CN102569273B - 表面安装器件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种表面安装器件及其制造方法。该表面安装器件包括:外壳,包括形成在所述外壳中并延伸入所述外壳的凹部;插入物,与所述外壳固定并在所述凹部周围延伸,以形成所述凹部的一部分表面,其中,所述插入物包括在所述凹部的所述一部分表面周围周向延伸并且限定所述凹部的所述一部分表面的环,其中,所述插入物进一步包括沿所述凹部露出的反射表面以及远离所述反射表面延伸并延伸入所述外壳的凸片;以及通过所述凹部而部分地露出的多根引线,所述多根引线的至少一根引线由所述外壳部分地包入并延伸至所述外壳的外部。
Description
本申请是2007年8月16日提交的发明名称为“用于安装电子元件的装置、系统和方法”且申请号为200710142310.7的中国发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明一般涉及安装好的电子元件和/或器件,尤其涉及表面安装器件。
背景技术
在过去的几十年里,利用电路板实现的器件的数量和种类已经有了惊人的增加。器件和/或芯片安装在电路板上的频率也同样地增长。改善器件的安装会改善结合有该安装好的器件的最终产品的质量,并且能够显著降低该产品的成本及复杂度。
器件的安装可以通过钎焊、压焊及其他类似的方法实现。此外,各器件可以按照许多不同的配置和/或定向而被安装。某些器件配置成可实现用于安装的一个或多个定向。这些器件中有部分器件难以安装,并且这些器件中的部分器件的安装还会随时间恶化。结果,结合有这些安装好器件的产品的操作精度就会退化和/或无法进行操作。
发明内容
本发明的各实施例通过提供制造可表面安装器件的装置、系统和方法有利地满足了上述要求以及其他要求。部分实施例提供了表面安装器件,该器件包括:包括凹部的外壳,该凹部在外壳中形成并伸入外壳;与外壳固定并在凹部周围延伸以形成凹部一部分表面的插入物,该插入物包括沿着凹部露出的反射表面;以及通过凹部而部分露出的多根引线。
进一步的实施例提供了表面安装器件,该器件包括:包括第一表面和凹部的外壳,该凹部在外壳中形成并从第一表面伸入到外壳;从凹部中伸出的穿过并离开外壳的第一组引线;与引线组中的至少一根相耦合并至少部分地通过凹部露出的电子器件;以及包括反射表面的插入物,该插入物在凹部的至少一部分表面周围延伸并与外壳固定在一起,且使插入物反射表面通过凹部露出。
更进一步的实施例提供了用于制造表面安装器件的方法。这些方法中的部分方法包括:放置多根引线;靠近多根引线放置带反射表面的环;将多根引线和环与外壳固定以便将该环保持在相对于引线的预定位置上,且使该环的反射表面得以通过外壳的凹部露出;并且将多根引线中的至少一根与电子器件固定。
通过参考本发明随后的详细描述和附图可更好地理解本发明特征和优点,而在详细描述和附图中阐明了在其中可以利用本发明原理的示例性实施例。
附图说明
本发明的以上和其他方面、特征和优点将会在随后结合附图呈现的更为具体的描述中变得更加显而易见,在各附图中:
图1描绘了根据某些实施例的表面安装器件(SMD)的简化俯视平面图;
图2至图4示出了图1所示SMD的简化平面图;
图5描绘了图1至图4所示SMD的简化的部分透明的透视图;
图6和图7分别描绘了结合入图1所示SMD的反射环的平面图和透视图;
图8和图9描绘了图1所示反射环的简化俯视图;
图10描绘了图8和图9所示环的简化侧视图;
图11描绘了图8和图9所示环的简化透射侧视图;
图12描绘了根据某些实施方式的图8和图9所示环的简化剖视图;
图13至图15描绘了图1所示SMD实施例的简化的部分透明的视图;
图16至图18描绘了可以在图1所示SMD中利用的引线配置的简化俯视透视图和平面图;
图19描绘了示出了图16至图18中引线配置的图1所示SMD的简化的部分透明的俯视平面图;以及
图20描绘了根据某些实施例的用于SMD制造的一过程的流程图。
在附图的各个视图中,相应的参考符号始终指示相应的部件。本领域普通技术人员将会理解附图中的各元件是出于简明目的示出的,并且无需按比例绘制。例如,附图中某些元素的尺寸可能相对于其他元素而有所夸大,由此帮助改善对本发明各实施例的理解。同样地,对在可商用实施例中的那些有用或必需的公用但周知元件通常不做描绘,以免淡化对本发明各实施例附图的理解。
具体实施方式
本发明的各实施例提供用于安装电子元件和/或器件(诸如,在电路板上安装电子器件)的装置、系统、制造方法和方法。某些实施例尤其适于用来安装电子器件的表面安装器件(SMD)封装,上述电子器件诸如接收、发射、散射和/或偏转光的光电元件。光电元件例如可以包括一个或多个发光二极管(LED)、太阳能电池、光电二极管、激光二极管、以及其他这样的光电元件或光电元件的组合。在某些应用中,SMD可在图像生成中得以利用,诸如在用于显示视频图像的显示器中。
图1描绘了根据某些实施例的可用于安装的表面安装器件(SMD)120、以及诸如一个或多个LED、其他光电元件和/或其他器件之类的电子器件的简化俯视平面图。SMD 120包括外壳或外罩122和多根引线124至129。外壳122还包括从外壳122的第一表面140中伸出的凹部或空腔132。在某些实施例中,沿着凹部132的周长或侧面的至少一部分放置并固定反射插入物或环134。
引线124至129由外壳122部分包入,并且延伸通过外壳122的第二和第三表面142和144之一。在图1所示的实施例中,SMD 120是带有六根引线124至129的六(6)管脚SMD,并且各三根引线分别延伸通过第一和第二表面142和144。此外,诸如红LED、绿LED和蓝LED的三个电子器件150至152分别被安装并与六根引线中不同的一根电耦合,例如分别与引线124、127和129相耦合。LED或其他的电子器件可以通过粘合剂、涂层、薄膜、密封剂、焊料、软膏、滑脂和/或其他这样的相关方法或方法组合来与芯片组区域相耦合。例如,LED可以通过焊料突起154至156电耦合至引线124、127和129并与其固定在一起。
图2至图4示出了图1所示SMD 120的简化平面图,并且为了区分可以将其称为图2的前视平面图、图3的侧视平面图、及图4的仰视平面图。在图2至图4中进一步地描绘了指定宽度222、指定高度320和指定长度420。如上所述,引线124至129贯穿外壳以便从第二和第三表面142和144中突出或离开外壳,并且在某些实施方式中沿着第二和第三表面弯曲并且能够进一步地沿着第四表面220弯曲,为了区分将该第四表面称为底面(参见图2和图4)。外壳122外部的引线124至129的尺寸取决于SMD 120预期实施方式、要利用的LED或其他电子器件、外壳122的材料、SMD 120的尺寸和/或其他这样的因素和/或这些因素的组合。例如在某些实施方式中,诸如在SMD的宽度222约为为3.30mm+/-0.05mm而其长度420约为3.50mm+/-0.05mm的情况下,外壳外部的引线宽度422可以约在0.50至0.70mm之间(例如,0.60mm+/-0.05mm),其厚度224约在0.15至0.40mm之间(例如,0.25mm+/-0.01mm),并且各引线之间可隔开距离424,该距离424约在0.40至0.80mm之间(例如,0.55mm+/-0.05mm)。
图5描绘了图1至图4所示SMD 120的简化的部分透明的透视图。根据某些实施例,更为清晰地示出了沿着凹部132周长延伸并被放置在LED 150至152周围的反射环134。环134包括第一边缘522、第二边缘524、以及一个或多个凸片或伸出部分530。
图6和图7根据某些实施例分别描绘了环134的平面图和透视图。参见图5至图7,环134大致呈从第一边缘522至第二边缘524成锥度的截头圆锥形,其中第一边缘在结合入SMD 120时靠近外壳122的第一表面140放置而第二边缘则靠近凹部132的基底以及引线124至129通过凹部露出的部分引线放置。在某些实施方式中,通过凹部132露出的环的至少外部和露出表面720在靠近第一边缘522处大致呈圆形,并且朝着第二边缘524成锥形。在某些实施例中,环从第一边缘开始成锥形并且由四个邻接和/或相邻的部分或分段620至623限定,这四个部分在靠近第二边缘524处形成更接近矩形的形状,而在第一边缘522处则更接近圆形。在某些实施例中,这四个部分在第一和第二边缘522和524周围形成为四个相交圆弧段,各部分靠近第二边缘的半径822要大于其靠近第一边缘522的半径824,使得每个部分都同与其邻近的两部分相交。该环从第一边缘到第二边缘大致呈圆形地成锥形。
此外,第二边缘524处两个相对部分之间(例如,部分621和623之间)的距离或直径632要小于该环在第一边缘522处的距离或直径630,使得该环从第一边缘522到第二边缘524成锥形。将部分620至623结合入环在某些情况下能够在某种程度上增加环的稳定性并且改善SMD 120的坚固性,同时还能够进一步实现期望的光反射和散射。在某些实施例中,环从第一边缘处的大致呈圆形渐变成可以具有其他相关的形状的第二边缘,所述第二边缘的其他形状例如大致呈圆形、大致呈矩形、大致呈三角形或者其他相关形状。
环134在某些实施方式中还可以包括从第一边缘522外周伸出的一个或多个凸片530。凸片530能够提供接触点,以便如下所述在SMD 120制造期间将环保持在期望位置上。另外在某些实施例中,当带有凸片530的环134被放置在SMD 120内时,凸片530伸入外壳并被外壳包入,这样能够增加环134的稳定性并且有助于保持该环的位置。
参见图1和图5,外壳在某些实施例中还包括伸入该外壳的小孔或孔150。这些孔150与凸片530对齐。在某些实施例中,引线在环134周围形成的外壳122(例如,通过注模或者以其他方式与引线124至129和环134固定)时,各凸片由各支承件或各结构保持在相对于引线124至129的期望位置上,且在外壳122形成时在外壳122内形成围绕该保持凸片530的结构形成孔150。这些孔在某些实例中可以在模制后被填充,或者保持凸片530的结构如下所述可以被切割成例如与外壳的第一表面140平齐或在其之下。凸片530伸入外壳,并且在某种程度上能够进一步地帮助环134在外壳内的固定和/或维持环相对外壳122、引线124至129和/或LED 150至152的位置。
图8和图9根据某些实施例描绘了反射环134的简化俯视图。环134分别在第一边缘522和第二边缘524附近的直径630和632由已在上文中引入并将在下文中描述的许多因素决定,并且在某些实施例中,还附加地或可选地由凹部132的直径和/或锥形倾斜度决定。例如在某些实施方式中,SMD 120的宽度122约为3.30mm,长度420约为3.50mm而高度320则约为2.00mm,并且环134的四个分段620至623可以被构造成在第二边缘524附近带有范围约在1.75至2.00mm之间(例如,1.87mm+/-0.05mm)的半径822。分段620至623延伸至第一边缘522,并在某些实例中在第一边缘522附近成锥形为范围约在1.35至1.55mm之间(例如,1.46mm+/-0.05mm)的半径824。另外,分段620至623沿着第二边缘524可以具有范围约在1.70至1.90mm之间(例如,1.80mm+/-0.05mm)的长度832,而其沿着第一边缘522可以具有范围约在1.90至2.00mm之间(例如,1.94mm+/-0.05mm)的长度834。
此外在该示例中,环134可以包括延伸远离环心的一片或多片凸片530。在某些实施方式中,两个凸片530在接近彼此相对的分段相交的位置上从第一边缘522中伸出。例如,可以按离开轴线842的度数约在35至50度之间的角度840来放置凸片530,其中该轴线842延伸通过相对的分段(例如,分别为第二和第四分段621和623)的中点,并且在某些实施例中角度840可为离开轴线842约43度+/-3度。凸片530可以从环的边缘伸出(例如,带有约为0.10mm+/-0.05mm的半径922),具有约为0.50mm+/-0.05mm的宽度924,并且可以按约0.25mm+/-0.05mm的半径846沿着外缘弯曲。各凸片530大致中心之间的距离926的范围可以约在3.35至3.55mm之间(例如,3.44mm+/-0.05mm)。
根据某些实施例,图10描绘了环134的简化侧视图,图11描绘了该环的简化透视图,而图12则描绘了沿着图9中的轴线A-A剖开的简化截面图。环134的高度1022和宽度或直径930取决于SMD的大小,并且通常与凹部132的深度1324成比例(参见图13)。该环还可以包括从该环的锥形壁中伸出的唇缘或凸缘1030。凸缘围绕在该环周长的至少一部分延伸,并且通常完全环绕该环134的周长。凸缘1030从该环的锥形壁中横向伸出并且能够在被安装至外壳122内时为该环提供额外的稳定性。凸缘的尺寸由已在上文中引入并将在下文中描述的许多因素决定。在某些实施方式中,凸缘的厚度1032约等于环的厚度1222,并且例如约为0.10mm+/-0.05mm。
图13至图15描绘了图1所示SMD 120实施例的简化的部分透明的视图。更具体地说,图13示出了SMD 120的部分透明的前视平面图;图14示出了SMD 120的部分透明的侧视平面图;而图15则示出了SMD 120的部分透明的剖视侧平面图。图15的部分剖视图示出了放置在凹部132内并环绕LED 151和152的环134的剖视图。在图13至15中显见环134的至少是露出表面720的截头圆锥形,它从第一边缘522到第二边缘524成锥形。该环与凹部132成一体,并且在某些实施方式中该环134与凹部132平齐以形成至少一部分凹部表面。设定锥角1520以实现对LED 150至152所发光的期望反射、SMD 120的预期用途、从SMD外至安装在凹部内各引线上的光检波器的光反射、和/或其他相关的效果。在某些实施例中,锥角1520的范围约在100至140度之间,并且在某些实施例中在110至130度之间,例如可以是约112度。
在某些实施例中,环134的高度1022小于外壳在引线124至129露出表面之上的高度1324,而该高度1324通常是凹部132的深度。环134可以被放置在与由各引线露出表面限定的平面1332呈第一距离1330,并与外壳122的外部第一表面140呈第二距离1334的位置上。在环134之上和之下的外壳材料可以为环132提供额外的支承并且有助于保持该环的定位,从而提供一个稳定耐用的SMD封装。环134在某些实施方式中还包括从该环的锥形壁中伸出的凸缘1030,该凸缘能够为该环提供进一步支承并且可被外壳122包入。由此,该凸缘额外地提供了进一步的稳定性和结构性支承,并且增强了环134和SMD 120的整体整体性。
该环的尺寸可以取决于SMD的预期实施方式、SMD 120的材料、SMD 120的大小、凸缘1030和/或凸片530的大小、LED的大小和/或其他这样的相关因素。在某些实施例中,环134的高度1022可以与凹部132的深度1324成比例,并且在某些实施例中,环的高度1022与凹部深度1324之比可以约为3比5。在某些实施例中,环的高度1022约为凹部深度1324的50%至70%,并且在某些实施方式中约为凹部深度的55%至65%。例如,对于带有深度约为0.85mm的凹部132的高度320约为2.00mm的SMD而言,可以构造该环134具有约0.50mm的高度。另外在此示例中,可以在凹部内放置环134以使得该环第一边缘522与外壳122第一表面140的距离1334约为0.15mm,而该环第二边缘524与由引线124至129露出表面限定且通常限定凹部132基底的平面1332之间的距离1330约为0.20mm和/或与LED 150至152或结合入SMD封装120的其他电子器件成比例。
环134分别在第一边缘522和第二边缘524附近的直径630和632都可类似地由已在上文引入的许多因素决定,并且在某些实施例中,还附加地或可选地由凹部尺寸和锥形倾斜度决定。例如在某些实施方式中,SMD 120的宽度222约为3.30mm+/-0.05mm,长度420约为3.50mm+/-0.05mm而高度320则约为2.00mm+/-0.05mm,并且环具有跨越凸缘1030的约为3.08mm+/-0.05mm的半径634,并且分段620至623在第一边缘522附近具有约1.46mm+/-0.05mm的半径824而在第二边缘524附近具有约1.87mm+/-0.05mm的半径822的。
根据SMD 120的实施方式和/或配置,将环134或者该环的至少露出表面720配置成反射由LED发出的光和/或通过凹部132接收的要被导入与引线124至129相耦合的光检波器的光。环134可由诸如反射金属之类的反射材料构造。附加地或者可选地,该环可由金属、塑料、陶瓷或者其他相关的材料和/或这些材料的组合所构造,并且露出表面720涂覆有反射材料,其中这些反射材料可以是诸如银或具备期望反射性能的其他相关材料。例如,环134可以由与引线124至129材料类似或相同的金属所构造并涂覆有反射金属。在某些实施方式中,该环可由铜和/或铜合金构造并且带有限定至少露出表面720的银涂层。环134的厚度1222取决于SMD的预期实施方式、在SMD中利用的LED以及其他相关因素。在某些实施例中,厚度1222与环的高度1022成比例。例如,高度约为0.50mm的环134,其厚度可以是约0.10mm。
返回来仍参考图1,环134被放置在LED 150至152周围,以使得各LED发出的光可由该环的露出和反射表面720所反射。至少部分由于该环的反射性,外壳就基本上可由任何相关材料构造。此外在某些实施方式中,可以在不考虑材料反射能力的情况用基本上任何相关材料来构造外壳,这是因为环134提供了所期望的光反射。例如,外壳可由一种或多种树脂、环氧树脂、热塑性缩聚物(例如,聚邻苯二酰胺(PPA))、塑料、玻璃、尼龙和/或其他这样的相关材料和/或这些材料的组合所构成。在某些实施例中,外壳可由黑色PPA材料构成。已经发现黑色PPA材料在图像生成SMD封装中(诸如,在视频显示和/或其他图像生成设备中利用的SMD中)是有益的。经常会使用白色PPA材料构造SMD封装。然而,在图像生成和/或视频显示中使用黑色PPA材料通常能够提供优于白色PPA材料的图像质量。但黑色PPA材料会降低SMD封装发出的总亮度。环134增强来自SMD封装120的光发射。由此,外壳122例如可由黑色PPA材料构成,并带有嵌入外壳凹部132内的环134,从而在实现改进质量的同时仍能实现期望的亮度和/或光发射。
许多图像生成SMD和其他SMD封装利用安装在SMD内并耦合至引线以接受电源的一个或多个LED。在图1的SMD封装120的实施例中,SMD包括三个LED(例如,红LED、绿LED和蓝LED)。然而,该SMD也可实施为带有更少或更多的LED或其他电子器件。此外,SMD还包括与LED相耦合以至少部分地为这些LED供电的引线124至129。在某些实施例中提供六根引线124至129,其中每个LED都与六根引线中的两根相耦合。
在某些实施例中,一个或多个LED或其他电子器件150至152都各自由一级引线支持和/或与其相耦合,例如,第一LED 150与第一引线124相耦合,第二LED 151与第四引线127相耦合,而第三LED 152与第六引线129相耦合。此外,每个LED都分别与二级引线相耦合,例如第一LED还与第二引线125相耦合,第二LED还与第五引线128相耦合,而第三LED还与第三引线126相耦合。与二级引线相耦合例如可以通过连接160至162实现(例如,接合线、跳线或其他这样的连接)。在某些实施例中,连接160至162还包括连至第二、第三和第五引线125、126和128的额外耦合或二级跳线。
图16至图18根据某些实施例描绘了可以在图1的SMD 120中利用的引线配置1622的简化的俯视透视图和平面图。图19描绘了示出了图16至图18中的引线配置1622的图1的SMD 120的简化的部分透明俯视平面图。参见图1以及图16至图19,引线配置1622包括六根引线124至129,并带有耦合至各引线的电子器件,诸如LED 150至152。每个引线的一部分都通过凹部132露出并且通常从凹部伸入外壳122,穿过并离开该外壳,其中每三个引线各自通过第二和第三侧142和144离开。
引线124至129通常由导电材料制成,诸如铜、铜合金和/或其他这样的相关材料或者材料的组合。在某些实施方式中,引线材料还是导热的,以至少部分地协助将热量从结合入SMD 120的LED或其他电子器件中移除。
这些引线中的三根引线(例如,第一、第四和第六引线124、127和129)被配置成进一步朝向凹部中心(一般地被标记为图19上的1922)延伸,并且包括芯片组区域1624至1626。LED或其他电子器件150至152被安装在第一、第四和第六引线124、127和129的芯片组区域上并由其支承。在某些实施方式中,第一、第四和第六引线与各LED的阴极部分相耦合,并且可以被定义成SMD封装120的阴极引线。此外,第二、第三和第五引线可与各LED的阳极部分相耦合,并且可以被定义成SMD封装120的阳极引线。每个引线都通过一个或多个绝缘间隔1630而与其他引线电隔离和/或绝缘。绝缘间隔1630可以是至少能够让引线与其他引线电绝缘的实质上的任何大小。在某些实施例中,绝缘间隔通常大于0.10mm,并且在某些实例中大于0.20,例如可以是0.25mm。
芯片组区域1624至1626可以被部分配置成支承LED 150至152并与其电耦合。LED可以通过粘合剂、涂层、薄膜、密封剂、焊料、软膏、滑脂和/或其他这样的相关方法或方法组合来与芯片组区域电耦合。例如,LED可以通过焊料突起154至156电耦合至芯片组区域1624至1626并与其固定在一起(例如参见图1)。在某些实施方式中,该耦合还能够额外地提供热耦合以增强热量从结合入SMD 120的LED或其他电子器件中的发散。
此外,每个LED 150至152和/或其他电子器件还与二级引线125、126和128相耦合。例如在某些实施例中,LED通过线连接160至162与二级引线的头或耦合部分1634至1636相耦合。可选地,LED可由一级引线部分支承并与其相耦合,同时在各引线之间的绝缘间隔上延伸以便耦合至二级引线的头部分。
在某些实施例中,一根或多根引线124至129还包括一个或多个凹口、通孔或小孔、伸出部分、锥形和/或能够在某种程度上改善SMD封装120稳定性、整体性和/或坚固性的其他特征。例如,第一、第三、第四和第六引线124、126、127和129包括一般地朝向SMD 120中心延伸、分别沿着第一、第三、第四和第六引线的外缘1826至1829并限定上述外缘的凹口1820至1823。还包括进一步朝向中心1922延伸的附加凹口1830至1833,并且在某些实施方式中,这些附加凹口通常是半圆形的。细长凹口1820至1823与附加凹口1830至1833的大小可由SMD的预期实施方式、要利用的LED或其他电子器件和/或其他这样的因素决定。例如在某些实施方式中,细长凹口在离开外壳的引线宽度422约为0.60mm时可以在引线内凹进约0.20mm,而附加的半圆形凹口则可以具有约为0.175mm的半径。第一、第三、第四和第六引线的外缘1826至1829分别沿着细长凹口1820至1823与附加凹口1830至1833。此外,这些外缘可以不延伸至与附加的半圆形凹口相对侧上的边缘部分对齐。例如,在更接近外壳第二和第三侧142和144的半圆形凹口的那一侧凹口上的外缘部分可以凹进0.20mm,而与半圆形凹口相对的外缘可以凹进0.30mm。
第一和第四引线124和127还可以朝着凹部132和/或SMD的中心1922成锥形。在某些实施方式中,锥形可以通过分级转变或台阶来实现,这样的分级转变或台阶带有分别形成芯片组区域1624和1625的扩大的分级或台阶。第六引线129类似地朝中心成锥形以使得芯片组区域1626靠近第一和第四引线124和127的芯片组区域1624和1625。同样地,第六引线的锥形也可以通过一系列的台阶或分级实现,并且在某些实施例中还可以比第一和第四引线124和127的芯片组区域1624和1625进一步地伸入凹部。
第三引线126可以包括沿着内缘1837并与细长凹口1821大致相对的凹口1836。凹口1836在某些实施方式中也可以呈半径约为0.175mm的半圆形。第三引线126还可以朝向凹部中心进一步成锥形以限定跳线162或其他耦合能够与其相连接的耦合区域1635。
第二和第四引线125和128在它们朝向凹部中心1922延伸以限定耦合区域1634和1636时,各自凸出或膨胀并然后引线变窄。第二和第四引线还可以分别包括小孔或通孔1842和1844。小孔1842和1844可以靠近凸出部分放置,并且在某些实施方式中具有约0.30mm的直径,例如在离开外壳的引线宽度422约为0.60mm的情况下。
在某些实施例中,凹部132至少部分地由填充材料填充。该填充材料为露出的引线124至129和/或LED 150至152提供保护。在某些实例中,该填充材料覆盖LED、引线124至129通过凹部露出的部分、以及电连接160至162。填充材料还可以至少部分地填充绝缘间隙1630、凹口、和/或外壳由引线124至129的凹口、引线锥形和轮廓所露出的区域,由此该填充材料得以伸入这些空区。填充材料还可以为LED和电连接提供保护。此外,填充材料还可以在某种程度上增强对电子器件的光分布和/或检测。填充材料可由一种或多种树脂、环氧树脂、热塑性缩聚物、塑料、玻璃、尼龙和/或其他这样的相关材料和/或这些材料的组合构成。在某些实施例中,还可以向填充材料中添加额外材料以增强进出结合入凹部132的电子器件的光的发射、吸收和/或散射。
引线124至129的凹口、小孔、伸出部分、轮廓、锥形和其他特征与外壳和/或填充材料协作,至少部分地增强SMD封装120的结构稳定性和整体性。在某些实施方式中,壳体材料、填充材料和/或其他材料(例如,环氧树脂、树脂、粘合剂、及其他这样的相关材料)至少部分地围绕、伸入和/或穿过一个或多个绝缘间隙1630以及由引线配置的凹口、小孔和锥形所露出的区域。例如,被外壳122包入的这些区域可以至少部分地由外壳材料、穿过凹口或其他空区的一根或多根销钉以及其他这样的配置所填充。此外,引线124至129的凹口、小孔、伸出部分、轮廓、锥形和其他特征在某种程度上能够在引线124至129周围提供表面接合区,这些表面接合区包括在引线之下由绝缘间隙、凹口、小孔、锥形和其他空区所露出的外壳,以与引线之上和/或延伸通过各间隙、凹口、小孔和空区的填充材料和/或外壳材料接合。
所提供的穿过并围绕各引线的增强型接合至少部分地增强了引线相对于外壳的稳定性以及SMD 120的结构整体性。此外,在外壳材料之间和/或外壳材料与填充材料之间的接合或粘合通常要强于在外壳和引线之间、以及在引线和填充材料之间建立起的接合或粘合。这一在外壳之间、以及在填充材料和外壳之间的增加的粘合度还有助于维持SMD 120的配置、结构整体性和/或坚固性。此外,通过将外壳材料和/或填充材料结合入空区,就能够更为精确地保持芯片组区域1624至1626和/或LED 150至152或其他电子器件的相对定位。各LED增加的稳定性还能够进一步地改善SMD 120的性能并增加其稳定性。
外壳122可以经由一种或多种方法形成和/或装配。在某些实施例中,外壳可以围绕引线124至129形成或模制。附加地或可选地,外壳可以被模制成各个部分,例如顶部和底部。这些部分可以采用模制,该模制在某种程度上有助于将引线与外壳的各部分固定在一起。例如,顶部和底部可以通过诸如用粘合材料、钉和槽、卡接、摩擦配合、和/或其他相关方法或方法组合来固定在一起并将引线的各部分夹在两者之间。在其它实施例中,可以预先模制基部以便为要固定在该外壳基部上的各引线分配空间,并且可以在引线及外壳的基部之上形成、模制或浇注顶部。
例如,外壳的顶部可以通过在包入引线124至129部分的底部上注入模制或浇注的外壳材料而形成。由各引线的凹口1820至1823、1830至1833、1836、绝缘间隙1630、引线锥形和其他轮廓限定的空区中的一些或一部分可在形成顶部时由外壳材料覆盖并由其至少部分填充。在其它实施例中,模制外壳122的底部以使得在各引线之下的外壳材料延伸通过一个或多个空区、绝缘间隙、小孔和/或凹口以便与外壳122在引线之上的顶部匹配或协配。在某些实施方式中,外壳122可以包括一个或多个销钉,这些销钉穿过凹口、绝缘间隙、和/或小孔以便耦合至外壳内与这些销钉相对的各插槽。在某些实施例中,可以向绝缘间隙、小孔和/或凹口中添加粘合材料以将外壳122的各部分在引线周围固定在一起。此外,在某些制造实施例中,填充材料是注入外壳122的凹部132中的液体或半液体。该填充材料粘附至各引线周围通过绝缘间隙1630、小孔1842和1844、凹口1820至1823、1830至1833、1836和/或其他空区所露出的外壳122。
在某些制造方法中,LED在围绕各引线124至129构造和/或装配外壳122之前就被耦合至各引线。可选地,LED或其他电子设备可以在各引线被部分包入外壳122之后耦合至各引线。外壳122可以配置有伸入该外壳的凹部132,从而能够露出至少芯片组区域1624至1626以及耦合区域1634至1636足够多的部分,以接受、安装及电耦合凹部132内的LED或其他电子器件。
图20根据某些实施例描绘了用于制造SMD 120的过程2020的流程图。在步骤2022中,形成引线124至129。引线的形成可以通过金属冲压、注模、切割、蚀刻、弯曲,或者通过其他方法和/或方法的组合实现,从而实现带有由凹口、小孔、锥形、绝缘间隙等所限定的空区的所期望的引线配置1622。例如,引线可以被部分地金属冲压(例如,同时从单片相关材料冲压而成)、适当弯曲、并在最后被完全分离或者在外壳122的部分或全部形成之后被完全分离。在步骤2024中,形成反射环134。类似地,该环可以通过金属冲压、压制、注模、切割、蚀刻、弯曲,或者通过其他方法和/或方法的组合来形成,从而实现所期望的环。在步骤2026中,在环表面涂覆反射涂层,诸如沉积在环表面上的一层银。在该环最初就由反射性足够的材料形成的那些实例中,可以跳过步骤2026。
在步骤2028中,定位各引线并在相对于各引线124至129的所期望位置上定位该环。在某些实施例中,柱或其他结构可与该环的凸片530固定并且可以使用这些柱或其他结构将该环相对各引线保持在位。在步骤2030中,外壳122被形成和/或与环134及引线124至129固定。在某些实施例中,外壳可以通过在环和引线周围以期望的形状模制该外壳的注模工艺来形成。在其它实施方式中,成形该外壳以使其与环和引线相配,并在随后通过粘合剂、摩擦配合、钉和槽、以及其他相关方法与环及引线固定。在步骤2032中,形成凹部132和/或清理并露出芯片组部分1624至1626以及环134。在外壳122是注模的这些实施方式中,凹部可以在模制的同时形成。然而,芯片组部分和/或环可能会包括部分多余的外壳材料和/或其他杂散材料。这些多余或杂散材料可以在步骤2032中去除。在其它实施例中,凹部通过切割、蚀刻或者以其他方式穿过外壳122第一表面140并沿着环134形成。
在某些实施例中,该过程2020包括把引线从支承结构和/或金属板中分离的可选步骤2034。在从相关材料板中切割或冲压引线的某些实施方式中,可以不完全分离各引线,以实现简化引线的处理和/或通过一次性大规模处理多个SMD来提高产量。在步骤2036中,脱开支承各环并与凸片530固定的柱或其他支承结构,例如可通过将各柱切割成与外壳122的第一表面140基本平齐或低于该第一表面来实现。
在步骤2040中,沿着外壳122的第二和第三表面142和144弯曲各引线124至129离开外壳的部分,并沿着第四表面220再次弯曲。在可选实施例中,可以按其他相关配置弯曲外壳外部的引线,也可以不做弯曲。在步骤2042中,诸如LED的一个或多个电子器件与一根或多根引线固定和/或电耦合,从而能够围绕和/或环绕这一个或多个电子器件的至少一部分放置该环。过程2020的一个或多个步骤可以按不同的次序执行,例如可以在步骤2034、2036和2040之前将LED耦合至各引线,或者可以有其他这样的变化。
过程2020的变化可以在某些实施例中得以利用。例如,过程2020可以包括形成带有环134的外壳顶部以及形成外壳底部的步骤。步骤2030可以代替地提供在引线124至129周围被固定在一起的顶部和底部,诸如可以使用从底部伸出,穿过引线的一个或多个凹口和/或空区,以与顶部内的孔或槽相配的钉。还可以根据某些实施例在表面安装器件制造过程中附加地和/或可选地利用其他的步骤。
虽然在此已借助其具体实施例和应用公开了本发明,但是本领域普通技术人员可从中做出各种修改和变化而不背离由所附权利要求书阐明的本发明的范围。
Claims (5)
1.一种表面安装器件,包括:
外壳,包括形成在所述外壳中并延伸入所述外壳的凹部;
插入物,与所述外壳固定并在所述凹部周围延伸,以形成所述凹部的一部分表面,其中,所述插入物包括在所述凹部的所述一部分表面周围周向地延伸并且限定所述凹部的所述一部分表面的环,所述插入物进一步包括沿所述凹部露出的反射表面,其中,所述插入物进一步包括远离所述反射表面延伸并延伸入所述外壳的凸片,其中,所述凸片完全被所述外壳包入;以及
通过所述凹部而部分地露出的多根引线,所述多根引线中的至少一根引线由所述外壳部分地包入并延伸至所述外壳的外部。
2.一种表面安装器件,包括:
外壳,包括形成在所述外壳中并延伸入所述外壳的凹部;
插入物,与所述外壳固定并在所述凹部周围延伸,以限定所述凹部的一部分表面,其中,所述插入物包括沿所述凹部露出的反射表面,所述插入物进一步包括靠近所述外壳的外表面设置的第一边缘、远离所述外壳的所述外表面的第二边缘以及靠近所述第一边缘的凸缘,所述凸缘远离所述反射表面延伸并延伸入所述外壳,所述凸缘进一步包括从所述凸缘延伸入所述外壳的凸片,其中,所述凸片完全被所述外壳包入;以及
通过所述凹部而部分地露出的多根引线,所述多根引线中的至少一根引线由所述外壳部分地包入并延伸至所述外壳的外部。
3.一种表面安装器件,包括:
包括第一表面和凹部的外壳,所述凹部形成在所述外壳中并从所述第一表面延伸且延伸入所述外壳;
从所述凹部延伸穿过所述外壳并离开所述外壳的第一引线组;
与所述引线组中的至少一根引线相耦合并至少部分地通过所述凹部露出的电子器件;以及
包括反射表面的插入物,所述插入物在所述凹部的至少一部分表面周围延伸并且与所述外壳固定,所述插入物的所述反射表面通过所述凹部露出,其中,所述插入物是完全围绕所述凹部的周边延伸的环,其中,所述插入物进一步包括靠近所述外壳的所述第一表面的第一边缘以及远离所述外壳的所述第一表面的第二边缘,其中,所述第二边缘包括多个邻接部分,其中,所述多个邻接部分包括四个弯曲部分,所述四个弯曲部分中的每一个均包括靠近所述第二边缘的第一半径,所述第一半径大于靠近所述插入物的所述第一边缘的第二半径,所述插入物进一步包括延伸入所述外壳并完全被所述外壳包入的凸片。
4.一种用于制造表面安装器件的方法,所述方法包括:
设置多根引线;
靠近所述多根引线设置具有反射表面的环;
将所述多根引线和所述环与外壳固定,其中,所述环包括靠近所述外壳的外表面设置的第一边缘、远离所述外壳的所述外表面的第二边缘以及靠近所述第一边缘的凸缘,所述凸缘远离所述反射表面延伸并延伸入所述外壳,所述凸缘进一步包括延伸入所述外壳并完全被所述外壳包入的凸片,使得所述环相对于所述引线保持在一预定位置处,所述环的反射表面通过所述外壳的一凹部露出;以及
将电子器件与所述多根引线中的至少一根引线固定。
5.一种表面安装器件,包括:
外壳,包括形成在所述外壳中并延伸入所述外壳的凹部;
向内倾斜的插入物,所述插入物与所述外壳区分并固定至所述外壳,其中,所述插入物包括沿所述凹部露出的反射表面,其中,所述插入物呈环形形状并且在所述凹部的一部分表面周围周向延伸,使得所述插入物限定所述凹部的至少一部分表面,所述插入物进一步包括靠近所述外壳的外表面设置的第一边缘、远离所述外壳的所述外表面的第二边缘以及靠近所述第一边缘的凸缘,所述凸缘远离所述反射表面延伸并延伸入所述外壳,所述凸缘进一步包括延伸入所述外壳并完全被所述外壳包入的凸片。
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Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9070850B2 (en) | 2007-10-31 | 2015-06-30 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
US7928462B2 (en) * | 2006-02-16 | 2011-04-19 | Lg Electronics Inc. | Light emitting device having vertical structure, package thereof and method for manufacturing the same |
US9711703B2 (en) | 2007-02-12 | 2017-07-18 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US7993038B2 (en) * | 2007-03-06 | 2011-08-09 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device |
CN101388161A (zh) * | 2007-09-14 | 2009-03-18 | 科锐香港有限公司 | Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器 |
US10256385B2 (en) | 2007-10-31 | 2019-04-09 | Cree, Inc. | Light emitting die (LED) packages and related methods |
JP5416975B2 (ja) | 2008-03-11 | 2014-02-12 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
KR101324077B1 (ko) * | 2008-08-26 | 2013-10-31 | 딩구오 판 | 발광 다이오드 멀티 칩 실장 및 실장 탑재로 만들어진 스트립 라이트 |
US8368112B2 (en) | 2009-01-14 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Aligned multiple emitter package |
US10431567B2 (en) | 2010-11-03 | 2019-10-01 | Cree, Inc. | White ceramic LED package |
USD661262S1 (en) * | 2009-10-26 | 2012-06-05 | Nichia Corporation | Light emitting diode |
DE102009058421A1 (de) | 2009-12-16 | 2011-06-22 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 | Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil, Gehäuse und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
TWI427745B (zh) * | 2010-01-20 | 2014-02-21 | Lite On Electronics Guangzhou | 封裝結構及發光二極體封裝結構 |
CN102130266B (zh) * | 2010-01-20 | 2013-08-28 | 光宝电子(广州)有限公司 | 封装结构及发光二极管封装结构 |
US8901583B2 (en) | 2010-04-12 | 2014-12-02 | Cree Huizhou Opto Limited | Surface mount device thin package |
JP5507330B2 (ja) * | 2010-04-27 | 2014-05-28 | ローム株式会社 | Ledモジュール |
KR101705700B1 (ko) * | 2010-07-01 | 2017-02-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
US9831393B2 (en) | 2010-07-30 | 2017-11-28 | Cree Hong Kong Limited | Water resistant surface mount device package |
US9240395B2 (en) | 2010-11-30 | 2016-01-19 | Cree Huizhou Opto Limited | Waterproof surface mount device package and method |
KR101865438B1 (ko) * | 2011-02-10 | 2018-06-07 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 패키지 어레이 |
JP2012238830A (ja) * | 2011-05-09 | 2012-12-06 | Lumirich Co Ltd | 発光ダイオード素子 |
CN102280424A (zh) * | 2011-06-08 | 2011-12-14 | 无敌科技(西安)有限公司 | 非挥发性内存装置、集成电路装置及集成电路制造方法 |
KR101818466B1 (ko) * | 2011-08-18 | 2018-01-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
CN103262269B (zh) * | 2011-11-24 | 2018-06-19 | 惠州科锐半导体照明有限公司 | Led封装件 |
CN103137825B (zh) * | 2011-11-30 | 2016-06-01 | 光宝电子(广州)有限公司 | 发光二极管基板结构、发光二极管单元及其光源模块 |
TW201330332A (zh) * | 2012-01-02 | 2013-07-16 | Lextar Electronics Corp | 固態發光元件及其固態發光封裝體 |
US10504719B2 (en) * | 2012-04-25 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Cooled reflective adapter plate for a deposition chamber |
US10439112B2 (en) * | 2012-05-31 | 2019-10-08 | Cree, Inc. | Light emitter packages, systems, and methods having improved performance |
US9239135B2 (en) * | 2012-07-25 | 2016-01-19 | Tyco Electronics Corporation | LED connector |
US9711489B2 (en) | 2013-05-29 | 2017-07-18 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Multiple pixel surface mount device package |
US9601670B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-03-21 | Cree, Inc. | Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate |
DE102014110074A1 (de) * | 2014-07-17 | 2016-01-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronisches Bauelement, Leiterrahmen und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements |
US10622522B2 (en) | 2014-09-05 | 2020-04-14 | Theodore Lowes | LED packages with chips having insulated surfaces |
USD740998S1 (en) * | 2014-09-11 | 2015-10-13 | Michael Olen NEVINS | Reflector |
WO2016142179A1 (en) * | 2015-03-06 | 2016-09-15 | Koninklijke Philips N.V. | Led-based lighting device with asymmetrically distributed led chips |
KR102237155B1 (ko) * | 2015-03-11 | 2021-04-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구비한 라이트 유닛 |
KR102332218B1 (ko) * | 2015-03-18 | 2021-11-29 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광 소자 및 이를 구비한 카메라 모듈 |
US10311265B2 (en) * | 2016-03-04 | 2019-06-04 | Assa Abloy Ab | Universal mounting ring |
CN110289341A (zh) * | 2019-06-12 | 2019-09-27 | 浙江英特来光电科技有限公司 | 一种与印刷线路板增加结合力的全彩smd led及其安装方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1720608A (zh) * | 2002-12-06 | 2006-01-11 | 克立公司 | 复合引线框led封装及其制造方法 |
Family Cites Families (167)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3760237A (en) | 1972-06-21 | 1973-09-18 | Gen Electric | Solid state lamp assembly having conical light director |
FR2436505A1 (fr) | 1978-09-12 | 1980-04-11 | Radiotechnique Compelec | Dispositif optoelectronique a emetteur et recepteur couples |
US4511425A (en) | 1983-06-13 | 1985-04-16 | Dennison Manufacturing Company | Heated pad decorator |
EP0400176B1 (de) | 1989-05-31 | 2000-07-26 | Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG | Verfahren zum Montieren eines oberflächenmontierbaren Opto-Bauelements |
US5617218A (en) * | 1989-09-07 | 1997-04-01 | Advanced Television Test Center | Bi-directional television and motion picture film to magnetic tape format digital signal converter |
US5167556A (en) | 1990-07-03 | 1992-12-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for manufacturing a light emitting diode display means |
US5130761A (en) | 1990-07-17 | 1992-07-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Led array with reflector and printed circuit board |
US5122943A (en) | 1991-04-15 | 1992-06-16 | Miles Inc. | Encapsulated light emitting diode and method for encapsulation |
US5351106A (en) | 1991-07-01 | 1994-09-27 | Amergraph Corporation | Exposure system |
AU4782293A (en) | 1992-07-24 | 1994-02-14 | Tessera, Inc. | Semiconductor connection components and methods with releasable lead support |
US5790298A (en) | 1994-05-03 | 1998-08-04 | Gentex Corporation | Method of forming optically transparent seal and seal formed by said method |
DE4446566A1 (de) | 1994-12-24 | 1996-06-27 | Telefunken Microelectron | Mehrpoliges, oberflächenmontierbares, elektronisches Bauelement |
EP0775369B1 (en) | 1995-05-10 | 2001-10-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Miniature semiconductor device for surface mounting |
DE19549818B4 (de) | 1995-09-29 | 2010-03-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement |
US5731547A (en) | 1996-02-20 | 1998-03-24 | International Business Machines Corporation | Circuitized substrate with material containment means and method of making same |
DE19621124A1 (de) | 1996-05-24 | 1997-11-27 | Siemens Ag | Optoelektronischer Wandler und dessen Herstellungsverfahren |
JPH09321343A (ja) | 1996-05-31 | 1997-12-12 | Dowa Mining Co Ltd | 光通信用の部品装置 |
DE19638667C2 (de) | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
US5813753A (en) | 1997-05-27 | 1998-09-29 | Philips Electronics North America Corporation | UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light |
EP1004145B1 (de) | 1997-07-29 | 2005-06-01 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Optoelektronisches bauelement |
US6183100B1 (en) | 1997-10-17 | 2001-02-06 | Truck-Lite Co., Inc. | Light emitting diode 360° warning lamp |
DE19755734A1 (de) | 1997-12-15 | 1999-06-24 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes |
DE19829197C2 (de) | 1998-06-30 | 2002-06-20 | Siemens Ag | Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement |
US5959316A (en) | 1998-09-01 | 1999-09-28 | Hewlett-Packard Company | Multiple encapsulation of phosphor-LED devices |
US6274924B1 (en) | 1998-11-05 | 2001-08-14 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Surface mountable LED package |
JP3334864B2 (ja) | 1998-11-19 | 2002-10-15 | 松下電器産業株式会社 | 電子装置 |
US6429583B1 (en) | 1998-11-30 | 2002-08-06 | General Electric Company | Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors |
JP4279388B2 (ja) | 1999-01-29 | 2009-06-17 | 日亜化学工業株式会社 | 光半導体装置及びその形成方法 |
US6259608B1 (en) | 1999-04-05 | 2001-07-10 | Delphi Technologies, Inc. | Conductor pattern for surface mount devices and method therefor |
JP2001042792A (ja) | 1999-05-24 | 2001-02-16 | Sony Corp | Led表示装置 |
US6454437B1 (en) | 1999-07-28 | 2002-09-24 | William Kelly | Ring lighting |
US6710373B2 (en) | 1999-09-27 | 2004-03-23 | Shih-Yi Wang | Means for mounting photoelectric sensing elements, light emitting diodes, or the like |
US6296367B1 (en) * | 1999-10-15 | 2001-10-02 | Armament Systems And Procedures, Inc. | Rechargeable flashlight with step-up voltage converter and recharger therefor |
DE19963806C2 (de) | 1999-12-30 | 2002-02-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdioden-Weißlichtquelle, Verwendung einer Kunststoff-Preßmasse zum Herstellen einer Leuchtioden-Weißlichtquelle und oberflächenmontierbare Leuchtdioden-Weißlichtquelle |
DE10002521A1 (de) | 2000-01-21 | 2001-08-09 | Infineon Technologies Ag | Elektrooptisches Datenübertragungsmodul |
WO2001059851A1 (en) | 2000-02-09 | 2001-08-16 | Nippon Leiz Corporation | Light source |
US6224216B1 (en) | 2000-02-18 | 2001-05-01 | Infocus Corporation | System and method employing LED light sources for a projection display |
US6517218B2 (en) | 2000-03-31 | 2003-02-11 | Relume Corporation | LED integrated heat sink |
KR100772774B1 (ko) | 2000-04-24 | 2007-11-01 | 로무 가부시키가이샤 | 측면발광반도체 발광장치 및 그 제조방법 |
DE10020465A1 (de) * | 2000-04-26 | 2001-11-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
US20020066905A1 (en) | 2000-06-20 | 2002-06-06 | Bily Wang | Wing-shaped surface mount package for light emitting diodes |
JP2002033058A (ja) | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Sony Corp | 電界放出型表示装置用の前面板 |
US7129638B2 (en) | 2000-08-09 | 2006-10-31 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Light emitting devices with a phosphor coating having evenly dispersed phosphor particles and constant thickness |
DE10041328B4 (de) | 2000-08-23 | 2018-04-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verpackungseinheit für Halbleiterchips |
EP1187226B1 (en) | 2000-09-01 | 2012-12-26 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Surface-mount type light emitting diode and method of manufacturing same |
US6614103B1 (en) | 2000-09-01 | 2003-09-02 | General Electric Company | Plastic packaging of LED arrays |
US7064355B2 (en) | 2000-09-12 | 2006-06-20 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting diodes with improved light extraction efficiency |
US6940704B2 (en) | 2001-01-24 | 2005-09-06 | Gelcore, Llc | Semiconductor light emitting device |
IE20020300A1 (en) | 2001-04-23 | 2003-03-19 | Plasma Ireland Ltd | An Illuminator |
US20020163001A1 (en) | 2001-05-04 | 2002-11-07 | Shaddock David Mulford | Surface mount light emitting device package and fabrication method |
JP2002344029A (ja) | 2001-05-17 | 2002-11-29 | Rohm Co Ltd | 発光ダイオードの色調調整方法 |
JP3844196B2 (ja) | 2001-06-12 | 2006-11-08 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
JP2002374007A (ja) | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
TW543128B (en) | 2001-07-12 | 2003-07-21 | Highlink Technology Corp | Surface mounted and flip chip type LED package |
US6686580B1 (en) | 2001-07-16 | 2004-02-03 | Amkor Technology, Inc. | Image sensor package with reflector |
CN2498694Y (zh) | 2001-08-14 | 2002-07-03 | 北京利亚德电子科技有限公司 | 一种带倾角的led像素模块 |
US6812481B2 (en) | 2001-09-03 | 2004-11-02 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | LED device and manufacturing method thereof |
US7009627B2 (en) | 2001-11-21 | 2006-03-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display apparatus, and image signal processing apparatus and drive control apparatus for the same |
DE10241989A1 (de) | 2001-11-30 | 2003-06-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
JP4009097B2 (ja) | 2001-12-07 | 2007-11-14 | 日立電線株式会社 | 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム |
KR100439402B1 (ko) * | 2001-12-24 | 2004-07-09 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 패키지 |
US6480389B1 (en) | 2002-01-04 | 2002-11-12 | Opto Tech Corporation | Heat dissipation structure for solid-state light emitting device package |
JP3973082B2 (ja) | 2002-01-31 | 2007-09-05 | シチズン電子株式会社 | 両面発光ledパッケージ |
JP3853279B2 (ja) * | 2002-02-01 | 2006-12-06 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ装置及びその製造方法、並びにそれを用いた光ピックアップ |
US6924514B2 (en) | 2002-02-19 | 2005-08-02 | Nichia Corporation | Light-emitting device and process for producing thereof |
CN100524703C (zh) | 2002-03-08 | 2009-08-05 | 罗姆股份有限公司 | 使用半导体芯片的半导体装置 |
JP3939177B2 (ja) | 2002-03-20 | 2007-07-04 | シャープ株式会社 | 発光装置の製造方法 |
CN2549313Y (zh) * | 2002-04-17 | 2003-05-07 | 杨英琪 | 大厦风扇夜光灯 |
JP3707688B2 (ja) | 2002-05-31 | 2005-10-19 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
WO2004001862A1 (ja) * | 2002-06-19 | 2003-12-31 | Sanken Electric Co., Ltd. | 半導体発光装置及びその製法並びに半導体発光装置用リフレクタ |
TW546799B (en) | 2002-06-26 | 2003-08-11 | Lingsen Precision Ind Ltd | Packaged formation method of LED and product structure |
DE10229067B4 (de) | 2002-06-28 | 2007-08-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP2004047748A (ja) | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Stanley Electric Co Ltd | 発光ダイオード |
TW200428268A (en) * | 2002-07-15 | 2004-12-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Internal touch panel, and process for producing it and display device |
US7224000B2 (en) | 2002-08-30 | 2007-05-29 | Lumination, Llc | Light emitting diode component |
JP4407204B2 (ja) | 2002-08-30 | 2010-02-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US7264378B2 (en) | 2002-09-04 | 2007-09-04 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
US7244965B2 (en) | 2002-09-04 | 2007-07-17 | Cree Inc, | Power surface mount light emitting die package |
DE10243247A1 (de) | 2002-09-17 | 2004-04-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leadframe-basiertes Bauelement-Gehäuse, Leadframe-Band, oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
US6686609B1 (en) | 2002-10-01 | 2004-02-03 | Ultrastar Limited | Package structure of surface mounting led and method of manufacturing the same |
TW200414572A (en) | 2002-11-07 | 2004-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | LED lamp |
DE10255932A1 (de) | 2002-11-29 | 2004-06-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
JP2004214380A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Polyplastics Co | リードフレーム形成用金属箔、電子部品用パッケージ、その製造方法、及び表面実装型発光部品 |
CN2617039Y (zh) | 2003-02-21 | 2004-05-19 | 游尚桦 | 粘着型led引线架 |
EP1597764A1 (de) | 2003-02-28 | 2005-11-23 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Optoelektronisches bauteil mit strukturiert metallisiertem gehäusekörper, verfahren zur herstellung eines derartigen bauteils und verfahren zur strukturierten metallisierung eines kunststoff enthaltenden körpers |
JP4504662B2 (ja) | 2003-04-09 | 2010-07-14 | シチズン電子株式会社 | Ledランプ |
KR101148332B1 (ko) | 2003-04-30 | 2012-05-25 | 크리, 인코포레이티드 | 콤팩트 광학 특성을 지닌 높은 전력의 발광 소자 패키지 |
US7005679B2 (en) | 2003-05-01 | 2006-02-28 | Cree, Inc. | Multiple component solid state white light |
US7021797B2 (en) | 2003-05-13 | 2006-04-04 | Light Prescriptions Innovators, Llc | Optical device for repositioning and redistributing an LED's light |
JP2004356506A (ja) | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Stanley Electric Co Ltd | ガラス封止型発光ダイオード |
JP4120813B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-07-16 | セイコーエプソン株式会社 | 光学部品およびその製造方法 |
JP4645071B2 (ja) * | 2003-06-20 | 2011-03-09 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置 |
JP4034241B2 (ja) | 2003-06-27 | 2008-01-16 | 日本ライツ株式会社 | 光源装置および光源装置の製造方法 |
JP4085917B2 (ja) * | 2003-07-16 | 2008-05-14 | 松下電工株式会社 | 高熱伝導性発光素子用回路部品及び高放熱モジュール |
TWI312582B (en) | 2003-07-24 | 2009-07-21 | Epistar Corporatio | Led device, flip-chip led package and light reflecting structure |
JP4360858B2 (ja) | 2003-07-29 | 2009-11-11 | シチズン電子株式会社 | 表面実装型led及びそれを用いた発光装置 |
US6876008B2 (en) | 2003-07-31 | 2005-04-05 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Mount for semiconductor light emitting device |
JP2005064047A (ja) | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
JP2005079167A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-24 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
US6995402B2 (en) | 2003-10-03 | 2006-02-07 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Integrated reflector cup for a light emitting device mount |
US20050077535A1 (en) | 2003-10-08 | 2005-04-14 | Joinscan Electronics Co., Ltd | LED and its manufacturing process |
CN2646873Y (zh) | 2003-10-16 | 2004-10-06 | 上海三思科技发展有限公司 | 表面贴装式、光轴倾斜的发光二极管 |
TWI291770B (en) | 2003-11-14 | 2007-12-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Surface light source device and light emitting diode |
JP4231391B2 (ja) | 2003-11-19 | 2009-02-25 | パナソニック株式会社 | 半導体装置用リードフレームとそれを用いた面発光装置 |
JP2005191530A (ja) | 2003-12-03 | 2005-07-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光装置 |
US7439667B2 (en) | 2003-12-12 | 2008-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device with specific four color arrangement |
JP2005183531A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Sharp Corp | 半導体発光装置 |
JP4442216B2 (ja) | 2003-12-19 | 2010-03-31 | 豊田合成株式会社 | Ledランプ装置 |
US7321161B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-01-22 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | LED package assembly with datum reference feature |
JP2005191111A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
US7675231B2 (en) | 2004-02-13 | 2010-03-09 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Light emitting diode display device comprising a high temperature resistant overlay |
US20050179041A1 (en) | 2004-02-18 | 2005-08-18 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Illumination system with LEDs |
US7514867B2 (en) | 2004-04-19 | 2009-04-07 | Panasonic Corporation | LED lamp provided with optical diffusion layer having increased thickness and method of manufacturing thereof |
JP2005310935A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子収納用パッケージ |
TWM258416U (en) | 2004-06-04 | 2005-03-01 | Lite On Technology Corp | Power LED package module |
JP4547569B2 (ja) | 2004-08-31 | 2010-09-22 | スタンレー電気株式会社 | 表面実装型led |
WO2006059828A1 (en) | 2004-09-10 | 2006-06-08 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package having multiple molding resins |
JP4796293B2 (ja) | 2004-11-04 | 2011-10-19 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 照明装置の製造方法 |
US7303315B2 (en) | 2004-11-05 | 2007-12-04 | 3M Innovative Properties Company | Illumination assembly using circuitized strips |
JP2006140281A (ja) | 2004-11-11 | 2006-06-01 | Stanley Electric Co Ltd | パワーled及びその製造方法 |
US7419839B2 (en) | 2004-11-12 | 2008-09-02 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Bonding an optical element to a light emitting device |
GB2420221B (en) | 2004-11-12 | 2009-09-09 | Unity Opto Technology Co Ltd | Solid-state semiconductor light emitting device |
US7119422B2 (en) | 2004-11-15 | 2006-10-10 | Unity Opto Technology Co., Ltd. | Solid-state semiconductor light emitting device |
JP5038147B2 (ja) | 2004-11-18 | 2012-10-03 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 発光体、及び前記発光体を製造する方法 |
WO2006065007A1 (en) | 2004-12-16 | 2006-06-22 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Leadframe having a heat sink supporting ring, fabricating method of a light emitting diodepackage using the same and light emitting diodepackage fabbricated by the method |
US7285802B2 (en) | 2004-12-21 | 2007-10-23 | 3M Innovative Properties Company | Illumination assembly and method of making same |
CN100389503C (zh) | 2005-01-07 | 2008-05-21 | 北京大学 | 分立晶粒垂直结构的led芯片制备方法 |
US9793247B2 (en) | 2005-01-10 | 2017-10-17 | Cree, Inc. | Solid state lighting component |
TWI255566B (en) | 2005-03-04 | 2006-05-21 | Jemitek Electronics Corp | Led |
JP4915052B2 (ja) | 2005-04-01 | 2012-04-11 | パナソニック株式会社 | Led部品およびその製造方法 |
US7994702B2 (en) | 2005-04-27 | 2011-08-09 | Prysm, Inc. | Scanning beams displays based on light-emitting screens having phosphors |
KR100757196B1 (ko) | 2005-08-01 | 2007-09-07 | 서울반도체 주식회사 | 실리콘 렌즈를 구비하는 발광소자 |
US7847302B2 (en) | 2005-08-26 | 2010-12-07 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Blue LED with phosphor layer for producing white light and different phosphor in outer lens for reducing color temperature |
JP4724618B2 (ja) | 2005-11-11 | 2011-07-13 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 照明装置及びそれを用いた液晶表示装置 |
JP3992059B2 (ja) | 2005-11-21 | 2007-10-17 | 松下電工株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2009087538A (ja) | 2006-01-20 | 2009-04-23 | Sharp Corp | 光源ユニット、及びそれを用いた照明装置、及びそれを用いた表示装置 |
US20070170449A1 (en) | 2006-01-24 | 2007-07-26 | Munisamy Anandan | Color sensor integrated light emitting diode for LED backlight |
USD572670S1 (en) | 2006-03-30 | 2008-07-08 | Nichia Corporation | Light emitting diode |
EP2011164B1 (en) | 2006-04-24 | 2018-08-29 | Cree, Inc. | Side-view surface mount white led |
US7635915B2 (en) | 2006-04-26 | 2009-12-22 | Cree Hong Kong Limited | Apparatus and method for use in mounting electronic elements |
US20070269586A1 (en) * | 2006-05-17 | 2007-11-22 | 3M Innovative Properties Company | Method of making light emitting device with silicon-containing composition |
KR100904152B1 (ko) | 2006-06-30 | 2009-06-25 | 서울반도체 주식회사 | 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광다이오드 패키지 |
US7960819B2 (en) | 2006-07-13 | 2011-06-14 | Cree, Inc. | Leadframe-based packages for solid state emitting devices |
TWM303325U (en) | 2006-07-13 | 2006-12-21 | Everlight Electronics Co Ltd | Light emitting diode package |
JP5564162B2 (ja) | 2006-09-29 | 2014-07-30 | フューチャー ライト リミテッド ライアビリティ カンパニー | 発光ダイオード装置 |
USD572210S1 (en) | 2006-11-01 | 2008-07-01 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light-emitting diode (LED) |
CN101507004B (zh) | 2006-12-28 | 2011-04-20 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置、封装体、发光装置的制造方法、封装体的制造方法以及封装体制造用模具 |
US7800304B2 (en) * | 2007-01-12 | 2010-09-21 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Multi-chip packaged LED light source |
JP5106862B2 (ja) | 2007-01-15 | 2012-12-26 | 昭和電工株式会社 | 発光ダイオードパッケージ |
US7777412B2 (en) | 2007-03-22 | 2010-08-17 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Phosphor converted LED with improved uniformity and having lower phosphor requirements |
US7622795B2 (en) | 2007-05-15 | 2009-11-24 | Nichepac Technology Inc. | Light emitting diode package |
US7923831B2 (en) | 2007-05-31 | 2011-04-12 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | LED-based light source having improved thermal dissipation |
JP5233170B2 (ja) | 2007-05-31 | 2013-07-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、発光装置を構成する樹脂成形体及びそれらの製造方法 |
US7999283B2 (en) | 2007-06-14 | 2011-08-16 | Cree, Inc. | Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes |
USD576574S1 (en) | 2007-07-17 | 2008-09-09 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting diode module |
CN100574543C (zh) | 2007-07-30 | 2009-12-23 | 深圳莱特光电有限公司 | 一种暖白光led封装过程中隔离银层的方法 |
US11114594B2 (en) | 2007-08-24 | 2021-09-07 | Creeled, Inc. | Light emitting device packages using light scattering particles of different size |
US7968899B2 (en) | 2007-08-27 | 2011-06-28 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | LED light source having improved resistance to thermal cycling |
US7791093B2 (en) | 2007-09-04 | 2010-09-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | LED with particles in encapsulant for increased light extraction and non-yellow off-state color |
CN101388161A (zh) | 2007-09-14 | 2009-03-18 | 科锐香港有限公司 | Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器 |
US7524087B1 (en) | 2007-11-16 | 2009-04-28 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Optical device |
EP2223352B8 (en) | 2007-12-11 | 2018-08-29 | Lumileds Holding B.V. | Side emitting device with hybrid top reflector |
US8049230B2 (en) | 2008-05-16 | 2011-11-01 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus and system for miniature surface mount devices |
GB2458972B (en) | 2008-08-05 | 2010-09-01 | Photonstar Led Ltd | Thermally optimised led chip-on-board module |
US9425172B2 (en) | 2008-10-24 | 2016-08-23 | Cree, Inc. | Light emitter array |
US7841747B2 (en) * | 2008-12-11 | 2010-11-30 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Light emitting device |
US20110049545A1 (en) | 2009-09-02 | 2011-03-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Led package with phosphor plate and reflective substrate |
-
2006
- 2006-08-16 US US11/465,120 patent/US8367945B2/en active Active
-
2007
- 2007-08-14 DE DE102007038320A patent/DE102007038320A1/de not_active Withdrawn
- 2007-08-15 JP JP2007211901A patent/JP5442189B2/ja active Active
- 2007-08-16 CN CN201210046248.2A patent/CN102569273B/zh active Active
- 2007-08-16 CN CN2007101423107A patent/CN101127350B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1720608A (zh) * | 2002-12-06 | 2006-01-11 | 克立公司 | 复合引线框led封装及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102569273A (zh) | 2012-07-11 |
JP2008047916A (ja) | 2008-02-28 |
US20080041625A1 (en) | 2008-02-21 |
US8367945B2 (en) | 2013-02-05 |
DE102007038320A1 (de) | 2008-04-17 |
CN101127350B (zh) | 2012-05-09 |
JP5442189B2 (ja) | 2014-03-12 |
CN101127350A (zh) | 2008-02-20 |
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