arseniden oder Antimoniden des Bors, Aluminiums, Indiums oder Galliums oder den Sulfiden, Seleniden oder Telluriden des Zinks, Cadmiums oder Quecksilbers besteht.
4. Gitterisoliertes Feldeffekt - Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht aus SiIiciummonoxyd, Siliciumdioxyd, Siliciumnitrid. Siliciumoxynitrid, Siliciumcarbid, Magnesiumoxyd, Magnesiumfluorid, Titancarbid, Titanoxyd, Titannitrid, Hafniumoxyd, Vanadiumoxyd oder Aluminiumoxyd besteht.
5. Gitterisoliertes Feldeffekt - Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1, 2 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Gebiet den Umfang des zweiten Gebietes vollständig umgibt und das dritte Gebiet im Abstand von diesen beiden Gebieten unterhalb des Zwischenraumes der dritten und vierten Elektrode angeordnet ist, die sich auf der Isolierschicht zwischen den drei genannten Gebieten befinden (F i g. 4).
6. Gitterisoliertes Feldeffekt - Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die vier Elektroden jeweils aus einer metallischen Masse bestehen.
7. Gitterisoliertes Feldeffekt-Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem ersten und dem zweiten Gebiet (53,54) mehrere Zwischengebiete (53) vorgesehen sind und daß auf der Isolierschicht (52) jeweils über dem Zwischenraum zwischen zwei benachbarten Gebieten bzw. Zwischengebieten eine Elektrode (61, 62, 63) mit entsprechender Anschlußleitung (66, 67, 68) vorgesehen ist (F i g. 5).
DE19671614389 1966-10-13 1967-10-13 Feldeffekt halbleiterbauelement Withdrawn DE1614389B2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US58641166A 1966-10-13 1966-10-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1614389A1 DE1614389A1 (de) 1970-07-02
DE1614389B2 true DE1614389B2 (de) 1972-03-02

Family

ID=24345605

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19671614389 Withdrawn DE1614389B2 (de) 1966-10-13 1967-10-13 Feldeffekt halbleiterbauelement

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3427514A (de)
JP (1) JPS497391B1 (de)
BE (1) BE705103A (de)
DE (1) DE1614389B2 (de)
GB (1) GB1183967A (de)
NL (1) NL6713862A (de)
SE (1) SE339269B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2424947A1 (de) * 1973-05-22 1974-12-05 Mitsubishi Electric Corp Feldeffekttransistor

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3475234A (en) * 1967-03-27 1969-10-28 Bell Telephone Labor Inc Method for making mis structures
GB1316555A (de) * 1969-08-12 1973-05-09
US3652906A (en) * 1970-03-24 1972-03-28 Alton O Christensen Mosfet decoder topology
US3868721A (en) * 1970-11-02 1975-02-25 Motorola Inc Diffusion guarded metal-oxide-silicon field effect transistors
JPS5951141B2 (ja) * 1977-03-10 1984-12-12 三洋電機株式会社 選局装置
US4235011A (en) * 1979-03-28 1980-11-25 Honeywell Inc. Semiconductor apparatus
NL8104414A (nl) * 1981-09-25 1983-04-18 Philips Nv Halfgeleiderinrichting met veldeffekttransistor.
US4409499A (en) * 1982-06-14 1983-10-11 Standard Microsystems Corporation High-speed merged plane logic function array
US4920393A (en) * 1987-01-08 1990-04-24 Texas Instruments Incorporated Insulated-gate field-effect semiconductor device with doped regions in channel to raise breakdown voltage
US4947220A (en) * 1987-08-27 1990-08-07 Yoder Max N Yoked, orthogonally distributed equal reactance amplifier
US5272369A (en) * 1990-03-28 1993-12-21 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Circuit element with elimination of kink effect
JP2003060197A (ja) * 2001-08-09 2003-02-28 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
US7067439B2 (en) 2002-06-14 2006-06-27 Applied Materials, Inc. ALD metal oxide deposition process using direct oxidation
US8119210B2 (en) * 2004-05-21 2012-02-21 Applied Materials, Inc. Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material
US7837838B2 (en) * 2006-03-09 2010-11-23 Applied Materials, Inc. Method of fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma apparatus
US7645710B2 (en) * 2006-03-09 2010-01-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma system
US7678710B2 (en) * 2006-03-09 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma system
US20070259111A1 (en) * 2006-05-05 2007-11-08 Singh Kaushal K Method and apparatus for photo-excitation of chemicals for atomic layer deposition of dielectric film
WO2008039845A2 (en) * 2006-09-26 2008-04-03 Applied Materials, Inc. Fluorine plasma treatment of high-k gate stack for defect passivation

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1094068A (en) * 1963-12-26 1967-12-06 Rca Corp Semiconductive devices and methods of producing them
US3355598A (en) * 1964-11-25 1967-11-28 Rca Corp Integrated logic arrays employing insulated-gate field-effect devices having a common source region and shared gates
GB1037850A (en) * 1964-12-23 1966-08-03 Associated Semiconductor Mft Improvements in or relating to semiconductor devices

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2424947A1 (de) * 1973-05-22 1974-12-05 Mitsubishi Electric Corp Feldeffekttransistor

Also Published As

Publication number Publication date
DE1614389A1 (de) 1970-07-02
NL6713862A (de) 1968-04-16
GB1183967A (en) 1970-03-11
US3427514A (en) 1969-02-11
BE705103A (de) 1968-02-15
SE339269B (de) 1971-10-04
JPS497391B1 (de) 1974-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1614389B2 (de) Feldeffekt halbleiterbauelement
DE1589810C3 (de) Passiviertes Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2904769C2 (de) V-Nut-MOS-Feldeffekttransistor
DE69838307T2 (de) Vertikal-Sperrschicht-Feldeffekttransistoren
DE3114970A1 (de) Kombinierte bipolare smos-transistoranordnung und verfahren zu ihrer herstellung
DE1464390B2 (de) Feldeffekttransistor
DE3816667A1 (de) Monolithisch integriertes halbleiterelement mit leitfaehigkeit in sperrichtung und verfahren zu seiner herstellung
DE2004576A1 (de) Feldeffekt-Transistor mit isolierter Steuerelektrode und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102009056453A1 (de) Siliciumcarbidhalbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
DE3228588A1 (de) Verfahren zur herstellung eines misfet und danach hergestellter misfet
DE2133184A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauteilen
DE2109928A1 (de) Feldeffekt Transistor
DE2128884A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauteilen
DE1614300B2 (de) Feldeffekttransistor mit isolierter Steuerelektrode
DE112006001280B4 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE1958542A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE3427293A1 (de) Vertikale mosfet-einrichtung
DE2460682A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE2252868A1 (de) Feldeffekttransistor mit zwei steuerelektroden fuer betrieb bei sehr hohen frequenzen
DE1639349B2 (de) Feldeffekt-Transistor mit isolierter Gate-Elektrode, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung eines solchen Feldeffekt-Transistors in einer integrierten Schaltung
DE1614389C (de) Feldeffekt Halbleiterbauelement
DE1240590C2 (de) Integrierte halbleiterschaltungsanordnung und verfahren zu ihrer herstellung
DE102017201550A1 (de) Siliciumcarbid-halbleitervorrichtung und verfahren zum herstellen einer siliciumcarbid-halbleitervorrichtung
CH621891A5 (de)
DE3790800C2 (de) Verfahren zum Herstellen selbstausgerichteter Halbleiterelemente

Legal Events

Date Code Title Description
SH Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
8339 Ceased/non-payment of the annual fee