DE112004002307T5 - Transistor mit Silizium- und Kohlenstoffschicht in dem Kanalbereich - Google Patents

Transistor mit Silizium- und Kohlenstoffschicht in dem Kanalbereich Download PDF

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Abstract

Ein Verfahren zum Fabrizieren eines Transistors, das Verfahren umfassend:
Vorsehen eines Werkstücks,
Aufwachsen einer gespannten Halbleiterschicht über dem Werkstück,
Aufwachsen einer ersten Schicht aus Silizium und Kohlenstoff über der gespannten Halbleiterschicht,
Abscheiden eines Gatedielektrikummaterials über der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff,
Abscheiden eines Gatematerials über dem Gatedielektrikummaterial,
Strukturieren des Gatematerials und Gatedielektrikummaterials, um ein Gate und ein Gatedielektrikum auszubilden angeordnet über der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff, und Ausbilden eines Sourcebereiches und eines Drainbereiches in der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff und gespannten Halbleiterschicht,
worin der Sourcebereich, Drainbereich, Gate und Gatedielektrikum einen Transistor umfassen,
worin das Abscheiden des Gatedielektrikummaterials Abscheiden eines Gatedielektrikummaterials mit großer Dielektrizitätskonstante ε umfasst,
das Material großer Dielektrizitätskonstante ε des Gatedielektrikummaterials umfasst HfO2, HfSiOx, ZrO2, ZrSiOx oder Ta2O5.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf Halbleitervorrichtungen und spezieller auf ein Verfahren des Fabrizieren eines Transistors und eine Struktur desselben.
  • Hintergrund
  • Halbleitervorrichtungen werden in einer Vielfalt elektronischer Anwendungen verwendet, wie Personalcomputer, Handys, Digitalkameras und anderen elektronischen Geräten, als Beispiele. Ein Transistor ist ein Element, das extensiv in Halbleitervorrichtungen verwendet wird. Es kann Millionen Transistoren auf einem einzigen integrierten Schaltkreis (IC) geben, z. B. Ein weit verbreiteter Transistortyp, der in Halbleitervorrichtungsfabrikation verwendet wird, ist ein Metalloxidhalbleiterfeldeffekttransistor (MOSFET).
  • Das Gatedielektrikum für MOSFET-Vorrichtungen hat in der Vergangenheit typischerweise Siliziumdioxid umfasst. Jedoch wird, wenn die Vorrichtungen in der Größe abwärts skaliert werden, Siliziumdioxid ein Problem auf Grund von Gateleckstrom, der die Vorrichtungsleistungsfähigkeit herabsetzen kann. Deshalb gibt es einen Trend in der Industrie hin zu der Entwicklung der Verwendung von Materialien mit großer Dielektrizitätskonstante (ε) für die Verwendung als Gatedielektrikum in MOSFET-Vorrichtungen.
  • Die Entwicklung von Dielektrika großer Dielektrizitätskonstante ε wurde als eine der großen Herausforderungen identifiziert in der 2003-Ausgabe des internationalen Technologieplans für Halbleiter (International Technology Road Map for Semiconductor – ITRS), der die technologischen Herausforderungen und Bedürfnisse identifiziert, die der Halbleiterindustrie in den nächsten fünfzehn Jahren begegnen. Für Logik kleiner Leistung (für tragbare elektronische Anwendungen, z. B.) ist die Hauptangelegenheit kleiner Leckstrom, der absolut erforderlich ist, um die Batterielebenszeit zu verlängern. Die Vorrichtungsleistungsfähigkeit wird dann maximiert gemäß den Erfordernissen des kleinen Leckstroms. Gateleckstrom muss in Anwendungen kleiner Leistung beachtet werden, ebenso wie Unterschwellspannungsleck, Übergangsleck, und Band-zu-Band-Tunneln.
  • Um die Vorteile des Transistorskalierens vollständig zu realisieren, müsste die Gateoxiddicke auf weniger als 2 Nanometer abwärts skaliert werden. Jedoch machen die resultierenden Gateleckströme die Verwendung solch dünner Oxide unpraktisch in vielen Vorrichtungsanwendungen, in denen kleiner Bereitschaftsleistungsverbrauch erforderlich ist. Aus diesem Grund wird eventuell Gateoxid-Dielektrikummaterial ersetzt werden durch ein alternatives dielektrisches Material, das eine größere Dielektrizitätskonstante hat. Jedoch leidet die Vorrichtungsleistungsfähigkeit bei Verwendung von dielektrischen Materialien großer Dielektrizitätskonstante ε unter Einge ..??? einer Ladungen in der dielektrischen Schicht, welche die Beweglichkeit herabsetzt, was den Ansteuerstrom kleiner macht als in Transistoren mit Siliziumdioxidgateoxiden, und somit die Geschwindigkeit und Leistungsfähigkeit der Transistoren verringert, die Gatedielektrikummaterialien hoher Dielektrizitätskonstante ε haben.
  • Deshalb ist das, was in dem Fachgebiet benötigt wird, ein Transistorentwurf und Fabrikationsmethode mit einem Gatedielektrikummaterial großer Dielektrizitätskonstante ε mit vergrößerter Geschwindigkeit und besserer Leistungsfähigkeit.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Diese und andere Probleme werden allgemein gelöst oder umgangen, und technische Vorteile werden allgemein erreicht, durch bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung, welche eine MOS-Vorrichtung umfasst mit gespanntem Kanal, der die Geschwindigkeit der MOS-Vorrichtung erhöht und die Vorrichtungsleistungsfähigkeit verbessert. Eine Schicht aus Silizium und Kohlenstoff wird epitaktisch in einem Kanalbereich der MOS-Vorrichtung aufgewachsen. Die Schicht aus Silizium und Kohlenstoff kann über einer optionalen epitaktisch aufgewachsenen gespannten Halbleiterschicht angeordnet werden. Ein optionales dünnes Halbleitermaterial kann über der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff angeordnet werden. Die Schicht aus Silizium und Kohlenstoff und die optionale gespannte Halbleiterschicht erzeugen einen gespannten Bereich in dem Kanal der MOS-Vorrichtung, was vorteilhaft ist, weil die Elektronbeweglichkeit und Lochbeweglichkeit verbessert werden. Die gespannte Halbleiterschicht verkleinert den Übergangsbereich der Gitterfehlanpassung zwischen dem unterliegenden Werkstück und der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff, was die Leistungsfähigkeit der MOS-Vorrichtung weiter verbessert.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält ein Verfahren des Fabrizierens eines Transistors das Vorsehen eines Werkstücks, Aufwachsens einer gespannten Halbleiterschicht über dem Werkstück, Aufwachsen einer ersten Schicht aus Silizium und Kohlenstoff über der gespannten Halbleiterschicht, und Abscheiden eines Gatedielektrikummaterials über der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff. Ein Gatematerial wird über dem Gatedielektrikummaterial abgeschieden, und das Gatematerial und Gatedielektrikummaterial werden strukturiert, um ein Gate und ein Gatedielektrikum auszubilden angeordnet über der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff. Ein Sourcebereich und ein Drainbereich werden ausgebildet in der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff und gespannten Halbleiterschicht, worin der Sourcebereich, Drainbereich, Gate und Gatedielektrikum einen Transistor umfassen.
  • Gemäß einer anderen bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält ein Verfahren des Fabrizierens eine Transistors das Vorsehen eines Werkstücks, Aufwachsen einer ersten Schicht aus Silizium und Kohlenstoff über dem Werkstück, und Abscheiden eines Gatedielektrikummaterials über der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff, das Gatedielektrikum umfassend ein Material hoher Dielektrizitätskonstante ε. Ein Gatematerial wird über dem Gatedielektrikummaterial abgeschieden, das Gatematerial umfassend ein Metall, und das Gatematerial und das Gatedielektrikummaterial werden strukturiert, um ein Gate und ein Gatedielektrikum auszubilden angeordnet über der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff. Ein Sourcebereich und ein Drainbereich werden ausgebildet in mindestens der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff, worin der Sourcebereich, Drainbereich, Gate und Gatedielektrikum einen Transistor umfassen.
  • Gemäß einer noch anderen bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält ein Transistor ein Werkstück, eine gespannte Halbleiterschicht angeordnet über dem Werkstück, und eine erste Schicht aus Silizium und Kohlenstoff angeordnet über der gespannten Halbleiterschicht. Ein Gatedielektrikum ist über der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff angeordnet, und ein Gate ist über dem Gatedielektrikum angeordnet. Ein Sourcebereich und ein Drainbereich sind ausgebildet in der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff und gespannten Halbleiterschicht, worin der Sourcebereich, Drainbereich, Gate und Gatedielektrikum einen Transistor umfassen.
  • Gemäß einer anderen bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält ein Transistor ein Werkstück, eine erste Schicht aus Silizium und Kohlenstoff angeordnet über dem Werkstück, und ein Gatedielektrikum angeordnet über der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff, das Gatedielektrikum umfassend ein Material hoher Dielektrizitätskonstante ε. Ein Gate ist über dem Gatedielektrikum angeordnet, das Gate um fassend Metall, und ein Sourcebereich und ein Drainbereich sind ausgebildet in mindestens der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff, worin der Sourcebereich, Drainbereich, Gate und Gatedielektrikum einen Transistor umfassen.
  • Vorteile bevorzugter Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung enthalten das Vorsehen eines Transistorentwurfs und Fertigungsverfahren desselben, worin die elektrische Leistungsfähigkeit des Transistors und elektrische Parameter verbessert sind. Der Transistor hat erhöhte Geschwindigkeit und kann in kleineren Abmessungen gefertigt werden. Epitaktisch aufgewachsene Materialschichten werden in den Kanalbereich hinein eingeführt, um Spannung in die kristalline Struktur einzuführen, verbessernd die Elektron- und Lochbeweglichkeit. Der Ansteuerstrom des Transistors wird auch erhöht.
  • Das Vorhergehende hat die Merkmale und technischen Vorteile der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung ziemlich breit ausgeführt, um zu erreichen, dass die detaillierte Beschreibung der Erfindung, die folgt, besser verstanden werden kann. Zusätzliche Merkmale und Vorteile der Ausführungsformen der Erfindung werden hiernach beschrieben werden, welches den Gegenstand der Ansprüche der Erfindung bildet. Es sollte durch Fachleute eingesehen werden, dass die Konzeption und offenbarten spezifischen Ausführungsformen leicht als eine Basis zum Modifizieren oder Entwerfen anderer Strukturen oder Prozesse verwendet werden können zum Ausführen derselben Zwecke der vorliegenden Erfindung. Es sollte durch Fachleute auch realisiert werden, dass solche äquivalenten Konstruktionen sich nicht von dem Geist und Rahmen der Erfindung entfernen wie in den angehängten Ansprüchen ausgeführt.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Für ein vollständigeres Verständnis der vorliegenden Erfindung und der Vorteile derselben wird nun verwiesen auf die folgenden Beschreibungen in Zusammenhang mit den begleitenden Zeichnungen genommen, in welchen:
  • 1 und 2 Querschnittsansichten eines Transistors zeigen zu verschiedenen Fertigungsstufen gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, worin eine Schicht aus Silizium und Kohlenstoff über dem Kanalbereich des Transistors ausgebildet wird,
  • 3 zeigt eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, worin ein dünnes Halbleitermaterial ausgebildet wird über der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff in dem Kanalbereich des Transistors,
  • 4 und 5 zeigen Querschnittsansichten von Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung, worin die Ausführungsformen der 2 bzw. 3 an einem Silizium-auf-Isolator(SOI)-Substrat ausgebildet sind,
  • 6 und 7 zeigen die Ausführungsformen der 2 bzw. 3, worin eine gespannte Halbleiterschicht über einem Werkstück ausgebildet wird, bevor die erste Schicht aus Silizium und Kohlenstoff ausgebildet wird, und
  • 8 zeigt eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, die eine gespannte Halbleiterschicht enthält ausgebildet unterhalb der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff und dünnen Halbleiterschicht, ausgebildet an einem SOI-Substrat.
  • Entsprechende Nummern und Symbole in den verschiedenen Figuren beziehen sich allgemein auf entsprechende Teile außer anders angezeigt. Die Figuren sind gezeichnet, um die relevanten Aspekte der bevorzugten Ausführungsformen klar zu illustrieren und nicht notwendiger Weise gezeichnet, um zu skalieren.
  • Detaillierte Beschreibung der illustrativen Ausführungsformen
  • Das Herstellen und Verwenden der aktuell bevorzugten Ausführungsformen werden im Detail unten diskutiert. Es sollte jedoch einzusehen sein, dass die vorliegende Erfindung viele anwendbare erfinderische Konzepte vorsieht, die in einer breiten Vielfalt spezifischer Kontexte ausgeführt werden können. Die diskutierten spezifischen Ausführungsformen sind bloß illustrativ für spezifische Wege, um die Erfindung herzustellen und zu verwenden, und beschränken den Rahmen der Erfindung nicht.
  • Die vorliegende Erfindung wird mit Hinsicht auf bevorzugte Ausführungsformen in einem spezifischen Kontext beschrieben, nämlich eines Transistors ausgebildet an einer Halbleitervorrichtung. Die Erfindung kann jedoch auch angewendet werden auf MOSFETs oder andere Transistorvorrichtungen und kann enthalten PMOS-, NMOS-, oder CMOS-Vorrichtungen, als Beispiele. Nur ein Transistor ist in jeder der Figuren gezeigt, jedoch können viele Transistoren vorhanden sein ausgebildet an den gezeigten Halbleitervorrichtungen.
  • 1 und 2 zeigen Querschnittsansichten eines Transistors an verschiedenen Stufen des Anfertigens gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, worin eine Schicht aus Silizium und Kohlenstoff in dem Kanalbereich des Transistors angeordnet is. Um einen Transistor 100 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zu fabrizieren, wird ein Werkstück 102 vorgesehen. Das Werkstück 102 kann ein Halbleitersubstrat enthalten umfassend Silizium oder andere Halbleitermaterialien bedeckt mit einer isolierenden Schicht, zum Beispiel. Das Werkstück 102 kann auch andere aktive Komponenten enthalten oder Schaltkreise ausgebildet in dem Front-End-of-Line (FEOL), nicht gezeigt. Das Werkstück 102 kann Siliziumdioxid umfassen über einkristallinem Silizium, z. B. Das Werkstück 102 kann andere halbleitende Schichten enthalten oder andere Halbleiterelemente, z. B., Transistoren, Dioden usw. Verbindungshalbleiter, GaAs, InP, Si/Ge, oder SiC als Beispiele, können verwendet werden an Stelle von Silizium.
  • Isolationsbereiche 104 können an verschiedenen Stellen an dem Werkstück 102 ausgebildet werden, wie gezeigt. Die Isolationsbereiche 104 können an jeder Seite eines Kanalbereichs 105 einer Transistorvorrichtung 100 angeordnet werden, z. B. Die Isolationsbereiche 104 können durch Abscheiden eines Fotoresists über dem Werkstück 102 ausgebildet werden, nicht gezeigt. Der Fotoresist kann strukturiert werden verwendend Lithographietechniken, und der Fotoresist kann als eine Maske verwendet werden, während das Werkstück 102 geätzt wird, um Löcher oder Muster für die Isolationsbereiche 104 in einer Deckfläche des Werkstücks 102 auszubilden. Ein Isolator wie ein Oxid, z. B., kann über dem Werkstück 102 abgeschieden werden, um die Muster zu füllen, ausbildend Isolationsbereiche 104. Alternativ können die Isolationsbereiche 104 durch andere Verfahren ausgebildet werden, z. B. Gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung können Isolationsbereiche 104 entweder ausgebildet werden bevor oder nachdem die gespannte Materialschicht 106 ausgebildet wird in dem Kanalbereich 105, was hierin weiter beschrieben wird.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird eine Schicht aus Silizium und Kohlenstoff 106 ausgebildet über der Deckfläche des Werkstücks 102 in dem Kanalbereich 102, wie gezeigt. Vorzugsweise wird die Schicht 106 aus Silizium und Kohlenstoff ausgebildet durch epitaktisches Aufwachsen einer Materialschicht umfassend etwa 90 bis 99,5 Prozent Silizium und etwa 0,5 bis 10 Prozent Kohlenstoff. Die Schicht aus Silizium und Kohlenstoff umfasst vorzugsweise eine Dicke von etwa einigen zehn Angström bis etwa 5 Mikrometer. Alternativ umfasst die Schicht 106 aus Silizium und Kohlenstoff andere Prozentsätze Silizium und Kohlenstoff und kann andere Dicken umfassen, z. B. Die Schicht 106 aus Silizium und Kohlenstoff enthält vorzugsweise eine relativ kleine Menge Kohlenstoff, so dass die Schicht 106 leitfähig bleibt. Zum Beispiel umfasst der Kohlenstoff Zwischengitterbindungen in dem Siliziumkristallmaterial. Vorzugsweise wird die Schicht 106 aus Silizium und Kohlenstoff nicht an den Isolationsbereichen 104 ausgebildet. Weil eine epitaktische Wachstumsmethode verwendet wird, um die Schicht 106 aus Silizium und Kohlenstoff auszubilden, wird die Schicht 106 aus Silizium und Kohlenstoff vorzugsweise nicht an dem Isolatormaterial der Isolationsbereiche 104 ausgebildet, z. B. Jedoch wenn ein anderes Material abgeschieden oder über den Isolationsbereichen 104 aufgewachsen wird, kann ein Polierprozess oder Ätzprozess verwendet werden, um alles Silizium und Kohlenstoff von der Deckfläche der Isolationsbereiche 104 zu entfernen.
  • Bereiche des Werkstücks 102 (nicht gezeigt) können dann implantiert werden, für eine VT-Schwellspannung, z. B. Ein Antidurchgriffsimplantat kann dann durchgeführt werden an Abschnitten des Werkstücks 102, auch nicht gezeigt. Das Werkstück 102 kann dann einer Vor-Gate-Reinigung oder Behandlung ausgesetzt werden umfassend eine HF-chemische Ätzung, als ein Beispiel, um alle Teilchen zu entfernen, Verschmutzungen oder natürliche Oxidteilchen angeordnet an der Deckfläche der Schicht 106 aus Silizium und Kohlenstoff in dem Kanalbereich 105, z. B.
  • Als Nächstes wird gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Gatedielektrikummaterial 108 angeordnet über der Schicht 106 aus Silizium und Kohlenstoff und Isolationsbereichen 104, wie in 1 gezeigt. Das Gatedielektrikummaterial 108 umfasst gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Material großer Dielektrizitätskonstante ε. Das Material großer Dielektrizitätskonstante ε des Gatedielektrikummaterials 108 kann umfassen HFO2, HFSiOx, ZrO2, ZrSiOx, Ta2O5 oder andere Materialien großer Dielektrizitätskonstante ε, z. B. In einer anderen Ausführungsform kann jedoch das Gatedielektrikummaterial 108 ein dielektrisches Material mit nicht großer Dielektrizi tätskonstante ε umfassen, wie SiO2, Si3N4 oder andere dielektrische Materialien, als Beispiele.
  • Ein Gatematerial 110 wird dann abgeschieden über dem Gatedielektrikummaterial 108. Das Gatematerial 110 umfasst vorzugsweise ein Material, das geeignet ist, um als Gateelektrode einer Transistorvorrichtung 100 zu fungieren. In einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst das Gatematerial 110 ein Metall, wie TiN, HfN, TaN, ein vollständig silizidiertes Gatematerial (FUSI) oder andere Metalle, als Beispiele. Alternativ kann in einer anderen Ausführungsform das Gatematerial 110 Polysilizium oder andere Halbleitermaterialien umfassen.
  • Das Gatematerial 110 und das Gatedielektrikummaterial 108 werden strukturiert, um ein Gate 110 und Gatedielektrikum 108 auszubilden, wie in 2 gezeigt. Das Gatematerial 110 und Gatedielektrikummaterial 108 können mit einem Muster versehen werden verwendend herkömmliche Lithographietechniken, durch Abscheiden eines Fotoresists, Strukturieren des Fotoresists und Verwenden des Fotoresists als eine Maske, um das Gatematerial 110 und Gatedielektrikummaterial 108 zu strukturieren, nicht gezeigt, z. B. Alternativ können das Gatematerial 110 und das Gatedielektrikummaterial 108 direkt geätzt werden oder können strukturiert werden verwendend andere Verfahren, z. B.
  • Ein Sourcebereich S und Drainbereich D werden dann ausgebildet nahe des Kanalbereichs 105. Genauer werden der Sourcebereich S und der Drainbereich D vorzugsweise in mindestens der Schicht 106 aus Silizium und Kohlenstoff ausgebildet, nicht gezeigt. Angemerkt ist, dass in dieser Ausführungsform Abschnitte des Sourcebereiches S und Drainbereiches D auch in einem Deckbereich des Werkstücks 102 ausgebildet werden. Der Sourcebereich S und Drainbereich D können ausgebildet werden verwendend ein Erweiterungsimplantat, das umfassen kann Implantieren von Dotierstoffen verwendend ein Implantat kleiner Energie bei etwa 200 Elektronenvolt bis 1 Kiloelektronenvolt, z. B. Ein Abstandshaltermaterial, wie Siliziumnitrid oder anderer Isolator, als Beispiele, wird über dem gesamten Werkstück 102 abgeschieden, und dann wird das Abstandshaltematerial geätzt verwendend einen Ätzprozess wie eine anisotrope Ätzung, zurücklassend die Abstandshalter 112 wie gezeigt. Alternativ können die Abstandshalter 12 rechteckiger geformt sein und können strukturiert werden verwendend ein Fotoresist als eine Maske, als ein Beispiel, nicht gezeigt. Um das Erweiterungsimplantat zu vervollständigen, wird dann ein zweiter Dotierstoffimplantationsprozess durchgeführt, vorzugsweise verwendend einen Hochenergieimplantationsprozess. Zum Beispiel kann der zweite Implantationsprozess bei etwa 5 Kiloelektronenvolt bis 20 Kiloelektronenvolt liegen. Ein Hochtemperaturerhitzen kann dann ausgeführt werden, um den Dotierstoff einzutreiben und zu aktivieren. Das Hochtemperaturerhitzen kann ausgeführt werden bei etwa 800°C bis etwa 1015°C, als Beispiele.
  • Der in 2 gezeigte Transistor 100 ist dahin gehend vorteilhaft, dass die Schicht 106 aus Silizium und Kohlenstoff in dem Kanalbereich 105 eine Spannung einführt, welche den Steuerstrom erhöht, wenn der Transistor 100 in Betrieb ist, und auch die Loch- und Elektronenbeweglichkeit der Transistorvorrichtung 100 erhöht. Dies führt zu einem Transistor 100 mit verbesserter Leistungsfähigkeit und vergrößerter Geschwindigkeit.
  • In der in 1 und 2 gezeigten Ausführungsform können die Isolationsbereiche 104 entweder vor oder nach dem epitaktischen Wachstum der Schicht 106 aus Silizium und Kohlenstoff ausgebildet werden. Wenn die Schicht 106 aus Silizium und Kohlenstoff aufgewachsen wird, nachdem die Isolationsbereiche 104 ausgebildet sind, können die Isolationsbereiche 104 wieder gefüllt werden mit einem Oxid oder einem Isolator, so dass die Deckflächen der Isolationsbereiche 104 koplanar mit der Deckfläche der Schicht 106 aus Silizium und Kohlenstoff sind, und um zu sichern, dass der Kanalbereich 105 nicht höher als die Deckfläche der Isolationsbereiche 104 angehoben ist.
  • 3 zeigt eine andere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, worin ein dünnes Halbleitermaterial 214 über einer Schicht 206 aus Silizium und Kohlenstoff in einem Kanalbereich 205 eines Transistors 200 angeordnet ist. Ähnliche Bezugszeichen sind für die verschiedenen Elemente bestimmt wie sie in 1 und 2 verwendet wurden. Um Wiederholung zu vermeiden, wird nicht jedes in der Darstellung gezeigte Bezugszeichen im Detail hierin beschrieben. Statt dessen werden vorzugsweise ähnliche Materialien x02, x04, x05 usw. für die gezeigten Materialschichten verwendet, wie sie für 1 und 2 erläutert wurden, wo x = 1 in 1 und 2 und x = 2 in 3 ist. Als ein Beispiel werden die bevorzugten und alternativen Materialien, die für Gatedielektrikummaterial 108 in der Beschreibung für 1 und 2 aufgelistet wurden, vorzugsweise auch als Gatedielektrikummaterial 208 in 3 verwendet.
  • In dem gezeigten Transistor 200 wird ein dünnes Halbleitermaterial 214 ausgebildet über der Schicht 206 aus Silizium und Kohlenstoff vor Ablagern des Gatedielektrikummaterials 208. Das dünne Halbleitermaterial 214 umfasst vorzugsweise etwa 100 Angström oder weniger Halbleitermaterial. Das dünne Halbleitermaterial 214 wird vorzugsweise epitaktisch aufgewachsen über der Schicht 206 aus Silizium und Karbon, z. B. Das dünne Halbleitermaterial 214 umfasst vorzugsweise Si in einer Ausführungsform. Alternativ kann der dünne Halbleiter 214 umfassen Ge, SiGe, eine Doppelschicht aus Si/SiGe, oder eine Doppelschicht aus Ge/SiGe.
  • Wenn das Halbleitermaterial 214 eine Doppelschicht aus Si/SiGe umfasst, kann die Doppelschicht umfassen eine erste Schicht aus Si und eine zweite Schicht aus SiGe angeordnet über der ersten Schicht aus Si. Alternativ kann die Doppel schicht umfassen eine erste Schicht aus SiGe und eine zweite Schicht aus Si angeordnet über der ersten Schicht aus SiGe, z. B. Ebenso kann, wenn das dünne Halbleitermaterial 214 eine Doppelschicht aus Ge/SiGe umfasst, die Doppelschicht umfassen eine erste Schicht aus Ge und eine zweite Schicht aus SiGe angeordnet über der ersten Schicht aus SiGe, oder eine erste Schicht aus SiGe und eine zweite Schicht aus Ge angeordnet über der ersten Schicht aus SiGe.
  • Der in 3 gezeigte Transistor 200 ist vorteilhaft dahin gehend, dass das dünne Halbleitermaterial 214 angeordnet ist zwischen dem Gatedielektrikum 208 und der Schicht 206 aus Silizium und Kohlenstoff. Dies verschiebt das Übergangsgebiet der Schicht 206 aus Silizium und Kohlenstoff mit dem darunter liegenden Werkstück 202 in dem Kanalbereich 205 tiefer in den Kanalbereich 205 hinein. Dies ist vorteilhaft, weil der Übergangsbereich der Schicht 206 aus Silizium und Kohlenstoff sowie Werkstück 202 fehlangepasste Gitter umfassen kann. Zum Beispiel ist der Gitterabstand der kristallinen Siliziumstruktur in dem Werkstück 202 verschieden von dem Gitterabstand des Siliziums enthaltend Zwischengitterkohlenstoffatome in der Schicht 206 aus Silizium und Kohlenstoff. Deshalb kann dies eine Gitterfehlanpassung erzeugen und/oder Defekte an der Überschneidung oder Übergangsbereich der Schicht 206 aus Silizium und Kohlenstoff sowie dem Werkstück 202. Somit wird der Transistor 200 weiter verbessert in Vorrichtungsleistungsfähigkeit und Geschwindigkeit durch die zusätzliche dünne Halbleitermaterialschicht 214.
  • In der in 3 gezeigten Ausführungsform können die Isolationsbereiche 204 ausgebildet werden entweder vor oder nach dem epitaktischen Wachstum der Schicht 206 aus Silizium und Kohlenstoff und der dünnen Halbleitermaterialschicht 214. Wenn die Schicht 206 aus Silizium und Kohlenstoff sowie die dünne Halbleitermaterialschicht 214 aufgewachsen werden, nachdem die Isolationsbereiche 204 ausgebildet werden, können die Isolationsbereiche 204 wieder gefüllt werden mit Oxid oder anderem Isolatormaterial, so dass die Deckflächen der Isolationsbereiche 204 koplanar sind mit der Deckfläche der dünnen Halbleitermaterialschicht 214, und um zu sichern, dass der Kanalbereich 205 nicht höher als die Deckfläche der Isolationsbereiche 204 angehoben wird.
  • 4 und 5 zeigen Querschnittsansichten von Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung, worin die mit Verweis auf 1 bis 2 bzw. 3 erläuterten Ausführungsformen gezeigt sind ausgebildet an einem Silizium-an-Isolator-(SOI)-Substrat oder Wafer 302. Wiederum werden gleiche Bezugszeichen verwendet wie sie verwendet und erläutert wurden für die verschiedenen Elemente in 1 bis 3, und um Wiederholung zu vermeiden, wird nicht jedes in der Darstellung gezeigte Bezugszeichen erneut im Detail hierin beschrieben. Statt dessen werden vorzugsweise ähnliche Materialien x02, x04, x05 verwendet für die gezeigten Materialschichten, wie sie erläutert wurden für 1 bis 3, wo x = 1 in 1 und 2, x = 2 in 3 und x = 3 in 4 und 5.
  • In den in 4 und 5 gezeigten Ausführungsformen umfasst das Werkstück 302 vorzugsweise ein SOI-Substrat 302. Das SOI-Substrat 302 umfasst einen dicken Silizium- oder anderen Halbleitermaterialabschnitt 316, der eine Dicke umfassen kann von etwa 500 Mikrometer, z. B. Eine vergrabene SiO2-Schicht 318 wird ausgebildet über dem dicken Siliziumschichtbereich 316. Die SiO2-Schicht 318 kann eine Dicke umfassen von etwa 1000 Angström, z. B. Eine dünne Siliziumschicht 320 wird ausgebildet über der vergrabenen SiO2-Schicht 318. Die dünne Siliziumschicht 320 kann eine Dicke umfassen von etwa 500 Angström oder weniger, z. B. SOI-Substrate 302 sind vorteilhaft dahin gehend, dass Leckstrom von der Source zu dem Substrat verhindert wird und parasitäre Kapazität des Transistors 300 verringert wird, weiter verkleinernd die Geschwindigkeit des Transistors 300 und verringernd den Leistungsverbrauch.
  • In 4 enthält ein Transistor 300 eine Schicht 306 aus Silizium und Kohlenstoff aufgewachsen über der oberen dünnen Siliziumschicht 320 des SOI-Substrats 302 in dem Kanalbereich 305. In 5 enthält ein Transistor weiter eine dünne Halbleiterschicht 314 aufgewachsen über der Schicht 306 aus Silizium und Kohlenstoff in dem Kanalbereich 305. Wieder können in diesen Ausführungsformen die Isolationsbereiche 304 ausgebildet werden entweder vor oder nach dem epitaktischen Wachstum der Schicht 306 aus Silizium und Kohlenstoff oder der dünnen Halbleitermaterialschicht 314. Wenn die Schicht 306 aus Silizium und Kohlenstoff oder die dünne Halbleitermaterialschicht 314 aufgewachsen werden nachdem die Isolationsbereiche 304 ausgebildet werden, können die Isolationsbereiche 304 wieder gefüllt werden mit Oxid oder anderem Isolatormaterial, so dass die Deckfläche des Isolationsbereiches 304 koplanar mit der Deckfläche der dünnen Halbleitermaterialschicht 314 sind oder Schicht 306 aus Silizium und Kohlenstoff, und um zu sichern, dass der Kanalbereich 305 nicht höher als die Deckfläche der Isolationsbereiche 304 angehoben wird.
  • 6 und 7 zeigen die Ausführungsformen der 2 bzw. 3, worin eine gespannte Halbleiterschicht 422 epitaktisch über einem Werkstück 402 aufgewachsen wird, bevor die Schicht 406 aus Silizium und Kohlenstoff ausgebildet wird. Wieder werden gleiche Bezugszeichen verwendet wie sie verwendet wurden in den zuvor beschriebenen Figuren. In diesen Ausführungsformen wird eine gespannte Halbleiterschicht 422 epitaktisch über dem Werkstück 402 aufgewachsen vor Aufwachsen der Schicht 406 aus Silizium und Kohlenstoff. Die Sourcebereiche S und Drainbereiche D werden dann ausgebildet in der Schicht 406 aus Silizium und Kohlenstoff und der gespannten Halbleiterschicht 422 in 6, und auch in dem optionalen dünnen Halbleitermaterial 414, das in 7 gezeigt ist. In diesen Ausführungsformen umfasst die gespannte Halbleiterschicht 422 vorzugsweise eine Dicke von etwa 100 Angström bis 5 Mikrometer. Die gespannte Halbleiterschicht 422 umfasst vorzugsweise in einer Ausführungsform eine zweite Schicht aus Silizium und Kohlenstoff umfassend ein gleiches Material wie die Schicht 406 aus Silizium und Kohlenstoff. In dieser Ausführungsform umfasst die gespannte Halbleiterschicht 422 vorzugsweise eine größere Dicke als die Schicht 406 aus Silizium und Kohlenstoff. Vorzugsweise umfasst die gespannte Halbleiterschicht 422 eine Kohlenstoffkonzentration, die kleiner ist als die Konzentration der Schicht 406 aus Silizium und Kohlenstoff. Zum Beispiel umfasst die gespannte Halbleiterschicht 422 eine Kohlenstoffkonzentration von etwa 2 bis 3 oder kleiner.
  • In einer anderen Ausführungsform umfasst die gespannte Halbleiterschicht 422 vorzugsweise eine Schicht aus Silizium und Germanium oder eine Schicht aus Silizium, Kohlenstoff und Germanium. Das Einführen von Germanium in die gespannte Halbleiterschicht 422 ist vorteilhaft, weil der Gitterabstand der Silizium- und Germanium-kristallinen Struktur (oder Silizium, Kohlenstoff und Germanium) verschieden von dem Gitterabstand der Schicht 406 aus Silizium und Kohlenstoff ist, welches die Lochbeweglichkeit des Transistors 400 weiter verkleinert. In dieser Ausführungsform beträgt die Germaniumkonzentration der gespannten Halbleiterschicht 422 vorzugsweise etwa 25 %und kann alternativ etwa 15 bis 45 % umfassen, und die Kohlenstoffkonzentration beträgt vorzugsweise etwa 2 bis 3 % oder weniger, als Beispiele.
  • 8 zeigt eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, welche eine gespannte Halbleiterschicht 522 enthält angeordnet unterhalb der Schicht 506 aus Silizium und Kohlenstoff und optionaler dünnen Halbleiterschicht 514, ausgebildet an einem SOI-Substrat 502. In dieser Ausführungsform werden ein dünnes Halbleitermaterial 514, eine Schicht 506 aus Silizium und Kohlenstoff und eine gespannte Halbleiterschicht 522 ausgebildet in dem Kanalbereich 505 eines Transistors 500. Das Werkstück 502 umfasst ein SOI-Substrat 502 mit einem Siliziumbereich 518, einer vergrabenen SiO2-Schicht 516 und einer dünnen Siliziumschicht 520 ausgebildet über der vergrabenen SiO2-Schicht 518. Angemerkt ist, dass in dieser Ausführungsform die Isolationsbereiche 504 vorzugsweise ausgebildet werden nach zumindest dem epitaktischen Wachstum der gespannten Halbleiterschicht 522. Obwohl in 8 gezeigt, ist das dünne Halbleitermaterial 514 optional und braucht nicht angeordnet werden zwischen der Schicht 506 aus Silizium und Kohlenstoff sowie dem Gatedielektrikum 508, (nicht gezeigt).
  • Angemerkt ist, dass in jeder der in den Figuren gezeigten Ausführungsformen eine Schicht epitaktisches Si angeordnet werden kann zwischen der Schicht 106, 206, 306, 406, 506 aus Silizium und Kohlenstoff sowie darunter liegenden Schichten 102, 202, 320, 422 bzw. 522, (nicht gezeigt). Die epitaktischen Si-Schichten sind dünn und umfassen vorzugsweise etwa 50 Angström oder weniger Material, als ein Beispiel. Die epitaktischen dünnen Si-Schichten verbessern das Wachstum der nachfolgend gebildeten epitaktischen Schichten 106, 206, 306, 406, 506, z. B.
  • Vorteile der Ausführungsformen der Erfindung enthalten Vorsehen eines Transistors 100, 200, 300, 400, 500 mit vergrößerter Geschwindigkeit und verbesserten elektrischen Eigenschaften. Der Transistor 100, 200, 300, 400, 500 hat einen vergrößerten Steuerstrom, kleineren Leistungsverbrauch und vergrößerte Loch- und Elektronenbeweglichkeit.
  • Obwohl Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung und ihre Vorteile im Detail erläutert worden sind, sollte es verstanden werden, dass verschiedene Veränderungen, Ersetzungen und Abänderungen hierin gemacht werden können, ohne sich zu entfernen von dem Geist und Rahmen der Erfindung wie durch die angehängten Ansprüche definiert. Zum Beispiel wird es durch Fachleute leicht verstanden werden, dass viele der Merkmale, Funktionen, Prozesse und Materialien, die hierin erläutert wurden, variiert werden können, während innerhalb des Rahmens der vorliegenden Erfindung geblieben wird. Darüber hinaus ist es nicht beabsichtigt, dass der Rahmen der vorliegenden Erfindung durch die besonderen Ausführungsformen des Prozesses, Maschine, Anfertigung, Materialzusammensetzung, Mittel, Verfahren und Schritte beschränkt wird, die in der Beschreibung erläutert wurden. Wie ein Fachmann leicht aus der Offenbarung der vorliegenden Erfindung einsehen wird, können Prozesse, Maschinen, Fertigung, Zusammensetzung des Materials, Mittel, Verfahren oder Schritte, die aktuell existieren oder später entwickelt werden und die im Wesentlichen die gleiche Funktion ausführen oder im Wesentlichen das gleiche Ergebnis erzielen wie die entsprechenden hier drin erläuterten Ausführungsformen, verwendet werden gemäß der vorliegenden Erfindung. Dem gemäß ist beabsichtigt, dass die angehängten Ansprüche innerhalb ihres Rahmens solche Prozesse, Maschinen, Fertigung, Materialzusammensetzungen, Mittel, Methoden oder Schritte einschließen.
  • Zusammenfassung
  • Transistor mit Silizium- und Kohlenstoffschicht in dem Kanalbereich
  • Ein Transistor und Verfahren des Herstellens desselben mit gespannten Materialschichten ausgebildet in dem Kanal, um die Geschwindigkeit zu vergrößern und die Leistungsfähigkeit des Transistors zu erhöhen. Eine Schicht aus Silizium und Kohlenstoff wird epitaktisch in dem Kanalbereich aufgewachsen. Ein dünnes Halbleitermaterial kann über der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff ausgebildet werden, und eine gespannte Halbleiterschicht kann epitaktisch aufgewachsen werden vor Ausbilden der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff.

Claims (33)

  1. Ein Verfahren zum Fabrizieren eines Transistors, das Verfahren umfassend: Vorsehen eines Werkstücks, Aufwachsen einer gespannten Halbleiterschicht über dem Werkstück, Aufwachsen einer ersten Schicht aus Silizium und Kohlenstoff über der gespannten Halbleiterschicht, Abscheiden eines Gatedielektrikummaterials über der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff, Abscheiden eines Gatematerials über dem Gatedielektrikummaterial, Strukturieren des Gatematerials und Gatedielektrikummaterials, um ein Gate und ein Gatedielektrikum auszubilden angeordnet über der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff, und Ausbilden eines Sourcebereiches und eines Drainbereiches in der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff und gespannten Halbleiterschicht, worin der Sourcebereich, Drainbereich, Gate und Gatedielektrikum einen Transistor umfassen, worin das Abscheiden des Gatedielektrikummaterials Abscheiden eines Gatedielektrikummaterials mit großer Dielektrizitätskonstante ε umfasst, das Material großer Dielektrizitätskonstante ε des Gatedielektrikummaterials umfasst HfO2, HfSiOx, ZrO2, ZrSiOx oder Ta2O5.
  2. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, worin das Aufwachsen der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff umfasst epitaktisches Aufwachsen einer Schicht aus etwa 90 bis 99,5 % Silizium und etwa 0,5 bis 10 % Kohlenstoff mit einer Dicke von etwa einigen zehn Angström bis etwa 5 Mikrometer.
  3. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, worin das Aufwachsen der gespannten Halbleiterschicht umfasst epitaktisches Aufwachsen einer zweiten Schicht aus Silizium und Kohlenstoff, einer Schicht aus Silizium und Germanium oder einer Schicht aus Silizium, Kohlenstoff und Germanium und worin das Aufwachsen der gespannten Halbleiterschicht umfasst Aufwachsen eines Materials mit einer Dicke von etwa 100 Angström bis etwa 5 Mikrometer.
  4. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, worin das Abscheiden des Gatematerials umfasst Abscheiden eines Halbleitermaterials oder eines Metalls.
  5. Verfahren gemäß Anspruch 1, weiter umfassend Abscheiden eines dünnen Halbleitermaterials über der ersten Schicht aus Silizium und Kohlenstoff vor dem Abscheiden des Gatedielektrikummaterials.
  6. Das Verfahren gemäß Anspruch 5, worin das Abscheiden des dünnen Halbleitermaterials umfasst Abscheiden von etwa 100 Angström oder weniger aus Silizium, Ge, SiGe, einer Doppelschicht aus Si/SiGe, oder einer Doppelschicht aus Ge/SiGe.
  7. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, weiter umfassend Ausbilden von Isolationsbereichen in dem Werkstück vor oder nach Aufwachsen der gespannten Halbleiterschicht über dem Werkstück und Aufwachsen einer ersten Schicht aus Silizium und Kohlenstoff über dem Werkstück und weiter umfassend Ausbilden von Abstandshaltern über Seitenwänden des Gates und Gatedielektrikums.
  8. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, worin das Vorsehen des Werkstücks umfasst Vorsehen eines Silizium-an-Isolator(SOI)-Wafers.
  9. Ein Verfahren zum Fabrizieren eines Transistors, das Verfahren umfassend: Vorsehen eines Werkstücks, Aufwachsen einer ersten Schicht aus Silizium und Kohlenstoff über dem Werkstück, Abscheiden eines Gatedielektrikummaterials über der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff, das Gatedielektrikum umfassend ein Material mit einer großen Dielektrizitätskonstante ε, das Material hoher Dielektrizitätskonstante ε des Gatedielektrikummaterials umfasst HfO2, HfSiOx, ZrO2, ZrSiOx oder Ta2O5, Abscheiden eines Gatematerials über dem Gatedielektrikummaterial, dass Gatematerial umfassend ein Metall, Strukturieren des Gatematerials und Gatedielektrikummaterials, um ein Gate und ein Gatedielektrikum auszubilden angeordnet über der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff, und Ausbilden eines Sourcebereiches und eines Drainbereiches in mindestens der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff, worin der Sourcebereich, Drainbereich, Gate und Gatedielektrikum einen Transistor umfassen.
  10. Das Verfahren gemäß Anspruch 9, worin das Aufwachsen der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff umfasst epitaktisches Aufwachsen einer Schicht aus etwa 90 bis 99,5 % Silizium und etwa 0,5 bis 10 % Kohlenstoff mit einer Dicke von etwa einigen zehn Angström bis etwa 5 Mikrometer.
  11. Das Verfahren gemäß Anspruch 9, weiter umfassend Aufwachsen einer gespannten Halbleiterschicht über dem Werkstück, vor Aufwachsen der ersten Schicht aus Silizium und Kohlenstoff über dem Werkstück, worin das Ausbilden des Sourcebereiches und des Drainbereiches umfasst Ausbilden des Sourcebereiches und des Drainbereiches in der gespannten Halbleiterschicht.
  12. Das Verfahren gemäß Anspruch 11, worin das Aufwachsen der gespannten Halbleiterschicht umfasst epitaktisches Aufwachsen einer zweiten Schicht aus Silizium und Kohlenstoff, einer Schicht aus Silizium und Germanium oder einer Schicht aus Silizium, Kohlenstoff und Germanium, und worin das Aufwachsen der gespannten Halbleiterschicht umfasst Aufwachsen eines Materials mit einer Dicke von etwa 100 Angström bis 5 Mikrometer.
  13. Das Verfahren gemäß Anspruch 9, weiter umfassend Abscheiden eines dünnen Halbleitermaterials über der ersten Schicht aus Silizium und Kohlenstoff vor Abscheiden des Gatedielektrikummaterials.
  14. Das Verfahren gemäß Anspruch 13, worin das Abscheiden des dünnen Halbleitermaterials umfasst Abscheiden von etwa 100 Angström oder weniger Si, Ge, SiGe, einer Doppelschicht aus Si/SiGe, oder einer Doppelschicht aus Ge/SiGe.
  15. Das Verfahren gemäß Anspruch 9, weiter umfassend Ausbilden von Isolationsbereichen in dem Werkstück vor oder nach dem Aufwachsen der gespannten Halbleiterschicht über dem Werkstück und Aufwachsen einer ersten Schicht aus Silizium und Kohlenstoff über dem Werkstück und weiter umfassend Ausbilden von Abstandshaltern über Seitenwänden des Gate und Gatedielektrikums.
  16. Das Verfahren gemäß Anspruch 9, worin das Vorsehen des Werkstücks umfasst Vorsehen eines Silizium-an-Isolator(SOI)-Wafers.
  17. Ein Transistor, umfassend: ein Werkstück, ein gespannte Halbleiterschicht angeordnet über dem Werkstück, eine erste Schicht aus Silizium und Kohlenstoff angeordnet über der gespannten Halbleiterschicht, ein Gatedielektrikum angeordnet über der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff, ein Gate angeordnet über dem Gatedielektrikum, und einen Sourcebereich und einen Drainbereich ausgebildet in der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff und gespannten Halbleiterschicht, worin der Sourcebereich, Drainbereich, Gate und Gatedielektrikum einen Transistor umfassen, das Gatedielektrikum umfasst ein dielektrisches Material großer Dielektrizitätskonstante ε, das Material großer Dielektrizitätskonstante ε des Gatedielektrikummaterials umfasst HfO2, HfSiOx, ZrO2, ZrSiOx oder Ta2O5.
  18. Der Transistor gemäß Anspruch 17, worin die Schicht aus Silizium und Kohlenstoff umfasst eine epitaktisch aufgewachsene Schicht umfassend etwa 90 bis 99,5 % Silizium und etwa 0,5 bis 10 % Kohlenstoff mit einer Dicke von etwa einigen zehn Angström bis etwa 5 Mikrometer.
  19. Der Transistor gemäß Anspruch 17, worin die gespannte Halbleiterschicht umfasst eine epitaktisch aufgewachsene zweite Schicht aus Silizium und Kohlenstoff, eine Schicht aus Silizium und Germanium oder eine Schicht aus Silizium, Kohlenstoff und Germanium, und worin die gespannte Halbleiterschicht eine Dicke umfasst von etwa 100 Angström bis 5 Mikrometer.
  20. Der Transistor gemäß Anspruch 17, worin das Gate umfasst ein Halbleitermaterial oder ein Metall.
  21. Der Transistor gemäß Anspruch 17, weiter umfassend ein dünnes Halbleitermaterial angeordnet über der ersten Schicht aus Silizium und Kohlenstoff.
  22. Der Transistor gemäß Anspruch 21, worin das dünne Halbleitermaterial etwa 1000 Angström umfasst oder weniger aus Silizium, Germanium, SiGe, einer Doppelschicht aus Si/SiGe oder einer Doppelschicht aus Ge/SiGe.
  23. Der Transistor gemäß Anspruch 21, weiter umfassend Isolationsbereiche angeordnet in dem Werkstück und weiter umfas send Abstandselemente ausgebildet über Seitenwänden des Gates und Gatedielektrikums.
  24. Der Transistor gemäß Anspruch 21, worin das Werkstück umfasst einen Silizium-an-Isolator(SOI)-Wafer.
  25. Ein Transistor, umfassend: ein Werkstück, eine erste Schicht aus Silizium und Kohlenstoff angeordnet über dem Werkstück, ein Gatedielektrikum angeordnet über der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff, das Gatedielektrikum umfassend ein Material mit einer großen Dielektrizitätskonstante ε, das Material mit der großen Dielektrizitätskonstante ε des Gatedielektrikummaterials umfasst HfO2, HfSiOx, ZrO2, ZrSiOx oder Ta2O5, ein Gate angeordnet über dem Gatedielektrikum, das Gate umfassend Metall, und ein Sourcebereich und ein Drainbereich ausgebildet in mindestens der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff, worin der Sourcebereich, Drainbereich, Gate und Gatedielektrikum einen Transistor umfassen.
  26. Der Transistor gemäß Anspruch 25, worin die Schicht aus Silizium und Kohlenstoff umfasst eine epitaktisch gewachsene Schicht umfassend etwa 90 bis 99,5 % Silizium und etwa 0,5 bis 10 % Kohlenstoff mit einer Dicke von etwa einigen zehn Angström bis etwa 5 Mikrometer.
  27. Der Transistor gemäß Anspruch 25, weiter umfassend eine gespannte Halbleiterschicht ausgebildet über dem Werkstück unterhalb der ersten Schicht aus Silizium und Kohlenstoff, worin der Sourcebereich und das Drain auch in der gespannten Halbleiterschicht ausgebildet sind.
  28. Der Transistor gemäß Anspruch 27, worin die gespannte Halbleiterschicht umfasst eine zweite Schicht aus Silizium und Kohlenstoff, eine Schicht aus Silizium und Germanium oder eine Schicht aus Silizium, Kohlenstoff und Germanium, und worin die gespannte Halbleiterschicht umfasst ein Material mit einer Dicke von etwa 100 Angström bis 5 Mikrometer.
  29. Der Transistor gemäß Anspruch 25, weiter umfassend ein dünnes Halbleitermaterial angeordnet über der ersten Schicht aus Silizium und Kohlenstoff unterhalb des Gatedielektrikummaterials.
  30. Der Transistor gemäß Anspruch 29, worin das dünne Halbleitermaterial umfasst etwa 100 Angström oder weniger aus Si, Ge, SiGe, einer Doppelschicht aus Si/SiGe, oder einer Doppelschicht aus Ge/SiGe.
  31. Der Transistor gemäß Anspruch 25, weiter umfassend Isolationsbereiche ausgebildet in dem Werkstück und weiter umfassend Abstandselemente ausgebildet über Seitenwänden des Gates und Gatedielektrikums.
  32. Der Transistor gemäß Anspruch 25, worin das Werkstück umfasst einen Silizium-an-Isolator(SOI)-Wafer.
  33. Ein Transistor, umfassend: ein Werkstück, eine erste Schicht aus Silizium und Kohlenstoff über dem Werkstück, ein Gatedielektrikum angeordnet über der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff, ein Gate angeordnet über dem Gatedielektrikum, und einen Sourcebereich und einen Drainbereich ausgebildet in der Schicht aus Silizium und Kohlenstoff, worin der Sourcebereich, Drainbereich, Gate und Gatedielektrikum einen Transistor umfassen, das Gatedielektrikum umfasst ein Material hoher Dielektrizitätskonstante ε, das Material großer Dielektrizitätskonstante ε des Gatedielektrikummaterials umfasst HfO2, HfSiOx, ZrO2, ZrSiOx oder Ta2O5.
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