DE102004028031A1 - Selective coating method used in the semiconductor industry comprises preparing a substrate, covering predetermined surface regions of a surface with a mask, inserting a coating controlling agent and catalytically depositing a thin layer - Google Patents

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Abstract

Selective coating method comprises preparing a substrate (101), covering predetermined surface regions of a substrate surface (103) with a mask, inserting a coating controlling agent (104a,104b) into the substrate in the regions of a non-covered surface of the substrate and catalytically depositing a thin layer (105) on the surface of the substrate. An independent claim is also included for: a thin layer system produced.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine selektive Abscheidung von dünnen Schichten, und betrifft insbesondere ein selektives Beschichtungsverfahren mittels katalytischer atomarer Schichtdeposition.The The present invention relates to a selective deposition of thin films. and more particularly relates to a selective coating process by means of catalytic atomic layer deposition.

Spezifisch betrifft die vorliegende Erfindung ein selektives Beschichtungsverfahren, bei dem ein Substrat bereitgestellt wird, vorbestimmte Oberflächenbereiche einer Oberfläche des Substrats mit einer Maskeneinrichtung abgedeckt werden und auf den nicht-abgedeckten Oberflächenbereichen des Substrats eine Dünnschicht aufgebracht wird.Specific the present invention relates to a selective coating method, wherein a substrate is provided, predetermined surface areas a surface the substrate are covered with a mask device and on the uncovered surface areas of the substrate a thin film is applied.

In der Halbleiterfertigung können Herstellungsprozesse oft dadurch vereinfacht werden, dass eine selektive Abscheidung eines als eine Dünnschicht bereitgestellten Materials vorgenommen wird. Auf diese Weise ist es möglich, sogenannte "selbstjustierende" Integrationsprozesse bereitzustellen. In hohem Maße gleichförmige und konformale Schichten, insbesondere Dünnschichten, können durch die sogenannte "atomare Schichtdeposition (ALD, Atomic Layer Deposition)" erzeugt werden. Üblicherweise weist eine derartige atomare Schichtdeposition äußerst geringe Depositionsraten auf, derart, dass in einem Abscheidezyklus lediglich Schichtdicken im Bereich eines zehntel Nanometers (nm) abscheidbar sind.In semiconductor manufacturing can Manufacturing processes are often simplified by being selective Depositing one as a thin film provided material. That way is it is possible so-called "self-adjusting" integration processes provide. To a great extent uniform and conformal layers, in particular thin layers, can by the so-called "atomic Layer deposition (ALD, Atomic Layer Deposition) atomic layer deposition extremely low Depositionsraten on, such that in a deposition cycle only layer thicknesses in the range of a tenth of a nanometer (nm) are separable.

Zur Erhöhung der Depositionsraten ist von Hausmann et al. "Rapid Vapor Deposition of Highly Conformal Silicananolaminates", Science, Band 298, 11. Oktober 2002, Seiten 402–406, www.sciencemag.org ein katalytischer Mechanismus vorgeschlagen worden. Derartige atomare Beschichtungsprozesse sind deshalb für die Halbleiterfertigung von Bedeutung, da eine Stöchiometrie auf einem atomaren Niveau gesteuert werden kann. Die Dicke eines Films kann durch ein Zählen der Anzahl von Reaktionszyklen in üblicher Weise eingestellt werden und hängt im allgemeinen nicht von Variationen ab, die durch eine nicht-gleichförmige Verteilung von Gas oder Temperatur in der Reaktionszone herbeigeführt werden. Somit können Dünnschichten einer gleichförmigen Dickenverteilung über großen Flächen auf einfache Weise abgeschieden werden.to increase the deposition rates are described by Hausmann et al. "Rapid Vapor Deposition of Highly Conformal Silica nano-laminate " Science, Vol. 298, 11 October 2002, pages 402-406, www.sciencemag.org catalytic mechanism has been proposed. Such atomic Coating processes are therefore for the semiconductor production of Meaning, since a stoichiometry can be controlled at an atomic level. The thickness of one Films can by counting the number of reaction cycles are set in the usual way and hang generally not subject to variations due to a non-uniform distribution of gas or temperature in the reaction zone. Thus, you can thin films a uniform Thickness distribution over huge surfaces be easily deposited.

Viele Anwendungen, in welchen die atomare Schichtdeposition vorteilhaft eingesetzt werden könnte, scheitern jedoch an den äußerst geringen Abscheideraten von nur wenigen zehntel Nanometern (nm) pro Zyklus.Lots Applications in which the atomic layer deposition advantageous could be used but fail because of the extremely low deposition rates of only a few tenths of a nanometer (nm) per cycle.

In der oben erwähnten Publikation von Hausmann et al. wird vorgeschlagen, eine katalytische Abscheidung auf der Grundlage der atomaren Schichtdeposition einzusetzen, wobei einige zehn Nanometer (nm) pro Zyklus erreicht werden können. Zwar wurde durch das von Hausmann et al. vorgeschlagene Abscheideverfahren eine für atomare Beschichtungsprozesse hohe Depositionsrate erreicht, eine Strukturierung der Schicht kann durch das von Hausmann et al. vorgeschlagene Verfahren jedoch nicht bereitgestellt werden.In the above mentioned Publication by Hausmann et al. is proposed a catalytic Use deposition on the basis of atomic layer deposition, where some ten nanometers (nm) per cycle can be achieved. Although was by the von Hausmann et al. proposed deposition method one for atomic coating processes achieved high deposition rate, a structuring the layer can be prepared by the method described by Hausmann et al. proposed methods however not be provided.

Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine selektive selbstjustierende Abscheidung bereitzustellen, derart, dass ein Schichtwachstum auf der Grundlage der atomaren Schichtdepositionsprozesse selektiv auf vorbestimmten Oberflächen eines Substrats erfolgt, während die übrigen Oberflächenbereiche des Substrats nicht beschichtet werden. Vorzugsweise sollen eine hohe Abscheiderate und eine in hohem Maße gleichförmige Schichtdickenverteilung bereitgestellt werden.It is therefore an object of the present invention, a selective To provide self-aligning deposition, such that a Layer growth based on atomic layer deposition processes selectively on predetermined surfaces of a substrate, while the remaining surface areas of the substrate are not coated. Preferably, a high deposition rate and a highly uniform layer thickness distribution to be provided.

Die obige Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein in dem Patentanspruch 1 angegebenes selektives Beschichtungsverfahren gelöst.The The above object is achieved by a selective coating method specified in claim 1 solved.

Ferner wird die Aufgabe durch ein Dünnschichtsystem nach Anspruch 24 gelöst.Further The task is through a thin-film system solved according to claim 24.

Ein wesentlicher Gedanke der Erfindung besteht darin, ein katalytisches Abscheiden auf der Grundlage der atomaren Schichtdeposition nur in spezifisch vorgebbaren Bereichen eines Substrats bereitzustellen. Hierzu sieht das erfindungsgemäße Verfahren vor, ein Beschichtungssteuermittel in spezifisch vorgebbare Bereiche des Substrats einzubringen, derart, dass ein als Reaktionsbeschleunigermittel ausgebildetes Beschichtungssteuermittel in den Bereichen eingebracht wird, in welchen ein hohes Schichtwachstum gewünscht ist, während ein als ein Reaktionsabschwächermittel bereitgestelltes Beschichtungssteuermittel in den übrigen Bereichen des Substrats bereitgestellt wird.One essential idea of the invention is a catalytic Deposition based on atomic layer deposition only in specifically predeterminable areas of a substrate. The method of the invention provides for this before, a coating control agent in specifically predeterminable areas of the substrate such that one as a reaction accelerator trained coating control agent introduced in the areas is in which a high layer growth is desired while a as a reaction moderator provided coating control means in the remaining areas of Substrate is provided.

Somit entsteht der Vorteil, dass Substratbereiche bzw. Oberflächenbereiche eines Materials bereitgestellt werden, auf welchen eine hohe Depositionsrate bereitgestellt wird, während die anderen Bereiche eine geringe oder gar keine Deposition während eines Beschichtungsprozesses aufweisen.Consequently the advantage arises that substrate areas or surface areas a material on which a high deposition rate is provided while the other areas have little or no deposition during one Have coating process.

Das erfindungsgemäße Beschichtungsverfahren weist den Vorzug auf, dass Schichten Monolagen-weise mit einer hohen Homogenität abgeschieden werden können.The coating method according to the invention has the merit that layers monolayer-wise with a high homogeneity can be separated.

Das erfindungsgemäße Beschichtungsverfahren weist im Wesentlichen die folgenden Schritte auf:

  • a) Bereitstellen eines Substrats;
  • b) Abdecken von vorbestimmten Oberflächenbereichen einer Oberfläche des Substrats mit einer Maskeneinrichtung;
  • c) Einbringen eines Beschichtungssteuermittels in das Substrat in den Bereichen der nicht-abgedeckten Oberfläche des Substrats; und
  • d) katalytisches Abscheiden einer Dünnschicht auf der Oberfläche des Substrats.
The coating method according to the invention essentially has the following steps:
  • a) providing a substrate;
  • b) covering predetermined surface areas of a surface of the substrate with a masking device;
  • c) introducing a coating control agent into the substrate in the areas of the uncovered surface of the substrate; and
  • d) catalytic deposition of a thin film on the surface of the substrate.

In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des jeweiligen Gegenstandes der Erfindung.In the dependent claims find advantageous developments and improvements of respective subject of the invention.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung wird das Einbringen des Beschichtungssteuermittels in das Substrat in den Bereichen der nicht-abgedeckten Oberfläche des Substrats mittels einer physikalischen Gasphasenabscheidung, d.h. mittels Physical Vapor Deposition, PVD, durchgeführt.According to one preferred embodiment of the present invention is the introduction of the coating control agent into the substrate in the areas the uncovered surface of the substrate by means of physical vapor deposition, i.e. performed by physical vapor deposition, PVD.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung umfasst der Schritt eines katalytischen Abscheidens der Dünnschicht auf der Oberfläche des Substrats die folgenden Teilschritte:

  • (i) Leiten eines gasförmigen Precursormittels über die Oberfläche des Substrats derart, dass das Precursormittel und das als ein Reaktionsbeschleunigermittel ausgebildete Beschichtungssteuermittel miteinander katalytisch reagieren;
  • (ii) Leiten eines gasförmigen Beschichtungsmittels über die Oberfläche des Substrats derart, dass eine Dünnschicht katalytisch abgeschieden wird; und
  • (iii) Wiederholen der Schritte (i) und (ii), bis die durch die Schritte (i) und (ii) bereitgestellten katalytischen Reaktionen beendet sind.
According to a further preferred development of the present invention, the step of catalytic deposition of the thin layer on the surface of the substrate comprises the following substeps:
  • (i) passing a gaseous precursor agent over the surface of the substrate such that the precursor agent and the coating control agent formed as a reaction accelerator agent react with each other catalytically;
  • (ii) passing a gaseous coating agent over the surface of the substrate such that a thin film is catalytically deposited; and
  • (iii) repeating steps (i) and (ii) until the catalytic reactions provided by steps (i) and (ii) are completed.

Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung wird durch eine einmalige Ausführung der Sequenz der Schritte (i) und (ii) eines Leitens eines gasförmigen Precursormittels und eines gasförmigen Beschichtungs mittels über die Oberfläche des Substrats derart, dass das Precursormittel und/oder das Beschichtungsmittel und das als ein Reaktionsbeschleunigermittel ausgebildete Beschichtungssteuermittel miteinander reagieren, auf der Oberfläche des Substrats eine Dünnschicht mit einer Dicke von mehreren Nanometern, vorzugsweise mit einer Dicke bis zu 20 Nanometern katalytisch abgeschieden wird.According to one more Another preferred embodiment of the present invention will by a one-time execution the sequence of steps (i) and (ii) of passing a gaseous precursor and a gaseous one Coating by means of the surface of the substrate such that the precursor agent and / or the coating agent and the coating control agent formed as a reaction accelerator react with each other, on the surface of the substrate, a thin film with a thickness of several nanometers, preferably with one Thickness up to 20 nanometers is catalytically deposited.

Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung wird die aus den Schritten (i) und (ii) bestehende Schrittsequenz eines Leitens eines gasförmigen Precursormittels und eines gasförmigen Beschichtungsmittels über die Oberfläche des Substrats derart, dass das Precursormittel und/oder das Beschichtungsmittel und das als ein Reaktionsbeschleunigermittel ausgebildete Beschichtungssteuermittel miteinander reagieren, zyklisch durchgeführt, wobei die Anzahl der Zyklen vorzugsweise in einem Bereich zwischen 20 und 200 liegt.According to one more Another preferred embodiment of the present invention will the step sequence consisting of steps (i) and (ii) of a Conducting a gaseous Precursors and a gaseous Coating agent over the surface the substrate such that the precursor and / or the coating agent and the coating control agent formed as a reaction accelerator react with each other cyclically, with the number of cycles preferably in a range between 20 and 200.

Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung wird das gasförmige Beschichtungsmittel als ein Oxidant bereitgestellt. Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung wird das Einbringen des Beschichtungssteuermittels in das Substrat in den Bereich der nicht-abgedeckten Oberfläche des Substrats mittels einer Substratdotierung bereitgestellt.According to one more Another preferred embodiment of the present invention will the gaseous Coating agent provided as an oxidant. According to one more Another preferred embodiment of the present invention will the introduction of the coating control agent into the substrate in the area of the uncovered surface of the substrate by means of a Substrate doping provided.

Es ist vorteilhaft, das Substrat als eine freiliegende Schicht eines Schichtsystems auszubilden. Weiterhin ist es zweckmäßig, das Substrat aus einem Siliziummaterial oder einem Isolationsmaterial auszuführen.It is advantageous, the substrate as an exposed layer of a Form shift system. Furthermore, it is expedient that Substrate of a silicon material or an insulating material perform.

Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung wird das Substrat durch den Schritt eines Abdeckens von vorbestimmten Oberflächenbereichen der Substratoberfläche mit einer Maskeneinrichtung strukturiert.According to one more Another preferred embodiment of the present invention will the substrate by the step of covering predetermined surface areas the substrate surface structured with a mask device.

Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird das Beschichtungssteuermittel als ein Reaktionsbeschleuniger bereitgestellt. Das Precursormittel reagiert vorzugsweise mit dem Reaktionsbeschleunigermittel, wodurch ein Schichtwachstum beschleunigt wird.According to one Another aspect of the present invention is the coating control agent as a reaction accelerator. The precursor agent preferably reacts with the reaction accelerator, thereby a layer growth is accelerated.

Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird das Beschichtungssteuermittel als ein Reaktionsabschwächermittel bereitgestellt. Durch das Reaktionsabschwächermittel wird eine geringe Wechselwirkung mit dem Precursormittel erzeugt, wobei ein Schichtwachstum verlangsamt bzw. verhindert wird.According to one Another aspect of the present invention is the coating control agent as a reaction moderator provided. By the reaction attenuator is a small Generated interaction with the precursor agent, wherein a layer growth slowed down or prevented.

Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung umfasst das katalytische Abscheiden der Dünnschicht auf der Oberfläche des Substrats ein Abscheiden von Metall-Halbleiteroxid-Materialien, vorzugsweise von Siliziumoxid-Materialien und/oder ein Abscheiden von Metall-Halbleiternitrid-Materialien, vorzugsweise von Siliziumnitrid-Materialien.According to one more Another preferred embodiment of the present invention comprises catalytic deposition of the thin film on the surface the substrate depositing metal-semiconductor oxide materials, preferably of silica materials and / or deposition of metal semiconductor nitride materials, preferably of silicon nitride materials.

Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung umfasst das katalytische Abscheiden der Dünnschicht auf der Oberfläche des Substrats ein Abscheiden einer Siliziumdioxid-Dünnschicht.According to one more Another preferred embodiment of the present invention comprises catalytic deposition of the thin film on the surface of the substrate depositing a silicon dioxide thin film.

Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung wird das katalytische Abscheiden der Dünnschicht auf der Oberfläche des Substrats als eine atomare Schichtdeposition (ALD = Atomic Layer Deposition) durchgeführt.According to yet another preferred embodiment of the present invention, the catalytic deposition of the thin film on the surface of the substrate is performed as an atomic layer deposition (ALD).

Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung ist das als ein Beschichtungssteuermittel bereitgestellte Reaktionsbeschleunigermittel eine Lewis-Säure.According to one more Another preferred embodiment of the present invention the reaction accelerator agent provided as a coating control agent a Lewis acid.

Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung ist das als ein Beschichtungssteuermittel bereitgestellte Reaktionsabschwächermittel eine Lewis-Base.According to one more Another preferred embodiment of the present invention the reaction attenuator provided as a coating control agent a Lewis base.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung wird das Beschichtungssteuermittel in das Substrat in dem Bereich der nicht-abgedeckten Oberfläche des Substrats unter einem vorbestimmten Winkel zur Oberflächennormalen der Substratoberfläche eingebracht. (Abschattungsnutzen, z.B. Implant, oder Gasphasendotierung mit Abdeckung) Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung wird das selektive Beschichtungsverfahren als ein Niederdruck-Beschichtungsprozess mittels eines Niederdruckreaktors bei einem Innendruck des Reaktors in einem Druckbereich von vorzugsweise einigen mTorr bis einigen Torr durchgeführt. Es ist vorteilhaft, dass die Temperatur des bereitgestellten Substrats bei dem Beschichtungsprozess in einem Bereich von 50°C bis 700°C eingestellt wird.According to one Another preferred embodiment of the present invention will the coating control agent into the substrate in the region of uncovered surface of the substrate at a predetermined angle to the surface normal the substrate surface brought in. (Shading benefits, e.g., implant, or gas phase doping with cover) According to another Another preferred embodiment of the present invention will the selective coating process as a low pressure coating process by means of a low-pressure reactor at an internal pressure of the reactor in a pressure range of preferably a few mTorr to some Torr performed. It is advantageous that the temperature of the substrate provided set in the coating process in a range of 50 ° C to 700 ° C. becomes.

Durch eine derartige Ausgestaltung eines Beschichtungsverfahrens wird es ermöglicht, eine selektive Schichtabscheidung auf der Grundlage der atomaren Schichtdeposition bei einer hohen Schichthomogenität zu erreichen.By Such an embodiment of a coating method is allows, a selective layer deposition based on the atomic Layer deposition to achieve a high layer homogeneity.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.embodiments The invention is illustrated in the drawings and in the following Description closer explained.

In den Zeichnungen zeigen:In show the drawings:

1 ein Substrat, das mit einer Maskeneinrichtung abgedeckt ist, zum selektiven Aufbringen eines Beschichtungssteuermittels; 1 a substrate covered with a masking means for selectively applying a coating control agent;

2(a) einen ersten Schritt (i) eines atomaren Schichtdepositionsprozesses, bei dem ein Precursormittel über die Oberfläche eines mit unterschiedlichen Beschichtungssteuermitteln dotierten Substrats geleitet wird; 2 (a) a first step (i) of an atomic layer deposition process in which a precursor agent is passed over the surface of a substrate doped with different coating control means;

2(b) einen auf den in 2(a) folgenden Schritt (ii) einer atomaren Schichtdeposition, bei dem ein Beschichtungsmittel über die Oberfläche des bereitgestellten Substrats geleitet wird; und 2 B) one on the in 2 (a) the following step (ii) of atomic layer deposition, wherein a coating agent is passed over the surface of the provided substrate; and

3 ein Substrat mit einer darauf aufgebrachten Dünnschicht nach dem Durchführen des selektiven Beschichtungsprozesses. 3 a substrate having a thin film deposited thereon after performing the selective coating process.

In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Komponenten oder Schritte.In the same reference numerals designate the same or functionally identical Components or steps.

1 zeigt die Bereitstellung eines Substrats 101, welches eine Oberfläche 103 aufweist, die mit einem Beschichtungssteuermittel 104 selektiv zu versehen ist. Die Oberfläche 103 des Substrats 101 ist teilweise mit einer Maskeneinrichtung 102 abgedeckt, derart, dass das Beschichtungssteuermittel 104 nur in den nicht-abgedeckten Bereichen 103b der Oberfläche in das Substrat 101 eingebracht werden kann, während die abgedeckten Bereiche 103a der Oberfläche 103 des Substrats 101 mit dem Beschichtungssteuermittel 104 nicht versehen werden. 1 shows the provision of a substrate 101 which is a surface 103 having, with a coating control means 104 is to be selectively provided. The surface 103 of the substrate 101 is partially with a mask device 102 covered, such that the coating control means 104 only in the uncovered areas 103b the surface in the substrate 101 can be introduced while the covered areas 103a the surface 103 of the substrate 101 with the coating control agent 104 not be provided.

Das Beschichtungssteuermittel 104 ist derart ausgelegt, dass es einerseits den Beschichtungsprozess beschleunigen (104a) und andererseits einen Beschichtungsprozess verlangsamen (104b) kann. Ein als ein Reaktionsbeschleunigermittel 104a ausgelegtes Beschichtungssteuermittel wird in dem in 1 gezeigten linken Bereich 103b in das Substrat 101 eingebracht, während ein als ein Reaktionsabschwächermittel 104b ausgelegtes Beschleunigermittel 104 in den rechten, durch die Maske 102 freigelegten Bereich 103b des Substrats 101 eingebracht wird.The coating control agent 104 is designed in such a way that on the one hand it accelerates the coating process ( 104a ) and, on the other hand, slow down a coating process ( 104b ) can. As a reaction accelerator 104a designed coating control agent is in the in 1 shown left area 103b in the substrate 101 introduced as one as a reaction reducer 104b designed accelerator means 104 in the right, through the mask 102 uncovered area 103b of the substrate 101 is introduced.

Es sei darauf hingewiesen, dass die in 1 gezeigte Verteilung der abgedeckten Oberflächenbereiche 103a und der nicht-abgedeckten Oberflächenbereiche 103b willkürlich ist, und dass beliebige Strukturierungen der Substratoberfläche möglich sind. Weiterhin kann eine beliebige Verteilung der als Reaktionsbeschleunigermittel 104a und als Reaktionsabschwächermittel 104b ausgebildeten Beschichtungssteuermittel vorgesehen sein.It should be noted that the in 1 shown distribution of the covered surface areas 103a and the uncovered surface areas 103b is arbitrary, and that any structuring of the substrate surface are possible. Furthermore, any distribution of the reaction accelerator as 104a and as a reaction moderator 104b trained coating control means may be provided.

Weiterhin ist es möglich, dass das Beschichtungssteuermittel 104 lediglich als ein Reaktionsbeschleunigermittel 104a ausgebildet ist, während das Reaktionsabschwächermittel 104b weggelassen ist (bzw. umgekehrt).Furthermore, it is possible that the coating control means 104 merely as a reaction accelerator 104a is formed while the reaction attenuator 104b is omitted (or vice versa).

Nach einem Bereitstellen eines Substrats 101 und einem Abdecken von vorbestimmten Oberflächenbereichen 103a der Oberfläche 103 des Substrats mit der Maskeneinrichtung 102 wird das Beschichtungssteuermittel 109 in das Substrat 101 in den Bereichen der nicht-abgedeckten Oberfläche 103b des Substrats 101 eingebracht. Ein derartiges Einbringen des Beschichtungssteuermittels 104 in das Substrat 101 in den Bereich der nicht-abgedeckten Oberfläche 103b des Substrats wird vorzugsweise Gasphasendotierung bzw. Implantation.After providing a substrate 101 and covering predetermined surface areas 103a the surface 103 of the substrate with the mask device 102 becomes the coating control agent 109 in the substrate 101 in the areas of the uncovered surface 103b of the substrate 101 brought in. Such introduction of the coating control agent 104 in the substrate 101 in the field of non-covered surface 103b of the substrate is preferably gas phase doping or implantation.

2(a) zeigt das Substrat 101 mit in dieses eingebrachten Beschichtungssteuermitteln, die als ein Reaktionsbeschleunigermittel 104a (linker Bereich des in 2(a) gezeigten Substrats) und als ein Reaktionsabschwächermittel 104b (rechter Bereich des in 2(a) gezeigten Substrats 101) ausgebildet sind. 2 (a) shows the substrate 101 with coating control agents incorporated therein, which act as a reaction accelerator 104a (left section of in 2 (a) shown substrate) and as a reaction attenuator 104b (right area of in 2 (a) shown substrate 101 ) are formed.

Wie in 2(a) gezeigt, wird in einem ersten Prozessschritt der atomaren Schichtdeposition, d.h. in dem Prozessschritt (i) ein Precursormittel (201) über die Oberfläche 103 des Substrats 101 geleitet. Auf diese Weise wird es ermöglicht, dass eine katalytische Reaktion zwischen dem als ein Reakti onsbeschleunigermittel 104a ausgebildeten Beschichtungssteuermittel 104 und dem Precursormittel 201 eintritt.As in 2 (a) In a first process step of the atomic layer deposition, ie in the process step (i), a precursor agent ( 201 ) over the surface 103 of the substrate 101 directed. In this way, it is possible to have a catalytic reaction between it as a reaction accelerator 104a trained coating control agent 104 and the precursor agent 201 entry.

In dem in 2(b) gezeigten zweiten Prozessschritt (ii) des atomaren Schichtdepositionsprozesses wird ein Beschichtungsmittel 202 über die Oberfläche 103 des Substrats 101 geleitet. Es sei darauf hingewiesen, dass das Leiten des Precursormittels 201 und/oder des Beschichtungsmittels 202 während eines Niederdruck-Gasphasenabscheidungsprozesses (CVD oder ALD) in einem Niederdruck-Beschichtungsreaktor stattfinden kann. Die in den 2(a) und 2(b) gezeigten Prozesse umfassen die folgenden Teilschritte:

  • (i) das gasförmige Precursormittel 201 wird über die Oberfläche 103 des Substrats 101 derart geleitet, dass das Precursormittel 201 und das als das Reaktionsbeschleunigermittel 109a ausgebildete Beschichtungssteuermittel miteinander katalytisch reagieren;
  • (ii) das gasförmige Beschichtungsmittel 202 wird über die Oberfläche des Substrats geleitet, derart, dass eine Dünnschicht in dem Bereich des Reaktionsbeschleunigermittels 104a katalytisch abgeschieden wird; und
  • (iii) die Schritte, die obenstehend unter (i) und (ii) bezeichnet sind, werden wiederholt, bis die durch die Schrittsequenz (i) und (ii) bereitgestellten katalytischen Reaktionen beendet sind bzw. derart abgeschwächt sind, dass ein katalytisches Schichtwachstum verhindert wird.
In the in 2 B) the second process step (ii) of the atomic layer deposition process shown becomes a coating agent 202 over the surface 103 of the substrate 101 directed. It should be noted that the passing of the precursor agent 201 and / or the coating agent 202 during a low pressure vapor deposition (CVD or ALD) process in a low pressure coating reactor. The in the 2 (a) and 2 B) The processes shown here include the following sub-steps:
  • (i) the gaseous precursor agent 201 gets over the surface 103 of the substrate 101 directed such that the precursor agent 201 and that as the reaction accelerator agent 109a formed coating control agents react with each other catalytically;
  • (ii) the gaseous coating agent 202 is passed over the surface of the substrate, such that a thin film in the region of the reaction accelerator means 104a is deposited catalytically; and
  • (iii) The steps referred to above under (i) and (ii) are repeated until the catalytic reactions provided by the step sequence (i) and (ii) are completed, respectively, so attenuated that catalytic layer growth is prevented becomes.

Eine einmalige Ausführung der Sequenz der obigen Schritte (i) und (ii) kann eine atomare Schichtdeposition mit einer erhöhten Beschichtungsrate bereitstellen, derart, dass eine Dünnschicht 105 (siehe 3) mit einer Dicke von mehreren Nanometern (nm), vorzugsweise mit einer Dicke von bis zu 20 Nanometern katalytisch abgeschieden werden kann.A one-time execution of the sequence of steps (i) and (ii) above can provide an atomic layer deposition with an increased coating rate, such that a thin film 105 (please refer 3 ) can be catalytically deposited with a thickness of several nanometers (nm), preferably with a thickness of up to 20 nanometers.

Weiterhin ist es möglich, die aus den Schritten (i) und (ii) obenstehend beschriebene Schrittsequenz zyklisch derart auszuführen, dass die Anzahl der Zyklen in einem Bereich zwischen 20 und 200 liegt. Hierbei ist es vorteilhaft, das gasförmige Beschichtungsmittel 202 als ein Oxidant bereitzustellen.Furthermore, it is possible to cyclically perform the step sequence described in steps (i) and (ii) above such that the number of cycles is in a range between 20 and 200. In this case, it is advantageous to use the gaseous coating agent 202 as an oxidant.

Ein als Katalysator ausgebildetes Reaktionsbeschleunigermittel 104a ist vorzugsweise als eine Lewis-Säure ausgebildet. Derartige Lewis-Säuren sind als Elektronenpaarakzeptoren definiert, die Elektronen aufnehmen. Typische Lewis-Säuren sind durch die in das Substrat eingebrachten Dotanden Bor, Aluminium, Gallium, Indium und Titan bereitgestellt.A reaction accelerator agent formed as a catalyst 104a is preferably formed as a Lewis acid. Such Lewis acids are defined as electron pair acceptors that accept electrons. Typical Lewis acids are provided by the dopants boron, aluminum, gallium, indium and titanium introduced into the substrate.

Die als ein Reaktionsabschwächermittel 104b bereitgestellten Lewis-Basen hingegen sind Elektronenpaardonatoren, die nukleophile Teilchen darstellen, die mindestens ein freies Elektronenpaar aufweisen. Typische Lewis-Basen sind durch die Elemente Arsen, Phosphor, Stickstoff, Antimon und Bismut ausgebildet. Als Mittel für die aufzubringende Dünnschicht werden vorzugsweise Metall-Halbleiter-Oxid-Materialien, insbesondere Siliziumoxid und/oder Metall-Halbleiter-Nitrid-Materialien, insbesondere Siliziumnitrid eingesetzt.The as a reaction reducer 104b however, Lewis bases provided are electron pair donors, which are nucleophilic particles that have at least one lone pair of electrons. Typical Lewis bases are formed by the elements arsenic, phosphorus, nitrogen, antimony and bismuth. Metal-semiconductor-oxide materials, in particular silicon oxide and / or metal-semiconductor-nitride materials, in particular silicon nitride, are preferably used as means for the thin-film to be applied.

3 zeigt einen Zustand, in welchem der atomare Schichtdepositionsprozess abgeschlossen ist. Wie in der 3 gezeigt, ist eine Dünnschicht 105 selektiv in dem Bereich des Reaktionsbeschleunigermittels 104a abgeschieden worden, während in dem Bereich des Reaktionsabschwächermittels 104b überhaupt keine Dünnschicht vorhanden ist. In einem Zwischenbereich der Substratoberfläche 103 zwischen dem Reaktionsbeschleunigermittel 104a und dem Reaktionsabschwächermittel 104b ist eine reduzierte Schichtdicke der Dünnschicht 105 bereitgestellt. Die geringe Schichtdicke 105a in dem Bereich zwischen den mit dem Reaktionsbeschleunigermittel 104a und dem Reaktionsabschwächermittel 104b dotierten Bereichen des Siliziumsubstrats ist darauf zurückzuführen, dass auch Silizium eine schwache Lewis-Säure ist. 3 shows a state in which the atomic layer deposition process is completed. Like in the 3 shown is a thin film 105 selectively in the region of the reaction accelerator agent 104a while in the region of the reaction attenuator 104b no thin film is present at all. In an intermediate region of the substrate surface 103 between the reaction accelerator means 104a and the reaction moderator 104b is a reduced layer thickness of the thin film 105 provided. The small layer thickness 105a in the region between the reaction accelerator means 104a and the reaction moderator 104b doped regions of the silicon substrate is due to the fact that silicon is a weak Lewis acid.

Somit ist es durch das erfindungsgemäße Beschichtungsverfahren möglich, Dotanden in einem Substrat 101, das beispielsweise aus einem Silizium-Material ausgebildet ist, in ihrer katalytischen Eigenschaft auf der Basis des Lewis-Säure/Lewis-Base-Konzepts auszunutzen. Ein wie oben beschriebener Einsatz eines Reaktionsbeschleunigermittels 104a in Form einer Lewis-Säure ermöglicht es, die atomare Schichtdeposition (ALD), die infolge des Reaktionsbeschleunigermittels 104a eine hohe Depositionsrate aufweist, mit einer selektiven Strukturierung einer auf das Substrat 101 aufgebrachten Dünnschicht 105 zu kombinieren. Auf diese Weise ist es möglich, eine selektive atomare Schichtdeposition zu erreichen.Thus, it is possible by the coating method according to the invention, dopants in a substrate 101 , which is formed for example of a silicon material to exploit in their catalytic property based on the Lewis acid / Lewis base concept. A use of a reaction accelerator as described above 104a in the form of a Lewis acid, it allows the atomic layer deposition (ALD) due to the reaction accelerator 104a has a high deposition rate, with a selective structuring of one onto the substrate 101 applied thin film 105 to combine. In this way it is possible to achieve a selective atomic layer deposition.

Es sei darauf hingewiesen, dass die Lewis-Säuren und die Lewis-Basen nicht nur durch Gasphasendotierung bzw. Implantation in das Substrat 101 eingebracht werden können, sondern dass weiterhin zur Einbringung des Beschichtungssteuermittels Sputter-, Verdampfungs-, Diffusions-, Plasmaabscheidungs- und/oder CVD(Chemical Vapor Deposition, chemische Gasphasenabscheidung)-Prozesse eingesetzt werden können.It should be noted that the Lewis acids and the Lewis bases not only by gas phase doping or implantation into the substrate 101 can be introduced, but that continue to introduce the coating control agent sputtering, evaporation, diffusion, plasma deposition and / or CVD (Chemical Vapor Deposition) processes can be used.

Die selektive, katalytische atomare Schichtdeposition ist insbesondere vorteilhaft zum Einsatz bei der Herstellung eines Kragens in einem oberen Bereich eines Graben-Kondensators ("Collar"), wobei hier nach einer anfänglichen katalytischen Abscheidung, die die Dotierungsunterschiede ausnutzt, der Katalysator (z.B. Trimethylaluminium) auch über herkömmliche Verfahren in den Kragenbereich eingebracht werden kann. Hierbei ist der Kragenbereich der obere Bereich eines Graben-Kondensators (Trench-Kondensators).The selective, catalytic atomic layer deposition is particular advantageous for use in the manufacture of a collar in one upper area of a trench capacitor ("Collar"), here after an initial one catalytic deposition that exploits the doping differences, the Catalyst (e.g., trimethylaluminum) also via conventional methods in the collar region can be introduced. Here, the collar area is the upper Area of a trench capacitor (trench capacitor).

Das erfindungsgemäße Verfahren ist weiterhin vorteilhaft bei einem Abscheiden von Schutz- und/oder Interface-Schichten auf dotierten Gebieten, beispielsweise bei einem Erzeugen einer vergrabenen Strap-Grenzschicht.The inventive method is also advantageous in a deposition of protective and / or Interface layers in doped regions, for example at a Create a buried strap boundary layer.

Eine selektive Gateoxidabscheidung bei NMOS kann durch das erfindungsgemäße Verfahren ebenfalls in vorteilhafter Weise bereitgestellt werden. Weiterhin ist es zweckmäßig, das erfindungsgemäße Beschichtungsverfahren bei einer Abscheidung dünner Isolatorschichten zwischen Bereichen einer hohen p-Dotierung einzusetzen.A selective gate oxide deposition in NMOS can also be achieved by the method of the invention be provided in an advantageous manner. Furthermore, it is expedient that coating method according to the invention thinner in a deposition Insulator layers between areas of high p-type doping use.

Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Weise modifizierbar.Even though the present invention above based on preferred embodiments It is not limited to this, but in many ways modifiable.

Auch ist die Erfindung nicht auf die genannten Anwendungsmöglichkeiten beschränkt.Also the invention is not limited to the aforementioned applications limited.

In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Komponenten oder Schritte.In the same reference numerals designate the same or functionally identical Components or steps.

101101
Substratsubstratum
102102
Maskeneinrichtungmask means
103103
Substratoberflächesubstrate surface
103a103a
abgedeckte Oberflächenbereichecovered surface areas
103b103b
nicht-abgedeckte Oberflächenbereichenon-covered surface areas
104104
BeschichtungssteuermittelCoating control means
104a104a
ReaktionsbeschleunigermittelReaction accelerator means
104b104b
ReaktionsabschwächermittelReaktionsabschwächermittel
105105
Dünnschichtthin
201201
PrecursormittelPrecursormittel
202202
Beschichtungsmittelcoating agents

Claims (24)

Selektives Beschichtungsverfahren mit den folgenden Schritten: a) Bereitstellen eines Substrats (101); b) Abdecken von vorbestimmten Oberflächenbereichen (103a) einer Oberfläche (103) des Substrats (101) mit einer Maskeneinrichtung (102); c) Einbringen eines Beschichtungssteuermittels (104) in das Substrat (101) in den Bereichen einer nicht-abgedeckten Oberfläche (103b) des Substrats (101); und d) Katalytisches Abscheiden einer Dünnschicht (105) auf der Oberfläche (103) des Substrats (101).Selective coating process comprising the following steps: a) providing a substrate ( 101 ); b) covering of predetermined surface areas ( 103a ) of a surface ( 103 ) of the substrate ( 101 ) with a mask device ( 102 ); c) introduction of a coating control agent ( 104 ) in the substrate ( 101 ) in the areas of an uncovered surface ( 103b ) of the substrate ( 101 ); and d) catalytic deposition of a thin film ( 105 ) on the surface ( 103 ) of the substrate ( 101 ). Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Einbringen des Beschichtungssteuermittels (104) in das Substrat (101) in den Bereichen der nicht-abgedeckten Oberfläche (103b) des Substrats (101) mittels einer Gasphasendotierung oder Implantation erfolgt.Method according to claim 1, characterized in that the introduction of the coating control agent ( 104 ) in the substrate ( 101 ) in the areas of the uncovered surface ( 103b ) of the substrate ( 101 ) by means of a gas phase doping or implantation. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt d) eines katalytisches Abscheidens der Dünnschicht (105) auf der Oberfläche (103) des Substrats (101) die folgenden Teilschritte umfasst: (i) Leiten eines gasförmigen Precursormittels (201) über die Oberfläche (103) des Substrats (101) derart, dass das Precursormittel (201) und das als ein Reaktionsbeschleunigermittel (104a) ausgebildete Beschichtungssteuermittel (104) miteinander katalytisch reagieren; (ii) Leiten eines gasförmigen Beschichtungsmittels (202) über die Oberfläche (103) des Substrats (101) derart, dass eine Dünnschicht katalytisch abgeschieden wird; und (iii) Wiederholen der Schritte (i) und (ii), bis die durch die Schritte (i) und (ii) bereitgestellten katalytischen Reaktionen beendet sind.A method according to claim 1, characterized in that step d) of a catalytic deposition of the thin film ( 105 ) on the surface ( 103 ) of the substrate ( 101 ) comprises the following substeps: (i) passing a gaseous precursor agent ( 201 ) over the surface ( 103 ) of the substrate ( 101 ) such that the precursor agent ( 201 ) and that as a reaction accelerator ( 104a ) formed coating control means ( 104 ) react catalytically with each other; (ii) passing a gaseous coating agent ( 202 ) over the surface ( 103 ) of the substrate ( 101 ) such that a thin film is catalytically deposited; and (iii) repeating steps (i) and (ii) until the catalytic reactions provided by steps (i) and (ii) are completed. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass durch eine einmalige Ausführung der Sequenz der Schritte (i) und (ii) eines Leitens eines gasförmigen Precursormittels (201) und eines gasförmigen Beschichtungsmittels (202) über die Oberfläche (103) des Substrats (101) derart, dass das Precursormittel (201) und/oder das Beschichtungsmittel (202) und das als ein Reaktionsbeschleunigermittel (104a) ausgebildete Beschichtungssteuermittel (104) miteinander reagieren, auf der Oberfläche (103) des Substrats (101) eine Dünnschicht (105) mit einer Dicke von mehreren Nanometern (nm), vorzugsweise mit einer Dicke bis zu 20 Nanometern (nm) katalytisch abgeschieden wird.A method according to claim 3, characterized in that by a single execution of the sequence of steps (i) and (ii) of passing a gaseous precursor ( 201 ) and a gaseous coating agent ( 202 ) over the surface ( 103 ) of the substrate ( 101 ) such that the precursor agent ( 201 ) and / or the coating agent ( 202 ) and that as a reaction accelerator ( 104a ) formed coating control means ( 104 ) react with each other on the surface ( 103 ) of the substrate ( 101 ) a thin layer ( 105 ) With a thickness of several nanometers (nm), preferably with a thickness of up to 20 nanometers (nm) is catalytically deposited. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das die aus den Schritten (i) und (ii) bestehende Schrittsequenz zyklisch durchgeführt wird, wobei die Anzahl der Zyklen vorzugsweise in einem Bereich zwischen 1 und 300 liegt.Method according to claim 3, characterized that is, the step sequence consisting of steps (i) and (ii) cyclically, wherein the number of cycles is preferably in a range between 1 and 300 is located. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das gasförmige Beschichtungsmittel (202) als ein Oxidant oder ein Nitridierungsprecursor bereitgestellt wird.Method according to one of claims 3 to 5, characterized in that the gaseous coating agent ( 202 ) as an oxidant or a nitriding precursor. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Einbringen des Beschichtungssteuermittels (104) in das Substrat (101) in dem Bereich der nicht-abgedeckten Oberfläche (103b) des Substrats (101) mittels einer Substratdotierung bereitgestellt wird.Method according to claim 1, characterized in that the introduction of the coating control agent ( 104 ) in the substrate ( 101 ) in the area of the uncovered surface ( 103b ) of the substrate ( 101 ) is provided by means of substrate doping. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (101) als eine freiliegende Schicht eines Schichtsystems ausgebildet ist.Method according to claim 1, characterized in that the substrate ( 101 ) is formed as an exposed layer of a layer system. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (101) aus einem Siliziummaterial ausgebildet ist.Method according to claim 1, characterized in that the substrate ( 101 ) is formed of a silicon material. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (101) aus einem Isolationsmaterial ausgebildet ist.Method according to claim 1, characterized in that the substrate ( 101 ) is formed of an insulating material. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (101) durch den Schritt b) eines Abdeckens von vorbestimmten Oberflächenbereichen (103a) der Substratoberfläche (103) mit einer Maskeneinrichtung (102) strukturiert wird.Method according to claim 1, characterized in that the substrate ( 101 ) by the step b) of covering predetermined surface areas ( 103a ) of the substrate surface ( 103 ) with a mask device ( 102 ) is structured. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, ddadurch gekennzeichnet, dass das Beschichtungssteuermittel (104) als ein Reaktionsbeschleunigermittel (104a) bereitgestellt wird.Method according to claim 1 or 2, characterized in that the coating control means ( 104 ) as a reaction accelerator ( 104a ) provided. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Precursormittel (201) mit dem Reaktionsbeschleunigermittel (104a) reagiert, wobei ein Schichtwachstum der Dünnschicht (105) beschleunigt wird.Method according to claim 12, characterized in that the precursor agent ( 201 ) with the reaction accelerator ( 104a ), wherein a layer growth of the thin film ( 105 ) is accelerated. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Beschichtungssteuermittel (104) als ein Reaktionsabschwächermittel (104b) bereitgestellt wird.Method according to claim 1 or 2, characterized in that the coating control means ( 104 ) as a reaction moderator ( 104b ) provided. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Precursormittel (201) mit dem Reaktionsabschwächermittel (104b) eine geringe Wechselwirkung aufweist, wobei ein Schichtwachstum der Dünnschicht (105) verlangsamt oder verhindert wird.Method according to claim 14, characterized in that the precursor agent ( 201 ) with the reaction attenuator ( 104b ) has a low interaction, wherein a layer growth of the thin film ( 105 ) is slowed or prevented. Verfahren nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass das katalytische Abscheiden der Dünnschicht (105) auf der Oberfläche (103) des Substrats (101) ein Abscheiden von Metall-Halbleiteroxid-Materialien, vorzugsweise von Siliziumoxid-Materialien und/oder ein Abscheiden von Metall-Halbleiternitrid-Materialien, vorzugsweise von Siliziumnitrid-Materialien umfasst.A method according to claim 1 or 3, characterized in that the catalytic deposition of the thin film ( 105 ) on the surface ( 103 ) of the substrate ( 101 ) comprises depositing metal-semiconductor oxide materials, preferably silicon oxide materials, and / or depositing metal semiconductor nitride materials, preferably silicon nitride materials. Verfahren nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass das katalytische Abscheiden der Dünnschicht (105) auf der Oberfläche (103) des Substrats (101) ein Abscheiden einer Siliziumdioxid-Dünnschicht umfasst.A method according to claim 1 or 3, characterized in that the catalytic deposition of the thin film ( 105 ) on the surface ( 103 ) of the substrate ( 101 ) comprises depositing a silicon dioxide thin film. Verfahren nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass das katalytische Abscheiden der Dünnschicht (105) auf der Oberfläche (103) des Substrats (101) als eine atomare Schichtdeposition (ALD) durchgeführt wird.A method according to claim 1 or 3, characterized in that the catalytic deposition of the thin film ( 105 ) on the surface ( 103 ) of the substrate ( 101 ) is performed as an atomic layer deposition (ALD). Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das als ein Beschichtungssteuermittel (104) bereitgestellte Reaktionsbeschleunigermittel (104a) eine Lewis-Säure ist.A method according to claim 12, characterized in that as a coating control means ( 104 ) provided reaction accelerator ( 104a ) is a Lewis acid. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das als ein Beschichtungssteuermittel (104) bereitgestellte Reaktionsabschwächermittel (104b) eine Lewis-Base ist.A method according to claim 14, characterized in that as a coating control means ( 104 ) provided reaction abatement agents ( 104b ) is a Lewis base. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Beschichtungssteuermittel (104) in das Substrat (101) in dem Bereich der nicht-abgedeckten Oberfläche (103b) des Substrats (101) unter einem vorbestimmten Winkel zur Oberflächennormalen der Substratoberfläche (103) eingebracht wird und dabei ein Abschattungseffekt auf der Substratstruktur ausgenutzt wird.Method according to claim 1 or 2, characterized in that the coating control means ( 104 ) in the substrate ( 101 ) in the area of the uncovered surface ( 103b ) of the substrate ( 101 ) at a predetermined angle to the surface normal of the substrate surface ( 103 ) is introduced while a shadowing effect on the substrate structure is utilized. Verfahren nach einem oder mehreren der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das selektive Beschichtungsverfahren als ein Niederdruck-Beschichtungsprozess mittels eines Niederdruckreaktors bei einem Innendruck in einem Druckbereich von vorzugsweise einigen mTorr bis einigen Torr durchgeführt wird.Method according to one or more of the preceding Claims, characterized in that the selective coating method as a low pressure coating process by means of a low pressure reactor at an internal pressure in a pressure range of preferably a few mTorr performed until a few Torr becomes. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperatur des bereitgestellten Substrats (101) bei dem Beschichtungsprozess in einem Bereich von 50°C bis 700°C eingestellt wird.A method according to claim 22, characterized in that the temperature of the substrate provided ( 101 ) in the coating process is set in a range of 50 ° C to 700 ° C. Dünnschichtsystem, hergestellt mit einem Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 23.Thin-layer system, manufactured by a method according to one or more of claims 1 to 23rd
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