DE102013207111A1 - Optoelektronisches Bauelement - Google Patents

Optoelektronisches Bauelement Download PDF

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Abstract

Ein optoelektronisches Bauelement mit einem Trägersubstrat (3) und mindestens einem lichtemittierenden Halbleiterchip (2), der auf einer Oberfläche des Trägersubstrats (3) angeordnet ist weist ferner ein Rahmenteil (5), das den lichtemittierenden Halbleiterchip (2) seitlich zumindest teilweise umgibt auf, wobei das Rahmenteil (5) einen Spritzgusskörper (8) umfasst.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einem Trägersubstrat, mindestens einem lichtemittierenden Halbleiterchip, der auf einer Oberfläche des Trägersubstrats angeordnet ist, und einem Rahmenteil, das den lichtemittierenden Halbleiterchip seitlich zumindest teilweise umgibt.
  • Bei der Herstellung von oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelementen (surface mounted device, SMD), wie z.B. Leuchtdioden (light emitting diodes, LED), wird ein lichtemittierender Halbleiterchip oft in einem Blendenrahmen platziert, der eine Kavität um den lichtemittierenden Halbleiterchip ausbildet. Solche optoelektronischen Bauelemente kommen unter anderem im Automobilbereich bei der Fahrzeugbeleuchtung zum Einsatz, wobei der lichtemittierende Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelementes sich dann in der Regel aus einer Vielzahl von Leuchtdioden in Form eines LED Arrays zusammensetzt.
  • Um ein homogenes Strahlungsbild zu erzeugen, wird als Material für eine Verkapselung des lichtemittierenden Halbleiterchips in der durch den Blendenrahmen gebildeten Kavität eine Vergussmasse aus mit Titandioxid versetztem Silikon verwendet. Als Blendenrahmen wird in der Regel ein Rahmenteil aus monokristallinem Silizium eingesetzt. Bei einer Verwendung als Abblendlicht-Anordnung ist nämlich neben einem homogenen Strahlungsbild ein definierter, möglichst scharf umrissener Bereich an mindestens einer Kante (Blendenkante) gefordert. Die Funktionalität als Blende kann durch das Silizium-Rahmenteil realisiert werden, da eine präzise Formgebung eines derartigen Rahmenteils möglich ist.
  • Ein derartiges oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement wird beispielsweise in der DE 10 2010 023 815 beschrieben.
  • Nachteil bei der Verwendung eines Rahmenteils aus monokristallinem Silizium sind die hohen Kosten sowie die Bruchgefahr bei Herstellung und Montage. Dieses Problem verschärft sich, wenn mit zunehmender Größe des lichtemittierenden Halbleiterchips eine gleichbleibende oder sogar abnehmende Dicke des Silizium-Rahmenteils gefordert wird.
  • Die vorliegende Erfindung hat die Aufgabe ein optoelektronisches Bauelement mit einem verbesserten Rahmenteil, das sowohl als Begrenzung für die flüssige Vergussmasse dienen kann als auch die Funktionalität einer Blende übernehmen kann, bereitzustellen. Das verbesserte Rahmenteil soll kostengünstig und zuverlässig bei Herstellung und Montage sein.
  • Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 1 gelöst. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Ein erfindungsgemäßes optoelektronisches Bauelement umfasst ein Trägersubstrat, mindestens einen lichtemittierenden Halbleiterchip, der auf einer Oberfläche des Trägersubstrats befestigt ist, und ein Rahmenteil, das den lichtemittierenden Halbleiterchip seitlich zumindest teilweise umgibt. Das Rahmenteil weist dabei einen Spritzgusskörper auf.
  • Das Herstellen des Rahmenteils in Form eines Spritzgusskörpers hat den Vorteil einer verbesserten mechanischen Stabilität. Im Vergleich zum im Stand der Technik verwendeten Silizium-Rahmenteil ist eine deutlich verbesserte Zuverlässigkeit bei Herstellung und Montage gegeben. Dies wiederum ermöglicht deutlich größere beziehungsweise längere LED Arrays. Auch ist im Vergleich zum Silizium-Rahmenteil die Herstellung und Verwendung dünnerer Rahmenteil möglich. Zudem kann ein derartiger Rahmenteil zu deutlich niedrigeren Kosten im Vergleich zum Silizium-Rahmenteil hergestellt werden.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführung der Erfindung ist der Rahmenteil um den lichtemittierenden Halbleiterchip geschlossen und bildet eine Kavität aus, die mindestens teilweise mit einer Vergussmasse ausgefüllt ist. Die Verwendung der Vergussmasse dient der Verkapselung des lichtemittierenden Halbleiterchips. Durch die Verkapselung wird der optoelektronische Halbleiterchip geschützt und gleichzeitig kann durch einegeeignete Vergussmasse eine homogene Leuchtdichte von LED Arrays erreicht werden. Das um den lichtemittierenden Halbleiterchip geschlossene Rahmenteil kann vorteilhaft als Begrenzung für die flüssige Vergussmasse wirken.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführung der Erfindung ist eine Kontaktstruktur auf der Oberfläche des Trägersubstrats angeordnet ist. Die Kontaktstruktur erstreckt sich dabei unter dem Rahmenteil in die Kavität und ist vom lichtemittierenden Halbleiterchip beabstandet, wobei die Kontaktstruktur und der lichtemittierende Halbleiterchip über eine Verbindungsleitung elektrisch verbunden sind. Das Rahmenteil weist ferner an der dem lichtemittierenden Halbleiterchip zugewandten oberen Innenkante eine Auskragung auf, die sich wenigstens teilweise über die Kontaktstruktur erstreckt. Mit dieser Ausgestaltung wird ein verbesserter Schutz der Verbindungsleitung vor mechanischen Beschädigungen, insbesondere im Rahmen des Herstellungsprozesses vor dem Verkapseln mit Vergussmasse erreicht.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Rahmenteil an seiner Oberseite ein Blendenteil aufweist, der mit dem Spritzgusskörper verbunden ist. Das Blendenteil bildet dabei die obere Innenkante der Kavität. Dadurch kann der Rahmenteil vorteilhaft als Blende verwendet werden, da es möglich ist die Kanten des Blendenteils mit sehr geringen Toleranzen zu fertigen. Hierdurch kann ein scharf umrissener Bereich mit hoher Leuchtdichte realisiert werden.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass das Blendenteil metallische Leitfähigkeit aufweist. Dies hat den Vorteil, dass Komponenten, die auf dem Trägersubstrat angeordnet sind, über den Blendenteil elektrisch miteinander verbunden sein können, für die sich auf der Oberfläche des Trägersubstrats die Leiterbahnen kreuzen würden. Auch ist es möglich den lichtemittierenden Halbleiterchip über den Blendenteil elektrisch zu kontaktieren.
  • Die Erfindung ist in den beigefügten Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Figurenbeschreibung näher erläutert.
  • Es zeigen:
  • 1A und 1B eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelementes in Schnittansicht (1A) und Aufsicht (1B); und
  • 2A bis 2C ein Verfahren zum Herstellen eines erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelementes gemäß der in 1A und 1B gezeigten Ausführungsform anhand von in Schnittansicht dargestellten Zwischenschritten.
  • Die Figuren zeigen schematische Darstellungen einer möglichen Ausführungsform eines erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelementes. Die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein. Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen.
  • Wie 1A (Schnittansicht) und 1B (Aufsicht) zeigen, weist das optoelektronische Bauelement 1 einen lichtemittierenden Halbleiterchip 2 auf, der auf einer Oberfläche eines Trägersubstrates 3 befestigt ist. Bei dem lichtemittierenden Halbleiterchip 2 kann es sich um einen Chip mit einzelnen Leuchtdiode handeln. Auch kann statt eines einzelnen lichtemittierenden Elementes ein Chip Array, z.B. ein LED Array aus einer Vielzahl einzelner Leuchtdioden vorliegen. Lichtemittierenden Halbleiterchips in Form von LED Arrays kommen unter anderem im Automobilbereich bei der Fahrzeugbeleuchtung zum Einsatz. Alternativ kann der lichtemittierende Halbleiterchip 2 auch als Laserchip oder als Strahlungsdetektorchip ausgebildet sein.
  • Der lichtemittierende Halbleiterchip 2 weist vorzugsweise ein keramisches Substrat 21, auf dem eine Halbleiter-Lichtquelle 22 fixiert ist. Das keramische Substrat 21 kann zum Beispiel aus Bornitrid (BN) oder Aluminiumnitrid (AlN) bestehen. Die Befestigung kann durch Aufkleben erfolgen. Das keramische Substrat 21 kann eine Leiterbahnstruktur enthalten, mit der Halbleiter-Lichtquelle 22 elektrisch angeschlossen werden kann. Vorzugsweise besteht die Halbleiter-Lichtquelle 22 aus einem III–V Halbleitermaterial und emittiert monochromes Licht. Auf der Halbleiter-Lichtquelle 22 kann ein Konverter 23, wie in 1A gezeigt, angeordnet sein, um ein gegenüber der Lichtfarbe der Halbleiter-Lichtquelle 22 veränderte Lichtfarbe z.B. eine dem Tageslicht entsprechende Lichtfarbe einzustellen.
  • Der lichtemittierende Halbleiterchip 2 kann, wie in 1A gezeigt ist, in einer Aussparung im Trägersubstrat 3 angeordnet sein, wobei das keramische Substrat 21 vorzugsweise aufgeklebt ist. Das Trägersubstrat 3 kann dabei eine Metallkernplatine sein. Auf der Oberfläche des Trägersubstrats 3 ist an die Aussparung angrenzend eine Kontaktstruktur 4, vorzugsweise in Form einer Leiterbahnschicht angeordnet. Die Kontaktstruktur 4 ist vom lichtemittierenden Halbleiterchip beabstandet, wobei die Kontaktstruktur 4 und der lichtemittierenden Halbleiterchip 2 über Verbindungsleitungen 6, vorzugsweise gelötete oder gebondete Anschlussdrähte elektrisch verbunden sind.
  • Ferner ist ein Rahmenteil 5 auf der Kontaktstruktur 4 angeordnet. Das Rahmenteil 5 ist dabei geschlossen und so ausgelegt, dass es den lichtemittierenden Halbleiterchip 2 vollständig umgibt, wie in der Aufsicht in 1B gezeigt ist. Damit wird von Trägersubstrat 3 und Rahmenteil 5 eine Kavität 9 gebildet, in der der lichtemittierende Halbleiterchip 2 angeordnet ist.
  • Das Rahmenteil weist ferner an der dem lichtemittierenden Halbleiterchip zugewandten oberen Innenkante 12 eine Auskragung 14 auf, die sich wenigstens teilweise über die Kontaktstruktur 4 erstreckt. Mit dieser Ausgestaltung wird ein verbesserter Schutz der Anschlussdrähte 4 vor mechanischen Beschädigungen insbesondere im Rahmen des Herstellungsprozesses erreicht.
  • Die Kavität 9 kann mit einer Vergussmasse 10 teilweise oder ganz ausgefüllt werden, wodurch der lichtemittierende Halbleiterchip 2 mit den Anschlussdrähten 6 zur Kontaktstruktur 4 verkapselt ist. Es ist auch möglich, dass die Vergussmasse 10 eine Erhebung beispielsweise in Form einer Linse über der durch die Oberfläche 6 des Rahmenteils 5 definierten Ebene ausformt. Das Rahmenteil 5 wirkt dabei als Begrenzung für die Vergussmasse 10.
  • Durch die Einkapselung in der Vergussmasse 10 werden der lichtemittierende Halbleiterchip 2 sowie Anschlussdrähte 6 vor äußeren Umwelteinflüssen wie Feuchtigkeit oder Staub, aber auch vor mechanischen Beschädigungen geschützt. Die Vergussmasse 10 ist transparent für elektromagnetische Strahlung ausgebildet, die von der Oberfläche des lichtemittierenden Halbleiterchips 2 ausgesendet wird, wenn die Vergussmasse, wie in 1A gezeigt, die Halbleiter-Lichtquelle 22 mit dem Konverter 23 abdeckt. Die Vergussmasse 10 kann zum Beispiel aus Silikon oder Epoxid, oder aus einer Mischung aus Silikon und Epoxid bestehen. In der Vergussmasse 10 können weiterhin lichtstreuende oder reflektierende Partikel und/oder ein Lumineszenzkonversionsmaterial enthalten sein. Beispielsweise kann die Vergussmasse 10 aus Silikon bestehen, das mit Titandioxid gefüllt ist. Durch eine derartige Vergussmasse wird eine homogene Leuchtdichte erreicht.
  • Es besteht aber auch die Möglichkeit, dass die Vergussmasse 10 in der Kavität den lichtemittierenden Halbleiterchip 2 nur seitlich einfasst und fixiert, nicht aber, wie bei der Ausführungsform in 1A gezeigt, die Halbleiter-Lichtquelle 22 mit dem Konverter 23 abdeckt. Die Vergussmasse muss dann nicht transparent ausgebildet sein.
  • Das Rahmenteil 5 ist erfindungsgemäß als Spritzgusskörper 8 ausgeformt. Als Materialien können hierfür beispielsweise Epoxidharze, Silikonharze oder Epoxid-Silikon-Hybridharze verwendet werden. An der Oberseite des Rahmenteils 5 ist ein Blendenteil 11 angeordnet, das die obere Innenkante 12 des Rahmenteils 5 mit der Auskragung 14 bildet (1A).
  • Das Rahmenteil 5 und die Kavität 9 können dabei in der Aufsicht (1B) eine rechteckige Form haben. Es ist aber auch eine runde Form möglich. Im Fall der rechteckigen Form können die oberen Innenkanten der Kavität gerade oder gebogen sein. Auch können die Ecken abgerundet sein. Das Blendenteil 11 wird mit sehr geringen Toleranzen gefertigt und kann daher die Funktion einer Blendenkante übernehmen.
  • Das Blendenteil 11 weist Ausbuchtungen 13 auf, die als Verankerungen des Blendenteils 11 in dem Spritzgusskörper 8 wirken. Damit wird ein besserer Zusammenhalt des Blendenteils 11 und des Spritzgusskörpers 8 erreicht. Die Gefahr einer Ablösung des Blendenteils 11 vom Spritzgusskörper 8 kann damit weitgehend vermieden werden.
  • Es ist alternativ möglich, dass das Rahmenteil 5 den lichtemittierenden Halbleiterchip 2 nur teilweise umschließt, so dass die Blendenkante beispielsweise nur an einer Seite, an zwei Seiten oder auch an drei Seiten ausgeformt ist. In diesem Fall wird auf die Funktionalität der Kavität 9 und damit auf die Verkapselung durch die Vergussmasse 10 verzichtet, so dass keine Begrenzung durch das Rahmenteil 5 nötig ist.
  • Das Blendenteil 11 kann aus einem leitfähigen Material bestehen und metallische Leitfähigkeit aufweisen. Damit kann das Blendenteil 11 im optoelektronischen Bauelement 1 zum Kontaktieren von elektrischen Komponenten genutzt werden. So können weitere Komponenten, die beispielsweise auf der Kontaktstruktur 4 angeordnet sind, über den Blendenteil 11 elektrisch miteinander verbunden werden. Dies ermöglicht eine höhere Flexibilität bei Layout und Kontaktierung. Elektrische Verbindungen zum Blendenteil 11 können durch Löten und Drahtbonden realisiert werden. Ferner kann auch lichtemittierenden Halbleiterchip 2 mit dem Blendenteil 11 beispielsweise über Anschlussdrähte elektrisch verbunden sein. Das Blendenteil 11 wird in diesem Fall vorzugsweise aus einem Metall, beispielsweise Aluminium, Kupfer, Silber oder Gold oder aus einer metallischen Legierung, die zumindest ein solches Metall enthält, gebildet.
  • In einer alternativen Ausführungsform kann das Blendenteil 11, wenn es keine Leitungsfunktion besitzt, an der Oberfläche isolierend ausgebildet sein und beispielsweise aus eloxiertem Aluminium bestehen. Es ist auch möglich das Blendenteil 11 in diesem Fall aus nichtleitendem Material zu fertigen, beispielsweise aus geeigneten Kunststoffen.
  • Die Verwendung eines Spritzgusskörpers 8 für das Rahmenteil 5 ist in mehreren Punkten vorteilhaft. So sind die Kosten für die Herstellung deutlich geringer als bei Verwendung eines Silizium-Rahmenteils. Ferner wird eine deutlich verbesserte mechanische Stabilität erreicht. Dies wiederum erleichtert die Montage und ermöglicht im Vergleich zur Verwendung von monokristallinen Silizium-Rahmenteil die Herstellung größerer und längerer Chip Arrays.
  • Alternativ ist es auch möglich auf das funktionale Merkmal der Blendenkante des Rahmenteils zu verzichten, wenn keine engen Toleranzen für die Blendenkante gefordert sind. In diesem Fall kann der Rahmenteil nur als Spritzgusskörper ohne Blendenteil ausgebildet sein. Weiterhin besteht die Möglichkeit, das Blendenteil statt als Blendenkante an der oberen Innenkante der Kavität als Versteifungselement auf der Unterseite des Spritzgusskörpers vorzusehen. Wenn das Versteifungselement dann aus Metall besteht, kann auch eine Lötverbindung mit dem Trägersubstrat bzw. der Kontaktstruktur auf dem Trägersubstrat ausgeführt werden, die für eine verbesserte Stabilität der Verbindung sorgt.
  • Gemäß einer alternativen Ausführungsform kann das Rahmenteil auch ohne eine Auskragung an der dem lichtemittierenden Halbleiterchip zugewandten oberen Innenkante ausgebildet sein. Das Rahmenteil kann auch direkt auf dem dann vergrößerten keramischen Substrat des lichtemittierenden Halbleiterchip angeordnet sein. Die Kontaktstruktur des Tragersubstrates ist dann vom Rahmenteil beabstandet, wobei die Anschlussdrähte vom keramischen Substrat über das Rahmenteil hinweg auf die Kontaktstruktur geführt werden. Die Vergussmasse deckt dann die Anschlussdrähte und das Rahmenteil mit ab.
  • Ein Verfahren zum Herstellen des erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelementes 1 gemäß der in den 1A und 1B gezeigten Ausführungsform wird im Folgenden anhand der schematischen Schnittansichten in den 2A bis 2C erläutert.
  • Wie in 2A gezeigt, wird das Trägersubstrat 3 bereitgestellt, das die Aussparung aufweist. Auf der Oberfläche des Trägersubstrats 3 an die Aussparung angrenzend ist die Leiterbahnschicht 4 angeordnet. In der Aussparung ist der lichtemittierende Halbleiterchip 2 eingeklebt. Ferner ist die die Leiterbahnschicht 4 und der lichtemittierenden Halbleiterchip 2 über gelötete oder gebondete Anschlussdrähte 6 elektrisch verbunden.
  • Das Rahmenteil 5 wird in Spritzgusstechnik beispielsweise in QFN-Technik (QFN = quad flat no-lead) durch Umformen des Blendenteils 11 hergestellt. Dadurch entsteht ein Spritzgusskörper 8, der an seiner Oberseite das Blendenteil 11 aufweist und der die Ausbuchtungen 13 des Blendenteils 11 umschließt.
  • Mit Hilfe des Spritzgussverfahrens können dünnere Rahmenteil mit Dicken des Spritzgusskörpers 8 über dem Blendenteil 11 von minimal 200 µm hergestellt werden. Im Vergleich dazu weisen vergleichbare Silizium-Rahmenteile eine minimale Dicke von 275 µm auf. Damit erlaubt die Verwendung eines Rahmenteils basierend auf einem Spritzgusskörper 8 einen kompakteren Aufbau des optoelektronischen Bauelementes 1.
  • Wie in 2B dargestellt, wird Rahmenteil 5 mit seiner Unterseite auf die die Leiterbahnschicht 4, die auf Trägersubstrat 3 angeordnet ist, aufgeklebt. Der Rahmenteil 5 wird dabei so gesetzt, dass die obere Innenkante 12 des Blendenteils 11 einen definierten Abstand zum lichtemittierenden Halbleiterchip 2 hat. Dadurch kann die Kante des Blendenteils 11 als definierte Blendenkante beispielsweise für Abblendlicht-Anordnungen wirken. Die Auskragung 14 des Rahmenteils 5 an der dem lichtemittierenden Halbleiterchip 2 zugewandten oberen Innenkante 12 erstreckt sich wenigstens teilweise über die Kontaktstruktur die Leiterbahnschicht 4 und deckt die gelötete oder gebondete Anschlussdrähte 6 im Bereich der Leiterbahnschicht 4 ab, wodurch ein verbesserter Schutz der Anschlussdrähte vor mechanischen Beschädigungen erreicht wird.
  • Wie in 2C dargestellt, wird die durch das Rahmenteil 5 entstandene Kavität 9 mit Vergussmasse 10 gefüllt. Das Rahmenteil 5 wirkt dabei als Begrenzung für die flüssige Vergussmasse.
  • Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, und beinhaltet insbesondere jede Kombination von Merkmalen, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder den Ausführungsbeispielen angegeben ist.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    optoelektronisches Bauelement
    2
    lichtemittierender Halbleiterchip
    3
    Trägersubstrat
    4
    Kontaktstruktur
    5
    Rahmenteil
    6
    Verbindungsleitung
    8
    Spritzgusskörper
    9
    Kavität
    10
    Vergussmasse
    11
    Blendenteil
    12
    Obere Innenkante des Blendenteils
    13
    Ausbuchtung des Blendenteils
    14
    Auskragung
    21
    Keramikträger
    22
    LED-Chip
    23
    Konverter
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102010023815 [0004]

Claims (7)

  1. Optoelektronisches Bauelement (1) umfassend ein Trägersubstrat (3), mindestens einen lichtemittierenden Halbleiterchip (2), der auf einer Oberfläche des Trägersubstrats (3) angeordnet ist, und ein Rahmenteil (5), das den lichtemittierenden Halbleiterchip (2) seitlich zumindest teilweise umgibt, dadurch gekennzeichnet, dass das Rahmenteil (5) einen Spritzgusskörper (8) aufweist.
  2. Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Rahmenteil (5) den lichtemittierenden Halbleiterchip (2) umschließt und eine Kavität (9) ausbildet, wobei die Kavität (9) mindestens teilweise mit einer Vergussmasse (10) ausgefüllt ist.
  3. Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass eine Kontaktstruktur (4) auf der Oberfläche des Trägersubstrats (3) angeordnet ist, wobei die Kontaktstruktur (4) sich unter dem Rahmenteil (5) in die Kavität (9) erstreckt und vom lichtemittierenden Halbleiterchip (2) beabstandet ist, wobei die Kontaktstruktur (4) und der lichtemittierende Halbleiterchip (2) über eine Verbindungsleitung (6) elektrisch verbunden sind, und wobei das Rahmenteil (5) an der dem lichtemittierenden Halbleiterchip (2) zugewandten oberen Innenkante (12) eine Auskragung (14) aufweist, die sich wenigstens teilweise über die Kontaktstruktur (4) erstreckt.
  4. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Rahmenteil (5) ein Blendenteil (11) aufweist, das die dem lichtemittierenden Halbleiterchip (2) zugewandte obere Innenkante (12) bildet und mit dem Spritzgusskörper (8) verbunden ist.
  5. Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Blendenteil (11) eine Ausbuchtung (13) aufweist, die von dem Spritzgusskörper (8) eingefasst ist.
  6. Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Blendenteil (11) metallische Leitfähigkeit besitzt, wobei Komponenten über das Blendenteil (11) elektrisch miteinander verbunden sind.
  7. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip (2) einen Keramikträger (21) und einen LED-Chip (22) aufweist.
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