Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement gemäß Patentanspruch 1. The present invention relates to an optoelectronic component according to claim 1.
Optoelektronische Bauelemente, beispielsweise Leuchtdioden-Bauelemente, sind aus dem Stand der Technik bekannt. Es ist bekannt, optoelektronische Bauelemente mit optischen Elementen auszustatten, die dazu vorgesehen sind, die räumliche Verteilung des von dem optoelektronischen Bauelement abgestrahlten Lichts zu formen. Beispielsweise ist es bekannt, optoelektronische Bauelemente mit Sammellinsen auszustatten, die das von dem optoelektronischen Bauelement abgestrahlte Licht in einen Raumbereich fokussieren. Optoelectronic components, for example light-emitting diode components, are known from the prior art. It is known to equip optoelectronic components with optical elements which are intended to shape the spatial distribution of the light emitted by the optoelectronic component. For example, it is known to equip optoelectronic components with converging lenses which focus the light emitted by the optoelectronic component into a spatial region.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben. An object of the present invention is to provide an optoelectronic device. This object is achieved by an optoelectronic component with the features of claim 1. In the dependent claims various developments are given.
Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip, der eine Strahlungsemissionsfläche aufweist. Das optoelektronische Bauelement umfasst außerdem einen Reflektor zur Bündelung von durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittiertem Licht. Der Reflektor umfasst einen ersten Teilreflektor mit einer ersten Hauptabstrahlrichtung und einen zweiten Teilreflektor mit einer zweiten Hauptabstrahlrichtung. Die erste Hauptabstrahlrichtung und die zweite Hauptabstrahlrichtung erstrecken sich jeweils von einem ersten Längsende des Reflektors zu einem zweiten Längsende des Reflektors. Dabei sind die erste Hauptabstrahlrichtung und die zweite Hauptabstrahlrichtung unter einem Winkel zueinander angeordnet.An optoelectronic component comprises an optoelectronic semiconductor chip which has a radiation emission surface. The optoelectronic component additionally comprises a reflector for bundling light emitted by the optoelectronic semiconductor chip. The reflector comprises a first partial reflector having a first main emission direction and a second partial reflector having a second main emission direction. The first main emission direction and the second main emission direction each extend from a first longitudinal end of the reflector to a second longitudinal end of the reflector. In this case, the first main emission direction and the second main emission direction are arranged at an angle to one another.
Vorteilhafterweise ermöglicht dieses optoelektronische Bauelement eine gleichzeitige Beleuchtung zweier voneinander beabstandeter Raum- oder Flächenbereiche. Dabei wird einer der Raum- oder Flächenbereiche durch durch den ersten Teilreflektor des optoelektronischen Bauelements in die erste Hauptabstrahlrichtung gelenktes Licht beleuchtet, während der andere Raum- oder Flächenbereich durch durch den zweiten Teilreflektor in die zweite Hauptabstrahlrichtung gelenktes Licht beleuchtet wird. Advantageously, this optoelectronic component allows a simultaneous illumination of two spaced-apart space or surface areas. In this case, one of the spatial areas is illuminated by light directed through the first partial reflector of the optoelectronic component into the first main radiation direction, while the other spatial or surface region is illuminated by light directed through the second partial reflector into the second main radiation direction.
Dabei stammt sowohl das in die erste Hauptabstrahlrichtung als auch das in die zweite Hauptabstrahlrichtung gelenkte Licht von dem optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements. Hierdurch ist sichergestellt, dass der erste Raum- oder Flächenbereich und der zweite Raumoder Flächenbereich mit einem festen und im Wesentlichen unveränderlichen Intensitätsverhältnis beleuchtet werden, beispielsweise mit etwa gleicher Intensität. Das Verhältnis der Intensität, mit der der erste Raum- oder Flächenbereich beleuchtet wird, zur Intensität, mit der der zweite Raum- oder Flächenbereich beleuchtet wird, ändert sich dabei vorteilhafterweise auch bei Änderung der Intensität des durch den optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittierten Lichts nicht. In this case, both the light guided in the first main emission direction and also in the second main emission direction originates from the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component. This ensures that the first space or surface area and the second space or area area are illuminated with a fixed and essentially unchangeable intensity ratio, for example with approximately the same intensity. The ratio of the intensity with which the first area or surface area is illuminated to the intensity with which the second area or area area is illuminated does not change advantageously even when the intensity of the light emitted by the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component changes ,
Ein zwischen dem ersten Raum- oder Flächenbereich und dem zweiten Raum- oder Flächenbereich befindlicher Raum- oder Flächenbereich kann durch das optoelektronische Bauelement mit geringerer Intensität beleuchtet werden als der erste Raum- oder Flächenbereich und der zweite Raum- oder Flächenbereich. Dadurch weist das optoelektronische Bauelement vorteilhafterweise eine hohe Effizienz auf, wenn lediglich eine Beleuchtung des ersten Raum- oder Flächenbereichs und des zweiten Raum- oder Flächenbereichs erforderlich ist. A space or surface area located between the first space or surface area and the second space or surface area can be illuminated by the optoelectronic component with lower intensity than the first space or area area and the second area or area area. As a result, the optoelectronic component advantageously has a high level of efficiency if only illumination of the first space or area area and of the second area or area area is required.
Der den ersten Teilreflektor und den zweiten Teilreflektor umfassende Reflektor dieses optoelektronischen Bauelements bewirkt gleichzeitig eine Aufteilung des durch den optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittierten Lichts in zwei Lichtbündel, als auch eine Strahlformung der beiden Lichtbündel. Durch diese Doppelfunktion des Reflektors des optoelektronischen Bauelements wird es ermöglicht, das optoelektronische Bauelement mit einer nur geringen Zahl einzelner Komponenten auszubilden, wodurch das optoelektronische Bauelement eine geringe Komplexität und einen geringen Platzbedarf aufweisen und auf einfache und kostengünstige Weise herstellbar sein kann. The reflector of this optoelectronic component comprising the first subreflector and the second subreflector simultaneously effects a division of the light emitted by the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component into two light bundles, as well as a beam shaping of the two light bundles. This dual function of the reflector of the optoelectronic component makes it possible to design the optoelectronic component with only a small number of individual components, as a result of which the optoelectronic component has a low complexity and a small space requirement and can be produced in a simple and cost-effective manner.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weitet sich der Reflektor vom ersten Längsende zum zweiten Längsende auf. Vorteilhafterweise kann der Reflektor dadurch eine Bündelung von durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittiertem Licht bewirken. In one embodiment of the optoelectronic component, the reflector widens from the first longitudinal end to the second longitudinal end. Advantageously, the reflector can thereby effect a bundling of light emitted by the optoelectronic semiconductor chip.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weiten sich der erste Teilreflektor und der zweite Teilreflektor jeweils vom ersten Längsende des Reflektors zum zweiten Längsende des Reflektors auf. Vorteilhafterweise können die beiden Teilreflektoren dadurch jeweils eine Bündelung eines aus dem durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittiertem Licht erzeugten Teilstrahls bewirken. In one embodiment of the optoelectronic component, the first partial reflector and the second partial reflector expand in each case from the first longitudinal end of the reflector to the second longitudinal end of the reflector. Advantageously, the two partial reflectors can thereby each cause a bundling of a partial beam generated from the light emitted by the optoelectronic semiconductor chip.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements sind ein von dem ersten Teilreflektor eingeschlossenes erstes Teilvolumen und ein von dem zweiten Teilreflektor eingeschlossenes zweites Teilvolumen zwischen dem ersten Längsende des Reflektors und dem zweiten Längsende des Reflektors durchgängig verbunden. Vorteilhafterweise ist der Reflektor des optoelektronischen Bauelements dadurch besonders einfach herstellbar. In one embodiment of the optoelectronic component, a first subvolume enclosed by the first subreflector and a second subvolume enclosed by the second subreflector are connected continuously between the first longitudinal end of the reflector and the second longitudinal end of the reflector. Advantageously, the reflector of the optoelectronic component is thereby particularly easy to produce.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips zum zweiten Längsende des Reflektors orientiert. Dies ermöglicht es beispielsweise, das optoelektronische Bauelement als Toplooker-Bauelement auszubilden. In one embodiment of the optoelectronic component, the radiation emission surface of the optoelectronic semiconductor chip is oriented to the second longitudinal end of the reflector. This makes it possible, for example, to design the optoelectronic component as a toplooker component.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips zu einer reflektierenden Wandung des Reflektors orientiert. Dies ermöglicht es, das optoelektronische Bauelement als Sidelooker-Bauelement auszubilden.In one embodiment of the optoelectronic component, the radiation emission surface of the optoelectronic semiconductor chip is oriented to form a reflective wall of the reflector. This makes it possible to design the optoelectronic component as a sidelooker component.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements sind die erste Hauptabstrahlrichtung und die zweite Hauptabstrahlrichtung parallel zur Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips orientiert. Das optoelektronische Bauelement kann dabei beispielsweise als Sidelooker-Bauelement ausgebildet sein. In one embodiment of the optoelectronic component, the first main emission direction and the second main emission direction are oriented parallel to the radiation emission surface of the optoelectronic semiconductor chip. The optoelectronic component can be designed, for example, as a sidelooker component.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements sind reflektierende Wandungen des ersten Teilreflektors und des zweiten Teilreflektors jeweils durch Teile von Rotationsparaboloiden gebildet. Dadurch ermöglichen der erste Reflektor und der zweite Teilreflektor des Reflektors des optoelektronischen Bauelements vorteilhafterweise jeweils eine Erzeugung von Lichtbündeln, deren Teilstrahlen im Wesentlichen parallel orientiert sind. In one embodiment of the optoelectronic component, reflecting walls of the first subreflector and the second subreflector are each formed by parts of paraboloidal paraboloids. As a result, the first reflector and the second partial reflector of the reflector of the optoelectronic component advantageously each allow a generation of light bundles whose partial beams are oriented substantially parallel.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist ein Punkt der Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips um weniger als die Kantenlänge der Strahlungsemissionsfläche von einem Brennpunkt des ersten Teilreflektors und von einem Brennpunkt des zweiten Teilreflektors beabstandet. Vorteilhafterweise können der erste Teilreflektor und der zweite Teilreflektor des Reflektors des optoelektronischen Bauelements dadurch besonders effektive Strahlformungen bewirken. In one embodiment of the optoelectronic component, a point of the radiation emission surface of the optoelectronic semiconductor chip is spaced less than the edge length of the radiation emission surface from a focal point of the first partial reflector and from a focal point of the second partial reflector. Advantageously, the first partial reflector and the second partial reflector of the reflector of the optoelectronic component thereby cause particularly effective beam shaping.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der Reflektor als Hohlspiegel ausgebildet. Vorteilhafterweise ermöglicht dies eine einfache Herstellung des Reflektors. Außerdem kann der als Hohlspiegel ausgebildete Reflektor eine hohe Reflektivität aufweisen, woraus sich eine hohe Effizienz des optoelektronischen Bauelements ergibt. In one embodiment of the optoelectronic component, the reflector is designed as a concave mirror. Advantageously, this allows a simple production of the reflector. In addition, the reflector designed as a concave mirror can have a high reflectivity, resulting in a high efficiency of the optoelectronic component.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der Reflektor als Kavität in einem Gehäuse des optoelektronischen Bauelements ausgebildet. Vorteilhafterweise ermöglicht dies eine besonders kompakte und kostengünstige Ausführung des optoelektronischen Bauelements. In one embodiment of the optoelectronic component, the reflector is formed as a cavity in a housing of the optoelectronic component. Advantageously, this allows a particularly compact and cost-effective design of the optoelectronic component.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist das Gehäuse als spritzgegossener Schaltungsträger ausgebildet. Dies ermöglicht vorteilhafterweise eine einfache und kostengünstige Herstellung des optoelektronischen Bauelements und erlaubt es, das Gehäuse des optoelektronischen Bauelements mit komplexer Geometrie auszubilden. In one embodiment of the optoelectronic component, the housing is designed as an injection-molded circuit carrier. This advantageously makes possible a simple and cost-effective production of the optoelectronic component and makes it possible to design the housing of the optoelectronic component with complex geometry.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der Reflektor als Totalreflexionslinse ausgebildet. Vorteilhafterweise weist der Reflektor dadurch eine besonders hohe Reflektivität auf, wodurch das optoelektronische Bauelement eine hohe Effizienz aufweisen kann. In one embodiment of the optoelectronic component, the reflector is designed as a total reflection lens. Advantageously, the reflector thereby has a particularly high reflectivity, as a result of which the optoelectronic component can have a high efficiency.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist eine Montagefläche des optoelektronischen Bauelements nicht parallel zur Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips orientiert. Dadurch können die erste Hauptabstrahlrichtung des ersten Teilreflektors und die zweite Hauptabstrahlrichtung des zweiten Teilreflektors in einer Ebene angeordnet sein, die weder senkrecht noch parallel zur Montagefläche des optoelektronischen Bauelements orientiert ist. Das optoelektronische Bauelement ist dann dazu ausgebildet, Licht in eine bezüglich der Montagefläche schräge Richtung abzustrahlen. In one embodiment of the optoelectronic component, a mounting surface of the optoelectronic component is not oriented parallel to the radiation emission surface of the optoelectronic semiconductor chip. As a result, the first main emission direction of the first subreflector and the second main emission direction of the second subreflector can be arranged in a plane which is oriented neither perpendicularly nor parallel to the mounting surface of the optoelectronic component. The optoelectronic component is then designed to emit light in an oblique direction relative to the mounting surface.
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung The above-described characteristics, features, and advantages of this invention, as well as the manner in which they will be achieved, will become clearer and more clearly understood in connection with the following description of the embodiments, which will be described in detail in conjunction with the drawings. In each case show in a schematic representation
1 eine perspektivische Ansicht einer ersten Ausführungsform eines Reflektors; 1 a perspective view of a first embodiment of a reflector;
2 eine perspektivische Ansicht eines ersten optoelektronischen Bauelements; 2 a perspective view of a first optoelectronic device;
3 ein Bestrahlungsintensitätsdiagramm; 3 an irradiation intensity diagram;
4 eine perspektivische Ansicht eines zweiten optoelektronischen Bauelements; 4 a perspective view of a second optoelectronic device;
5 eine perspektivische Ansicht einer zweiten Ausführungsform eines Reflektors; 5 a perspective view of a second embodiment of a reflector;
6 eine Aufsicht auf ein drittes optoelektronisches Bauelement; 6 a plan view of a third optoelectronic device;
7 eine perspektivische Ansicht einer dritten Ausführungsform eines Reflektors; und 7 a perspective view of a third embodiment of a reflector; and
8 eine perspektivische Ansicht eines vierten optoelektronischen Bauelements. 8th a perspective view of a fourth optoelectronic device.
1 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines Reflektors 100. 2 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines ersten optoelektronischen Bauelements 10, das den Reflektor 100 aufweist. Das erste optoelektronische Bauelement 10 ist dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht oder Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich, zu emittieren. Das erste optoelektronische Bauelement 10 kann beispielsweise ein Leuchtdioden-Bauelement (LED-Bauelement) sein. Das erste optoelektronische Bauelement 10 ist dazu ausgebildet, zwei voneinander beabstandete Raum- oder Flächenbereiche zu beleuchten. 1 shows a schematic perspective view of a reflector 100 , 2 shows a schematic perspective view of a first optoelectronic component 10 that the reflector 100 having. The first optoelectronic component 10 is designed to emit electromagnetic radiation, for example visible light or light having a wavelength from the infrared spectral range. The first optoelectronic component 10 For example, it may be a light-emitting diode component (LED component). The first optoelectronic component 10 is designed to illuminate two spaced space or area areas.
Das erste optoelektronische Bauelement 10 weist ein Gehäuse 500 auf. Das Gehäuse 500 kann beispielsweise ein Kunststoffmaterial aufweisen, beispielsweise ein Epoxidharz. Das Gehäuse 500 kann beispielsweise durch ein Formverfahren (Moldverfahren) hergestellt sein, insbesondere beispielsweise durch Spritzpressen (Transfer Molding) oder durch Spritzgießen (Injection Molding). The first optoelectronic component 10 has a housing 500 on. The housing 500 may for example comprise a plastic material, for example an epoxy resin. The housing 500 can be produced for example by a molding process (molding process), in particular for example by transfer molding (transfer molding) or by injection molding (injection molding).
Das Gehäuse 500 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 weist eine Oberseite 501 und eine der Oberseite 501 gegenüberliegende Unterseite 502 auf. Die Unterseite 502 des Gehäuses 500 bildet eine Montagefläche 530 des ersten optoelektronischen Bauelements 10. Zur Montage des ersten optoelektronischen Bauelements 10 kann die Montagefläche 530 beispielsweise auf einer Leiterplatte oder einem anderen Schaltungsträger angeordnet werden. An der Montagefläche 530 des Gehäuses 500 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 können elektrische Kontaktflächen des ersten optoelektronischen Bauelements 10 angeordnet sein. Das erste optoelektronische Bauelement 10 kann beispielsweise als SMT-Bauelement für eine Oberflächenmontage vorgesehen sein, beispielsweise für eine Oberflächenmontage durch Wiederaufschmelzlöten (Reflow-Löten). The housing 500 of the first optoelectronic component 10 has a top 501 and one of the top 501 opposite bottom 502 on. The bottom 502 of the housing 500 forms a mounting surface 530 of the first optoelectronic component 10 , For mounting the first optoelectronic component 10 can the mounting surface 530 be arranged for example on a circuit board or other circuit carrier. At the mounting surface 530 of the housing 500 of the first optoelectronic component 10 can electrical contact surfaces of the first optoelectronic component 10 be arranged. The first optoelectronic component 10 may be provided, for example, as an SMT component for surface mounting, for example for surface mounting by reflow soldering (reflow soldering).
An seiner Oberseite 501 weist das Gehäuse 500 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 eine Kavität 510 auf. Die Kavität 510 bildet eine Vertiefung, die sich an der Oberseite 501 des Gehäuses 500 in das Gehäuse 500 hinein erstreckt. Eine reflektierende Wandung 130 der Kavität 510 bildet den Reflektor 100. Der Reflektor 100 ist damit als Hohlspiegel 520 ausgebildet. Die reflektierende Wandung 130 der Kavität 510 kann eine optisch gut reflektierende Beschichtung aufweisen, beispielsweise eine metallische Beschichtung. Alternativ kann auch das Material des Gehäuses 500 selbst eine ausreichende Reflektivität aufweisen.At its top 501 shows the case 500 of the first optoelectronic component 10 a cavity 510 on. The cavity 510 forms a depression, which is at the top 501 of the housing 500 in the case 500 extends into it. A reflective wall 130 the cavity 510 forms the reflector 100 , The reflector 100 is thus as a concave mirror 520 educated. The reflective wall 130 the cavity 510 may have a good optical reflective coating, such as a metallic coating. Alternatively, the material of the housing 500 even have sufficient reflectivity.
Der Reflektor 100 weist ein erstes Längsende 101 und ein zweites Längsende 102 auf. Das erste Längsende 101 wird durch den Bodenbereich der Kavität 510 des Gehäuses 500 gebildet. Das zweite Längsende 102 des Reflektors 100 wird durch die Öffnung der Kavität 510 an der Oberseite 501 des Gehäuses 500 gebildet. Der Reflektor 100 weitet sich von seinem ersten Längsende 101 zu seinem zweiten Längsende 102 auf. The reflector 100 has a first longitudinal end 101 and a second longitudinal end 102 on. The first longitudinal end 101 gets through the bottom area of the cavity 510 of the housing 500 educated. The second longitudinal end 102 of the reflector 100 is through the opening of the cavity 510 at the top 501 of the housing 500 educated. The reflector 100 expands from its first longitudinal end 101 to its second longitudinal end 102 on.
Der Reflektor 100 umfasst einen ersten Teilreflektor 200 und einen zweiten Teilreflektor 300. Der erste Teilreflektor 200 weist eine erste Hauptabstrahlrichtung 210 auf. Der zweite Teilreflektor 300 weist eine zweite Hauptabstrahlrichtung 310 auf. Die erste Hauptabstrahlrichtung 210 und die zweite Hauptabstrahlrichtung 310 erstrecken sich jeweils vom ersten Längsende 101 des Reflektors 100 zum zweiten Längsende 102 des Reflektors 100. Dabei sind die erste Hauptabstrahlrichtung 210 und die zweite Hauptabstrahlrichtung 310 allerdings nicht parallel zueinander orientiert, sondern schließen einen Winkel 110 ein, der größer als 0° ist. The reflector 100 includes a first partial reflector 200 and a second subreflector 300 , The first partial reflector 200 has a first main emission direction 210 on. The second partial reflector 300 has a second main emission direction 310 on. The first main emission direction 210 and the second main emission direction 310 each extend from the first longitudinal end 101 of the reflector 100 to the second longitudinal end 102 of the reflector 100 , Here are the first main emission direction 210 and the second main emission direction 310 but not oriented parallel to each other, but close an angle 110 a greater than 0 °.
Der erste Teilreflektor 200 weitet sich vom ersten Längsende 101 des Reflektors 100 zum zweiten Längsende 102 des Reflektors 100 auf. Auch der zweite Teilreflektor 300 weitet sich vom ersten Längsende 101 des Reflektors 100 in Richtung zum zweiten Längsende 102 des Reflektors 100 auf.The first partial reflector 200 expands from the first longitudinal end 101 of the reflector 100 to the second longitudinal end 102 of the reflector 100 on. Also the second partial reflector 300 expands from the first longitudinal end 101 of the reflector 100 towards the second longitudinal end 102 of the reflector 100 on.
Der erste Teilreflektor 200 weist eine reflektierende Wandung 230 auf, die durch einen ersten Teil der reflektierenden Wandung 130 des Reflektors 100 gebildet wird. Der zweite Teilreflektor 300 weist eine reflektierende Wandung 330 auf, die durch einen zweiten Teil der reflektierenden Wandung 130 des Reflektors 100 gebildet wird.The first partial reflector 200 has a reflective wall 230 on, passing through a first part of the reflective wall 130 of the reflector 100 is formed. The second partial reflector 300 has a reflective wall 330 on, passing through a second part of the reflective wall 130 of the reflector 100 is formed.
Der Reflektor 100 weist ein eingeschlossenes Volumen 120 auf, das durch die reflektierende Wandung 130 des Reflektors 100 umgrenzt ist und sich vom ersten Längsende 101 des Reflektors 100 bis zum zweiten Längsende 102 des Reflektors 100 erstreckt. Das eingeschlossene Volumen 120 des Reflektors 100 umfasst ein erstes Teilvolumen 220, das durch den ersten Teilreflektor 200 eingeschlossen ist, und ein zweites Teilvolumen 320, das durch den zweiten Teilreflektor 300 eingeschlossen ist. Dabei hängen das erste Teilvolumen 220 und das zweite Teilvolumen 320 des eingeschlossenen Volumens 120 zwischen dem ersten Längsende 101 und dem zweiten Längsende 102 des Reflektors 100 durchgehend zusammen. The reflector 100 has an enclosed volume 120 on, through the reflective wall 130 of the reflector 100 is bounded and extending from the first longitudinal end 101 of the reflector 100 to the second longitudinal end 102 of the reflector 100 extends. The enclosed volume 120 of the reflector 100 includes a first subvolume 220 passing through the first subreflector 200 is included, and a second subvolume 320 passing through the second subreflector 300 is included. The first partial volume depends on this 220 and the second subvolume 320 of the enclosed volume 120 between the first longitudinal end 101 and the second longitudinal end 102 of the reflector 100 together throughout.
Die reflektierende Wandung 230 des ersten Teilreflektors 200 bildet einen Teil eines ersten Rotationsparaboloids. Die Symmetrieachse des ersten Rotationsparaboloids bildet die erste Hauptabstrahlrichtung 210 des ersten Teilreflektors 200. Die reflektierende Wandung 330 des zweiten Teilreflektors 300 bildet einen Teil eines zweiten Rotationsparaboloids. Die Symmetrieachse des zweiten Rotationsparaboloids bildet die zweite Hauptabstrahlrichtung 310 des zweiten Teilreflektors 300. Die zwei Rotationsparaboloide sind so angeordnet, dass sie einander teilweise überlappen und ihre Symmetrieachsen den Winkel 110 einschließen. Das durch den Reflektor 100 eingeschlossene Volumen 120 bildet die Vereinigungsmenge der durch die zwei Rotationsparaboloide eingeschlossenen Volumina. Die reflektierende Wandung 130 des Reflektors 100 wird durch die Mantelfläche dieser Vereinigungsmenge gebildet. The reflective wall 230 of the first subreflector 200 forms part of a first paraboloid of revolution. The axis of symmetry of the first paraboloid of revolution forms the first main emission direction 210 of the first subreflector 200 , The reflective wall 330 of the second subreflector 300 forms part of a second paraboloid of revolution. The axis of symmetry of the second paraboloid of revolution forms the second main emission direction 310 of the second subreflector 300 , The two paraboloidal rotors are arranged so that they partially overlap each other and their axes of symmetry overlap the angle 110 lock in. That through the reflector 100 enclosed volumes 120 forms the union of the volumes enclosed by the two paraboloid rotors. The reflective wall 130 of the reflector 100 is formed by the lateral surface of this union.
Es ist allerdings ebenfalls möglich, die reflektierende Wandung 230 des ersten Teilreflektors 200 und/oder die reflektierende Wandung 330 des zweiten Teilreflektors 300 mit anderer Form als der von Teilen von Rotationsparaboloiden auszubilden. Beispielsweise können die reflektierenden Wandungen 230, 330 der Teilreflektoren 200, 300 des Reflektors 100 sphärisch, kegelförmig oder als beliebige Freiformflächen ausgebildet sein. However, it is also possible, the reflective wall 230 of the first subreflector 200 and / or the reflective wall 330 of the second subreflector 300 form with other shape than that of parts of paraboloid of revolution. For example, the reflective walls 230 . 330 the partial reflectors 200 . 300 of the reflector 100 spherical, conical or be designed as any free-form surfaces.
Das erste optoelektronische Bauelement 10 weist einen optoelektronischen Halbleiterchip 400 auf. Der optoelektronische Halbleiterchip 400 ist dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht oder Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich, zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip 400 kann beispielsweise ein Leuchtdioden-Chip (LED-Chip) sein. Der optoelektronische Halbleiterchip 400 weist eine Strahlungsemissionsfläche 410 auf. Im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips 400 wird elektromagnetische Strahlung an der Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 emittiert. The first optoelectronic component 10 has an optoelectronic semiconductor chip 400 on. The optoelectronic semiconductor chip 400 is designed to emit electromagnetic radiation, for example visible light or light having a wavelength from the infrared spectral range. The optoelectronic semiconductor chip 400 may be, for example, a light-emitting diode chip (LED chip). The optoelectronic semiconductor chip 400 has a radiation emission surface 410 on. In the operation of the optoelectronic semiconductor chip 400 becomes electromagnetic radiation at the radiation emission surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400 emitted.
Der optoelektronische Halbleiterchip 400 ist in der Kavität 510 des Gehäuses 500 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 angeordnet. Dabei ist die Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 zum zweiten Längsende 102 des Reflektors 100 orientiert. The optoelectronic semiconductor chip 400 is in the cavity 510 of the housing 500 of the first optoelectronic component 10 arranged. Here is the radiation emission surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400 to the second longitudinal end 102 of the reflector 100 oriented.
Der Reflektor 100 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 ist dazu vorgesehen, das durch den optoelektronischen Halbleiterchip 400 emittierte Licht zu bündeln und in zwei Teilbündel aufzuteilen. Hierzu ist der optoelektronische Halbleiterchip 400 derart in der Kavität 510 des Gehäuses 500 angeordnet, dass ein Brennpunkt 240 des ersten Teilreflektors 200 und ein Brennpunkt 340 des zweiten Teilreflektors 300 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 möglichst nahe an der Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 liegen. Beispielsweise kann der optoelektronische Halbleiterchip 400 derart in der Kavität 510 des Gehäuses 500 angeordnet sein, dass ein Punkt 411 der Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 um weniger als die Kantenlänge der Strahlungsemissionsfläche 410 von dem Brennpunkt 240 des ersten Teilreflektors 200 und von dem Brennpunkt 340 des zweiten Teilreflektors 300 beabstandet ist. Dadurch wird von dem optoelektronischen Halbleiterchip 400 emittiertes Licht durch den ersten Teilreflektor 200 und den zweiten Teilreflektor 300 des Reflektors 100 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 in zwei Lichtbündel aufgeteilt, die in die erste Hauptabstrahlrichtung 210 und in die zweite Hauptabstrahlrichtung 310 abgestrahlt werden. The reflector 100 of the first optoelectronic component 10 is intended to that through the optoelectronic semiconductor chip 400 bundle emitted light and divide it into two sub-beams. For this purpose, the optoelectronic semiconductor chip 400 so in the cavity 510 of the housing 500 arranged that a focal point 240 of the first subreflector 200 and a focal point 340 of the second subreflector 300 of the first optoelectronic component 10 as close as possible to the radiation emission surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400 lie. For example, the optoelectronic semiconductor chip 400 so in the cavity 510 of the housing 500 be arranged that one point 411 the radiation emission surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400 less than the edge length of the radiation emission surface 410 from the focal point 240 of the first subreflector 200 and from the focal point 340 of the second subreflector 300 is spaced. As a result of the optoelectronic semiconductor chip 400 emitted light through the first partial reflector 200 and the second subreflector 300 of the reflector 100 of the first optoelectronic component 10 divided into two light bundles, which are in the first main emission direction 210 and in the second main emission direction 310 be radiated.
3 zeigt eine schematische Darstellung eines Bestrahlungsintensitätsdiagramms 700, das eine Bestrahlungsintensität in einer durch das erste optoelektronische Bauelement 10 beleuchteten Ebene angibt, die parallel zur Montagefläche 530 des Gehäuses 500 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 orientiert ist und in Richtung der ersten Hauptabstrahlrichtung 210 und der zweiten Hauptabstrahlrichtung 310 über der Oberseite 501 des Gehäuses 500 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 angeordnet ist. Eine erste Raumrichtung 701 der durch das erste optoelektronische Bauelement 10 beleuchteten Ebene ist parallel zu einer Ebene orientiert, in der die erste Hauptabstrahlrichtung 210 und die zweite Hauptabstrahlrichtung 310 angeordnet sind. Eine zweite Raumrichtung 702 der durch das erste optoelektronische Bauelement 10 beleuchteten Ebene ist senkrecht zur ersten Raumrichtung 701 orientiert. 3 shows a schematic representation of an irradiation intensity diagram 700 , which has an irradiation intensity in one of the first optoelectronic component 10 illuminated level indicates that parallel to the mounting surface 530 of the housing 500 of the first optoelectronic component 10 is oriented and in the direction of the first main emission 210 and the second main emission direction 310 over the top 501 of the housing 500 of the first optoelectronic component 10 is arranged. A first spatial direction 701 the through the first opto-electronic device 10 illuminated plane is oriented parallel to a plane in which the first main emission direction 210 and the second main emission direction 310 are arranged. A second spatial direction 702 the through the first opto-electronic device 10 illuminated plane is perpendicular to the first spatial direction 701 oriented.
Das Bestrahlungsintensitätsdiagramm 700 zeigt ein erstes Intensitätsmaximum 710 und ein von dem ersten Intensitätsmaximum 710 beabstandetes zweites Intensitätsmaximum 720, das in die erste Raumrichtung 701 gegen das erste Intensitätsmaximum 710 verschoben ist. Das erste Intensitätsmaximum 710 wird durch das durch den ersten Teilreflektor 200 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 erzeugte Lichtbündel bewirkt. Das zweite Intensitätsmaximum 720 wird durch das Lichtbündel erzeugt, das durch den zweiten Teilreflektor 300 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 abgestrahlt wird. The radiation intensity diagram 700 shows a first intensity maximum 710 and one of the first intensity maximum 710 spaced second intensity maximum 720 in the first spatial direction 701 against the first intensity maximum 710 is moved. The first intensity maximum 710 gets through that through the first subreflector 200 of the first optoelectronic component 10 generated light beam causes. The second intensity maximum 720 is generated by the light beam through the second sub-reflector 300 of the first optoelectronic component 10 is emitted.
Bei dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 ist die Montagefläche 530 an der Unterseite 502 des Gehäuses 500 parallel zur Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 orientiert. Eine Ebene, in der die erste Hauptabstrahlrichtung 210 des ersten Teilreflektors 200 und die zweite Hauptabstrahlrichtung 310 des zweiten Teilreflektors 300 angeordnet sind, ist senkrecht zur Montagefläche 530 orientiert. Dadurch sind das erste Intensitätsmaximum 710 und das zweite Intensitätsmaximum 720 in dem Bestrahlungsintensitätsdiagramm 700 mittig um einen Punkt angeordnet, der in zur Montagefläche 530 senkrechte Richtung auf einen Mittelpunkt der Öffnung der Kavität 510 an der Oberseite 501 des Gehäuses 500 projiziert werden kann. Das erste optoelektronische Bauelement 10 bildet damit ein Toplooker-Bauelement.In the first optoelectronic device 10 is the mounting surface 530 on the bottom 502 of the housing 500 parallel to the radiation emission surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400 oriented. A plane in which the first main emission direction 210 of the first subreflector 200 and the second main emission direction 310 of the second subreflector 300 are arranged perpendicular to the mounting surface 530 oriented. This is the first intensity maximum 710 and the second intensity maximum 720 in the irradiation intensity diagram 700 centered around a point, the in to the mounting surface 530 vertical direction to a center of the opening of the cavity 510 at the top 501 of the housing 500 can be projected. The first optoelectronic component 10 thus forms a Toplooker component.
Es ist möglich, die Montagefläche 530 an der Unterseite 502 des Gehäuses 500 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 anders als parallel zur Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 und/oder anders als senkrecht zu der die erste Hauptabstrahlrichtung 210 und die zweite Hauptabstrahlrichtung 310 umfassenden Ebene anzuordnen. Dadurch kann erreicht werden, dass das erste Intensitätsmaximum 710 und das zweite Intensitätsmaximum 720 in dem Bestrahlungsintensitätsdiagramm 700 in die erste Raumrichtung 701 und/oder in die zweite Raumrichtung 702 gegen den Mittelpunkt verschoben werden. It is possible the mounting surface 530 on the bottom 502 of the housing 500 of the first optoelectronic component 10 different than parallel to the radiation emission surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400 and / or other than perpendicular to the first main radiation direction 210 and the second main emission direction 310 comprehensive level. This can be achieved that the first intensity maximum 710 and the second intensity maximum 720 in the irradiation intensity diagram 700 in the first spatial direction 701 and / or in the second spatial direction 702 be moved against the center.
4 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines zweiten optoelektronischen Bauelements 20. Das zweite optoelektronische Bauelement 20 weist große Übereinstimmungen mit den ersten optoelektronischen Bauelement 10 auf. Einander entsprechende Komponenten sind in der Darstellung des ersten optoelektronischen Bauelements 10 in 2 und in der Darstellung des zweiten optoelektronischen Bauelements 20 in 4 mit denselben Bezugszeichen versehen. Nachfolgend werden nur die Unterschiede zwischen dem zweiten optoelektronischen Bauelement 20 und dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 beschrieben. 4 shows a schematic perspective view of a second optoelectronic component 20 , The second optoelectronic component 20 has great similarities with the first optoelectronic device 10 on. Corresponding components are in the representation of the first optoelectronic component 10 in 2 and in the illustration of the second optoelectronic component 20 in 4 provided with the same reference numerals. Below, only the differences between the second optoelectronic component 20 and the first optoelectronic device 10 described.
Das Gehäuse 500 des zweiten optoelektronischen Bauelements 20 ist als spritzgegossener Schaltungsträger (Molded Interconnect Device; MID) ausgebildet. Das Gehäuse 500 weist ein Kunststoffmaterial und an Oberflächen des Gehäuses 500 angeordnete Metallisierungen auf. Eine erste Metallisierung erstreckt sich über die reflektierende Wandung 130 und den Bodenbereich der Kavität 510 und bildet einen ersten Kontaktbereich 540. Eine erste elektrische Kontaktfläche des am Bodenbereich der Kavität 510 angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips 400 ist elektrisch leitend mit der den ersten Kontaktbereich 540 bildenden Metallisierung verbunden. Eine von dem ersten Kontaktbereich 540 beabstandete und elektrisch gegen den ersten Kontaktbereich 540 isolierte weitere Metallisierung an der Oberfläche des Gehäuses 500 bildet einen zweiten Kontaktbereich 550. Eine zweite elektrische Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 400 ist mittels eines Bonddrahts 560 elektrisch leitend mit dem zweiten Kontaktbereich 550 verbunden. The housing 500 of the second optoelectronic component 20 is designed as an injection-molded circuit carrier (Molded Interconnect Device; MID). The housing 500 has a plastic material and surfaces of the housing 500 arranged metallizations on. A first metallization extends over the reflective wall 130 and the bottom area of the cavity 510 and forms a first contact area 540 , A first electrical contact surface of the at the bottom region of the cavity 510 arranged optoelectronic semiconductor chips 400 is electrically conductive with the first contact area 540 associated with forming metallization. One from the first contact area 540 spaced and electrically against the first contact area 540 isolated further metallization on the surface of the housing 500 forms a second contact area 550 , A second electrical contact surface of the optoelectronic semiconductor chip 400 is by means of a bonding wire 560 electrically conductive with the second contact area 550 connected.
Die den ersten Kontaktbereich 540 bildende Metallisierung kann im Bereich der reflektierenden Wandung 130 der Kavität 510 auch dazu dienen, die Reflektivität der reflektierenden Wandung 130 zu erhöhen. The first contact area 540 forming metallization may be in the area of the reflective wall 130 the cavity 510 also serve to reflect the reflectivity of the reflective wall 130 to increase.
An der Montagefläche 530 des Gehäuses 500 können die den ersten Kontaktbereich 540 und den zweiten Kontaktbereich 550 bildenden Metallisierungen elektrische Lötkontaktflächen des zweiten optoelektronischen Bauelements 20 bilden. At the mounting surface 530 of the housing 500 can be the first contact area 540 and the second contact area 550 forming metallizations electrical solder pads of the second optoelectronic device 20 form.
Im in 4 schematisch dargestellten Beispiel weist das Gehäuse 500 des zweiten optoelektronischen Bauelements 20 eine im Wesentlichen quaderförmige Grundform auf. Es ist aber ebenfalls möglich, das Gehäuse 500 mit anderer Geometrie auszubilden. Beispielsweise kann das Gehäuse 500 mit zwei an einander gegenüberliegenden Seiten des Gehäuses 500 auskragenden Stegen ausgebildet werden, die elektrische Lötkontaktflächen des zweiten optoelektronischen Bauelements 20 tragen. Die auskragenden Stege können dazu dienen, das zweite optoelektronische Bauelement 20 in teilweise versenkter Anordnung in einer Öffnung einer Leiterplatte zu befestigen. Im in 4 schematically illustrated example, the housing 500 of the second optoelectronic component 20 a substantially cuboid basic shape. But it is also possible, the housing 500 with other geometry. For example, the housing 500 with two opposite sides of the housing 500 cantilevered webs are formed, the electrical solder pads of the second optoelectronic device 20 wear. The cantilevered webs can serve the second optoelectronic component 20 to be mounted in partially sunk arrangement in an opening of a circuit board.
Es ist auch möglich, die Montagefläche 530 an einer anderen als der Unterseite 502 des Gehäuses 500 auszubilden. Beispielsweise könnte die Montagefläche 530 an einer zu der Unterseite 502 senkrechten Seitenfläche des Gehäuses 500 ausgebildet sein. In diesem Fall bildet das zweite optoelektronische Bauelement 20 ein Sidelooker-Bauelement.It is also possible to use the mounting surface 530 at another than the bottom 502 of the housing 500 train. For example, the mounting surface could 530 at one to the bottom 502 vertical side surface of the housing 500 be educated. In this case, the second optoelectronic component forms 20 a sidelooker component.
5 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines Reflektors 1100 gemäß einer zweiten Ausführungsform. 6 zeigt eine schematische Ansicht eines dritten optoelektronischen Bauelements 30, das den Reflektor 1100 umfasst. Der Reflektor 1100 weist große Übereinstimmungen mit dem Reflektor 100 der 1 auf. Das dritte optoelektronische Bauelement 30 weist große Übereinstimmungen mit den ersten optoelektronischen Bauelement 10 der 2 auf. Entsprechende Komponenten sind in 5 und 6 mit denselben Bezugszeichen versehen wie in den vorhergehenden Figuren. Nachfolgend werden lediglich die abweichenden Eigenschaften des Reflektors 1100 und des dritten optoelektronischen Bauelements 30 beschrieben. 5 shows a schematic perspective view of a reflector 1100 according to a second embodiment. 6 shows a schematic view of a third optoelectronic device 30 that the reflector 1100 includes. The reflector 1100 has big matches with the reflector 100 of the 1 on. The third optoelectronic component 30 has great similarities with the first optoelectronic device 10 of the 2 on. Corresponding components are in 5 and 6 provided with the same reference numerals as in the preceding figures. Below are only the different properties of the reflector 1100 and the third optoelectronic device 30 described.
Bei dem Reflektor 1100 ist die Kavität 510 nicht zur Oberseite 501, sondern zu einer Vorderseite 503 geöffnet, die sich zwischen der Oberseite 501 und der Unterseite 502 des Gehäuses 500 erstreckt. Die Kavität 510 erstreckt sich von der Vorderseite 503 des Gehäuses 500 in das Gehäuse 500 hinein. Die Erstreckungsrichtung der Kavität 510 innerhalb des Gehäuses 500 ist bei dem Reflektor 1100 gegenüber dem Reflektor 100 um 90° gedreht. Die reflektierende Wandung 130 der Kavität 510 bildet den Reflektor 1100. Das zweite Längsende 102 des Reflektors 1100 ist an der Öffnung der Kavität 510 an der Vorderseite 503 des Gehäuses 500 gebildet.At the reflector 1100 is the cavity 510 not to the top 501 but to a front 503 open, located between the top 501 and the bottom 502 of the housing 500 extends. The cavity 510 extends from the front 503 of the housing 500 in the case 500 into it. The extension direction of the cavity 510 inside the case 500 is at the reflector 1100 opposite the reflector 100 turned by 90 degrees. The reflective wall 130 the cavity 510 forms the reflector 1100 , The second longitudinal end 102 of the reflector 1100 is at the opening of the cavity 510 on the front side 503 of the housing 500 educated.
Der Reflektor 1100 umfasst einen ersten Teilreflektor 1200 und einen zweiten Teilreflektor 1300. Die erste Hauptabstrahlrichtung 210 des ersten Teilreflektors 1200 und die zweite Hauptabstrahlrichtung 310 des zweiten Teilreflektors 1300 erstrecken sich jeweils vom ersten Längsende 101 des Reflektors 1100 zum zweiten Längsende 102 des Reflektors 1100. Die erste Hauptabstrahlrichtung 210 und die zweite Hauptabstrahlrichtung 220 schließen wiederum den Winkel 110 ein. The reflector 1100 includes a first partial reflector 1200 and a second subreflector 1300 , The first main emission direction 210 of the first subreflector 1200 and the second main emission direction 310 of the second subreflector 1300 each extend from the first longitudinal end 101 of the reflector 1100 to the second longitudinal end 102 of the reflector 1100 , The first main emission direction 210 and the second main emission direction 220 in turn close the angle 110 one.
Die Kavität 510 des Gehäuses 500 des dritten optoelektronischen Bauelements 30 ist zusätzlich zur Unterseite 502 des Gehäuses 500 geöffnet. Das von dem Reflektor 1100 eingeschlossene Volumen 120 weist dadurch eine Form auf, die dadurch gebildet werden kann, dass das von dem Reflektor 100 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 eingeschlossene Volumen 120 an einer Ebene geschnitten wird, die zu einer Ebene parallel ist, die die erste Hauptabstrahlrichtung 210 und die zweite Hauptabstrahlrichtung 310 des Reflektors 100 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 umfasst. Diese Schnittebene bildet bei dem Gehäuse 500 des dritten optoelektronischen Bauelements 30 die Unterseite 502. The cavity 510 of the housing 500 of the third optoelectronic component 30 is in addition to the bottom 502 of the housing 500 open. That of the reflector 1100 enclosed volumes 120 thereby has a shape that can be formed by that of the reflector 100 of the first optoelectronic component 10 enclosed volumes 120 is cut at a plane which is parallel to a plane which is the first main emission direction 210 and the second main emission direction 310 of the reflector 100 of the first optoelectronic component 10 includes. This cutting plane forms in the housing 500 of the third optoelectronic component 30 the bottom 502 ,
Der optoelektronische Halbleiterchip 400 des dritten optoelektronischen Bauelements 30 ist so angeordnet, dass die Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 zu der reflektierenden Wandung 130 des Reflektors 1100 orientiert ist. Dadurch sind die erste Hauptabstrahlrichtung 210 des ersten Teilreflektors 1200 und die zweite Hauptabstrahlrichtung 220 des zweiten Teilreflektors 1300 des Reflektors 1100 des dritten optoelektronischen Bauelements 30 parallel zur Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 orientiert. The optoelectronic semiconductor chip 400 of the third optoelectronic component 30 is arranged so that the radiation emission surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400 to the reflective wall 130 of the reflector 1100 is oriented. As a result, the first main emission direction 210 of the first subreflector 1200 and the second main emission direction 220 of the second subreflector 1300 of the reflector 1100 of the third optoelectronic component 30 parallel to the radiation emission surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400 oriented.
Wiederum ist der optoelektronische Halbleiterchip 400 so angeordnet, dass der Brennpunkt 240 des ersten Teilreflektors 1200 und der Brennpunkt 340 des zweiten Teilreflektors 1300 möglichst nahe an der Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 liegen. Wiederum kann der optoelektronische Halbleiterchip 400 beispielsweise so angeordnet sein, dass ein Punkt 411 der Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 um weniger als die Kantenlänge der Strahlungsemissionsfläche 410 von dem Brennpunkt 240 des ersten Teilreflektors 1200 und von dem Brennpunkt 340 des zweiten Teilreflektors 1300 beabstandet ist. Again, the optoelectronic semiconductor chip 400 arranged so that the focal point 240 of the first subreflector 1200 and the focal point 340 of the second subreflector 1300 as close as possible to the radiation emission surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400 lie. Again, the optoelectronic semiconductor chip 400 for example, be arranged so that a point 411 the radiation emission surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400 less than the edge length of the radiation emission surface 410 from the focal point 240 of the first subreflector 1200 and from the focal point 340 of the second subreflector 1300 is spaced.
Der Reflektor 1100 des dritten optoelektronischen Bauelements 30 dient dazu, von dem optoelektronischen Halbleiterchip 400 emittierte elektromagnetische Strahlung zu bündeln und in zwei Teilbündel aufzuspalten. Dies erfolgt zumindest teilweise durch Reflexion der durch den optoelektronischen Halbleiterchip 400 emittierten elektromagnetischen Strahlung an der reflektierenden Wandung 230 des ersten Teilreflektors 1200 und an der reflektierenden Wandung 330 des zweiten Teilreflektors 1300. Die durch den Reflektor 1100 des dritten optoelektronischen Bauelements 30 erzeugten und in die erste Hauptabstrahlrichtung 210 und in die zweite Hauptabstrahlrichtung 310 abgestrahlten Teilbündel erzeugen in einem von dem dritten optoelektronischen Bauelement 30 beleuchteten Raum- oder Flächenbereich zwei voneinander beabstandete Intensitätsmaxima. The reflector 1100 of the third optoelectronic component 30 serves to from the optoelectronic semiconductor chip 400 to bundle emitted electromagnetic radiation and split it into two sub-beams. This is done at least partially by reflection of the through the optoelectronic semiconductor chip 400 emitted electromagnetic radiation on the reflective wall 230 of the first subreflector 1200 and on the reflective wall 330 of the second subreflector 1300 , The through the reflector 1100 of the third optoelectronic component 30 generated and in the first main emission direction 210 and in the second main emission direction 310 emitted partial beams generate in one of the third optoelectronic component 30 illuminated space or surface area two spaced apart intensity maxima.
Die an der Unterseite 502 des Gehäuses 500 des dritten optoelektronischen Bauelements 30 gebildete Montagefläche 530 des dritten optoelektronischen Bauelements 30 ist in dem in 6 gezeigten Beispiel parallel zur Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 und parallel zu einer die erste Hauptabstrahlrichtung 210 und die zweite Hauptabstrahlrichtung 310 umfassenden Ebene orientiert. Dadurch bildet das dritte optoelektronische Bauelement 30 ein Sidelooker-Bauelement. Wiederum ist es aber möglich, die Montagefläche 530 des Gehäuses 500 des dritten optoelektronischen Bauelements 30 gegen die Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 und/oder gegen die die Hauptabstrahlrichtungen 210, 310 einschließende Ebene zu neigen, um die von dem dritten optoelektronischen Bauelement 30 erzeugten Intensitätsmaxima seitlich zu verschieben. The at the bottom 502 of the housing 500 of the third optoelectronic component 30 formed mounting surface 530 of the third optoelectronic component 30 is in the in 6 Example shown in parallel to the radiation emission surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400 and parallel to a first main radiation direction 210 and the second main emission direction 310 comprehensive level. As a result, the third optoelectronic component forms 30 a sidelooker component. Again, it is possible, the mounting surface 530 of the housing 500 of the third optoelectronic component 30 against the radiation emission surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400 and / or against the main radiation directions 210 . 310 enclosing plane to tilt that of the third optoelectronic device 30 to shift laterally generated intensity maxima.
7 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines Reflektors 2100 gemäß einer dritten Ausführungsform. 7 shows a schematic perspective view of a reflector 2100 according to a third embodiment.
8 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines vierten optoelektronischen Bauelements 40, das den Reflektor 2100 umfasst. Das vierte optoelektronische Bauelement 40 weist große strukturelle und funktionelle Übereinstimmungen mit dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 auf. Übereinstimmende Komponenten sind in 7 und 8 mit denselben Bezugszeichen versehen wie in den 1 und 2. Nachfolgend werden lediglich die Abweichungen des vierten optoelektronischen Bauelements 40 und des Reflektors 2100 von dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 und dem Reflektor 100 beschrieben. 8th shows a schematic perspective view of a fourth optoelectronic component 40 that the reflector 2100 includes. The fourth optoelectronic component 40 has great structural and functional similarities with the first optoelectronic device 10 on. Matching components are in 7 and 8th provided with the same reference numerals as in the 1 and 2 , Only the deviations of the fourth optoelectronic component will be described below 40 and the reflector 2100 from the first optoelectronic component 10 and the reflector 100 described.
Der Reflektor 2100 ist nicht als Hohlspiegel, sondern als Totalreflexionslinse 600 ausgebildet. Der als Totalreflexionslinse 600 ausgebildete Reflektor 2100 weist einen massiven Körper mit einer Geometrie auf, die der Geometrie des durch die reflektierende Wandung 130 des Reflektors 100 eingeschlossenen Volumens 120 des Reflektors 100 entspricht. Dabei weist der als Totalreflexionslinse 600 ausgebildete Reflektor 2100 ein optisch transparentes Material auf, beispielsweise ein Glas oder einen optisch transparenten Kunststoff. The reflector 2100 is not as a concave mirror, but as a total reflection lens 600 educated. The as a total reflection lens 600 trained reflector 2100 has a solid body with a geometry that matches the geometry of the reflective wall 130 of the reflector 100 enclosed volume 120 of the reflector 100 equivalent. In this case, has as a total reflection lens 600 trained reflector 2100 an optically transparent material, for example a glass or an optically transparent plastic.
Bei dem als Totalreflexionslinse 600 ausgebildeten Reflektor 2100 wird die reflektierende Wandung 130 durch eine äußere Mantelfläche des massiven Körpers gebildet. Im Inneren des massiven Körpers des als Totalreflexionslinse 600 ausgebildeten Reflektors 2100 laufende elektromagnetische Strahlung kann an der reflektierenden Wandung 130 des Reflektors 2100 totalreflektiert werden. Am zweiten Längsende 102 des Reflektors 2100 kann elektromagnetische Strahlung aus dem Reflektor 2100 austreten.In the case of a total reflection lens 600 trained reflector 2100 becomes the reflective wall 130 formed by an outer circumferential surface of the solid body. Inside the massive body of the total reflection lens 600 trained reflector 2100 Current electromagnetic radiation can be at the reflective wall 130 of the reflector 2100 be totally reflected. At the second longitudinal end 102 of the reflector 2100 can emit electromagnetic radiation from the reflector 2100 escape.
Der Reflektor 2100 umfasst einen ersten Teilreflektor 2200 und einen zweiten Teilreflektor 2300. Der erste Teilreflektor 2200 ist ausgebildet wie das erste Teilvolumen 220 des ersten Teilreflektors 200 des ersten optoelektronischen Bauelements 10. Der zweite Teilreflektor 2300 ist ausgebildet wie das zweite Teilvolumen 320 des zweiten Teilreflektors 300 des ersten optoelektronischen Bauelements 10. Der Reflektor 2100 dient dazu, elektromagnetische Strahlung, die durch den optoelektronischen Halbleiterchip 400 des vierten optoelektronischen Bauelements 40 emittiert wird, zu bündeln und in zwei Teilbündel aufzuteilen, die in die erste Hauptabstrahlrichtung 210 des ersten Teilreflektors 2200 und in die zweite Hauptabstrahlrichtung 310 des zweiten Teilreflektors 2300 des Reflektors 2100 des vierten optoelektronischen Bauelements 40 abgestrahlt werden. The reflector 2100 includes a first partial reflector 2200 and a second subreflector 2300 , The first partial reflector 2200 is designed as the first sub-volume 220 of the first subreflector 200 of the first optoelectronic component 10 , The second partial reflector 2300 is formed as the second sub-volume 320 of the second subreflector 300 of the first optoelectronic component 10 , The reflector 2100 serves to transmit electromagnetic radiation through the optoelectronic semiconductor chip 400 of the fourth optoelectronic component 40 is emitted, bundled and divided into two sub-beams, which in the first main emission direction 210 of the first subreflector 2200 and in the second main emission direction 310 of the second subreflector 2300 of the reflector 2100 of the fourth optoelectronic component 40 be radiated.
Der als Totalreflexionslinse 600 ausgebildete Reflektor 2100 ist bei dem vierten optoelektronischen Bauelement 40 derart über der Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 angeordnet, dass die Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 zum zweiten Längsende 102 des Reflektors 2100 orientiert ist. Wiederum ist die Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 möglichst nahe an den Brennpunkten 240, 340 des ersten Teilreflektors 2200 und des zweiten Teilreflektors 2300 angeordnet. Beispielsweise kann ein Punkt 411 der Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 um weniger als die Kantenlänge der Strahlungsemissionsfläche 410 von den Brennpunkten 240, 340 der Teilreflektoren 2200, 2300 des vierten optoelektronischen Bauelements 40 beabstandet sein. The as a total reflection lens 600 trained reflector 2100 is in the fourth optoelectronic device 40 so above the radiation emission surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400 arranged that the radiation emission surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400 to the second longitudinal end 102 of the reflector 2100 is oriented. Again, the radiation emission surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400 as close as possible to the foci 240 . 340 of the first subreflector 2200 and the second subreflector 2300 arranged. For example, a point 411 the radiation emission surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400 less than the edge length of the radiation emission surface 410 from the foci 240 . 340 the partial reflectors 2200 . 2300 of the fourth optoelectronic component 40 be spaced.
Die Montagefläche 530 des vierten optoelektronischen Bauelements 40 ist parallel zur Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 und senkrecht zu der Ebene angeordnet, in der die erste Hauptabstrahlrichtung 210 des ersten Teilreflektors 2200 und die zweite Hauptabstrahlrichtung 310 des zweiten Teilreflektors 2300 angeordnet sind. Dadurch bildet das vierte optoelektronische Bauelement 40 ein Toplooker-Bauelement. Von dem vierten optoelektronischen Bauelement 40 abgestrahltes Licht weist in einem von dem vierten optoelektronischen Bauelement 40 beleuchteten Raum- oder Flächenbereich zwei voneinander beabstandete Intensitätsmaxima auf. Es ist möglich, die Montagefläche 530 des vierten optoelektronischen Bauelements 40 gegenüber der Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 und/oder gegenüber der Ebene, in der die erste Hauptabstrahlrichtung 210 und die zweite Hauptabstrahlrichtung 310 der Teilreflektoren 2200, 2300 des Reflektors 2100 angeordnet sind, zu verkippen, um die Positionen der durch das vierte optoelektronische Bauelement 40 erzeugten Intensitätsmaxima seitlich zu verschieben. The mounting surface 530 of the fourth optoelectronic component 40 is parallel to the radiation emission surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400 and arranged perpendicular to the plane in which the first main emission direction 210 of the first subreflector 2200 and the second main emission direction 310 of the second subreflector 2300 are arranged. As a result, the fourth optoelectronic component forms 40 a toplooker component. From the fourth optoelectronic component 40 radiated light points in one of the fourth optoelectronic component 40 illuminated space or area on two spaced intensity maxima. It is possible the mounting surface 530 of the fourth optoelectronic component 40 opposite the radiation emission surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400 and / or with respect to the plane in which the first main emission direction 210 and the second main emission direction 310 the partial reflectors 2200 . 2300 of the reflector 2100 are arranged to tilt to the positions of the fourth optoelectronic device 40 to shift laterally generated intensity maxima.
In einer nicht dargestellten weiteren Ausführungsform eines Reflektors ist dieser als Totalreflexionslinse ausgebildet, deren massiver Körper die Form des durch den Reflektor 1100 eingeschlossenen Volumens 120 aufweist. Dieser Reflektor kann in einem als Sidelooker-Bauelement ausgebildeten optoelektronischen Bauelement Verwendung finden, bei dem die Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 zu der reflektierenden Wandung 130 des Reflektors orientiert ist. In a further embodiment of a reflector, not shown, this is designed as a total reflection lens whose solid body is the shape of the reflector 1100 enclosed volume 120 having. This reflector can be used in an optoelectronic component designed as a sidelook component, in which the radiation emission surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400 to the reflective wall 130 of the reflector is oriented.
Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen. The invention has been further illustrated and described with reference to the preferred embodiments. However, the invention is not limited to the disclosed examples. Rather, other variations may be deduced therefrom by those skilled in the art without departing from the scope of the invention.
BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS
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1010
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erstes optoelektronisches Bauelement first optoelectronic component
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2020
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zweites optoelektronisches Bauelement second optoelectronic component
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3030
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drittes optoelektronisches Bauelement third optoelectronic component
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4040
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viertes optoelektronisches Bauelement fourth optoelectronic component
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100100
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Reflektor reflector
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101101
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erstes Längsende first longitudinal end
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102102
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zweites Längsende second longitudinal end
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110110
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Winkel angle
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120120
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eingeschlossenes Volumen enclosed volume
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130130
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reflektierende Wandung reflective wall
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200200
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erster Teilreflektor first partial reflector
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210210
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erste Hauptabstrahlrichtung first main emission direction
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220220
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erstes Teilvolumen first partial volume
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230230
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reflektierende Wandung reflective wall
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240240
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Brennpunkt focus
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300300
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zweiter Teilreflektor second partial reflector
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310310
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zweite Hauptabstrahlrichtung second main emission direction
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320320
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zweites Teilvolumen second partial volume
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330330
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reflektierende Wandung reflective wall
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340340
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Brennpunkt focus
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400400
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optoelektronischer Halbleiterchip optoelectronic semiconductor chip
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410410
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Strahlungsemissionsfläche Radiation emitting surface
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411411
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Punkt der Strahlungsemissionsfläche Point of the radiation emission surface
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500500
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Gehäuse casing
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501501
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Oberseite top
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502502
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Unterseite bottom
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503503
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Vorderseite front
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510510
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Kavität cavity
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520520
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Hohlspiegel concave mirror
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530530
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Montagefläche mounting surface
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540540
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erster Kontaktbereich first contact area
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550550
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zweiter Kontaktbereich second contact area
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560560
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Bonddraht bonding wire
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600600
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Totalreflexionslinse Total reflection lens
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700700
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Bestrahlungsintensitätsdiagramm Irradiation intensity chart
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701701
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erste Raumrichtung first spatial direction
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702702
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zweite Raumrichtung second spatial direction
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710710
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erstes Intensitätsmaximum first intensity maximum
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720720
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zweites Intensitätsmaximum second intensity maximum
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11001100
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Reflektor reflector
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12001200
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erster Teilreflektor first partial reflector
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13001300
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zweiter Teilreflektor second partial reflector
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21002100
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Reflektor reflector
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22002200
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erster Teilreflektor first partial reflector
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23002300
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zweiter Teilreflektor second partial reflector
