CN102084509A - 对齐的多发光器封装体 - Google Patents

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X·王
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Abstract

本发明披露了一种多元件发光器封装体，用于增加色彩逼真度和散热、改进电流控制、增加封装组件的刚性。在一个实施例中，该封装体包括表面安装器件，提供一壳体，其具有从第一主表面延伸到该壳体内部的空腔。一引线框至少部分地被该壳体包住，该引线框包括多个承载发光器件(LED)线性阵列的导电部。与承载LED的部件分隔开的导电部具有连接焊盘，其中LED与连接焊盘电耦合，诸如通过引线接合。这个引线框设置允许向每一个LED施加相应的电信号。该发光器封装基本上是防水的，并且发光器封装体的阵列可以用于LED显示器中，诸如室内和/或户外的LED屏中。

Description

对齐的多发光器封装体
技术领域
本发明通常涉及多发光器封装体，更具体地，涉及具有多个发光器的表面安装封装体，所述多个发光器对齐以改善发光均匀性。
背景技术
最近几年，发光二极管(LED)技术有了巨大的改进，从而引入了具有增加的亮度和色彩逼真度的LED。由于这些改进的LED和改进的图像处理技术，大幅、全色LED视频屏幕已经可用并且现在在广泛使用。大幅LED显示器通常包括提供由相邻像素间的距离或“像素间距”决定的图像分辨率的各个LED面板的组合。
用来更远距离观看的户外显示器，可具有相对大的像素间距并且通常包括分立LED阵列。在分立LED阵列中，驱动单独安装的红光、绿光和蓝光LED簇以形成对于观看者来说的全彩像素。另一方面，室内屏幕，其需要更短的像素间距例如是3mm或更小，可包括具有多个表面安装器件(SMD或多个SMD)或其它类型的发光器封装体，其中每一个限定一个像素。每个发光器封装体可以承载红光、绿光和蓝光发光LED，它们发射的光组合以产生所需要波长或颜色的光。
室内和户外显示器通常都在相当大的离轴角度的范围内是可观看的，例如达到145°或甚至更大。一些传统发光器封装体中的LED在不同的观看角度会遭受不同的发光特性。这些封装体中的LED可以在封装体的中央或中央附近设置成簇，并且在不同的观看角度，最靠近观看者的特定LED发光更突出。例如，如果在使得红光LED最靠近观看者的角度观看该封装体，该红光会比直接观看该封装体时发光更突出。这对蓝光和绿光LED可能同样适用。因此，由封装体产生的颜色根据观看角度而被不同地感觉。
传统的发光器封装体可能也会遭受到随着观看角度增加色彩逼真度有明显损失的问题。此外，各个封装体的材料和/或用于在封装体中安装各个LED的材料可能具有反射特性，其会通过产生不想要的光反射和/或眩光进一步降低色彩逼真度。
诸如SMD的发光器封装体，无论是包含集成电路还是分立部件诸如二极管或功率晶体管，都会产生显著的热量，特别是在高功率器件中。这个热量通常需要被散去以防止过早的部件退化或失效。这可能需要额外的热管理部件以散发足够的热量，从而保持有源电路或部件的结侧的工作温度低于目标温度(例如，110℃或以下)。包括导热传输的各种热管理策略被广泛采用。一种为电子封装体散热实施导热传输的传统方法是，允许热量沿器件的引线传导出去。但是，引线常常没有足够的质量或暴露表面积以提供有效的散热。例如，主要在电磁光谱中可见光部分发射光的高亮度LED会产生大量的热，使用这种传统技术很难将其散去。
发明内容
本发明提供一种发光器封装体引线框、发光器封装体和提供不同的观看角度的改进的颜色发射均匀性的LED屏。本发明也提供发光器封装体，其允许改善的封装体中发光器的电流控制、封装体组件的刚性和防水的封装体操作。
用于多发光器封装体的导电性引线框的一个实施例包括多个导电性阴极部，其每一个具有用于承载至少一个发光器件的附着焊盘，每一个附着焊盘电性耦合至其至少一个发光器件。与每个阴极部分开设置有对应的多个导电性阳极部，所述阳极部的每一个具有连接焊盘，所述连接焊盘设置成允许电连接至发光器件。其中附着焊盘和连接焊盘设置成保持发光器件线性对齐。
根据本发明的发光器封装体的一个实施例包括壳体，该壳体具有从壳体上表面延伸到壳体内部的空腔。包含与壳体成为整体的引线框，该引线框包括保持多个发光器件线性对齐的导电部，所述多个发光器件向所述空腔外发光。该引线框也允许通过该引线框将电信号施加到发光器件。
根据本发明的发光器件显示器的一个实施例包括承载有发光器封装体阵列的基板。每一个发光器封装体包括壳体并且包含线性对齐的发光器件。包含电连接的驱动电路，其用于选择性地对发光器封装体阵列加电以在所述显示器上产生可视图像。
对本领域技术人员而言，本发明的这些和其它另外的特征和优点将从结合附图的以下详细描述中变得显而易见，其中：
附图说明
图1是根据本发明的表面安装器件的透视图；
图2是图1中所示实施例的俯视图；
图3是沿图2中线3-3看到的图1中实施例的截面图；
图4是图1中所示实施例的仰视图；
图5是图1中所示实施例的左侧视图，右侧基本上是类似的；
图6是图1中所示实施例的正视图，背侧基本上是类似的；
图7是可在图1中器件中使用的引线框的一个实施例的透视图；
图8是图7中所示引线框的侧视图；
图9是沿剖面线9-9截取的图8中引线框的截面图，并且示出了引线框的通孔；
图10是沿剖面线10-10截取的图8中引线框的截面图，并且示出了引线框V形切口；
图11是根据本发明的表面安装器件的另一个实施例的、沿图3中所示的线的截面图；
图12是图11中所示实施例的仰视图；
图13是图11中所示实施例的侧视图；
图14是根据本发明的表面安装器件的一个实施例的俯视立体图；
图15是图1中所示实施例的正视图，背侧是基本类似的；
图16是图15所示实施例的正面立体图；以及
图17是包含根据本发明的实施例的表面安装器件的LED显示屏的的一部位的正视图。
具体实施方式
本发明提供用于多发光器封装体的结构，其通过在封装体内线性对齐发光器，允许封装体在不同观看角度以改进的颜色均匀性发光。在一个实施例中，发光器垂直对齐，但是应当理解，在不同的应用中，发光器可以水平对齐或以一角度对齐。在一些实施例中，封装体也可以具有引线框结构，其允许封装体中的每个发光器被其自己的电信号所驱动。这为对发光器封装体所发出光的颜色和强度的改进的控制留有余地。
根据本发明的发光器封装体的一个实施例中，发光器可以包括在封装体中心线处或其附近垂直对齐的红色、绿色和蓝色发光器，以使得红色、绿色和蓝色的观看角度互相一致。与现有技术中具有成簇发光器的封装体相比，这允许发光器封装体的颜色在不同的观看角度显得更均匀。根据本发明的发光器封装体也可以包括引线框和帮助保持封装体防水的壳体，并且也包括改进封装体刚性的特征，诸如通孔。
本发明可应用于不同类型的发光器封装体，例如表面安装器件(SMD)，其可用于许多不同照明应用中，诸如LED彩色屏或装饰照明以及需要防水器件的应用。以下描述了利用发光二极管作为它们发光器的发光器封装体不同实施例，但是应当理解，其它发光器封装体实施例可以使用不同类型的发光器。
应当理解，当一个元件被称为“在另一个元件上”、“连接到另一个元件”、“耦合于另一个元件”或“接触另一个元件”时，它可以直接在该另一个元件之上、连接于或耦合于、或接触该另一个元件，或者可以存在插入元件。相比之下，当一个元件被称为“直接在另一个元件上”、“直接连接于”、“直接耦合于”或“直接接触”另一个元件时，不存在插入元件。同样的，当第一个元件被称为“电接触”或“电耦合于”第二个元件，在该第一元件和该第二元件之间存在允许电流流动的电路径。该电路径可以包括电容器、耦合的电感器和/或允许电流流动的其它元件，甚至在导电元件之间没有直接接触。
虽然术语第一、第二等在这里用于描述各种的元件、部件、区域和/或部分，但是这些元件、部件、区域和/或部分并不被这些术语所限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域或部分与另一元件、部件、区域或部分相区别。因此，下面讨论的第一元件、部件、区域或部分可以被称为第二元件、部件、区域或部分，而不背离本发明的教导。
本发明的实施例在此处参照作为本发明实施例的示意性图解说明的横截面图图解进行描述。因此，部件的实际厚度可以不同，并且，由于例如制造技术和/或容差而与图示的形状不同是预期的。本发明的实施例不应该被理解成限于这里图示区域的特定形状，而是应包括由于例如制造而导致的形状上的偏差。图示或描述为正方形或矩形的区域通常由于正常的制造容差而具有圆形或曲线特征。因此，附图中所示出的区域实质上是示意性的，并且其形状并不意图表示器件的区域的精确形状，并且不意图限制本发明的范围。
下述描述说明优选实施例。这个描述并不是为了限制而仅仅是为了描述本发明的一般原理，本发明的范围由所附的权利要求进一步来理解。
图1-8示出了根据本发明的多发光器封装体10的一个实施例，其包括表面安装器件(SMD)10。如上所述，可以理解本发明可以用于除了SMD以外的其它类型的发光器封装体。封装体10包括载有整体的引线框14的壳体12。该引线框14包括多个导电性连接部，用于将电信号传导至该封装体的发光器，并且也帮助耗散由发光器产生的热量。
该引线框14可以用许多不同的方式设置并且不同封装体的实施例中采用不同数量的部件。下述的该封装体10使用三个发光器，并且在所示实施例中，该引线框设置成使得每个发光器由各自的电信号所驱动。相应地在所示的实施例中具有六个导电部，包括用于每个发光器的一对导电部，电信号通过每个发射器的那对导电部施加于该发光器。对于封装体10，导电部包括第一、第二和第三阳极部16、18、20，以及每一个都具有发光器附着焊盘的第一、第二和第三阴极部22、24、26(图7中最佳显示)。
壳体12可以具有许多不同的形状和尺寸，在所示实施例中为大致正方形或矩形，具有上表面28和下表面30、侧面32和34以及端面36和38。该壳体的上部进一步包括凹槽或空腔40，其从上表面28延伸入壳体12的体内至引线框14。发光器设置在引线框上使得发光器发出的光穿过空腔40从封装体10发射出。在一些实施例中，反射插入物或环42(图1-3所示)可以沿空腔40的侧面或壁44的至少一部分定位并固定。环42反射率的有效性和封装体的发射角可以通过使得空腔40和载于其内部的环42朝向壳体的内部逐渐变窄来加强。通过举例的方式但并不是予以限制，如图15最佳地显示，～50度的反射器角度46提供了合适的反射率和观看角。
在一些实施例中，空腔40可以至少部分用填充材料48填充，填充材料48能保护和稳固地定位引线框14和其载有的发光器。在一些情况下，该填充材料48可以覆盖发光器和引线框14通过空腔40暴露的部分。该填充材料48可以选择成具有预定的光学特性以增强光从LED的射出，并且在一些实施例中其对封装体的发光器所发射的光基本上是透明的。该填充材料48也可以是有形状的，例如半球形或子弹形，或填充材料可以完全或部分凹入空腔40中。该填充材料48可以由树脂、环氧树脂、热塑性缩聚物、玻璃和/或其它合适的材料或材料组合形成。在一些实施例中，可以将材料添加到该填充材料48中以增强来自LED和/或至LED的光的发射、吸收和/或色散。
壳体12可以用优选既电绝缘又热传导的材料制得。这种材料在本领域是公知的并可以包括，但不限于，某些陶瓷、树脂、环氧树脂、热塑性缩聚物(例如聚邻苯二甲酰胺(PPA))和玻璃。在优选实施例中，壳体12可以由深色或黑色的(一种或多种)陶瓷材料制成，因为其被发现能改进图像产生SMD封装体的对比度，例如在视频显示器中采用的SMD。封装体10及其壳体12可以通过对本领域来说熟知的各种已知方法的任何之一来形成和/或组装。例如，壳体12可以例如通过注模在阳极部16、18、20和阴极部22、24、26周围形成或模制。可选的，壳体可以分几部分形成，例如，顶部和底部，其中阳极部16、18、20和阴极部22、24、26形成于底部之上。顶部和底部可以使用已知的方法和材料接合在一起，例如通过环氧树脂、粘合剂或其它合适的接合材料。
在所描述的说明性实施例中，封装体10使用第一、第二和第三LED 50、52、54，每一个LED能发出相同颜色的光或彼此不同颜色的光。在所示的实施例中，LED 50、52、54分别发射蓝光、绿光和红光，所以当适当地给所述LED通电时，所述LED会组合产生大体上全色范围。进一步，当适当通电时，LED50、52、54发出不同色温的白光组合。
LED结构、特征及其制造和操作通常在本领域是已知的，在这里仅简要讨论。LED可以具有以不同方式设置的多个不同半导体层并且能发出不同的颜色。LED的层能够用已知的工艺制作，一种适当的工艺是使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)进行制作。LED芯片的层通常包括夹在相反掺杂的第一和第二外延层之间的有源层/区，所有这些层/区在生长基板或晶圆上顺序形成。形成于晶圆上的LED芯片可以被单个化并且在不同应用中使用，例如安装于封装体中。可以理解，生长基板/晶圆能保留为最终的单个化的LED的一部分或者生长基板可以完全或部分去除。
同样可以理解，LED中也可以包括附加层和元件，所述附加层和元件包括但不限于缓冲层、成核层、接触和电流扩展层以及光提取层和元件。有源区可以包含单量子阱(SQW)、多量子阱(MQW)、双异质结或超晶格结构。
有源区和掺杂层可以由不同的材料系统制成，一种这样的系统是Ⅲ族氮化物基材料系统。Ⅲ族氮化物指由氮和周期表Ⅲ族元素(通常为铝(Al)、镓(Ga)和铟(In))之间形成的那些半导体化合物。该术语也指三元和四元化合物，诸如氮化铝镓(AlGaN)和氮化铝铟镓(AlInGaN)。在优选实施例中，掺杂层为氮化镓(GaN)以及有源区为InGaN。在备选实施例中，掺杂层可为AlGaN、砷化铝镓(AlGaAs)或磷砷化铝镓铟(AlGaInAsP)或磷化铝铟镓(AlInGaP)或氧化锌(ZnO)。
生长基板/晶圆可以由许多材料制成，诸如硅、玻璃、蓝宝石、碳化硅、氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)，合适的基板为4H多型的碳化硅，但其它碳化硅多型也可以使用，包括3C、6H和15R多型。碳化硅具有某些优点，例如相比于蓝宝石，与Ⅲ族氮化物更相近的晶格匹配并且产生更高质量的Ⅲ族氮化物膜。碳化硅也具有非常高的热导率，使得在碳化硅上的Ⅲ族氮化物器件的总输出功率不会受到基板散热的限制(而这对于形成在蓝宝石上的某些器件，就可能有这种情况)。SiC基板可以从北卡罗来纳州的达勒姆的克里研究公司(Cree Research，Inc.)获得，生产它们的方法记载于科技文献中以及美国专利US 34,861、US 4,946,547和US 5,200,022中。
LED也可以包括附加的特征，诸如导电的电流扩展结构、电流扩展层和引线接合焊盘，所有这些可以由用已知的方法沉积的已知的材料制得。一些或所有的LED可以涂覆一种或多种荧光物质，所述荧光物质吸收至少一些LED的光并发出不同波长的光，使得LED发射来自LED和荧光物质的光的组合。LED芯片可以使用许多不同的方法涂覆荧光物质，一种合适的方法在序列号为11/656,759和11/899,790的美国专利申请中描述，二者标题均为“Wafer Level Phosphor Coating Method and Devices Fabricated Utilizing Method(晶圆级荧光物质涂覆方法以及利用该方法制造的器件)”，并且在此均通过引用并入到本文中。可选的，LED可利用其它方法进行涂覆，诸如电泳沉积(EPD)，一种合适的EPD方法在题为“Close Loop Electrophoretic Deposition of Semicoductor Devices(半导体器件的闭环电泳沉积)”的美国专利申请No.11/473,089中描述，其同样在此通过引用并入到本文中。此外，LED可以具有本领域已知的垂直或横向几何结构。那些包含垂直几何结构的LED可以具有在基板上的第一接触以及在p型层上的第二接触。施加到第一接触的电信号扩展进n型层中，并且施加到第二接触的信号扩展进p型层中。在Ⅲ族氮化物器件的情况下，薄的半透明层通常覆盖部分或整个p型层，这是众所周知的。可以理解，第二接触可以包括这样的层，其通常为诸如铂(Pt)的金属或诸如铟锡氧化物(ITO)的透明导电氧化物。
LED也可以包括横向几何结构，其中两个接触都在LED顶上。例如通过蚀刻除去p型层和有源区的一部分，以暴露在n型层上的接触台面。第二横向n型接触提供于n型层的该台面上。所述接触可以包括利用已知沉积技术沉积的已知材料。
在所示的说明性的实施例中，引线框的阳极部16、18、20和阴极部22、24、26穿过壳体12对置的面36和38向外凸出。如图4最佳地示出，阳极部16、18、20从表面36延伸，以及阴极部22、24、26从表面38延伸。阳极部和阴极部设置成成对地工作以当封装体10被表面安装进行工作时，传导电信号到其各自的光发射器。在所示的实施例中，阳极部16、18、20和阴极部22、24、26垂直弯曲以延伸到它们的壳体的端面36和38外部并沿着所述端面36和38向下延伸，然后又垂直弯曲以形成沿壳体12的下表面30延伸的端部82、84、86、88、90、92。引线的端部82、84、86、88、90、92面向外部的表面大体上平齐以便于连接到下面的基板。如图3最佳地示出，引线的端部82、84、86、88、90、92(仅端部86、88是可见的)可以使用包括焊接在内的多种公知连接技术中的任何技术，电连接或接合到基板94上的迹线或焊盘。可以理解，在其它实施例中所有端部82、84、86、88、90、92或其中的一些可以向相反方向弯曲，而仍为表面安装留有余地。
阴极部22、24、26包括中央表面或安装焊盘68、70、72用于承载沿正交于侧面32和34的方向74延伸成线性阵列的LED芯片50、52、54，LED 50、52、54通常沿壳体12的中轴对齐。相比于具有以其它方式(例如，成簇)设置的LED的封装体，这种对齐允许在不同的观看角度具有改进的颜色均匀性。
安装焊盘68和78朝壳体12的中央延伸，这允许LED 50、54更靠近壳体12的中央安装，以使得其能将光发射出空腔40。阳极部16、18、20分别包括电连接焊盘76、78、80，位于与安装焊盘68、70、72相邻但分隔开的位置。连接焊盘76和80朝着壳体12的中心延伸以允许电连接到LED 50、54，LED 50、54通过安装焊盘68、70的延伸而更靠近壳体12中心安装。
阳极部16、18、20通常彼此平行地行进以及阴极部22、24、26通常彼此平行地行进，它们全部沿与线性LED阵列的方向74正交的方向延伸。引线可以具有不同的宽度并且可以足够小，以便当从顶部观看封装体10时，其最小程度地可见或不可见。附加的和/或作为替换，从顶部观看时引线可以被壳体12遮住。如图1和2最佳地示出，空腔40延伸至壳体内部足够的深度以暴露出附着焊盘68、70、72和连接焊盘76、78、80。在优选实施例中，LED50、52、54的每一个具有其自己的接触对或电极对，所述接触对或电极对设置成当在所述接触上施加电信号时LED发光。LED的接触与成对的阳极部和阴极部电连接。，由于多种原因，例如提供对每个LED更容易的电控制，确保LED 50、52、54的每一个具有其自身的阴极和阳极对是有利的。根据所示的实施例的典型实施方式，LED 50、52、54的接触之一耦合于芯片承载焊盘68、70、72，而LED的接触中的另一个耦合于焊盘76、78、80。不同的已知结构和方法可以用于制作这个连接，一种这样的结构是利用已知方法应用的接合引线95、97、99。
阳极部16、18、20和阴极部22、24、26可以由导电金属或金属合金制得，例如由铜、铜合金、和/或其它合适的低电阻率、抗腐蚀材料或材料组合制成。如前所述，在一定程度上，引线的热导率可以帮助将热量从SMD所承载的LED50、52、54中传导出，如沿箭头98所示。如图7最佳地示出，为进一步帮助散热，阳极部18和阴极部24可以包括靠近壳体边缘的扩大的部分。这些扩大的部分提供增加的表面积以将由LED 50、52、54产生的热量分散开。
LED 50、52、54中的每一个可以通过导电且导热的接合材料100与其一个焊盘68、70、72电耦合，该接合材料诸如是焊料、粘合剂、涂料、膜、密封剂、浆糊、油脂和/或其它合适的材料。在优选实施例中，使用位于LED底部上的焊料焊盘可以将LED电耦合并固定至其各自的焊盘上，使得从顶部看不到焊料。连接器部16、18、20和承载部22、24、26的制造，可以通过冲压、注模、切割、蚀刻、弯曲或通过其它已知的方法和/或方法的组合来完成，以实现所需的构造。例如，连接器部和/或承载部可以被部分金属冲压(例如从单片相关材料同时冲压)、适当地弯曲以及最后完全分离或在部分或全部壳体形成之后完全分离。
在一些制造方法中，LED可以于在连接焊盘周围模制和/或组装壳体12之前耦合到焊盘68、70、72。可选的，可以在阳极部和阴极部已经部分装入壳体中后，将LED耦合到焊盘68、70、72。延伸入壳体的空腔40可以配置成使得焊盘68、70、72和焊盘76、78、80足够的部分暴露，以容纳LED和相关的接合引线，并且允许LED发射的光穿过空腔40出射。
在传统封装体中，引线框的阳极部16、18、20和阴极部22、24、26和壳体12的上部和下部之间的平滑表面使得难以可靠粘结。这些配套的平滑表面可能降低发光器封装体的刚性，并且可能由于壳体与引线框分离，而增加元件失效的几率。该平滑表面也为湿气进入壳体的渗透路径留有余地。这也会导致元件失效，并会降低发光器封装体用于需要防水操作的应用的能力。为增加粘结可靠性和刚性并为防水操作留有余地，阳极部16、18、20和阴极部22、24、26中的一个或多个可以进一步包括一个或多个缺口、通孔、孔、延长部和/或其它有助于SMD封装体的稳定性、完整性和/或鲁棒性的特征。这些特征也使得壳体12和/或填充材料48能够与引线框14更好的结合，这防止湿气渗透器件并为防水使用留有余地。
如图7和9最佳地显示，阳极部16、18、20和阴极部22、24、26可以包括各自的通孔102、104、106、108、110、112，这些通孔通常位于引线框的顶面上。如图7和10最佳地显示，阳极部和阴极部也可以包含诸如与通孔相邻设置的V形切口114的特征。该V形切口114可以位于阳极部16、18、20和阴极部22、24、26的上表面和下表面上。通孔102、104、106、108、110、112、V形切口114、缺口和/或引线的其它这种特征至少部分地与壳体和/或填充材料合作，来增强封装体10的结构稳定性和完整性。在一些实施方式中，壳体材料和/或填充材料至少部分地延伸进入和/或穿过引线中形成的通孔102、104、106、108、110、112中的一个或多个，以增加刚性。壳体和/或填充材料也可以填充V形切口以增加刚性，并且阻止液体渗透到封装体10的内部。
参照图7，为进一步增强封装体10的刚性以及增加壳体12和引线框14之间结合的可靠性，阳极部16、20和阴极部22、26可具有侧缺口115以使得它们具有波浪形。当制造封装体10时，壳体材料填充缺口，硬化的壳体材料与缺口合作以将壳体12保持在引线框上。类似地，阳极部18和阴极部24具有侧突起(tab)117，其也与硬化的壳体或填充材料合作以将壳体12保持在引线框14上。
图11-13示出根据本发明的发光器封装体200的另一个实施例，其同样是表面安装的。封装体200绝大部分与图1-8所示且在上面描述的封装体10类似，只是还包含热导体202、204、206。热导体202、204、206设置在壳体208中以提供从LED到壳体下表面的导热路径。所述热导体可以进一步设置成与一个或多个散热器热交流，以有效从LED中散热。封装体200可以与以许多不同方式设置的许多不同散热器一起使用。
热导体202、204、206可具有许多形状和尺寸，并可以包括，例如垂直延伸并至少部分穿过壳体208的矩形块或圆柱体。在所示的实施例中，热导体202、204、206从具有LED的表面延伸穿过壳体208到达壳体下表面212。如图11最佳地显示，热导体204的底面通过下表面212中的孔210在下表面212处暴露并且设置为大体上与下表面212平齐。如图12所示，热导体202和206也可以在底面处暴露。热导体的底表面设置为与诸如印刷线路板或电路板的基板216承载的散热器或热耗散器214成热传导关系。热导体，给定它们相对大的质量和与热流方向垂直的横截面面积，可作为有效的热沉在由承载焊盘承载的发热LED和散热器214之间提供低热阻路径(箭头218)。一些热量也沿引线(箭头220)散发。
与封装体10类似，如图11-13所示的封装体200包括优选深色或黑色陶瓷壳体208，该壳体208包括相对的上表面222和下表面212，侧面208、224和端面226、228。承载引线框230的SMD 200包括，如前所述，三个阳极部、三个阴极部。但是，如以上优选的实施例一样，应当理解，任意数量的连接部、承载部和其它引线框部分可以在所需要的应用中使用，而不脱离本发明的范围。芯片承载部218包括用于容纳LED芯片的表面或焊盘，所述LED芯片通常包括红光、绿光和蓝光LED，其它各种其它颜色的LED也可以使用。如前所述，连接部包括位于与芯片承载部相邻但分隔开的区域中的扩大的引线接合焊盘。
如前所述，引线被垂直弯曲以沿其各自的壳体端面外部延伸，然后又垂直弯曲以使得引线的端部232、234、236、238、240、242沿壳体的底面212延伸。使用许多众所周知的连接技术中的任何连接技术，将导线的端部232、234、236、238、240、242的面朝外的表面与通常为印刷电路板的基板216上的迹线或焊盘电连接或接合。如前所述，壳体具有空腔244，空腔244延伸足够的深度以暴露出连接部和承载部的焊盘。该连接部和承载部优选由从通过冲床作业从金属薄板原料(sheet metal stock)切割的导电性金属薄板或金属合金薄板制造而成，然后在壳体在引线框周围形成之前或之后弯曲成它们的最终构造。
LED的每一个具有一对电端子或电极，其中的阴极与承载焊盘电耦合，而LED的阳极分别通过单个接合引线与不同的连接部的焊盘耦合。
现在参照图14-16，示出了SMD 10或200的各种部件的尺寸特征的一些例子。通过举例的方式但不限于此，SMD 10或200可具有～5.50mm的总长度、～5.50mm的总宽度以及～2.50mm的高度。
参考图17，以示意图的形式示出LED显示屏300的一部分，LED显示屏300例如是室内和/或户外屏幕，一般来说，包括载有大量以行和列设置的表面安装器件304的驱动PCB 302，每一个SMD限定一个像素。SMD 304可包括如图1-8以及11-13中所示的实施例的器件。SMD器件304与PCB 302上的迹线或焊盘电连接，PCB 302连接成对合适的电信号处理和驱动电路(未示出)做出响应。如以上所披露的，每一个SMD承载红光、绿光和蓝光LED的垂直取向的线性阵列306。LED的这种线性取向被发现在宽的观看角度范围内改善色彩逼真度。
尽管已经示出和描述了本发明的许多说明性实施例，但是本领域技术人员可以进行许多改变和替换实施例，例如将本发明用于LED装饰照明等。这些改变和替换的实施例是预期的，并且可以在不脱离所附的权利要求定义中的本发明的精神和范围的情况下做出。

Claims (33)

1.一种用于多发光器封装体的导电性引线框，包括：
多个导电性阴极部，每一个具有用于承载至少一个发光器件的附着焊盘，其中每一个附着焊盘与它的所述至少一个发光器件电耦合；
与所述阴极部分开的对应的多个导电性阳极部，所述阳极部中的每一个具有连接焊盘，所述连接焊盘设置成允许与所述至少一个发光器件之一电连接，其中所述附着焊盘和连接焊盘设置成保持发光器件线性对齐。
2.如权利要求1中所述的引线框，其中所述发光器件适于通电以组合产生基本上全色范围。
3.如权利要求1中所述的引线框，其中所述发光器件包括发光二极管(LED)。
4.如权利要求3中所述的引线框，其中所述LED包括至少两个接触，其中之一与所述附着焊盘之一电耦合并且其中另一个与所述连接焊盘之一电耦合。
5.如权利要求1中所述的引线框，其中发光器件的线性阵列在第一方向上延伸，并且所述阳极部中的每一个设置为相互平行的关系，并且所述阴极部设置为相互平行的关系，并且其中每一个沿与所述第一方向正交的方向延伸。
6.如权利要求1中所述的引线框，其中所述阳极部和阴极部由金属片制成。
7.如权利要求3中所述的引线框，其中所述LED包括红光、绿光和蓝光LED。
8.如权利要求1中所述的引线框，其中所述LED中的每一个通过引线接合与连接焊盘电耦合。
9.如权利要求1中所述的引线框，其中所述发光二极管中的每一个通过焊料与相应的附着焊盘耦合。
10.如权利要求1中所述的引线框，进一步包括深色和/或黑色陶瓷壳体。
11.如权利要求1中所述的引线框，进一步包括通孔。
12.如权利要求1中所述的引线框，进一步包括V形切口。
13.一种发光器封装体，包括：
壳体，其包括从所述壳体的顶面延伸到所述壳体内部的空腔；以及
与所述壳体成整体的引线框，所述引线框包括保持多个发光器件的导电部，所述多个发光器件线性对齐并向所述空腔外发射光，所述引线框也允许通过所述引线框将电信号施加到所述发光器件。
14.如权利要求13中所述的发光器封装体，其中所述引线框包括多个导电性阴极部，每一个导电性阴极部具有用于承载至少一个所述发光器件的附着焊盘，每一个所述附着焊盘与它自己的那个所述发光器件电耦合，以及与所述阴极部分开的对应的多个导电性阳极部，所述阳极部中的每一个具有连接焊盘，所述连接焊盘设置成允许与所述发光器件之一电连接，其中所述附着焊盘和连接焊盘设置成保持发光器件线性对齐。
15.如权利要求13中所述的发光器封装体，其中所述发光器件包括LED，其适于通电以组合产生基本上全色范围。
16.如权利要求13中所述的发光器封装体，其中所述引线框设置成允许所述封装体的表面安装。
17.如权利要求13中所述的器件，其中所述引线框进一步包括通孔和/或V形切口，所述通孔和切口提高表面安装器件的整体稳定性并且使其能够基本上防水。
18.如权利要求13中所述的器件，进一步包括至少部分延伸通过所述承载体延伸的热导体。
19.如权利要求15中所述的器件，其中所述LED包括红光、绿光和蓝光LED。
20.如权利要求13中所述的器件，其中每个所述发光器的所述第二电端子通过引线结合与连接焊盘电耦合。
21.一种发光器件显示器，包括：
载有发光器封装体阵列的基板，每一个所述发光器封装体包括壳体并包含线性对齐的发光二极管(LED)；以及
电连接的驱动电路，用以选择性对所述阵列加电以在所述显示器上产生可视图像。
22.如权利要求21所述的发光显示器，其中所述发光器封装体以垂直列和水平行设置。
23.如权利要求21所述的发光显示器，其中所述发光器封装体中的每一个所述LED由各自的电信号驱动。
24.如权利要求21中所述的显示器，其中所述LED适于通电以组合产生基本上全色范围并且限定所述显示器的一个像素。
25.如权利要求21中所述的显示器，其中每个所述发光器封装体通过每个发光器封装体底面的焊料焊盘与所述基板耦合。
26.如权利要求25中所述的显示器，其中当观看所述显示器时所述焊料焊盘不可见。
27.如权利要求21中所述的显示器，其中每个所述发光器封装体基本上防水，使得所述显示器在室内和户外应用中均可使用。
28.如权利要求21中所述的显示器，其中至少一些所述发光器封装体中的所述LED是垂直对齐的。
29.一种发光器封装体，包括：
壳体，包括从其顶面延伸到该壳体内部的空腔；以及
与所述壳体成为整体且接合到所述壳体的引线框，所述引线框包括支持多个向所述壳体外发射光的发光器件的导电部，所述引线框进一步包括多个特征或形状，所述特征或形状与所述壳体相配合以提供，相比于所具有的引线框不具有所述特征和形状的封装体，改进的在所述引线框和壳体之间的防水刚性连接。
30.如权利要求29中所述的发光器封装体，其中所述特征或形状包括在所述引线框中的通孔。
31.如权利要求29中所述的发光器封装体，其中所述特征或形状包括在所述引线框中的V形切口。
32.如权利要求29中所述的发光器封装体，其中所述特征或形状包括侧缺口。
33.如权利要求29中所述的发光器封装体，其中所述特征或结构包括侧突起。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104134739A (zh) * 2013-04-30 2014-11-05 亿光电子工业股份有限公司 承载结构及发光装置
CN107210352A (zh) * 2015-01-19 2017-09-26 Lg 伊诺特有限公司 发光元件
CN109037173A (zh) * 2018-07-31 2018-12-18 上海源微电子科技有限公司 一种led线性驱动芯片的贴片式封装结构
CN110265378A (zh) * 2019-06-19 2019-09-20 福建福顺半导体制造有限公司 一种电子元件

Families Citing this family (77)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
JP5416975B2 (ja) * 2008-03-11 2014-02-12 ローム株式会社 半導体発光装置
JP5464825B2 (ja) * 2008-07-23 2014-04-09 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP2010171379A (ja) * 2008-12-25 2010-08-05 Seiko Instruments Inc 発光デバイス
US8598602B2 (en) * 2009-01-12 2013-12-03 Cree, Inc. Light emitting device packages with improved heat transfer
US7923739B2 (en) 2009-06-05 2011-04-12 Cree, Inc. Solid state lighting device
US10431567B2 (en) 2010-11-03 2019-10-01 Cree, Inc. White ceramic LED package
US9685592B2 (en) 2009-01-14 2017-06-20 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Miniature surface mount device with large pin pads
US8837164B2 (en) * 2009-01-22 2014-09-16 Kyocera Corporation Substrate for mounting device and package for housing device employing the same
JP5340763B2 (ja) * 2009-02-25 2013-11-13 ローム株式会社 Ｌｅｄランプ
US8610156B2 (en) * 2009-03-10 2013-12-17 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
US8860043B2 (en) * 2009-06-05 2014-10-14 Cree, Inc. Light emitting device packages, systems and methods
US8686445B1 (en) 2009-06-05 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods
US9111778B2 (en) 2009-06-05 2015-08-18 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) devices, systems, and methods
KR20120081149A (ko) * 2009-09-17 2012-07-18 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 광원 모듈 및 발광 디바이스
USD661262S1 (en) * 2009-10-26 2012-06-05 Nichia Corporation Light emitting diode
US7888852B1 (en) * 2010-02-22 2011-02-15 Wen-Kung Sung LED heat dissipation structure
US8901583B2 (en) 2010-04-12 2014-12-02 Cree Huizhou Opto Limited Surface mount device thin package
US8269244B2 (en) 2010-06-28 2012-09-18 Cree, Inc. LED package with efficient, isolated thermal path
US8648359B2 (en) 2010-06-28 2014-02-11 Cree, Inc. Light emitting devices and methods
USD643819S1 (en) * 2010-07-16 2011-08-23 Cree, Inc. Package for light emitting diode (LED) lighting
US9831393B2 (en) * 2010-07-30 2017-11-28 Cree Hong Kong Limited Water resistant surface mount device package
TWM400099U (en) 2010-09-27 2011-03-11 Silitek Electronic Guangzhou Lead frame, package structure and lighting device thereof
FI20106001A0 (fi) * 2010-09-28 2010-09-28 Kruunutekniikka Oy Menetelmä sähköisen toimilaitteen valmistukseen
KR101766720B1 (ko) * 2010-11-25 2017-08-23 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US9240395B2 (en) * 2010-11-30 2016-01-19 Cree Huizhou Opto Limited Waterproof surface mount device package and method
US8610140B2 (en) 2010-12-15 2013-12-17 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages, systems, devices and related methods
USD679842S1 (en) 2011-01-03 2013-04-09 Cree, Inc. High brightness LED package
SG191043A1 (en) * 2010-12-22 2013-07-31 Linxens Holding Circuit for a light emitting component and method of manufacturing the same
TWI445483B (zh) * 2010-12-23 2014-07-11 Compal Electronics Inc 殼體結構及具有其之電子裝置
US10522518B2 (en) * 2010-12-23 2019-12-31 Bench Walk Lighting, LLC Light source with tunable CRI
CN102130112A (zh) * 2010-12-28 2011-07-20 惠州雷曼光电科技有限公司 Led支架和具有该支架的led灯及封装方法
TW201251140A (en) 2011-01-31 2012-12-16 Cree Inc High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion
WO2012109225A1 (en) * 2011-02-07 2012-08-16 Cree, Inc. Components and methods for light emitting diode (led) lighting
US8737073B2 (en) * 2011-02-09 2014-05-27 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Systems and methods providing thermal spreading for an LED module
CN102155686A (zh) * 2011-02-23 2011-08-17 浙江英特来光电科技有限公司 一种高亮高灰度全彩led发光二极管
CN103534821B (zh) * 2011-05-03 2017-03-29 克利公司 发光二极管（led）的封装、系统、装置及相关方法
US20120314419A1 (en) * 2011-06-08 2012-12-13 Wen-Kung Sung Heat dissipation structure of light-emitting diode
JP2013016723A (ja) * 2011-07-06 2013-01-24 Panasonic Corp 撮影用照明装置
US9995444B2 (en) 2011-10-17 2018-06-12 Ecosense Lighting Inc. Linear LED light housing
US8692282B2 (en) 2011-10-27 2014-04-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and light emitting module comprising the same
US8823041B2 (en) 2011-10-27 2014-09-02 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and light emitting module comprising the same
KR101933189B1 (ko) * 2012-01-31 2019-04-05 서울반도체 주식회사 발광다이오드 패키지
KR101908656B1 (ko) * 2012-04-09 2018-10-16 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US10439112B2 (en) 2012-05-31 2019-10-08 Cree, Inc. Light emitter packages, systems, and methods having improved performance
USD749051S1 (en) 2012-05-31 2016-02-09 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) package
US9349929B2 (en) 2012-05-31 2016-05-24 Cree, Inc. Light emitter packages, systems, and methods
KR101944409B1 (ko) * 2012-06-08 2019-04-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US20140022623A1 (en) * 2012-07-17 2014-01-23 Chih-Chien YEN Water proof display device consisting of epd and led matrix
US8974077B2 (en) 2012-07-30 2015-03-10 Ultravision Technologies, Llc Heat sink for LED light source
CN103775845A (zh) * 2012-10-17 2014-05-07 欧司朗股份有限公司 Led发光装置及灯具
TWI592611B (zh) * 2013-01-10 2017-07-21 Molex Inc LED components
JP6170724B2 (ja) * 2013-05-15 2017-07-26 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
US9711489B2 (en) 2013-05-29 2017-07-18 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Multiple pixel surface mount device package
US9976710B2 (en) 2013-10-30 2018-05-22 Lilibrand Llc Flexible strip lighting apparatus and methods
US9582237B2 (en) 2013-12-31 2017-02-28 Ultravision Technologies, Llc Modular display panels with different pitches
US9195281B2 (en) 2013-12-31 2015-11-24 Ultravision Technologies, Llc System and method for a modular multi-panel display
JP6225812B2 (ja) 2014-04-18 2017-11-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10706770B2 (en) 2014-07-16 2020-07-07 Ultravision Technologies, Llc Display system having module display panel with circuitry for bidirectional communication
KR102290753B1 (ko) 2014-09-19 2021-08-19 삼성디스플레이 주식회사 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 표시 패널의 제조 방법
CN106571383B (zh) 2015-10-08 2020-04-28 联华电子股份有限公司 半导体元件及其制作方法
US10132476B2 (en) 2016-03-08 2018-11-20 Lilibrand Llc Lighting system with lens assembly
JP1563810S (zh) * 2016-03-24 2016-11-21
CN105591013B (zh) * 2016-03-25 2018-11-13 深圳市九洲光电科技有限公司 一种smd外封装式led
US10243107B2 (en) 2016-09-28 2019-03-26 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing thereof
US10429014B2 (en) 2017-01-19 2019-10-01 William Chester Jenks Lighting system with glare reducing light array
CN110998880A (zh) 2017-01-27 2020-04-10 莉莉布兰德有限责任公司 具有高显色指数和均匀平面照明的照明系统
US20180328552A1 (en) 2017-03-09 2018-11-15 Lilibrand Llc Fixtures and lighting accessories for lighting devices
CN110870064B (zh) * 2017-07-07 2024-02-02 科锐Led公司 带有bsy发射器的rgb led封装件
US11041609B2 (en) 2018-05-01 2021-06-22 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems and devices with central silicone module
TWI713237B (zh) * 2018-08-01 2020-12-11 大陸商光寶光電（常州）有限公司 發光二極體封裝結構
JP6975916B2 (ja) 2018-08-09 2021-12-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2020131933A1 (en) 2018-12-17 2020-06-25 Lilibrand Llc Strip lighting systems which comply with ac driving power
US11510351B2 (en) 2019-01-04 2022-11-22 Engent, Inc. Systems and methods for precision placement of components
US11438991B2 (en) 2020-01-21 2022-09-06 Brightlogic, Inc. Light emitting diode package and electronic display
KR20210116828A (ko) 2020-03-17 2021-09-28 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 이용한 디스플레이 패널
CN114241936B (zh) * 2021-12-22 2023-04-28 江西瑞晟光电科技有限公司 多合一倒装全彩smd led

Family Cites Families (301)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3760237A (en) * 1972-06-21 1973-09-18 Gen Electric Solid state lamp assembly having conical light director
JPS5932039B2 (ja) 1977-03-24 1984-08-06 松下電器産業株式会社 高分子圧電トランスデユ−サ
JPS53126570A (en) 1977-04-13 1978-11-04 Saburou Sakakibara Mechanism for opening and closing filter medium in filter press
JPS5479985A (en) 1977-12-09 1979-06-26 Tokyo Shibaura Electric Co Ultrasonic scanning device
FR2436505A1 (fr) * 1978-09-12 1980-04-11 Radiotechnique Compelec Dispositif optoelectronique a emetteur et recepteur couples
JPS604991B2 (ja) 1979-05-11 1985-02-07 株式会社東芝 ディスプレイ装置
USD272210S (en) * 1981-08-07 1984-01-17 Simmons Universal Corporation Chest of drawers
JPS5927559A (ja) * 1982-08-07 1984-02-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置パツケ−ジ
US4511425A (en) * 1983-06-13 1985-04-16 Dennison Manufacturing Company Heated pad decorator
JPS6148951A (ja) * 1984-08-16 1986-03-10 Toshiba Corp 半導体装置
JPS6247156A (ja) 1985-08-26 1987-02-28 Toshiba Corp 絶縁ゲ−ト型半導体装置
JPS6247156U (zh) * 1985-09-12 1987-03-23
JPS62140758A (ja) 1985-12-16 1987-06-24 Kobe Steel Ltd メカニカルワイヤカツトソー
JPS62160564A (ja) 1986-01-09 1987-07-16 Fujitsu Ltd パイプライン制御方式
US4866005A (en) * 1987-10-26 1989-09-12 North Carolina State University Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide
EP0400176B1 (de) 1989-05-31 2000-07-26 Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Verfahren zum Montieren eines oberflächenmontierbaren Opto-Bauelements
JPH038459A (ja) 1989-06-05 1991-01-16 Geinzu:Kk シャワーヘッド
US4946547A (en) * 1989-10-13 1990-08-07 Cree Research, Inc. Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth
US5042048A (en) 1990-03-02 1991-08-20 Meyer Brad E Target illuminators and systems employing same
US5167556A (en) * 1990-07-03 1992-12-01 Siemens Aktiengesellschaft Method for manufacturing a light emitting diode display means
US5130761A (en) * 1990-07-17 1992-07-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Led array with reflector and printed circuit board
US5200022A (en) * 1990-10-03 1993-04-06 Cree Research, Inc. Method of improving mechanically prepared substrate surfaces of alpha silicon carbide for deposition of beta silicon carbide thereon and resulting product
US5122943A (en) * 1991-04-15 1992-06-16 Miles Inc. Encapsulated light emitting diode and method for encapsulation
US5351106A (en) * 1991-07-01 1994-09-27 Amergraph Corporation Exposure system
AU4782293A (en) * 1992-07-24 1994-02-14 Tessera, Inc. Semiconductor connection components and methods with releasable lead support
JP3227295B2 (ja) 1993-12-28 2001-11-12 松下電工株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP3431038B2 (ja) 1994-02-18 2003-07-28 ローム株式会社 発光装置とその製造方法およびｌｅｄヘッドの製造方法
US5790298A (en) * 1994-05-03 1998-08-04 Gentex Corporation Method of forming optically transparent seal and seal formed by said method
JP2994219B2 (ja) 1994-05-24 1999-12-27 シャープ株式会社 半導体デバイスの製造方法
JPH0832120A (ja) 1994-07-19 1996-02-02 Rohm Co Ltd 面発光表示器
JPH08139257A (ja) 1994-11-07 1996-05-31 Hitachi Ltd 面実装型半導体装置
DE4446566A1 (de) * 1994-12-24 1996-06-27 Telefunken Microelectron Mehrpoliges, oberflächenmontierbares, elektronisches Bauelement
EP0775369B1 (en) * 1995-05-10 2001-10-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Miniature semiconductor device for surface mounting
DE19549818B4 (de) * 1995-09-29 2010-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement
EP0897347B1 (en) 1996-03-19 2002-01-23 Donnelly Mirrors Limited Electro-optic rearview mirror system
US6600175B1 (en) 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
DE19621124A1 (de) * 1996-05-24 1997-11-27 Siemens Ag Optoelektronischer Wandler und dessen Herstellungsverfahren
JPH09321343A (ja) * 1996-05-31 1997-12-12 Dowa Mining Co Ltd 光通信用の部品装置
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP3672280B2 (ja) 1996-10-29 2005-07-20 株式会社シチズン電子 スルーホール電極付き電子部品の製造方法
JP3741512B2 (ja) 1997-04-14 2006-02-01 ローム株式会社 Ｌｅｄチップ部品
JP3882266B2 (ja) 1997-05-19 2007-02-14 日亜化学工業株式会社 半導体装置
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
JPH118405A (ja) 1997-06-17 1999-01-12 Oki Electric Ind Co Ltd 発光ダイオードアレイおよび発光ダイオード
EP1004145B1 (de) 1997-07-29 2005-06-01 Osram Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches bauelement
JPH1154802A (ja) 1997-07-30 1999-02-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置およびそれを用いて作製されたディスプレイ装置
GB2329238A (en) 1997-09-12 1999-03-17 Hassan Paddy Abdel Salam LED light source
US6183100B1 (en) * 1997-10-17 2001-02-06 Truck-Lite Co., Inc. Light emitting diode 360° warning lamp
DE19755734A1 (de) * 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
DE19829197C2 (de) * 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
US7253445B2 (en) 1998-07-28 2007-08-07 Paul Heremans High-efficiency radiating device
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6274924B1 (en) * 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
JP3334864B2 (ja) 1998-11-19 2002-10-15 松下電器産業株式会社 電子装置
JP2000223751A (ja) 1998-11-25 2000-08-11 Nichia Chem Ind Ltd Ｌｅｄランプ及びそれを用いた表示装置
JP3784976B2 (ja) 1998-12-22 2006-06-14 ローム株式会社 半導体装置
JPH11261113A (ja) 1999-01-14 1999-09-24 Rohm Co Ltd 面実装型発光器
JP4279388B2 (ja) 1999-01-29 2009-06-17 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその形成方法
JP3349109B2 (ja) 1999-03-04 2002-11-20 株式会社シチズン電子 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
US6259608B1 (en) * 1999-04-05 2001-07-10 Delphi Technologies, Inc. Conductor pattern for surface mount devices and method therefor
JP2001042792A (ja) * 1999-05-24 2001-02-16 Sony Corp Ｌｅｄ表示装置
JP2001044506A (ja) 1999-07-26 2001-02-16 Ichikoh Ind Ltd 発光ダイオードの固定構造
US6454437B1 (en) * 1999-07-28 2002-09-24 William Kelly Ring lighting
US6710373B2 (en) * 1999-09-27 2004-03-23 Shih-Yi Wang Means for mounting photoelectric sensing elements, light emitting diodes, or the like
US6296367B1 (en) * 1999-10-15 2001-10-02 Armament Systems And Procedures, Inc. Rechargeable flashlight with step-up voltage converter and recharger therefor
JP2001168400A (ja) 1999-12-09 2001-06-22 Rohm Co Ltd ケース付チップ型発光装置およびその製造方法
US6486499B1 (en) 1999-12-22 2002-11-26 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
DE19963806C2 (de) * 1999-12-30 2002-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdioden-Weißlichtquelle, Verwendung einer Kunststoff-Preßmasse zum Herstellen einer Leuchtioden-Weißlichtquelle und oberflächenmontierbare Leuchtdioden-Weißlichtquelle
DE10002521A1 (de) 2000-01-21 2001-08-09 Infineon Technologies Ag Elektrooptisches Datenübertragungsmodul
WO2001059851A1 (en) 2000-02-09 2001-08-16 Nippon Leiz Corporation Light source
US6224216B1 (en) * 2000-02-18 2001-05-01 Infocus Corporation System and method employing LED light sources for a projection display
JP3729012B2 (ja) 2000-02-24 2005-12-21 松下電工株式会社 Ｌｅｄモジュール
US7121925B2 (en) 2000-03-31 2006-10-17 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for dicing semiconductor wafer into chips
US6517218B2 (en) * 2000-03-31 2003-02-11 Relume Corporation LED integrated heat sink
KR100772774B1 (ko) * 2000-04-24 2007-11-01 로무 가부시키가이샤 측면발광반도체 발광장치 및 그 제조방법
US20020066905A1 (en) * 2000-06-20 2002-06-06 Bily Wang Wing-shaped surface mount package for light emitting diodes
JP4431756B2 (ja) 2000-06-23 2010-03-17 富士電機システムズ株式会社 樹脂封止型半導体装置
JP2002033058A (ja) 2000-07-14 2002-01-31 Sony Corp 電界放出型表示装置用の前面板
DE10041328B4 (de) 2000-08-23 2018-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verpackungseinheit für Halbleiterchips
US6614103B1 (en) 2000-09-01 2003-09-02 General Electric Company Plastic packaging of LED arrays
US6345903B1 (en) 2000-09-01 2002-02-12 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type emitting diode and method of manufacturing same
EP1187226B1 (en) 2000-09-01 2012-12-26 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type light emitting diode and method of manufacturing same
US7064355B2 (en) 2000-09-12 2006-06-20 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
AT410266B (de) 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
US6940704B2 (en) * 2001-01-24 2005-09-06 Gelcore, Llc Semiconductor light emitting device
JP2002223005A (ja) 2001-01-26 2002-08-09 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード及びディスプレイ装置
JP2002280479A (ja) 2001-03-22 2002-09-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表面実装型の半導体装置
JP3659635B2 (ja) 2001-04-10 2005-06-15 株式会社東芝 光半導体装置
IE20020300A1 (en) 2001-04-23 2003-03-19 Plasma Ireland Ltd An Illuminator
US20020163001A1 (en) * 2001-05-04 2002-11-07 Shaddock David Mulford Surface mount light emitting device package and fabrication method
JP3844196B2 (ja) 2001-06-12 2006-11-08 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP2002374007A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2003007946A (ja) 2001-06-27 2003-01-10 Enomoto Co Ltd 表面実装型ｌｅｄ用リードフレーム及びその製造方法
DE10131698A1 (de) * 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
TW543128B (en) * 2001-07-12 2003-07-21 Highlink Technology Corp Surface mounted and flip chip type LED package
US6700136B2 (en) 2001-07-30 2004-03-02 General Electric Company Light emitting device package
US6812481B2 (en) * 2001-09-03 2004-11-02 Toyoda Gosei Co., Ltd. LED device and manufacturing method thereof
EP1437776B1 (en) 2001-10-12 2011-09-21 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacture thereof
CN1417868A (zh) 2001-10-29 2003-05-14 银河光电股份有限公司 发光二极管芯片的多芯片封装结构
US7009627B2 (en) * 2001-11-21 2006-03-07 Canon Kabushiki Kaisha Display apparatus, and image signal processing apparatus and drive control apparatus for the same
DE10241989A1 (de) 2001-11-30 2003-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP4009097B2 (ja) * 2001-12-07 2007-11-14 日立電線株式会社 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム
KR100439402B1 (ko) 2001-12-24 2004-07-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
US6480389B1 (en) * 2002-01-04 2002-11-12 Opto Tech Corporation Heat dissipation structure for solid-state light emitting device package
JP2003218405A (ja) 2002-01-22 2003-07-31 Alps Electric Co Ltd 電子部品の実装構造及び実装方法
JP3973082B2 (ja) * 2002-01-31 2007-09-05 シチズン電子株式会社 両面発光ｌｅｄパッケージ
US6924514B2 (en) 2002-02-19 2005-08-02 Nichia Corporation Light-emitting device and process for producing thereof
JP2003258305A (ja) 2002-02-27 2003-09-12 Oki Degital Imaging:Kk 半導体素子アレイ
CN100524703C (zh) * 2002-03-08 2009-08-05 罗姆股份有限公司 使用半导体芯片的半导体装置
JP3924481B2 (ja) 2002-03-08 2007-06-06 ローム株式会社 半導体チップを使用した半導体装置
JP3939177B2 (ja) 2002-03-20 2007-07-04 シャープ株式会社 発光装置の製造方法
WO2004044877A2 (en) 2002-11-11 2004-05-27 Cotco International Limited A display device and method for making same
CN2549313Y (zh) 2002-04-17 2003-05-07 杨英琪 大厦风扇夜光灯
JP2003324214A (ja) 2002-04-30 2003-11-14 Omron Corp 発光モジュール
JP3707688B2 (ja) 2002-05-31 2005-10-19 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
JP4002476B2 (ja) 2002-06-18 2007-10-31 ローム株式会社 半導体装置
WO2004001862A1 (ja) 2002-06-19 2003-12-31 Sanken Electric Co., Ltd. 半導体発光装置及びその製法並びに半導体発光装置用リフレクタ
TW546799B (en) * 2002-06-26 2003-08-11 Lingsen Precision Ind Ltd Packaged formation method of LED and product structure
DE10229067B4 (de) * 2002-06-28 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
NO317228B1 (no) 2002-07-01 2004-09-20 Bard Eker Ind Design As Projektor
JP2004047748A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード
JP4118742B2 (ja) 2002-07-17 2008-07-16 シャープ株式会社 発光ダイオードランプおよび発光ダイオード表示装置
WO2004038759A2 (en) 2002-08-23 2004-05-06 Dahm Jonathan S Method and apparatus for using light emitting diodes
JP4407204B2 (ja) 2002-08-30 2010-02-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
US7224000B2 (en) * 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
KR200299491Y1 (ko) 2002-09-02 2003-01-03 코리아옵토 주식회사 표면실장형 발광다이오드
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
JP2004103775A (ja) 2002-09-09 2004-04-02 Eeshikku Kk チップｌｅｄ発光体の製造方法およびチップｌｅｄ発光体
DE10243247A1 (de) 2002-09-17 2004-04-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leadframe-basiertes Bauelement-Gehäuse, Leadframe-Band, oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
JP2004146815A (ja) 2002-09-30 2004-05-20 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子
US6686609B1 (en) * 2002-10-01 2004-02-03 Ultrastar Limited Package structure of surface mounting led and method of manufacturing the same
US6717353B1 (en) 2002-10-14 2004-04-06 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor converted light emitting device
TW200414572A (en) 2002-11-07 2004-08-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd LED lamp
DE10255932A1 (de) * 2002-11-29 2004-06-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US7692206B2 (en) 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
JP4299535B2 (ja) 2002-12-16 2009-07-22 パナソニック株式会社 発光ダイオード表示装置
JP4633333B2 (ja) * 2003-01-23 2011-02-16 株式会社光波 発光装置
CN2617039Y (zh) 2003-02-21 2004-05-19 游尚桦 粘着型led引线架
EP1597764A1 (de) * 2003-02-28 2005-11-23 Osram Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches bauteil mit strukturiert metallisiertem gehäusekörper, verfahren zur herstellung eines derartigen bauteils und verfahren zur strukturierten metallisierung eines kunststoff enthaltenden körpers
JP4182783B2 (ja) 2003-03-14 2008-11-19 豊田合成株式会社 Ｌｅｄパッケージ
USD517025S1 (en) 2003-03-17 2006-03-14 Nichia Corporation Light emitting diode
US20040188696A1 (en) 2003-03-28 2004-09-30 Gelcore, Llc LED power package
JP4504662B2 (ja) 2003-04-09 2010-07-14 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄランプ
KR101148332B1 (ko) 2003-04-30 2012-05-25 크리, 인코포레이티드 콤팩트 광학 특성을 지닌 높은 전력의 발광 소자 패키지
US7095053B2 (en) 2003-05-05 2006-08-22 Lamina Ceramics, Inc. Light emitting diodes packaged for high temperature operation
JP4341951B2 (ja) 2003-05-07 2009-10-14 シチズン電子株式会社 発光ダイオード及びそのパッケージ構造
JP2004335880A (ja) 2003-05-09 2004-11-25 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
US7021797B2 (en) * 2003-05-13 2006-04-04 Light Prescriptions Innovators, Llc Optical device for repositioning and redistributing an LED's light
JP2004342870A (ja) 2003-05-16 2004-12-02 Stanley Electric Co Ltd 大電流駆動用発光ダイオード
JP4030463B2 (ja) 2003-05-20 2008-01-09 三洋電機株式会社 Ｌｅｄ光源及びその製造方法
JP2004356506A (ja) * 2003-05-30 2004-12-16 Stanley Electric Co Ltd ガラス封止型発光ダイオード
JP3977774B2 (ja) 2003-06-03 2007-09-19 ローム株式会社 光半導体装置
JP4120813B2 (ja) * 2003-06-12 2008-07-16 セイコーエプソン株式会社 光学部品およびその製造方法
JP4645071B2 (ja) 2003-06-20 2011-03-09 日亜化学工業株式会社 パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置
JP4034241B2 (ja) 2003-06-27 2008-01-16 日本ライツ株式会社 光源装置および光源装置の製造方法
DE102004001312B4 (de) 2003-07-25 2010-09-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Chip-Leuchtdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP4360858B2 (ja) 2003-07-29 2009-11-11 シチズン電子株式会社 表面実装型ｌｅｄ及びそれを用いた発光装置
US6876008B2 (en) * 2003-07-31 2005-04-05 Lumileds Lighting U.S., Llc Mount for semiconductor light emitting device
JP2005064047A (ja) 2003-08-13 2005-03-10 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2005079167A (ja) 2003-08-28 2005-03-24 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
US6995402B2 (en) 2003-10-03 2006-02-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Integrated reflector cup for a light emitting device mount
US20050077535A1 (en) 2003-10-08 2005-04-14 Joinscan Electronics Co., Ltd LED and its manufacturing process
TWI291770B (en) 2003-11-14 2007-12-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Surface light source device and light emitting diode
JP4231391B2 (ja) 2003-11-19 2009-02-25 パナソニック株式会社 半導体装置用リードフレームとそれを用いた面発光装置
JP2005191530A (ja) 2003-12-03 2005-07-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
JP2005183531A (ja) * 2003-12-17 2005-07-07 Sharp Corp 半導体発光装置
JP4442216B2 (ja) 2003-12-19 2010-03-31 豊田合成株式会社 Ｌｅｄランプ装置
US7321161B2 (en) 2003-12-19 2008-01-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc LED package assembly with datum reference feature
JP2005197329A (ja) * 2004-01-05 2005-07-21 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型半導体装置及びそのリードフレーム構造
JP2005223222A (ja) 2004-02-06 2005-08-18 Toyoda Gosei Co Ltd 固体素子パッケージ
US7675231B2 (en) 2004-02-13 2010-03-09 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting diode display device comprising a high temperature resistant overlay
US20050179041A1 (en) 2004-02-18 2005-08-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Illumination system with LEDs
JP2005259754A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi 静電破壊防止可能な発光ダイオード装置
US20050199899A1 (en) 2004-03-11 2005-09-15 Ming-Der Lin Package array and package unit of flip chip LED
JP2005259972A (ja) 2004-03-11 2005-09-22 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型ｌｅｄ
US7009285B2 (en) * 2004-03-19 2006-03-07 Lite-On Technology Corporation Optoelectronic semiconductor component
JP2005310756A (ja) 2004-03-26 2005-11-04 Koito Mfg Co Ltd 光源モジュールおよび車両用前照灯
US7514867B2 (en) 2004-04-19 2009-04-07 Panasonic Corporation LED lamp provided with optical diffusion layer having increased thickness and method of manufacturing thereof
JP2005310935A (ja) 2004-04-20 2005-11-04 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 発光素子収納用パッケージ
WO2005103199A1 (en) 2004-04-27 2005-11-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Phosphor composition and method for producing the same, and light-emitting device using the same
JP2005347401A (ja) 2004-06-01 2005-12-15 Meiko:Kk 光素子チップ部品
TWM258416U (en) * 2004-06-04 2005-03-01 Lite On Technology Corp Power LED package module
JPWO2006001352A1 (ja) * 2004-06-25 2008-07-31 三洋電機株式会社 発光素子
JP2006019557A (ja) 2004-07-02 2006-01-19 Fujikura Ltd 発光装置とその実装方法、照明器具及びディスプレイ
JP4571139B2 (ja) 2004-08-10 2010-10-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
JP4547569B2 (ja) 2004-08-31 2010-09-22 スタンレー電気株式会社 表面実装型ｌｅｄ
JP4747726B2 (ja) 2004-09-09 2011-08-17 豊田合成株式会社 発光装置
WO2006059828A1 (en) 2004-09-10 2006-06-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package having multiple molding resins
JP2006108517A (ja) 2004-10-08 2006-04-20 Citizen Watch Co Ltd Ｌｅｄ接続用基板及びそれを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置
JP2006114854A (ja) 2004-10-18 2006-04-27 Sharp Corp 半導体発光装置、液晶表示装置用のバックライト装置
KR101080355B1 (ko) 2004-10-18 2011-11-04 삼성전자주식회사 발광다이오드와 그 렌즈
JP2006119357A (ja) 2004-10-21 2006-05-11 Koha Co Ltd 表示装置
US20060097385A1 (en) 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US8816369B2 (en) 2004-10-29 2014-08-26 Led Engin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
JP4796293B2 (ja) * 2004-11-04 2011-10-19 株式会社 日立ディスプレイズ 照明装置の製造方法
US7303315B2 (en) 2004-11-05 2007-12-04 3M Innovative Properties Company Illumination assembly using circuitized strips
JP2006140281A (ja) 2004-11-11 2006-06-01 Stanley Electric Co Ltd パワーｌｅｄ及びその製造方法
US7419839B2 (en) 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
GB2420221B (en) 2004-11-12 2009-09-09 Unity Opto Technology Co Ltd Solid-state semiconductor light emitting device
US7119422B2 (en) * 2004-11-15 2006-10-10 Unity Opto Technology Co., Ltd. Solid-state semiconductor light emitting device
US7344902B2 (en) 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
JP5038147B2 (ja) 2004-11-18 2012-10-03 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光体、及び前記発光体を製造する方法
WO2006065007A1 (en) 2004-12-16 2006-06-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Leadframe having a heat sink supporting ring, fabricating method of a light emitting diodepackage using the same and light emitting diodepackage fabbricated by the method
JP4902114B2 (ja) * 2004-12-16 2012-03-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4591071B2 (ja) 2004-12-20 2010-12-01 日亜化学工業株式会社 半導体装置
US7285802B2 (en) * 2004-12-21 2007-10-23 3M Innovative Properties Company Illumination assembly and method of making same
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
CN1679768A (zh) 2005-02-05 2005-10-12 黄益明 生姜提取物制剂及在防治胆石症中的作用
KR100665117B1 (ko) 2005-02-17 2007-01-09 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 하우징 및 그 제조 방법
KR101204115B1 (ko) 2005-02-18 2012-11-22 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 배광 특성을 제어하기 위한 렌즈를 구비한 발광 장치
TWI255566B (en) 2005-03-04 2006-05-21 Jemitek Electronics Corp Led
US7262438B2 (en) 2005-03-08 2007-08-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED mounting having increased heat dissipation
JP4915052B2 (ja) 2005-04-01 2012-04-11 パナソニック株式会社 Ｌｅｄ部品およびその製造方法
US7994702B2 (en) 2005-04-27 2011-08-09 Prysm, Inc. Scanning beams displays based on light-emitting screens having phosphors
JP2006324589A (ja) 2005-05-20 2006-11-30 Sharp Corp Ｌｅｄ装置およびその製造方法
JP2006332234A (ja) 2005-05-25 2006-12-07 Hitachi Aic Inc 反射機能を有するｌｅｄ装置
CN1874011A (zh) 2005-06-03 2006-12-06 邢陈震仑 一种发光二极管装置
JP4064412B2 (ja) 2005-06-07 2008-03-19 株式会社フジクラ 発光素子実装用基板および発光素子モジュール
US8669572B2 (en) 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
US9412926B2 (en) 2005-06-10 2016-08-09 Cree, Inc. High power solid-state lamp
KR100638868B1 (ko) 2005-06-20 2006-10-27 삼성전기주식회사 금속 반사 층을 형성한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
WO2007002324A2 (en) * 2005-06-24 2007-01-04 Metaram, Inc. An integrated memory core and memory interface circuit
JP2007012323A (ja) 2005-06-28 2007-01-18 Cheil Ind Co Ltd 面光源装置及び液晶表示装置
KR100757196B1 (ko) 2005-08-01 2007-09-07 서울반도체 주식회사 실리콘 렌즈를 구비하는 발광소자
US20070034886A1 (en) 2005-08-11 2007-02-15 Wong Boon S PLCC package with integrated lens and method for making the package
JP3948488B2 (ja) 2005-09-09 2007-07-25 松下電工株式会社 発光装置
US8911160B2 (en) 2005-09-27 2014-12-16 Lg Electronics Inc. Light emitting device package and backlight unit using the same
JP2007095797A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Nippon Leiz Co Ltd 光源装置
JP2007094088A (ja) 2005-09-29 2007-04-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示装置
JP2007109836A (ja) 2005-10-13 2007-04-26 Fuji Electric Holdings Co Ltd プリント配線板
US20070096139A1 (en) 2005-11-02 2007-05-03 3M Innovative Properties Company Light emitting diode encapsulation shape control
JP4724618B2 (ja) * 2005-11-11 2011-07-13 株式会社 日立ディスプレイズ 照明装置及びそれを用いた液晶表示装置
JP3992059B2 (ja) 2005-11-21 2007-10-17 松下電工株式会社 発光装置の製造方法
JP2007184542A (ja) 2005-12-09 2007-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置
JP2007165029A (ja) 2005-12-12 2007-06-28 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP2007201420A (ja) 2005-12-27 2007-08-09 Sharp Corp 半導体発光装置、半導体発光素子、および半導体発光装置の製造方法
JP2007189150A (ja) 2006-01-16 2007-07-26 Enomoto Co Ltd 低背ｌｅｄデバイス用リードフレーム及びその製造方法
US20070170449A1 (en) 2006-01-24 2007-07-26 Munisamy Anandan Color sensor integrated light emitting diode for LED backlight
KR100703218B1 (ko) 2006-03-14 2007-04-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
USD572670S1 (en) * 2006-03-30 2008-07-08 Nichia Corporation Light emitting diode
JP2007273763A (ja) 2006-03-31 2007-10-18 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2007281323A (ja) 2006-04-11 2007-10-25 Toyoda Gosei Co Ltd Ｌｅｄデバイス
KR20090005194A (ko) 2006-04-18 2009-01-12 라미나 라이팅, 인크. 피제어 색 혼합용 광 디바이스
EP2011164B1 (en) 2006-04-24 2018-08-29 Cree, Inc. Side-view surface mount white led
US7635915B2 (en) * 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
JP4830768B2 (ja) * 2006-05-10 2011-12-07 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
US20070269586A1 (en) 2006-05-17 2007-11-22 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing composition
JP5119610B2 (ja) * 2006-05-26 2013-01-16 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
KR100789951B1 (ko) 2006-06-09 2008-01-03 엘지전자 주식회사 발광 유닛 제작 장치 및 방법
US20070294975A1 (en) 2006-06-22 2007-12-27 Paul Nadar Support panel for removable brackets and the like
KR100904152B1 (ko) 2006-06-30 2009-06-25 서울반도체 주식회사 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광다이오드 패키지
US7960819B2 (en) 2006-07-13 2011-06-14 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state emitting devices
TWM303325U (en) 2006-07-13 2006-12-21 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting diode package
US7804147B2 (en) 2006-07-31 2010-09-28 Cree, Inc. Light emitting diode package element with internal meniscus for bubble free lens placement
US8367945B2 (en) 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
JP5564162B2 (ja) 2006-09-29 2014-07-30 フューチャー ライト リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光ダイオード装置
TWI313943B (en) 2006-10-24 2009-08-21 Chipmos Technologies Inc Light emitting chip package and manufacturing thereof
USD572210S1 (en) 2006-11-01 2008-07-01 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting diode (LED)
KR101329413B1 (ko) 2006-12-19 2013-11-14 엘지디스플레이 주식회사 광학 렌즈, 이를 구비하는 광학 모듈 및 이를 구비하는백라이트 유닛
US7687823B2 (en) * 2006-12-26 2010-03-30 Nichia Corporation Light-emitting apparatus and method of producing the same
EP2109157B1 (en) 2006-12-28 2018-11-28 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing the same
KR100788265B1 (ko) 2006-12-28 2007-12-27 서울반도체 주식회사 다수의 수직형 발광소자를 구비하는 발광 다이오드 패키지
CN101507004B (zh) 2006-12-28 2011-04-20 日亚化学工业株式会社 发光装置、封装体、发光装置的制造方法、封装体的制造方法以及封装体制造用模具
US7800304B2 (en) 2007-01-12 2010-09-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Multi-chip packaged LED light source
JP5106862B2 (ja) 2007-01-15 2012-12-26 昭和電工株式会社 発光ダイオードパッケージ
CN100550374C (zh) 2007-01-30 2009-10-14 深圳市联众达光电有限公司 Led封装结构及封装方法
US7777412B2 (en) * 2007-03-22 2010-08-17 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Phosphor converted LED with improved uniformity and having lower phosphor requirements
JP4689637B2 (ja) * 2007-03-23 2011-05-25 シャープ株式会社 半導体発光装置
US7622795B2 (en) 2007-05-15 2009-11-24 Nichepac Technology Inc. Light emitting diode package
US7923831B2 (en) 2007-05-31 2011-04-12 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED-based light source having improved thermal dissipation
DE202007012162U1 (de) * 2007-06-05 2008-03-20 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED-Gehäuse
JP4107349B2 (ja) 2007-06-20 2008-06-25 ソニー株式会社 光源装置、表示装置
USD576574S1 (en) * 2007-07-17 2008-09-09 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode module
CN100574543C (zh) 2007-07-30 2009-12-23 深圳莱特光电有限公司 一种暖白光led封装过程中隔离银层的方法
US7968899B2 (en) 2007-08-27 2011-06-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED light source having improved resistance to thermal cycling
DE102007041136A1 (de) 2007-08-30 2009-03-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Gehäuse
JP2007329516A (ja) * 2007-09-14 2007-12-20 Sharp Corp 半導体発光装置
CN101388161A (zh) * 2007-09-14 2009-03-18 科锐香港有限公司 Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器
US9012937B2 (en) 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
US7524087B1 (en) * 2007-11-16 2009-04-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical device
US8049230B2 (en) * 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
EP2310175A1 (en) 2008-06-15 2011-04-20 Renevu Ltd. A method for manufacturing a lens to be added to a led, and a lens obtained with that method
GB2458972B (en) 2008-08-05 2010-09-01 Photonstar Led Ltd Thermally optimised led chip-on-board module
JP5284006B2 (ja) 2008-08-25 2013-09-11 シチズン電子株式会社 発光装置
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
GB2466633A (en) 2008-12-12 2010-07-07 Glory Science Co Ltd Method of manufacturing a light emitting unit
JP2010199547A (ja) 2009-01-30 2010-09-09 Nichia Corp 発光装置及びその製造方法
US20110049545A1 (en) 2009-09-02 2011-03-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led package with phosphor plate and reflective substrate
CN102648426B (zh) 2009-11-05 2015-07-15 鲁米尼特有限责任公司 为封装的高亮度led芯片提供微结构的方法
JP5678629B2 (ja) 2010-02-09 2015-03-04 ソニー株式会社 発光装置の製造方法
KR101659357B1 (ko) 2010-05-12 2016-09-23 엘지이노텍 주식회사 발광소자패키지
US8789744B2 (en) 2010-10-19 2014-07-29 Philip Premysler Reflow solderable, surface mount optic mounting
WO2012099145A1 (ja) 2011-01-20 2012-07-26 シャープ株式会社 発光装置、照明装置、表示装置及び発光装置の製造方法
US20120327649A1 (en) 2011-06-24 2012-12-27 Xicato, Inc. Led based illumination module with a lens element
US20130056774A1 (en) 2011-09-02 2013-03-07 Phostek, Inc. Lens, package and packaging method for semiconductor light-emitting device
JP2013077798A (ja) 2011-09-14 2013-04-25 Toyoda Gosei Co Ltd ガラス封止ｌｅｄランプ及びその製造方法
US8889517B2 (en) 2012-04-02 2014-11-18 Jds Uniphase Corporation Broadband dielectric reflectors for LED with varying thickness
US9034672B2 (en) 2012-06-19 2015-05-19 Epistar Corporation Method for manufacturing light-emitting devices
DE102012213343B4 (de) 2012-07-30 2023-08-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEILs MIT SAPHIR-FLIP-CHIP
JP6148951B2 (ja) 2013-09-26 2017-06-14 住友理工株式会社 流体封入式筒形防振装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104134739A (zh) * 2013-04-30 2014-11-05 亿光电子工业股份有限公司 承载结构及发光装置
CN107210352A (zh) * 2015-01-19 2017-09-26 Lg 伊诺特有限公司 发光元件
US10340433B2 (en) 2015-01-19 2019-07-02 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
CN109037173A (zh) * 2018-07-31 2018-12-18 上海源微电子科技有限公司 一种led线性驱动芯片的贴片式封装结构
CN110265378A (zh) * 2019-06-19 2019-09-20 福建福顺半导体制造有限公司 一种电子元件

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