CN103180976B - 具有成角度的或竖直的led的发射器封装 - Google Patents

具有成角度的或竖直的led的发射器封装 Download PDF

Info

Publication number
CN103180976B
CN103180976B CN201180051188.7A CN201180051188A CN103180976B CN 103180976 B CN103180976 B CN 103180976B CN 201180051188 A CN201180051188 A CN 201180051188A CN 103180976 B CN103180976 B CN 103180976B
Authority
CN
China
Prior art keywords
led
encapsulation
chip
led chip
reflector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201180051188.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103180976A (zh
Inventor
戴维·托得·埃默森
陈志强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kerui Led Co
Original Assignee
Cree Hong Kong Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cree Hong Kong Ltd filed Critical Cree Hong Kong Ltd
Publication of CN103180976A publication Critical patent/CN103180976A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103180976B publication Critical patent/CN103180976B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7729—Chalcogenides
    • C09K11/7731—Chalcogenides with alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774—Aluminates
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0013—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide
    • G02B6/0023—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed between the light guide and the light source, or around the light source
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0066—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form characterised by the light source being coupled to the light guide
    • G02B6/0073—Light emitting diode [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0066—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form characterised by the light source being coupled to the light guide
    • G02B6/0068—Arrangements of plural sources, e.g. multi-colour light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/32257—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations

Abstract

本发明涉及LED封装和使用LED封装的LED显示器，其中，封装内的LED芯片以唯一的定向布置，以提供期望的封装或显示器FFP。根据本发明的一个LED封装包括反射杯和安装在反射杯内的LED芯片。反射杯具有第一轴线和与第一轴线正交的第二轴线，其中，LED芯片在反射杯内旋转，使得LED芯片不与所述第一轴线对准。一些LED封装可包括具有芯片纵向轴线的矩形LED芯片和具有杯纵向轴线的椭圆形反射杯。LED芯片安装在反射杯内，芯片纵向轴线与杯纵向轴线成角度。根据本发明的LED显示器包括多个LED封装，至少一些LED封装具有以不同角度安装在反射杯内的LED芯片，以实现期望的显示器FFP。

Description

具有成角度的或竖直的LED的发射器封装
本申请是于2009年12月11日提交的题为“SideViewSurfaceMountWhiteLED（侧视表面安装白光LED）”的美国专利申请公开No.2010/0090233的部分继续申请，本申请是于2007年4月24日提交的题为“SideViewSurfaceMountWhiteLED（侧视表面安装白光LED）”的美国专利申请No.11/739,307（现为专利No.7,649,209）的继续申请，本申请要求于2006年4月24日提交的美国临时申请No.60/745,478的权益。
本发明的背景技术
本发明的技术领域
本发明涉及发光二极管封装和使用发光二极管封装作为其光源的显示器。
现有技术的描述
发光二极管（LED）是将电能转换为光的固态装置，一般包括夹在相反掺杂层之间的半导体材料的一个或多个活性层。当在掺杂层上施加偏压时，将空穴和电子注入活性层中，在此它们重新组合，以产生光。光从活性层和LED的所有表面发出。
过去十多年的技术进步使得LED具有较小的占地面积，发射效率增加，成本降低。与其他发射器相比，LED还具有延长的使用寿命。例如，LED的使用寿命可为50,000小时以上，而白炽灯泡的使用寿命约为2,000小时。LED还比其他光源更稳定，消耗较少的能量。由于这些和其他原因，LED变得更加普及，现在用于越来越多的传统上属于白炽灯、荧光灯、卤素灯和其他发射器领域中的应用。
为了在常规应用中使用LED芯片，已知的是，将LED芯片封在封装内，以提供环境和/或机械保护、颜色选择、聚光等。LED封装还包括用于将LED封装与外部电路电连接的电导线、接触件（contact）或迹线（trace）。在图1所示的典型两脚LED封装/元件10中，单个LED芯片12通过焊接结合物或导电环氧树脂安装在反射杯（reflectivecup）13上。一条或多条焊线11将LED芯片12的欧姆接触件与导线15A和/或15B连接，所述导线可附接至反射杯13或与其成一体。反射杯13可填充有封装材料16和波长转换材料（例如，荧光体），可包含在LED芯片上方或包含在封装材料内。LED发出的第一波长的光可由荧光体吸收，该荧光体可响应地发出第二波长的光。整个组件随后可封装在透明保护树脂14中，该透明保护树脂可模制成透镜的形状，以对LED芯片12发出的光进行引导或成形。
图2示出了常规LED封装20的俯视图，其与图1所示的封装10相似，包括安装在反射杯24的底座处的LED芯片22。包括焊线26a和26b，以与LED芯片22的欧姆接触件连接，反射杯24填充有封装材料28。在封装20中，反射杯24为椭圆形，LED芯片22为矩形，LED芯片22与反射杯24纵向地对准。即，LED芯片的较长边缘与沿反射杯的延伸方向延伸的反射杯轴线对准。
可使用不同LED封装（例如，图1和图2所示的LED封装）作为大小显示器的光源。基于大屏幕LED的显示器（通常称为巨幕）在许多室内和室外场所（例如，运动场、跑道、音乐会和诸如纽约市的时代广场的大型公共区域）变得越来越常见。在当前技术下，这些显示器或屏幕中的某些可大到60英尺高和60英尺宽。随着技术进步，期望能研制出更大的屏幕。
这些屏幕可包括几千个“像素”或“像素模块”，其中的每个都可包含多个LED。像素模块可使用高效且高亮度LED，这些LED允许从相对较远的位置看见显示器，即使是在有阳光的白天。像素模块可仅具有三个或四个LED（一个红色、一个绿色和一个蓝色），这些LED允许像素根据红光、绿光和/或蓝光的组合发出多种不同颜色的光。在最大的超大屏幕中，每个像素模块可具有几十个LED。像素模块布置在矩形栅格中。在一种类型的显示器中，栅格可为640个模块宽480个模块高，屏幕的尺寸取决于像素模块的实际尺寸。
大多数基于常规LED的显示器都由接收输入信号（例如，电视信号）的计算机系统控制，基于在像素模块处所需的特定颜色形成整个显示图像，计算机系统确定每个像素模块中的哪个LED发光，并确定其亮度。还可包括电力系统，其向每个像素模块提供电力，可调节提供给每个LED的电力，使其发出期望亮度的光。提供导体以向像素模块中的每个LED提供适当功率信号。
LED显示器很少安装在观看者的视平线上，更一般地安装在高于视平线的高度处，例如，安装在建筑物的侧面或体育场的看台的顶部上。图3示出了安装在观看者32的视平线上方的升高点处的常规LED显示器30。观看者32一般位于显示器30下方，仰视显示器，使观看者对显示器30的视线34与显示器的垂直发射方向36成一角度θ。图3所示的LED显示器一般包括例如图1和图2所示的发射器的多个发射器38，这些发射器在接近水平轴线和竖直轴线的中心的位置具有峰值发射。
设置包括多个LED封装38的显示器可使得显示器在竖直方向36上具有峰值发射特性，如图所示。LED显示器30的Iv和远场图形（FFP）峰值发射特性可沿垂直轴线36与显示器垂直。显示器30安装在升高点时，观看者的视线34在垂直线下方；显示器发出的很多光观看者都看不见，而浪费掉。对于显示器下方和显示器侧面的观看者来说，情况就是如此。减少浪费的光量的一种方法是，成一角度地安装显示器，以与观看者的视线34更好地匹配，但这需要安装起来复杂且昂贵的硬件，这些硬件难于使用，对于安装在高处的非常大的显示器来说，特别是如此。
观看者通常并非处于所观看的基于LED的显示器的正前方。根据观看者所处的位置，水平视角有所不同。另外，当有人在LED显示器旁走动，例如，经过LED显示器时，其以多种不同水平角度观看显示器。在中心附近具有峰值发射的典型LED显示器在不同水平角度下出现发射强度的减弱。每个像素中的不同LED封装的远场图形（FFP）也可能不同，从而当从不同角度观看LED显示器时，其可能出现图像质量变化。
由于这个原因，使在LED显示器像素中使用的红色、绿色和蓝色LED封装的FFP发射特性平稳、尽可能得宽，在红色、绿色和蓝色之间匹配，是非常重要的。图1和图2所示的标准几何形状LED封装允许反射杯的最长反射表面（宽视角）与芯片的最长发射侧（宽视角）平行。该几何形状还使反射杯的最短反射表面（窄视角）与芯片的最短发射侧（窄视角）平行。该几何形状还将焊线长度降到最低，这有助于将焊线故障率降到最低。这种布置的挑战之处在于，其可能要求LED芯片远场图形、反射杯与LED圆顶之间的几乎完美匹配。如果没有该完美匹配，在圆顶或封装材料中可能需要使用大量扩散器。但是，扩散器会吸收封装发出的光，从而会降低发射亮度。
本发明的概要
本发明涉及LED封装和使用LED封装的LED显示器，其中，封装内的LED芯片以唯一定向布置，以提供期望的封装或显示器FFP特性。根据本发明的LED封装的一个实施例包括反射杯和安装在反射杯内的LED芯片。反射杯具有第一轴线和与第一轴线正交的第二轴线，其中，LED芯片在反射杯内旋转，使得LED芯片不与第一轴线对准。
根据本发明的LED封装的另一个实施例包括基板和安装在基板上的LED芯片。基板具有第一纵向轴线，LED芯片安装在基板上，使得LED芯片不与第一轴线对准。
根据本发明的LED封装的另一个实施例包括具有芯片纵向轴线的矩形LED芯片和具有杯纵向轴线的椭圆形反射杯。LED芯片安装在反射杯内，芯片纵向轴线与杯纵向轴线成角度。
根据本发明的LED封装可布置在LED显示器内，以提供期望的显示器FFP。从以下以示例的方式举例说明本发明的特征的详细说明和附图，本发明的这些和其他方面和优点将变得显而易见。
附图的简述
图1为常规发光二极管封装的侧视图；
图2为常规发光二极管封装的顶视图；
图3为示出了LED显示器和典型视角的示意图；
图4为根据本发明的LED封装的一个实施例的顶视图；
图5为示出了常规LED封装的水平远场图形（FFP）的图表；
图6为示出了常规LED封装的竖直远场图形（FFP）的图表；
图7为示出了根据本发明的LED封装的一个实施例的水平FFP的图表；
图8为示出了根据本发明的LED封装的一个实施例的竖直FFP的图表；
图9为示出了常规LED封装的水平远场图形（FFP）的图表；
图10为示出了常规LED封装的竖直FFP的图表；
图11为示出了根据本发明的LED封装的一个实施例的水平FFP的图表；
图12为示出了根据本发明的LED封装的一个实施例的竖直FFP的图表；
图13为在根据本发明的LED封装中可使用的反射杯的侧视图；
图14为图13所示的反射杯的顶视图；
图15为图13所示的反射杯的侧视图；
图16为在根据本发明的LED封装中可使用的另一个反射杯的侧视图；
图17为图16所示的反射杯的顶视图；
图18为图16所示的反射杯的侧视图；
图19为示出了根据本发明的LED显示器的FFP的图表；
图20为示出了根据本发明的LED显示器的FFP的图表；
图21为根据本发明的LED封装的另一个实施例的顶视图；
图22为根据本发明的LED封装的另一个实施例的透视图；
图23为图22所示的LED封装的顶视图；
图24为根据本发明的LED封装的另一个实施例的透视图；
图25为图24中的LED封装的顶视图；
图26为根据本发明的LED封装的另一个实施例的透视图；以及
图27为图26中的LED封装的顶视图。
本发明的详述
本发明涉及LED封装和使用LED封装的LED显示器，其中，封装内的LED芯片可相对于封装（或如下所述的其他部件）成角度或旋转，以提供期望的发射特性。在某些实施例中，期望的特性可包括LED封装的更宽水平和/或竖直FFP，而在其他实施例中，期望的特性可包括FFP的期望位置中的FFP不对称的设置。当以不同视角观看封装和/或显示器时，其可提供改善的图像强度和质量。使LED芯片旋转还可导致比具有常规定向的LED芯片的LED封装更平稳、更均匀的FFP。使芯片旋转还允许芯片远场发射特性与反射杯特性的更好匹配，以提供具有相似期望发射特性的LED封装的可重复制造。即，LED封装可被提供有更均匀的FFP图形，同时允许封装之间的发射均匀性更统一。
本发明还具有多种其他优点。根据本发明，通过使LED封装中的LED芯片旋转，还可减少优化FFP所需的扩散器的量。由于扩散器吸收较少的LED光，这可导致具有更强烈的视屏椭圆的LED显示器。使LED芯片旋转和减少扩散器的量还可提供具有平滑的视角发射图形的LED芯片。
在如图2所示的具有椭圆形反射杯和矩形LED芯片的一个实施例中，将LED芯片旋转成与反射杯的纵向轴线垂直或正交允许反射杯的最长反射表面（宽视角）与芯片的较短发光边（窄视角）平行。其还允许反射杯的最短反射表面（窄视角）与芯片的较长发射边（宽视角）平行。这会导致较长的焊线，这会要求更紧密地关注制造，以提供具有良好可靠性的封装。但是，该封装几何形状可提供放宽常规LED封装的LED芯片远场图形、反射杯和LED圆顶之间所需的匹配标准的优点。其还可减少对大量扩散器的需要。某些实施例可包括椭圆形反射杯和矩形LED芯片，LED芯片不与反射杯的纵向轴线对准。
根据本发明的LED封装的其他实施例可具有不同形状的反射杯，例如，圆形、方形、矩形或其他多边形形状。在不同封装中使用的LED芯片可具有不同形状，例如，方形、圆形、椭圆形、矩形或其它多边形形状。例如，在根据本发明的另一个实施例中，反射杯可为圆形，LED芯片可为方形，使LED芯片旋转成与反射杯或LED封装的轴线成一角度。还应理解的是，根据本发明的LED封装可没有设置反射杯，LED芯片安装在基板或基台（submount）上，其他LED封装可包括LED芯片阵列，而非单个LED芯片。
本文中描述的上述实施例可参照一个轴线长于其正交轴线的反射杯。但是本发明还可等同地适用于具有封装、基板、基台或一个轴线长于其正交轴线的透镜的实施例。换句话说，应理解的是，本发明可适用于具有较长和较短正交轴线的封装、基板和基台、或具有透镜且透镜具有较长和较短正交轴线的封装。在这些实施例中，使LED芯片旋转成不与较长轴线对准，或旋转成与较长轴线和较短轴线都不对准。
本文中参照特定实施例对本发明进行说明，但应理解的是，本发明可以多种不同形式实施，不应被理解为限于本文中阐述的实施例。特别地，多个不同LED、反射杯和引线框架布置可以除上述的那些以外的方式提供，封装材料可提供其他特征，以提高LED封装和使用LED封装的LED显示器的可靠性和发射特性。尽管本文中参照反射杯对某些实施例进行了说明，但应理解的是，本发明可等同地适用于具有任何类型的反射腔或不具有反射杯的任何实施例。尽管上述LED封装的不同实施例用于在LED显示器中使用，但是其可单独地或与具有相同或不同峰值发射倾角的其他LED封装结合地用于多种其他应用中。
还应理解的是，当一个诸如层、区域或基板的元件被称为位于另一个元件“上”时，其可直接位于另一个元件上，或还可存在中间元件。另外，本文中使用诸如“在...上方”和“在...下方”的相对术语以及相似术语来描述一个层或另一个区域的关系。应理解的是，这些术语旨在包括除图中所示的定向以外的装置的不同定向。
尽管本文中使用术语“第一”、“第二”等来描述各个元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受限于这些术语。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个区域、层或部分区分开。因此，在不背离本发明的教导的情况下，下文所述的第一元件、部件、区域、层或部分可被称为第二元件、部件、区域、层或部分。
本文中参照作为本发明的实施例的示意图的横截面示意图对本发明的实施例进行了说明。因此，层的实际厚度可不同，可根据例如预期的制造技术和/或公差改变示出的形状。本发明的实施例不应被理解为限于本文中所示的特定形状的区域，而是应包括由于例如制造而导致的形状的改变。由于正常制造公差的原因，示出或描述为方形或矩形的区域一般将具有圆形或弯曲特征。因此，图中所示的区域实际上是示意性的，其形状不应示出装置的区域的精确形状，不应限制本发明的范围。
图4示出了根据本发明的LED封装50的一个实施例，其总体上包括反射杯54，LED芯片56安装在反射杯54的底座处。在引脚安装的实施例中，LED封装可包括可用已知制造方法由常规材料制成的两脚引线框架（未示出，但与图1所示的那些相似）。电信号可通过引线框架部分的两个引脚施加至LED56，焊线58a，58b提供引线框架与LED56之间的电路径，以将电信号传送至LED56，使其发光。
封装50中可使用多种不同类型的LED或LED芯片，常规LED芯片的制造是众所周知的，本文仅对其进行简要说明。可利用具有使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）进行制造的合适工艺的已知工艺来制造LED芯片。LED芯片的层一般包括夹在第一和第二相反掺杂外延层之间的活性层/区域，所有这些相反掺杂外延层都相继地形成在生长基板上。LED芯片可形成在晶片上，随后进行切割（singulate），以安装在封装内。应理解的是，生长基板可始终作为最终切割而成的LED芯片的一部分，或生长基板可完全或部分地去除。
还应理解的是，LED56中还可包括额外的层和元件，包括但不限于，缓冲器、晶核、接触件和电流扩散层、以及光提取层和元件。活性区域可包括单量子井（SQW）、多量子井（MQW）、双异质结构或超晶格结构。活性区域和掺杂层可由不同材料系统制成，优选材料系统为于Ⅲ族氮化物基材料系统。Ⅲ族氮化物是指在氮与周期表的III族元素（通常为铝（Al）、镓（Ga）和铟（In））之间形成的那些半导体化合物。该术语还指三元化合物和四元化合物，例如，氮化铝镓（AlGaN）和氮化铝铟镓（AlInGaN）。在一个优选实施例中，掺杂层为氮化镓（GaN），活性区域为InGaN。在可替代实施例中，掺杂层可为AlGaN、砷化镓铝（AlGaAs）或磷化铝镓铟砷（AlGalnAsP）。
生长基板可由多种材料制成，例如，蓝宝石、碳化硅、氮化铝（A1N）、氮化镓（GaN），合适的基板为碳化硅的4H多型体，但也可使用其他碳化硅多型体，包括3C、6H和15R多型体。碳化硅具有特定优点，例如，与蓝宝石相比，与III族氮化物的更紧密晶格匹配，使得III族氮化物薄膜具有较高质量。碳化硅还具有非常高的导热率，使得碳化硅上的III族氮化物器件的总输出功率不受基板的热耗散限制（对于形成在蓝宝石上的某些器件，可能就是如此）。SiC基板可从北卡罗来纳州的达勒姆的CreeResearch有限公司购得，在科学文献以及美国专利No.Re.34,861；No.4,946,547和No.5,200,022中对其生产方法进行了说明。
LED芯片还可包括位于顶面上的导电电流扩散结构和焊线焊盘，两者均由可利用已知方法沉积的导电材料制成。可用于这些元件的某些材料包括Au、Cu、Ni、In、Al、Ag或其组合、以及导电氧化物和透明导电氧化物。电流扩散结构可包括设于LED56上的栅格中的导电指状件，指状件隔开，以加强从焊盘到LED芯片的顶面的电流扩散。在操作中，电信号通过焊线施加至焊盘，如下所述的，电信号通过电流扩散结构的指状件和顶面扩散到LED芯片中。电流扩散结构通常用于顶面为p型的LED芯片中，但还可用于n型材料。
本文描述的某些或所有LED芯片可涂敷有一个或多个荧光体，荧光体吸收至少某些LED芯片光，并发出不同波长的光，使得LED芯片发出来自LED芯片和荧光体的光组合。在根据本发明的一个实施例中，发白光LED芯片具有发出蓝色波长谱中的光的LED芯片，荧光体吸收某些蓝光，并重新发出黄光。LED芯片发出蓝光和黄光的白光组合。在其他实施例中，LED芯片发出蓝光和黄光的非白光组合，如美国专利7,213,940所述的。在某些实施例中，荧光体包括市场上可买到的YAG:Ce，但是全范围的宽黄色光谱发射可使用由基于(Gd,Y)3(Al,Ga)5O12:Ce系统（例如，Y3Al5O12:Ce(YAG)）的荧光体制成的转换颗粒。可用于发白光LED芯片的其他黄色荧光体包括：
Tb3-xRExO12:Ce(TAG);RE=Y,Gd,La,Lu；或
Sr2-x-yBaxCaySiO4:Eu。
不同LED芯片还可包括发红光、绿光和蓝光的LED，其可由允许直接从活性区域发出期望的光的结构和材料制成。例如，红光可直接从由特定材料（例如，AlInGaP）制成的LED的活性区域发出。可替代地，在其他实施例中，LED芯片可涂敷有提供期望的发射的期望的转换材料（例如，荧光体）。例如，发红光LED芯片可包括由吸收LED芯片光并发出红光的荧光体覆盖的LED芯片。LED芯片可发出蓝光或UV光，适用于这些结构的某些荧光体可包括：Lu2O3:Eu3+；(Sr2-xLax)(Ce1-xEux)O4；Sr2-xEuxCeO4；SrTiO3:Pr3+,Ga3+；CaAlSiN3:Eu2+；和Sr2Si5N8:Eu2+。
红色、绿色和蓝色LED芯片可用于单独的LED封装中，并可用于LED显示器像素中，如上所述的。可替代地，LED芯片可位于具有多个红色、绿色和蓝色LED芯片的封装中。这些LED封装实施例的某些可具有红色、绿色和蓝色LED芯片，每个LED芯片都具有其自身的强度控制，以允许封装发出红光、绿光和蓝光的多种不同颜色组合。
涂敷有荧光体的LED芯片利用多种不同方法进行涂敷，一种适用的方法在题为“WaferLeverPhosphorCoatingMethodandDevicesFabricatedUtilizingMethod（晶片级荧光体涂敷方法和利用方法制造的器件）”的美国专利申请序列No.11/656,759和No.11/899,790中进行了说明，将这两个美国专利申请通过引证结合到本文中。可替代地，LED可使用其他方法（例如，电泳沉积（EPD））进行涂敷，一种适用的EPD方法在题为“CloseLoopElectrophoreticDepositionofSemiconductorDevices（半导体器件的闭环电泳沉积）”的美国专利申请No.11/473,089中进行了说明，将该美国专利申请通过引证结合到本文中。应理解的是，根据本发明的LED封装还可具有不同颜色的多个LED，其中的一个或多个可发白光。
在所示实施例中，反射杯54为椭圆形。即，当从上方观看反射杯54时，其具有长于第二轴线62（即，其竖直轴线）的第一轴线或纵向轴线60。如下所述的，根据本发明的反射杯可具有多种不同尺寸。在所示实施例中，LED芯片56为矩形，不与反射杯54的第一（纵向）轴线60对准地安装，而是与反射杯的第二轴线62对准地安装。在该布置中，LED56的长边64与反射杯54的短边66对准，LED的短边68与反射杯54的长边70对准。
这种对准可提供某些期望的LED封装发射特性，如上所述的，并可放宽LED封装部件的匹配要求，如上所述的。根据本发明的LED封装可更能承受制造偏差，相比之下，制造偏差会对常规LED封装的FFP产生大得多的负面影响。这种制造偏差可包括反射杯和LED芯片的形状、反射杯中的LED芯片的设置或焊线的设置、以及封装材料的变化。
与具有水平定向LED芯片的LED封装相比，如图所示地使LED芯片56在反射杯54中旋转还可提供改善的远场图形发射特性。图5和图6示出了不具有透镜而具有如上述图2所示的常规定向的LED芯片的LED封装的发射强度特性的示例。图5示出了在约70度的水平辐射角下具有50%发射强度82的水平远场图形（FFP）80。图6示出了在约58度的竖直辐射图形下具有50%发射强度86的竖直FFP84。作为比较，图7和图8示出了具有如图4所示的竖直定向LED芯片的LED封装的发射强度特性的示例，该LED芯片处于与提供图5和图6所示的发射特性的LED封装相同的反射杯内。图7示出了在约76度的水平辐射角下具有50%发射强度90的水平FFP88。图8示出了在约65度的竖直辐射角下具有50%发射强度94的竖直FFP92。
如图5和图6与图7和图8的比较所示，具有竖直定向LED芯片的封装具有较宽视角，在水平和竖直辐射角下都具有50%强度。发射图形还包括较少的不均匀，对于不同发射角具有辐射强度的平稳下降。差别可归因于不同因素，例如，LED芯片的在水平方向发出更大累积强度的光的较长发射表面。竖直发射强度的增加也可归因于多个因素，例如，LED芯片的在竖直方向上更靠近反射表面的边缘。应注意的是，旋转的或竖直的LED芯片布置的FFP发射特性之间还可能存在其他差别。一个可能差别在于，竖直的芯片LED封装的峰值发射强度会较窄，但辐射强度至少下降一角度（角度越大，下降越慢）。
图9和图10示出了在进行锡焊和具有如上述图2所示的常规定向的LED芯片的封装之后的发射强度特性的示例。图9示出了在约94度的水平辐射角下具有50%发射强度102的水平FFP100。图10示出了在约44度的竖直辐射图形下具有50%发射强度106的竖直FFP104。这些FFP可为发出不同颜色的光的相似LED，FFP100和104为具有发绿光LED芯片的LED封装的FFP。对于相似反射杯布置中的具有发蓝光LED芯片的LED封装而言，FFP和50%辐射发射强度在约95度水平角和43度竖直角下几乎相同。
作为比较，图11和图12示出了根据本发明的具有图4所示的竖直定向LED芯片的LED封装的发射强度特性的示例。LED芯片设于与提供图9和图10所示的发射特性的LED封装相同或相似的反射杯内。图11示出了在约101度水平辐射角下具有50%发射强度110的水平FFP108。图12示出了在约48度竖直辐射角下具有50%发射强度114的竖直FFP112。所示发射图形为具有发绿光LED芯片的LED封装的发射图形。对于具有发出其他颜色的光的LED芯片的LED封装，发射图形相似。对于具有发蓝光LED芯片的LED封装，FFP和50%辐射发射强度在约102度水平角和48度竖直角下几乎相同。
通过在不同反射杯中设置不同LED芯片，可实现更宽的50%视角发射图形。在具有发红光、绿光和蓝光LED芯片的LED封装的某些实施例中，50%水平发射强度角可达到120度，而50%竖直发射强度角可达到70度。在具有绿色和蓝色LED芯片的封装的一个实施例中，50%水平强度角为115度，50%竖直角为65度。在具有红色LED芯片的封装的一个实施例中，50%水平强度角可为108度，50%竖直强度角可为58度。在上文所示的不同实施例中，与具有水平定向LED芯片的常规LED封装相比，发射强度角的增加可在0至5%的范围内增加。在其他实施例中，可在0至10%的范围内增加，而在其他实施例中，可在0至15%的范围内增加。
本发明可适用于具有多种不同形状和尺寸的封装和LED芯片。图13至15示出了可用于根据本发明的LED封装的椭圆形反射杯120的一个实施例。反射杯120的长度和宽度约为1.26mm和1.01mm。反射杯120的底座122的长度约为.9mm，宽度约为.65mm，成角度的反射表面124约为0.15mm高，具有约100度的开度（opening）。图16至18示出了形状与反射杯120相似的反射杯130的另一个实施例。反射杯130的底座132的尺寸与反射杯120的底座122相同。但是，成角度的表面134的高度约为0.25mm，具有约80度的开度。这使封装的长度为1.32mm，宽度为1.07mm。这仅为在根据本发明的LED封装中可使用的反射杯的多种不同形状和尺寸的两个示例。
LED封装可具有不同形状和尺寸的LED芯片，矩形LED芯片的长度大于宽度。在某些实施例中，长度可达到1000μm，宽度可达到500μm。在其他实施例中，长度可达到500μm，宽度可达到300μm。在一个实施例中，LED芯片的长度可约为480μm，宽度可约为260μm。
根据本发明的LED封装可用于形成LED显示器，LED显示器具有改善的远场图形。根据本发明的多个LED的累积效应、以及改善的发射特性和LED封装的可重复制造性使得LED显示器呈现出相同的改善的发射。
LED显示器可根据本发明而设有多个不同数量的LED模块或像素。在某些实施例中，LED显示器可具有1至100,000个模块或像素。在其他实施例中，LED显示器可具有100,000至200,000个之间的模块或像素，而在其他实施例中，LED显示器可具有200,000至300,000个之间的模块或像素。在其他实施例中，LED显示器可具有300,000个以上的像素或模块。像素或模块设于矩形栅格中。例如，栅格的宽度可为640个模块/像素，高度可为480个模块/像素，屏幕的最终尺寸取决于模块/像素的实际尺寸。根据本发明的显示器可为多种不同形状和尺寸，许多显示器达到60英尺高和60英尺宽。
图19示出了根据本发明的使用LED封装的LED显示器的一个实施例的水平FFP的发射强度曲线140，其在120度的水平视角的范围内呈现出基本平的发射强度特性。这提供了对在更大角度范围下观看LED显示器的改善，LED图像在法线0°视角下与在法线的任一侧的60°以内的任何视角下具有基本相同的强度。由此，与基于常规LED的显示器相比，图像在较大角度范围内保持了其质量。
图20示出了使用根据本发明的LED封装的LED显示器的一个实施例的竖直远场图形的屏幕曲线150。与上文所述的在没有增加的竖直发射角的显示器中使用的LED封装相比，该竖直图形更遵循朗伯图形。应理解的是，在其他实施例中，某些或所有LED封装可设置成具有更高的竖直视角，竖直的屏幕曲线呈现出与图19所示的相似的平的部分。
使用根据本发明的LED封装的根据本发明的LED显示器还可在竖直视角的范围内呈现出改善的发射强度曲线。为了在这些不同视角下提供更统一的图像质量，根据本发明的LED显示器为这些角度下的红色、绿色和蓝色LED提供匹配的屏幕曲线和远场图形。虽然光的强度可随着视角增加而降低，但具有相同发射曲线的发射器保持图像的颜色质量。
根据本发明的显示器还可包括LED封装的不同组合。即，不同显示器中的LED封装不需要都具有相同特征，以增加发射角。根据本发明的LED封装还可用于除LED显示器以外的多种不同照明应用，特别是使用需要增加的发射角的小型高输出光源的那些应用。这些应用的某些包括但不限于，路灯、建筑灯、家庭和办公照明、显示器照明和背光照明。
除上文所述的增加发射角以外，本发明还可用于补偿特定非期望发射特性。FFP不均匀或不对称可能是由LED封装的特征（例如，焊盘不对称、焊线尺寸和位置、电流扩散指状件的几何形状等）造成的。LED芯片还可发出不对称FFP。这些FFP不均匀和不对称可降至最低，可被最终用户接受。在其不可接受的情况下，LED芯片在反射杯内的旋转还可允许对在FFP的最可接受位置中设置缺陷的控制。最终用户多数希望将远场中的缺陷设置在模块或固定物中的特定位置中，以使其在某种程度上是显而易见的。在常规LED封装中，为了获得远场不对称的适当位置，封装可包括特殊光学元件、特殊焊板，或将封装附设在旋转定向中。根据本发明的LED封装还可通过使LED芯片在反射杯或封装内旋转而获得远场不对称的该选择位置。
如上所述，矩形LED芯片还可在具有不同于椭圆形的其他形状的反射杯中旋转。LED芯片可具有除矩形以外的多种不同形状，这些不同形状的LED可安装在具有多种不同形状的反射杯内。在所有这些反射杯中，旋转会使得FFP不对称处于不同位置中。
图21示出了根据本发明的LED封装200的另一个实施例，其为与图4所示的实施例相似的两脚式封装。其包括安装于反射杯204的底座的LED芯片202，焊线206a，206b连接在封装引脚与LED芯片之间，以用于对LED芯片施加电信号。但是，在该实施例中，LED芯片202为方形，反射杯204为圆形。反射杯204包括基本与封装引脚对准的第一轴线210和与第一轴线210正交的第二轴线212。LED芯片202不与第一和第二轴线210，212对准地安装在反射杯204内。即，LED芯片202的侧边不与第一或第二轴线210，212对准。相反，LED芯片202相对于轴线210，212成角度或旋转。通过使LED芯片202在反射杯204内旋转，与LED芯片与轴线对准的封装相比，FFP不对称可位于FFP的不同位置处。
应理解的是，LED芯片202可以0至90度范围内的多个不同角度旋转。在所示实施例中，LED芯片202以与轴线210，212成约45度的角度旋转。
图22和图23示出了根据本发明的表面安装LED封装220的另一个实施例，其包括基板222、安装在基板222上的反射杯224、以及在反射杯224内安装于基板222的方形LED芯片226（如图23所示）。如上所述，LED芯片226可为除方形以外的多种不同形状。LED封装220进一步包括反射杯224上方的透镜227。LED封装220以与可从北卡罗来纳州的达勒姆的Cree有限公司购得的按照XR-E和XR-C型号标识的LED封装相似的方式设置。LED封装220还具有在封装接触件232a，232b之间延伸的第一轴线231和与第一轴线231正交的第二轴线234。与市场上可买到的相似LED封装不同，LED芯片226在反射杯内成角度或旋转，使得其边缘不与第一或第二轴线231，234对准。这可用于改变FFP不对称的位置，如上所述的。与LED封装200相同，LED芯片226可相对于轴线231，234以0至90度范围内的多个不同角度设置。在所示实施例中，LED芯片可布置成使得其边缘相对于轴线231，234成45度角。
图24和图25示出了根据本发明的LED封装240的另一个实施例，其包括基板242，LED芯片244安装在基板242上。透镜246可在LED芯片244上方以半球形状模制在基板242上。LED封装240以与可从北卡罗来纳州的达勒姆的Cree有限公司购得的按照XR-E和XR-C型号标识的LED封装相似的方式设置。LED封装240包括在封装接触件250a，250b之间延伸的第一轴线248和与第一轴线248正交的第二轴线252。与上述封装相同，LED芯片成角度或旋转，其边缘不与第一和第二轴线248，252对准。旋转范围可为0至90度，所示实施例的LED芯片旋转约45度。
上述LED封装实施例具有安装在反射杯内或安装在基板上的单个LED芯片。应理解的是，其他LED封装实施例可具有安装在反射杯内或安装在基板上的一个以上的LED芯片。这些实施例中的所有或某些多个LED芯片可旋转，在其他实施例中，每个LED芯片可具有相同旋转角，或者某些可具有不同旋转角。每个LED芯片的特定角可由多个因素决定，一个因素为特定芯片的特定FFP不对称和FFP图形不对称的期望位置。
图26和图27示出了根据本发明的多芯片LED封装260的一个实施例，其包括基板262和安装在基板262上的4芯片LED阵列264（如图27所示）。透镜266可在LED阵列264上方形成在基板262上。LED封装260以与可从北卡罗来纳州的达勒姆的Cree有限公司购得的按照XR-E和XR-C型号标识的LED封装相似的方式设置。LED封装260包括在基板262的一侧的第一接触件270a与另一侧的第二接触件270b之间延伸的第一轴线268。LED封装260还包括与第一轴线268正交的第二轴线272。在该实施例中，LED阵列264包括以方形阵列设置的方形LED芯片，但应理解的是，LED芯片可具有多种不同形状，阵列也可具有多种不同形状。LED阵列264在基板262上成角度或旋转，使阵列的边缘不与两个轴线268，270对准。与上述旋转的LED芯片相同，LED阵列264可相对于轴线以0至90度范围内的任何角度旋转，所示阵列相对于轴线成约45度角。
尽管已参考本发明的特定优选配置对本发明进行了详细说明，但也可采用其他版本。因此，本发明的主旨和范围不应受限于上述版本。

Claims (44)

1.一种发光二极管LED封装，包括：
反射杯和安装在所述反射杯内的LED芯片，其中，所述反射杯具有第一轴线和与所述第一轴线正交的第二轴线，其中，所述LED芯片在所述反射杯内旋转，使得所述LED芯片不与所述第一轴线对准；以及
其中，所述LED芯片具有芯片长轴线，所述芯片长轴线与所述第一轴线正交。
2.根据权利要求1所述的LED封装，其中，所述LED芯片不与所述第二轴线对准。
3.根据权利要求1所述的LED封装，其中，所述LED芯片具有边缘，其中，所述边缘不与所述第一轴线和所述第二轴线对准。
4.根据权利要求1所述的LED封装，其中，所述LED芯片与所述第二轴线对准。
5.根据权利要求1所述的LED封装，其中，所述反射杯为椭圆形。
6.根据权利要求5所述的LED封装，其中，所述LED芯片为矩形。
7.根据权利要求5所述的LED封装，其中，所述第一轴线为椭圆形的所述反射杯的纵向轴线，所述LED芯片与所述第二轴线对准。
8.根据权利要求1所述的LED封装，其中，所述反射杯为圆形。
9.根据权利要求1所述的LED封装，其中，所述LED芯片不与所述第一轴线对准且成0至90度之间的一角度。
10.根据权利要求1所述的LED封装，其中，所述LED芯片不与所述第一轴线对准且成约45度的一角度。
11.根据权利要求1所述的LED封装，其中，所述LED芯片为LED芯片的阵列的一部分。
12.根据权利要求1所述的LED封装，发出的远场图形具有的50％发射强度角比其中所述LED芯片与所述第一轴线对准的相同LED封装宽。
13.根据权利要求1所述的LED封装，进一步包括位于所述LED芯片上方的透镜。
14.根据权利要求1所述的LED封装，进一步包括基板，所述LED芯片和所述反射杯安装在所述基板上。
15.一种发光二极管LED封装，包括：
基板和安装在所述基板上的LED芯片，其中，所述基板具有第一纵向轴线，并且其中，所述LED芯片安装在所述基板上，使得所述LED芯片不与所述第一纵向轴线对准；并且
其中，所述LED封装发出的远场图形具有的50％发射强度角比在所述LED芯片与所述第一纵向轴线对准的情况中宽。
16.根据权利要求15所述的LED封装，进一步包括位于所述LED芯片上方的透镜。
17.根据权利要求16所述的LED封装，其中，所述第一纵向轴线在所述基板上的接触件之间延伸。
18.根据权利要求15所述的LED封装，进一步包括与所述第一纵向轴线正交的第二轴线，其中，所述LED芯片不与所述第二轴线对准。
19.根据权利要求18所述的LED封装，其中，所述LED芯片与所述第二轴线对准。
20.根据权利要求18所述的LED封装，其中，所述LED芯片不与所述第一纵向轴线对准且成0至90度之间的一角度。
21.根据权利要求18所述的LED封装，其中，所述LED芯片不与所述第一纵向轴线对准且成约45度的一角度。
22.根据权利要求18所述的LED封装，其中，所述LED芯片为LED芯片的阵列的一部分。
23.根据权利要求15所述的LED封装，进一步包括位于所述基板上的反射杯。
24.一种发光二极管LED封装，包括：
具有芯片纵向轴线的矩形LED芯片；以及
具有杯纵向轴线的椭圆形反射杯，所述LED芯片安装在所述反射杯内，所述芯片纵向轴线与所述杯纵向轴线正交。
25.根据权利要求24所述的LED封装，其中，所述芯片纵向轴线与所述杯纵向轴线正交。
26.根据权利要求24所述的LED封装，其中，所述LED芯片为LED芯片的阵列的一部分。
27.根据权利要求24所述的LED封装，发出的远场图形具有的50％发射强度角比其中所述芯片纵向轴线与所述杯纵向轴线对准的相同LED封装宽。
28.根据权利要求24所述的LED封装，进一步包括位于所述LED芯片上方的透镜。
29.根据权利要求24所述的LED封装，进一步包括基板，所述LED芯片和所述反射杯安装在所述基板上。
30.一种发光二极管(LED)显示器，包括：
多个LED封装，所述多个LED封装中的至少一些具有安装在反射杯内的LED芯片，所述封装具有与第二轴线正交的第一轴线，所述LED芯片不与所述第一轴线对准地安装；以及
其中，每个所述LED封装发出的远场图形具有的50％发射强度角比在所述LED芯片与所述第一轴线对准的情况中宽。
31.根据权利要求30所述的显示器，其中，所述LED芯片不与所述第二轴线对准。
32.根据权利要求30所述的显示器，其中，所述LED芯片具有边缘，其中，所述边缘不与所述第一轴线和所述第二轴线对准。
33.根据权利要求30所述的显示器，其中，所述LED芯片与所述第二轴线对准。
34.根据权利要求30所述的显示器，其中，每个所述反射杯均为椭圆形。
35.根据权利要求34所述的显示器，其中，每个所述LED芯片均为矩形。
36.根据权利要求34所述的显示器，其中，所述第一轴线为椭圆形的所述反射杯的纵向轴线，所述LED芯片与所述第二轴线对准。
37.根据权利要求30所述的显示器，其中，所述反射杯为圆形。
38.根据权利要求30所述的显示器，其中，每个所述LED芯片均不与所述第一轴线对准且成0至90度之间的一角度。
39.根据权利要求30所述的显示器，其中，每个所述LED芯片均不与所述第一轴线对准且成约45度的一角度。
40.根据权利要求30所述的显示器，其中，每个所述LED芯片均为LED芯片的阵列的一部分。
41.根据权利要求30所述的显示器，进一步包括基板，所述LED芯片和所述反射杯安装在所述基板上。
42.一种发射器，包括：
安装在封装内的LED芯片，其中，所述LED芯片具有芯片长轴线，并且所述封装具有封装长轴线，其中，所述芯片长轴线与所述封装长轴线不同地定向；并且
其中，所述LED封装发出的远场图形具有的50％发射强度角比在所述芯片长轴线与所述封装长轴线对准的情况中宽。
43.一种发光二极管LED封装，包括：
位于基台或反射杯上的LED芯片；以及
位于所述LED上方的透镜，其中，所述透镜具有第一轴线和与所述第一轴线正交的第二轴线，其中，所述LED芯片位于所述基台或所述反射杯上，所述LED芯片不与所述第一轴线对准；
其中，所述LED封装发出的远场图形具有的50％发射强度角比在所述LED芯片与所述第一轴线对准的情况中宽。
44.根据权利要求43所述的LED封装，其中，所述LED芯片也不与所述第二轴线对准。
CN201180051188.7A 2010-08-25 2011-08-18 具有成角度的或竖直的led的发射器封装 Active CN103180976B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/868,567 2010-08-25
US12/868,567 US8748915B2 (en) 2006-04-24 2010-08-25 Emitter package with angled or vertical LED
PCT/US2011/001457 WO2012026966A1 (en) 2010-08-25 2011-08-18 Emitter package with angled or vertical led

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103180976A CN103180976A (zh) 2013-06-26
CN103180976B true CN103180976B (zh) 2016-05-04

Family

ID=44773124

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180051188.7A Active CN103180976B (zh) 2010-08-25 2011-08-18 具有成角度的或竖直的led的发射器封装

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8748915B2 (zh)
CN (1) CN103180976B (zh)
TW (1) TWI580076B (zh)
WO (1) WO2012026966A1 (zh)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9780268B2 (en) 2006-04-04 2017-10-03 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
USD738832S1 (en) * 2006-04-04 2015-09-15 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) package
US11210971B2 (en) 2009-07-06 2021-12-28 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Light emitting diode display with tilted peak emission pattern
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
JP5633695B2 (ja) * 2010-11-29 2014-12-03 ソニー株式会社 照明装置、投影型表示装置および直視型表示装置
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
TWI523269B (zh) 2012-03-30 2016-02-21 晶元光電股份有限公司 發光元件
US10222032B2 (en) 2012-03-30 2019-03-05 Cree, Inc. Light emitter components and methods having improved electrical contacts
TWI626395B (zh) 2013-06-11 2018-06-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
KR20150019828A (ko) * 2013-08-16 2015-02-25 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR102154061B1 (ko) * 2014-02-05 2020-09-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 조명 장치
JP6634447B2 (ja) * 2014-10-27 2020-01-22 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 指向性発光装置及びその製造方法
USD826871S1 (en) * 2014-12-11 2018-08-28 Cree, Inc. Light emitting diode device
USD793618S1 (en) 2015-12-24 2017-08-01 Semicon Light Co., Ltd. Mold for packaging semiconductor light emitting device
USD793001S1 (en) 2015-12-24 2017-07-25 Semicon Light Co., Ltd. Mold for packaging semiconductor light emitting device
USD793002S1 (en) 2015-12-24 2017-07-25 Semicon Light Co., Ltd. Mold for packaging semiconductor light emitting device
USD795492S1 (en) 2015-12-24 2017-08-22 Semicon Light Co., Ltd. Mold for packaging semiconductor light emitting device
JP1566954S (zh) * 2016-04-28 2017-01-16
USD830200S1 (en) 2016-05-11 2018-10-09 Semicon Light Co., Ltd. Housing for packaging semiconductor light emitting device
DE112017003086T5 (de) * 2016-06-21 2019-03-14 Soraa, Inc. LED-Package
CN106384777A (zh) * 2016-12-07 2017-02-08 惠州雷曼光电科技有限公司 Led封装器件和led显示装置
US20200098957A1 (en) * 2017-01-18 2020-03-26 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Ltd. Multiple led light source lens design in an integrated package
JP1588923S (zh) * 2017-03-15 2017-10-23
EP3545561B1 (en) 2017-08-25 2022-10-26 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Ltd. Multiple led light source integrated package

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1418630A1 (en) * 2002-11-07 2004-05-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. LED lamp
EP1538680A2 (en) * 2003-12-03 2005-06-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Light emitting device
EP1953834A1 (en) * 2005-11-21 2008-08-06 Matsushita Electric Works, Ltd. Light-emitting device
CN101432895A (zh) * 2006-04-24 2009-05-13 科里公司 侧视表面安装式白光led

Family Cites Families (252)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US303315A (en) * 1884-08-12 Flying target-ball
US244965A (en) * 1881-07-26 Medical compound
US429757A (en) * 1890-06-10 Paper-carriage for type-writing machines
US622795A (en) * 1899-04-11 Time-recorder
US217414A (en) * 1879-07-08 Improvement in fire-kindlers
US376902A (en) * 1888-01-24 Dumping wagon
US42048A (en) * 1864-03-22 Improvement in self-acting mules
US621210A (en) * 1899-03-14 Ralph bostock and frank arthur cheetiiam
US66626A (en) * 1867-07-09 Adrian rais
US187009A (en) * 1877-02-06 Improvement in pumps
US692206A (en) * 1901-04-06 1902-01-28 Frank Lincoln Lumbert Cask-handling device.
US707069A (en) * 1902-05-03 1902-08-19 John C Allen Glove.
US759733A (en) * 1903-06-01 1904-05-10 De Haven Morris Tool.
US3760237A (en) 1972-06-21 1973-09-18 Gen Electric Solid state lamp assembly having conical light director
JPS5939839Y2 (ja) 1977-02-28 1984-11-08 株式会社三協精機製作所 直流電動機の速度制御回路
JPS53126570U (zh) 1977-03-15 1978-10-07
FR2436505A1 (fr) 1978-09-12 1980-04-11 Radiotechnique Compelec Dispositif optoelectronique a emetteur et recepteur couples
JPS604991B2 (ja) 1979-05-11 1985-02-07 株式会社東芝 ディスプレイ装置
US4511425A (en) 1983-06-13 1985-04-16 Dennison Manufacturing Company Heated pad decorator
JPH0416467Y2 (zh) 1986-03-31 1992-04-13
US4866005A (en) 1987-10-26 1989-09-12 North Carolina State University Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide
EP0400176B1 (de) 1989-05-31 2000-07-26 Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Verfahren zum Montieren eines oberflächenmontierbaren Opto-Bauelements
US4946547A (en) 1989-10-13 1990-08-07 Cree Research, Inc. Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth
US5042048A (en) 1990-03-02 1991-08-20 Meyer Brad E Target illuminators and systems employing same
US5167556A (en) 1990-07-03 1992-12-01 Siemens Aktiengesellschaft Method for manufacturing a light emitting diode display means
US5130761A (en) 1990-07-17 1992-07-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Led array with reflector and printed circuit board
US5200022A (en) 1990-10-03 1993-04-06 Cree Research, Inc. Method of improving mechanically prepared substrate surfaces of alpha silicon carbide for deposition of beta silicon carbide thereon and resulting product
US5122943A (en) * 1991-04-15 1992-06-16 Miles Inc. Encapsulated light emitting diode and method for encapsulation
US5351106A (en) * 1991-07-01 1994-09-27 Amergraph Corporation Exposure system
AU4782293A (en) * 1992-07-24 1994-02-14 Tessera, Inc. Semiconductor connection components and methods with releasable lead support
US5790298A (en) 1994-05-03 1998-08-04 Gentex Corporation Method of forming optically transparent seal and seal formed by said method
DE4446566A1 (de) * 1994-12-24 1996-06-27 Telefunken Microelectron Mehrpoliges, oberflächenmontierbares, elektronisches Bauelement
EP0775369B1 (en) 1995-05-10 2001-10-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Miniature semiconductor device for surface mounting
DE19549818B4 (de) 1995-09-29 2010-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement
EP0897347B1 (en) * 1996-03-19 2002-01-23 Donnelly Mirrors Limited Electro-optic rearview mirror system
US6600175B1 (en) * 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
DE19621124A1 (de) * 1996-05-24 1997-11-27 Siemens Ag Optoelektronischer Wandler und dessen Herstellungsverfahren
JPH09321343A (ja) 1996-05-31 1997-12-12 Dowa Mining Co Ltd 光通信用の部品装置
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP3741512B2 (ja) * 1997-04-14 2006-02-01 ローム株式会社 Ｌｅｄチップ部品
US5813753A (en) 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
EP1004145B1 (de) 1997-07-29 2005-06-01 Osram Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches bauelement
JPH1154802A (ja) * 1997-07-30 1999-02-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置およびそれを用いて作製されたディスプレイ装置
US6183100B1 (en) 1997-10-17 2001-02-06 Truck-Lite Co., Inc. Light emitting diode 360° warning lamp
DE19755734A1 (de) 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
DE19829197C2 (de) * 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
US7253445B2 (en) * 1998-07-28 2007-08-07 Paul Heremans High-efficiency radiating device
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6274924B1 (en) * 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
JP3334864B2 (ja) 1998-11-19 2002-10-15 松下電器産業株式会社 電子装置
JP2000223751A (ja) * 1998-11-25 2000-08-11 Nichia Chem Ind Ltd Ｌｅｄランプ及びそれを用いた表示装置
US6429583B1 (en) 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
JP4279388B2 (ja) 1999-01-29 2009-06-17 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその形成方法
JP3349109B2 (ja) 1999-03-04 2002-11-20 株式会社シチズン電子 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
US6259608B1 (en) * 1999-04-05 2001-07-10 Delphi Technologies, Inc. Conductor pattern for surface mount devices and method therefor
JP2001042792A (ja) * 1999-05-24 2001-02-16 Sony Corp Ｌｅｄ表示装置
JP2001044506A (ja) 1999-07-26 2001-02-16 Ichikoh Ind Ltd 発光ダイオードの固定構造
US6454437B1 (en) 1999-07-28 2002-09-24 William Kelly Ring lighting
US6710373B2 (en) * 1999-09-27 2004-03-23 Shih-Yi Wang Means for mounting photoelectric sensing elements, light emitting diodes, or the like
US6296367B1 (en) * 1999-10-15 2001-10-02 Armament Systems And Procedures, Inc. Rechargeable flashlight with step-up voltage converter and recharger therefor
DE19963806C2 (de) 1999-12-30 2002-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdioden-Weißlichtquelle, Verwendung einer Kunststoff-Preßmasse zum Herstellen einer Leuchtioden-Weißlichtquelle und oberflächenmontierbare Leuchtdioden-Weißlichtquelle
DE10002521A1 (de) 2000-01-21 2001-08-09 Infineon Technologies Ag Elektrooptisches Datenübertragungsmodul
WO2001059851A1 (en) 2000-02-09 2001-08-16 Nippon Leiz Corporation Light source
US6224216B1 (en) * 2000-02-18 2001-05-01 Infocus Corporation System and method employing LED light sources for a projection display
JP3729012B2 (ja) 2000-02-24 2005-12-21 松下電工株式会社 Ｌｅｄモジュール
US6517218B2 (en) * 2000-03-31 2003-02-11 Relume Corporation LED integrated heat sink
KR100772774B1 (ko) * 2000-04-24 2007-11-01 로무 가부시키가이샤 측면발광반도체 발광장치 및 그 제조방법
US20020066905A1 (en) 2000-06-20 2002-06-06 Bily Wang Wing-shaped surface mount package for light emitting diodes
JP4431756B2 (ja) 2000-06-23 2010-03-17 富士電機システムズ株式会社 樹脂封止型半導体装置
JP2002033058A (ja) 2000-07-14 2002-01-31 Sony Corp 電界放出型表示装置用の前面板
US7129638B2 (en) 2000-08-09 2006-10-31 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting devices with a phosphor coating having evenly dispersed phosphor particles and constant thickness
DE10041328B4 (de) 2000-08-23 2018-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verpackungseinheit für Halbleiterchips
US6614103B1 (en) * 2000-09-01 2003-09-02 General Electric Company Plastic packaging of LED arrays
EP1187226B1 (en) 2000-09-01 2012-12-26 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type light emitting diode and method of manufacturing same
US7064355B2 (en) 2000-09-12 2006-06-20 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
US6940704B2 (en) * 2001-01-24 2005-09-06 Gelcore, Llc Semiconductor light emitting device
JP3659635B2 (ja) 2001-04-10 2005-06-15 株式会社東芝 光半導体装置
IE20020300A1 (en) 2001-04-23 2003-03-19 Plasma Ireland Ltd An Illuminator
US20020163001A1 (en) 2001-05-04 2002-11-07 Shaddock David Mulford Surface mount light emitting device package and fabrication method
JP2002344029A (ja) 2001-05-17 2002-11-29 Rohm Co Ltd 発光ダイオードの色調調整方法
JP3844196B2 (ja) 2001-06-12 2006-11-08 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP2002374007A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
TW543128B (en) * 2001-07-12 2003-07-21 Highlink Technology Corp Surface mounted and flip chip type LED package
US6700136B2 (en) * 2001-07-30 2004-03-02 General Electric Company Light emitting device package
CN2498694Y (zh) 2001-08-14 2002-07-03 北京利亚德电子科技有限公司 一种带倾角的led像素模块
US6812481B2 (en) * 2001-09-03 2004-11-02 Toyoda Gosei Co., Ltd. LED device and manufacturing method thereof
EP1437776B1 (en) * 2001-10-12 2011-09-21 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacture thereof
US7009627B2 (en) * 2001-11-21 2006-03-07 Canon Kabushiki Kaisha Display apparatus, and image signal processing apparatus and drive control apparatus for the same
DE10241989A1 (de) 2001-11-30 2003-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP4009097B2 (ja) * 2001-12-07 2007-11-14 日立電線株式会社 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム
KR100439402B1 (ko) 2001-12-24 2004-07-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
US6480389B1 (en) * 2002-01-04 2002-11-12 Opto Tech Corporation Heat dissipation structure for solid-state light emitting device package
JP3973082B2 (ja) * 2002-01-31 2007-09-05 シチズン電子株式会社 両面発光ｌｅｄパッケージ
US6924514B2 (en) 2002-02-19 2005-08-02 Nichia Corporation Light-emitting device and process for producing thereof
JP2003258305A (ja) * 2002-02-27 2003-09-12 Oki Degital Imaging:Kk 半導体素子アレイ
CN100524703C (zh) 2002-03-08 2009-08-05 罗姆股份有限公司 使用半导体芯片的半导体装置
JP3939177B2 (ja) 2002-03-20 2007-07-04 シャープ株式会社 発光装置の製造方法
JP2003324214A (ja) 2002-04-30 2003-11-14 Omron Corp 発光モジュール
JP3707688B2 (ja) 2002-05-31 2005-10-19 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
JP4002476B2 (ja) 2002-06-18 2007-10-31 ローム株式会社 半導体装置
WO2004001862A1 (ja) 2002-06-19 2003-12-31 Sanken Electric Co., Ltd. 半導体発光装置及びその製法並びに半導体発光装置用リフレクタ
TW546799B (en) 2002-06-26 2003-08-11 Lingsen Precision Ind Ltd Packaged formation method of LED and product structure
DE10229067B4 (de) 2002-06-28 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
NO317228B1 (no) 2002-07-01 2004-09-20 Bard Eker Ind Design As Projektor
JP2004047748A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード
JP4118742B2 (ja) * 2002-07-17 2008-07-16 シャープ株式会社 発光ダイオードランプおよび発光ダイオード表示装置
WO2004038759A2 (en) 2002-08-23 2004-05-06 Dahm Jonathan S Method and apparatus for using light emitting diodes
JP4407204B2 (ja) 2002-08-30 2010-02-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
US7224000B2 (en) 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
US7244965B2 (en) * 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7264378B2 (en) 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
JP2004103775A (ja) 2002-09-09 2004-04-02 Eeshikku Kk チップｌｅｄ発光体の製造方法およびチップｌｅｄ発光体
DE10243247A1 (de) 2002-09-17 2004-04-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leadframe-basiertes Bauelement-Gehäuse, Leadframe-Band, oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
JP2004146815A (ja) 2002-09-30 2004-05-20 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子
US6686609B1 (en) * 2002-10-01 2004-02-03 Ultrastar Limited Package structure of surface mounting led and method of manufacturing the same
US6717353B1 (en) 2002-10-14 2004-04-06 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor converted light emitting device
DE10255932A1 (de) 2002-11-29 2004-06-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US7692206B2 (en) 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
JP4633333B2 (ja) 2003-01-23 2011-02-16 株式会社光波 発光装置
CN2617039Y (zh) 2003-02-21 2004-05-19 游尚桦 粘着型led引线架
EP1597764A1 (de) 2003-02-28 2005-11-23 Osram Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches bauteil mit strukturiert metallisiertem gehäusekörper, verfahren zur herstellung eines derartigen bauteils und verfahren zur strukturierten metallisierung eines kunststoff enthaltenden körpers
USD517025S1 (en) * 2003-03-17 2006-03-14 Nichia Corporation Light emitting diode
US20040188696A1 (en) * 2003-03-28 2004-09-30 Gelcore, Llc LED power package
JP4504662B2 (ja) * 2003-04-09 2010-07-14 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄランプ
KR101148332B1 (ko) 2003-04-30 2012-05-25 크리, 인코포레이티드 콤팩트 광학 특성을 지닌 높은 전력의 발광 소자 패키지
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
JP4341951B2 (ja) 2003-05-07 2009-10-14 シチズン電子株式会社 発光ダイオード及びそのパッケージ構造
JP2004335880A (ja) 2003-05-09 2004-11-25 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
US7021797B2 (en) * 2003-05-13 2006-04-04 Light Prescriptions Innovators, Llc Optical device for repositioning and redistributing an LED's light
JP4030463B2 (ja) 2003-05-20 2008-01-09 三洋電機株式会社 Ｌｅｄ光源及びその製造方法
JP2004356506A (ja) * 2003-05-30 2004-12-16 Stanley Electric Co Ltd ガラス封止型発光ダイオード
JP3977774B2 (ja) 2003-06-03 2007-09-19 ローム株式会社 光半導体装置
JP4120813B2 (ja) * 2003-06-12 2008-07-16 セイコーエプソン株式会社 光学部品およびその製造方法
JP4645071B2 (ja) 2003-06-20 2011-03-09 日亜化学工業株式会社 パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置
JP4034241B2 (ja) 2003-06-27 2008-01-16 日本ライツ株式会社 光源装置および光源装置の製造方法
TWI312582B (en) * 2003-07-24 2009-07-21 Epistar Corporatio Led device, flip-chip led package and light reflecting structure
JP4360858B2 (ja) 2003-07-29 2009-11-11 シチズン電子株式会社 表面実装型ｌｅｄ及びそれを用いた発光装置
US6876008B2 (en) 2003-07-31 2005-04-05 Lumileds Lighting U.S., Llc Mount for semiconductor light emitting device
JP2005064047A (ja) 2003-08-13 2005-03-10 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
US6995402B2 (en) 2003-10-03 2006-02-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Integrated reflector cup for a light emitting device mount
US20050077535A1 (en) 2003-10-08 2005-04-14 Joinscan Electronics Co., Ltd LED and its manufacturing process
CN2646873Y (zh) 2003-10-16 2004-10-06 上海三思科技发展有限公司 表面贴装式、光轴倾斜的发光二极管
TWI291770B (en) 2003-11-14 2007-12-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Surface light source device and light emitting diode
JP4231391B2 (ja) 2003-11-19 2009-02-25 パナソニック株式会社 半導体装置用リードフレームとそれを用いた面発光装置
JP2005183531A (ja) * 2003-12-17 2005-07-07 Sharp Corp 半導体発光装置
JP4442216B2 (ja) 2003-12-19 2010-03-31 豊田合成株式会社 Ｌｅｄランプ装置
US7321161B2 (en) * 2003-12-19 2008-01-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc LED package assembly with datum reference feature
US7675231B2 (en) 2004-02-13 2010-03-09 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting diode display device comprising a high temperature resistant overlay
US20050179041A1 (en) 2004-02-18 2005-08-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Illumination system with LEDs
US20050199899A1 (en) * 2004-03-11 2005-09-15 Ming-Der Lin Package array and package unit of flip chip LED
JP2005310756A (ja) * 2004-03-26 2005-11-04 Koito Mfg Co Ltd 光源モジュールおよび車両用前照灯
US7514867B2 (en) * 2004-04-19 2009-04-07 Panasonic Corporation LED lamp provided with optical diffusion layer having increased thickness and method of manufacturing thereof
JP2005347401A (ja) 2004-06-01 2005-12-15 Meiko:Kk 光素子チップ部品
TWM258416U (en) 2004-06-04 2005-03-01 Lite On Technology Corp Power LED package module
JPWO2006001352A1 (ja) 2004-06-25 2008-07-31 三洋電機株式会社 発光素子
JP2006019557A (ja) 2004-07-02 2006-01-19 Fujikura Ltd 発光装置とその実装方法、照明器具及びディスプレイ
JP4571139B2 (ja) 2004-08-10 2010-10-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
JP4547569B2 (ja) 2004-08-31 2010-09-22 スタンレー電気株式会社 表面実装型ｌｅｄ
JP4747726B2 (ja) * 2004-09-09 2011-08-17 豊田合成株式会社 発光装置
WO2006059828A1 (en) 2004-09-10 2006-06-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package having multiple molding resins
JP2006108517A (ja) 2004-10-08 2006-04-20 Citizen Watch Co Ltd Ｌｅｄ接続用基板及びそれを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置
JP2006114854A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Sharp Corp 半導体発光装置、液晶表示装置用のバックライト装置
KR101080355B1 (ko) 2004-10-18 2011-11-04 삼성전자주식회사 발광다이오드와 그 렌즈
US8816369B2 (en) * 2004-10-29 2014-08-26 Led Engin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
JP4796293B2 (ja) * 2004-11-04 2011-10-19 株式会社 日立ディスプレイズ 照明装置の製造方法
US7303315B2 (en) 2004-11-05 2007-12-04 3M Innovative Properties Company Illumination assembly using circuitized strips
JP2006140281A (ja) 2004-11-11 2006-06-01 Stanley Electric Co Ltd パワーｌｅｄ及びその製造方法
US7419839B2 (en) 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
GB2420221B (en) 2004-11-12 2009-09-09 Unity Opto Technology Co Ltd Solid-state semiconductor light emitting device
US7119422B2 (en) * 2004-11-15 2006-10-10 Unity Opto Technology Co., Ltd. Solid-state semiconductor light emitting device
JP5038147B2 (ja) 2004-11-18 2012-10-03 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光体、及び前記発光体を製造する方法
WO2006065007A1 (en) 2004-12-16 2006-06-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Leadframe having a heat sink supporting ring, fabricating method of a light emitting diodepackage using the same and light emitting diodepackage fabbricated by the method
JP4902114B2 (ja) * 2004-12-16 2012-03-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
US7285802B2 (en) 2004-12-21 2007-10-23 3M Innovative Properties Company Illumination assembly and method of making same
CN100389503C (zh) 2005-01-07 2008-05-21 北京大学 分立晶粒垂直结构的led芯片制备方法
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
TWI255566B (en) 2005-03-04 2006-05-21 Jemitek Electronics Corp Led
JP4915052B2 (ja) 2005-04-01 2012-04-11 パナソニック株式会社 Ｌｅｄ部品およびその製造方法
US7994702B2 (en) 2005-04-27 2011-08-09 Prysm, Inc. Scanning beams displays based on light-emitting screens having phosphors
CN1874011A (zh) 2005-06-03 2006-12-06 邢陈震仑 一种发光二极管装置
JP4064412B2 (ja) 2005-06-07 2008-03-19 株式会社フジクラ 発光素子実装用基板および発光素子モジュール
US9412926B2 (en) 2005-06-10 2016-08-09 Cree, Inc. High power solid-state lamp
US8669572B2 (en) * 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
JP2007012323A (ja) 2005-06-28 2007-01-18 Cheil Ind Co Ltd 面光源装置及び液晶表示装置
KR20080027355A (ko) * 2005-06-30 2008-03-26 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 발광 장치
KR100757196B1 (ko) 2005-08-01 2007-09-07 서울반도체 주식회사 실리콘 렌즈를 구비하는 발광소자
US20070034886A1 (en) 2005-08-11 2007-02-15 Wong Boon S PLCC package with integrated lens and method for making the package
JP3948488B2 (ja) 2005-09-09 2007-07-25 松下電工株式会社 発光装置
US20070096139A1 (en) 2005-11-02 2007-05-03 3M Innovative Properties Company Light emitting diode encapsulation shape control
JP4724618B2 (ja) 2005-11-11 2011-07-13 株式会社 日立ディスプレイズ 照明装置及びそれを用いた液晶表示装置
JP2007184542A (ja) 2005-12-09 2007-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置
US7213940B1 (en) 2005-12-21 2007-05-08 Led Lighting Fixtures, Inc. Lighting device and lighting method
JP2007201420A (ja) 2005-12-27 2007-08-09 Sharp Corp 半導体発光装置、半導体発光素子、および半導体発光装置の製造方法
JP2007189150A (ja) 2006-01-16 2007-07-26 Enomoto Co Ltd 低背ｌｅｄデバイス用リードフレーム及びその製造方法
JP2009087538A (ja) 2006-01-20 2009-04-23 Sharp Corp 光源ユニット、及びそれを用いた照明装置、及びそれを用いた表示装置
US20070170449A1 (en) 2006-01-24 2007-07-26 Munisamy Anandan Color sensor integrated light emitting diode for LED backlight
USD572670S1 (en) 2006-03-30 2008-07-08 Nichia Corporation Light emitting diode
KR20090005194A (ko) 2006-04-18 2009-01-12 라미나 라이팅, 인크. 피제어 색 혼합용 광 디바이스
US7635915B2 (en) 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
JP4830768B2 (ja) 2006-05-10 2011-12-07 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
US20070269586A1 (en) 2006-05-17 2007-11-22 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing composition
JP5119610B2 (ja) 2006-05-26 2013-01-16 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
KR100789951B1 (ko) 2006-06-09 2008-01-03 엘지전자 주식회사 발광 유닛 제작 장치 및 방법
KR100904152B1 (ko) 2006-06-30 2009-06-25 서울반도체 주식회사 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광다이오드 패키지
TWM303325U (en) 2006-07-13 2006-12-21 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting diode package
US7960819B2 (en) 2006-07-13 2011-06-14 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state emitting devices
US7804147B2 (en) * 2006-07-31 2010-09-28 Cree, Inc. Light emitting diode package element with internal meniscus for bubble free lens placement
USD591697S1 (en) * 2006-08-09 2009-05-05 Cree, Inc. Lamp package
JP5564162B2 (ja) * 2006-09-29 2014-07-30 フューチャー ライト リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光ダイオード装置
TWI313943B (en) 2006-10-24 2009-08-21 Chipmos Technologies Inc Light emitting chip package and manufacturing thereof
USD572210S1 (en) 2006-11-01 2008-07-01 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting diode (LED)
KR101329413B1 (ko) 2006-12-19 2013-11-14 엘지디스플레이 주식회사 광학 렌즈, 이를 구비하는 광학 모듈 및 이를 구비하는백라이트 유닛
US7687823B2 (en) * 2006-12-26 2010-03-30 Nichia Corporation Light-emitting apparatus and method of producing the same
CN101507004B (zh) 2006-12-28 2011-04-20 日亚化学工业株式会社 发光装置、封装体、发光装置的制造方法、封装体的制造方法以及封装体制造用模具
KR100788265B1 (ko) 2006-12-28 2007-12-27 서울반도체 주식회사 다수의 수직형 발광소자를 구비하는 발광 다이오드 패키지
EP2109157B1 (en) 2006-12-28 2018-11-28 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing the same
US7800304B2 (en) * 2007-01-12 2010-09-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Multi-chip packaged LED light source
JP5106862B2 (ja) * 2007-01-15 2012-12-26 昭和電工株式会社 発光ダイオードパッケージ
CN100550374C (zh) 2007-01-30 2009-10-14 深圳市联众达光电有限公司 Led封装结构及封装方法
US7777412B2 (en) * 2007-03-22 2010-08-17 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Phosphor converted LED with improved uniformity and having lower phosphor requirements
JP4689637B2 (ja) * 2007-03-23 2011-05-25 シャープ株式会社 半導体発光装置
US7622795B2 (en) 2007-05-15 2009-11-24 Nichepac Technology Inc. Light emitting diode package
US7923831B2 (en) 2007-05-31 2011-04-12 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED-based light source having improved thermal dissipation
DE202007012162U1 (de) 2007-06-05 2008-03-20 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED-Gehäuse
US7999283B2 (en) 2007-06-14 2011-08-16 Cree, Inc. Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes
JP4107349B2 (ja) 2007-06-20 2008-06-25 ソニー株式会社 光源装置、表示装置
USD576574S1 (en) 2007-07-17 2008-09-09 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode module
CN100574543C (zh) 2007-07-30 2009-12-23 深圳莱特光电有限公司 一种暖白光led封装过程中隔离银层的方法
US11114594B2 (en) 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
US7968899B2 (en) * 2007-08-27 2011-06-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED light source having improved resistance to thermal cycling
DE102007041136A1 (de) * 2007-08-30 2009-03-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Gehäuse
US7791093B2 (en) 2007-09-04 2010-09-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with particles in encapsulant for increased light extraction and non-yellow off-state color
CN101388161A (zh) * 2007-09-14 2009-03-18 科锐香港有限公司 Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器
JP2007329516A (ja) 2007-09-14 2007-12-20 Sharp Corp 半導体発光装置
US9012937B2 (en) * 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
US7524087B1 (en) * 2007-11-16 2009-04-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical device
EP2223352B8 (en) 2007-12-11 2018-08-29 Lumileds Holding B.V. Side emitting device with hybrid top reflector
US8049230B2 (en) 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
EP2310175A1 (en) 2008-06-15 2011-04-20 Renevu Ltd. A method for manufacturing a lens to be added to a led, and a lens obtained with that method
GB2458972B (en) 2008-08-05 2010-09-01 Photonstar Led Ltd Thermally optimised led chip-on-board module
JP5284006B2 (ja) 2008-08-25 2013-09-11 シチズン電子株式会社 発光装置
US9425172B2 (en) * 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
USD598579S1 (en) * 2008-11-20 2009-08-18 Electronic Controls Company LED lighting assembly
USD593224S1 (en) * 2008-11-20 2009-05-26 Electronic Controls Company LED lighting assembly
GB2466633A (en) 2008-12-12 2010-07-07 Glory Science Co Ltd Method of manufacturing a light emitting unit
JP2010199547A (ja) * 2009-01-30 2010-09-09 Nichia Corp 発光装置及びその製造方法
US20110049545A1 (en) * 2009-09-02 2011-03-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led package with phosphor plate and reflective substrate
CN102648426B (zh) 2009-11-05 2015-07-15 鲁米尼特有限责任公司 为封装的高亮度led芯片提供微结构的方法
JP5678629B2 (ja) 2010-02-09 2015-03-04 ソニー株式会社 発光装置の製造方法
KR101659357B1 (ko) 2010-05-12 2016-09-23 엘지이노텍 주식회사 발광소자패키지
WO2012099145A1 (ja) 2011-01-20 2012-07-26 シャープ株式会社 発光装置、照明装置、表示装置及び発光装置の製造方法
US20120327649A1 (en) * 2011-06-24 2012-12-27 Xicato, Inc. Led based illumination module with a lens element

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1418630A1 (en) * 2002-11-07 2004-05-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. LED lamp
EP1538680A2 (en) * 2003-12-03 2005-06-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Light emitting device
EP1953834A1 (en) * 2005-11-21 2008-08-06 Matsushita Electric Works, Ltd. Light-emitting device
CN101432895A (zh) * 2006-04-24 2009-05-13 科里公司 侧视表面安装式白光led

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012026966A1 (en) 2012-03-01
CN103180976A (zh) 2013-06-26
US20110042698A1 (en) 2011-02-24
TWI580076B (zh) 2017-04-21
TW201216527A (en) 2012-04-16
US8748915B2 (en) 2014-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103180976B (zh) 具有成角度的或竖直的led的发射器封装
TWI488159B (zh) 具有傾斜峰值發射場型的發光二極體顯示器與發光二極體封裝
TWI523273B (zh) 具有對比面之發光二極體封裝體
US10084118B2 (en) Semiconductor light-emitting device
CN102473822B (zh) 具有散射颗粒区域的led封装
US9705041B2 (en) Light emitting device packages and methods of forming the same
US9263636B2 (en) Light-emitting diode (LED) for achieving an asymmetric light output
JP2011523511A (ja) 近距離場で光を混合する光源
JP2011521469A (ja) 半導体照明部品
US11094852B2 (en) Multiple LED light source lens design in an integrated package
US20200098957A1 (en) Multiple led light source lens design in an integrated package
CN102169947B (zh) 宽角度椭圆发光二极管封装
CN108321149B (zh) 发光二极管封装件与发光二极管显示器
CN202120981U (zh) Led显示器
CN202111155U (zh) Led封装
CN202145462U (zh) Led封装
CN202259406U (zh) Led显示器
CN202797078U (zh) Led封装和led显示器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230704

Address after: North Carolina

Patentee after: Kerui led Co.

Address before: North Carolina

Patentee before: CREE, Inc.

Patentee before: CREE HONG KONG LTD.

TR01 Transfer of patent right