CN101127350A - 用于安装电子元件的装置、系统和方法 - Google Patents

用于安装电子元件的装置、系统和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101127350A
CN101127350A CNA2007101423107A CN200710142310A CN101127350A CN 101127350 A CN101127350 A CN 101127350A CN A2007101423107 A CNA2007101423107 A CN A2007101423107A CN 200710142310 A CN200710142310 A CN 200710142310A CN 101127350 A CN101127350 A CN 101127350A
Authority
CN
China
Prior art keywords
recess
shell
lead
wire
edge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2007101423107A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101127350B (zh
Inventor
陈秀昌
谢健晖
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cree Huizhou Solid State Lighting Co Ltd
Original Assignee
Cotco Luminant Device Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cotco Luminant Device Ltd filed Critical Cotco Luminant Device Ltd
Priority to CN201210046248.2A priority Critical patent/CN102569273B/zh
Publication of CN101127350A publication Critical patent/CN101127350A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101127350B publication Critical patent/CN101127350B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48095Kinked
    • H01L2224/48097Kinked the kinked part being in proximity to the bonding area outside the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Abstract

本发明提供制造可表面安装器件的装置、系统和方法。某些实施例提供了表面安装器件,该器件包括:外壳,包括在外壳中形成并伸入外壳的凹部;插入物,与外壳固定并在凹部周围延伸以形成凹部的一部分表面,该插入物包含沿着凹部露出的反射表面;以及通过凹部而部分露出的多根引线。

Description

用于安装电子元件的装置、系统和方法
技术领域
本发明一般涉及安装好的电子元件和/或器件,尤其涉及表面安装器件。
背景技术
在过去的几十年里,利用电路板实现的器件的数量和种类已经有了惊人的增加。器件和/或芯片安装在电路板上的频率也同样地增长。改善器件的安装会改善结合有该安装好的器件的最终产品的质量,并且能够显著降低该产品的成本及复杂度。
器件的安装可以通过钎焊、压焊及其他类似的方法实现。此外,各器件可以按照许多不同的配置和/或定向而被安装。某些器件配置成可实现用于安装的一个或多个定向。这些器件中有部分器件难以安装,并且这些器件中的部分器件的安装还会随时间恶化。结果,结合有这些安装好器件的产品的操作精度就会退化和/或无法进行操作。
发明内容
本发明的各实施例通过提供制造可表面安装器件的装置、系统和方法有利地满足了上述要求以及其他要求。部分实施例提供了表面安装器件,该器件包括:包括凹部的外壳,该凹部在外壳中形成并伸入外壳;与外壳固定并在凹部周围延伸以形成凹部一部分表面的插入物,该插入物包括沿着凹部露出的反射表面;以及通过凹部而部分露出的多根引线。
进一步的实施例提供了表面安装器件,该器件包括:包括第一表面和凹部的外壳,该凹部在外壳中形成并从第一表面伸入到外壳;从凹部中伸出的穿过并离开外壳的第一组引线;与引线组中的至少一根相耦合并至少部分地通过凹部露出的电子器件;以及包括反射表面的插入物,该插入物在凹部的至少一部分表面周围延伸并与外壳固定在一起,且使插入物反射表面通过凹部露出。
更进一步的实施例提供了用于制造表面安装器件的方法。这些方法中的部分方法包括:放置多根引线;靠近多根引线放置带反射表面的环;将多根引线和环与外壳固定以便将该环保持在相对于引线的预定位置上,且使该环的反射表面得以通过外壳的凹部露出;并且将多根引线中的至少一根与电子器件固定。
通过参考本发明随后的详细描述和附图可更好地理解本发明特征和优点,而在详细描述和附图中阐明了在其中可以利用本发明原理的示例性实施例。
附图说明
本发明的以上和其他方面、特征和优点将会在随后结合附图呈现的更为具体的描述中变得更加显而易见,在各附图中:
图1描绘了根据某些实施例的表面安装器件(SMD)的简化俯视平面图;
图2至图4示出了图1所示SMD的简化平面图;
图5描绘了图1至图4所示SMD的简化的部分透明的透视图;
图6和图7分别描绘了结合入图1所示SMD的反射环的平面图和透视图;
图8和图9描绘了图1所示反射环的简化俯视图;
图10描绘了图8和图9所示环的简化侧视图;
图11描绘了图8和图9所示环的简化透射侧视图;
图12描绘了根据某些实施方式的图8和图9所示环的简化剖视图;
图13至图15描绘了图1所示SMD实施例的简化的部分透明的视图;
图16至图18描绘了可以在图1所示SMD中利用的引线配置的简化俯视透视图和平面图;
图19描绘了示出了图16至图18中引线配置的图1所示SMD的简化的部分透明的俯视平面图;以及
图20描绘了根据某些实施例的用于SMD制造的一过程的流程图。
在附图的各个视图中,相应的参考符号始终指示相应的部件。本领域普通技术人员将会理解附图中的各元件是出于简明目的示出的,并且无需按比例绘制。例如,附图中某些元素的尺寸可能相对于其他元素而有所夸大,由此帮助改善对本发明各实施例的理解。同样地,对在可商用实施例中的那些有用或必需的公用但周知元件通常不做描绘,以免淡化对本发明各实施例附图的理解。
具体实施方式
本发明的各实施例提供用于安装电子元件和/或器件(诸如,在电路板上安装电子器件)的装置、系统、制造方法和方法。某些实施例尤其适于用来安装电子器件的表面安装器件(SMD)封装,上述电子器件诸如接收、发射、散射和/或偏转光的光电元件。光电元件例如可以包括一个或多个发光二极管(LED)、太阳能电池、光电二极管、激光二极管、以及其他这样的光电元件或光电元件的组合。在某些应用中,SMD可在图像生成中得以利用,诸如在用于显示视频图像的显示器中。
图1描绘了根据某些实施例的可用于安装的表面安装器件(SMD)120、以及诸如一个或多个LED、其他光电元件和/或其他器件之类的电子器件的简化俯视平面图。SMD 120包括外壳或外罩122和多根引线124至129。外壳122还包括从外壳122的第一表面140中伸出的凹部或空腔132。在某些实施例中,沿着凹部132的周长或侧面的至少一部分放置并固定反射插入物或环134。
引线124至129由外壳122部分包入,并且延伸通过外壳122的第二和第三表面142和144之一。在图1所示的实施例中,SMD 120是带有六根引线124至129的六(6)管脚SMD,并且各三根引线分别延伸通过第一和第二表面142和144。此外,诸如红LED、绿LED和蓝LED的三个电子器件150至152分别被安装并与六根引线中不同的一根电耦合,例如分别与引线124、127和129相耦合。LED或其他的电子器件可以通过粘合剂、涂层、薄膜、密封剂、焊料、软膏、滑脂和/或其他这样的相关方法或方法组合来与芯片组区域相耦合。例如,LED可以通过焊料突起154至156电耦合至引线124、127和129并与其固定在一起。
图2至图4示出了图1所示SMD 120的简化平面图,并且为了区分可以将其称为图2的前视平面图、图3的侧视平面图、及图4的仰视平面图。在图2至图4中进一步地描绘了指定宽度222、指定高度320和指定长度420。如上所述,引线124至129贯穿外壳以便从第二和第三表面142和144中突出或离开外壳,并且在某些实施方式中沿着第二和第三表面弯曲并且能够进一步地沿着第四表面220弯曲,为了区分将该第四表面称为底面(参见图2和图4)。外壳122外部的引线124至129的尺寸取决于SMD 120预期实施方式、要利用的LED或其他电子器件、外壳122的材料、SMD 120的尺寸和/或其他这样的因素和/或这些因素的组合。例如在某些实施方式中,诸如在SMD的宽度222约为为3.30mm+/-0.05mm而其长度420约为3.50mm+/-0.05mm的情况下,外壳外部的引线宽度422可以约在0.50至0.70mm之间(例如,0.60mm+/-0.05mm),其厚度224约在0.15至0.40mm之间(例如,0.25mm+/-0.01mm),并且各引线之间可隔开距离424,该距离424约在0.40至0.80mm之间(例如,0.55mm+/-0.05mm)。
图5描绘了图1至图4所示SMD 120的简化的部分透明的透视图。根据某些实施例,更为清晰地示出了沿着凹部132周长延伸并被放置在LED 150至152周围的反射环134。环134包括第一边缘522、第二边缘524、以及一个或多个凸片或伸出部分530。
图6和图7根据某些实施例分别描绘了环134的平面图和透视图。参见图5至图7,环134大致呈从第一边缘522至第二边缘524成锥度的截头圆锥形,其中第一边缘在结合入SMD 120时靠近外壳122的第一表面140放置而第二边缘则靠近凹部132的基底以及引线124至129通过凹部露出的部分引线放置。在某些实施方式中,通过凹部132露出的环的至少外部和露出表面720在靠近第一边缘522处大致呈圆形,并且朝着第二边缘524成锥形。在某些实施例中,环从第一边缘开始成锥形并且由四个邻接和/或相邻的部分或分段620至623限定,这四个部分在靠近第二边缘524处形成更接近矩形的形状,而在第一边缘522处则更接近圆形。在某些实施例中,这四个部分在第一和第二边缘522和524周围形成为四个相交圆弧段,各部分靠近第二边缘的半径822要大于其靠近第一边缘522的半径824,使得每个部分都同与其邻近的两部分相交。该环从第一边缘到第二边缘大致呈圆形地成锥形。
此外,第二边缘524处两个相对部分之间(例如,部分621和623之间)的距离或直径632要小于该环在第一边缘522处的距离或直径630,使得该环从第一边缘522到第二边缘524成锥形。将部分620至623结合入环在某些情况下能够在某种程度上增加环的稳定性并且改善SMD 120的坚固性,同时还能够进一步实现期望的光反射和散射。在某些实施例中,环从第一边缘处的大致呈圆形渐变成可以具有其他相关的形状的第二边缘,所述第二边缘的其他形状例如大致呈圆形、大致呈矩形、大致呈三角形或者其他相关形状。
环134在某些实施方式中还可以包括从第一边缘522外周伸出的一个或多个凸片530。凸片530能够提供接触点,以便如下所述在SMD 120制造期间将环保持在期望位置上。另外在某些实施例中,当带有凸片530的环134被放置在SMD 120内时,凸片530伸入外壳并被外壳包入,这样能够增加环134的稳定性并且有助于保持该环的位置。
参见图1和图5,外壳在某些实施例中还包括伸入该外壳的小孔或孔150。这些孔150与凸片530对齐。在某些实施例中,引线在环134周围形成的外壳122(例如,通过注模或者以其他方式与引线124至129和环134固定)时,各凸片由各支承件或各结构保持在相对于引线124至129的期望位置上,且在外壳122形成时在外壳122内形成围绕该保持凸片530的结构形成孔150。这些孔在某些实例中可以在模制后被填充,或者保持凸片530的结构如下所述可以被切割成例如与外壳的第一表面140平齐或在其之下。凸片530伸入外壳,并且在某种程度上能够进一步地帮助环134在外壳内的固定和/或维持环相对外壳122、引线124至129和/或LED150至152的位置。
图8和图9根据某些实施例描绘了反射环134的简化俯视图。环134分别在第一边缘522和第二边缘524附近的直径630和632由已在上文中引入并将在下文中描述的许多因素决定,并且在某些实施例中,还附加地或可选地由凹部132的直径和/或锥形倾斜度决定。例如在某些实施方式中,SMD 120的宽度122约为3.30mm,长度420约为3.50mm而高度320则约为2.00mm,并且环134的四个分段620至623可以被构造成在第二边缘524附近带有范围约在1.75至2.00mm之间(例如,1.87mm+/-0.05mm)的半径822。分段620至623延伸至第一边缘522,并在某些实例中在第一边缘522附近成锥形为范围约在1.35至1.55mm之间(例如,1.46mm+/-0.05mm)的半径824。另外,分段620至623沿着第二边缘524可以具有范围约在1.70至1.90mm之间(例如,1.80mm+/-0.05mm)的长度832,而其沿着第一边缘522可以具有范围约在1.90至2.00mm之间(例如,1.94mm+/-0.05mm)的长度834。
此外在该示例中,环134可以包括延伸远离环心的一片或多片凸片530。在某些实施方式中,两个凸片530在接近彼此相对的分段相交的位置上从第一边缘522中伸出。例如,可以按离开轴线842的度数约在35至50度之间的角度840来放置凸片530,其中该轴线842延伸通过相对的分段(例如,分别为第二和第四分段621和623)的中点,并且在某些实施例中角度840可为离开轴线842约43度+/-3度。凸片530可以从环的边缘伸出(例如,带有约为0.10mm+/-0.05mm的半径922),具有约为0.50mm+/-0.05mm的宽度924,并且可以按约0.25mm+/-0.05mm的半径846沿着外缘弯曲。各凸片530大致中心之间的距离926的范围可以约在3.35至3.55mm之间(例如,3.44mm+/-0.05mm)。
根据某些实施例,图10描绘了环134的简化侧视图,图11描绘了该环的简化透视图,而图12则描绘了沿着图9中的轴线A-A剖开的简化截面图。环134的高度1022和宽度或直径930取决于SMD的大小,并且通常与凹部132的深度1324成比例(参见图13)。该环还可以包括从该环的锥形壁中伸出的唇缘或凸缘1030。凸缘围绕在该环周长的至少一部分延伸,并且通常完全环绕该环134的周长。凸缘1030从该环的锥形壁中横向伸出并且能够在被安装至外壳122内时为该环提供额外的稳定性。凸缘的尺寸由已在上文中引入并将在下文中描述的许多因素决定。在某些实施方式中,凸缘的厚度1032约等于环的厚度1222,并且例如约为0.10mm+/-0.05mm。
图13至图15描绘了图1所示SMD 120实施例的简化的部分透明的视图。更具体地说,图13示出了SMD 120的部分透明的前视平面图;图14示出了SMD 120的部分透明的侧视平面图;而图15则示出了SMD 120的部分透明的剖视侧平面图。图15的部分剖视图示出了放置在凹部132内并环绕LED 151和152的环134的剖视图。在图13至15中显见环134的至少是露出表面720的截头圆锥形,它从第一边缘522到第二边缘524成锥形。该环与凹部132成一体,并且在某些实施方式中该环134与凹部132平齐以形成至少一部分凹部表面。设定锥角1520以实现对LED150至152所发光的期望反射、SMD 120的预期用途、从SMD外至安装在凹部内各引线上的光检波器的光反射、和/或其他相关的效果。在某些实施例中,锥角1520的范围约在100至140度之间,并且在某些实施例中在110至130度之间,例如可以是约112度。
在某些实施例中,环134的高度1022小于外壳在引线124至129露出表面之上的高度1324,而该高度1324通常是凹部132的深度。环134可以被放置在与由各引线露出表面限定的平面1332呈第一距离1330,并与外壳122的外部第一表面140呈第二距离1334的位置上。在环134之上和之下的外壳材料可以为环132提供额外的支承并且有助于保持该环的定位,从而提供一个稳定耐用的SMD封装。环134在某些实施方式中还包括从该环的锥形壁中伸出的凸缘1030,该凸缘能够为该环提供进一步支承并且可被外壳122包入。由此,该凸缘额外地提供了进一步的稳定性和结构性支承,并且增强了环134和SMD 120的整体整体性。
该环的尺寸可以取决于SMD的预期实施方式、SMD 120的材料、SMD 120的大小、凸缘1030和/或凸片530的大小、LED的大小和/或其他这样的相关因素。在某些实施例中,环134的高度1022可以与凹部132的深度1324成比例,并且在某些实施例中,环的高度1022与凹部深度1324之比可以约为3比5。在某些实施例中,环的高度1022约为凹部深度1324的50%至70%,并且在某些实施方式中约为凹部深度的55%至65%。例如,对于带有深度约为0.85mm的凹部132的高度320约为2.00mm的SMD而言,可以构造该环134具有约0.50mm的高度。另外在此示例中,可以在凹部内放置环134以使得该环第一边缘522与外壳122第一表面140的距离1334约为0.15mm,而该环第二边缘524与由引线124至129露出表面限定且通常限定凹部132基底的平面1332之间的距离1330约为0.20mm和/或与LED 150至152或结合入SMD封装120的其他电子器件成比例。
环134分别在第一边缘522和第二边缘524附近的直径630和632都可类似地由已在上文引入的许多因素决定,并且在某些实施例中,还附加地或可选地由凹部尺寸和锥形倾斜度决定。例如在某些实施方式中,SMD 120的宽度222约为3.30mm+/-0.05mm,长度420约为3.50mm+/-0.05mm而高度320则约为2.00mm+/-0.05mm,并且环具有跨越凸缘1030的约为3.08mm+/-0.05mm的半径634,并且分段620至623在第一边缘522附近具有约1.46mm+/-0.05mm的半径824而在第二边缘524附近具有约1.87mm+/-0.05mm的半径822的。
根据SMD 120的实施方式和/或配置,将环134或者该环的至少露出表面720配置成反射由LED发出的光和/或通过凹部132接收的要被导入与引线124至129相耦合的光检波器的光。环134可由诸如反射金属之类的反射材料构造。附加地或者可选地,该环可由金属、塑料、陶瓷或者其他相关的材料和/或这些材料的组合所构造,并且露出表面720涂覆有反射材料,其中这些反射材料可以是诸如银或具备期望反射性能的其他相关材料。例如,环134可以由与引线124至129材料类似或相同的金属所构造并涂覆有反射金属。在某些实施方式中,该环可由铜和/或铜合金构造并且带有限定至少露出表面720的银涂层。环134的厚度1222取决于SMD的预期实施方式、在SMD中利用的LED以及其他相关因素。在某些实施例中,厚度1222与环的高度1022成比例。例如,高度约为0.50mm的环134,其厚度可以是约0.10mm。
返回来仍参考图1,环134被放置在LED 150至152周围,以使得各LED发出的光可由该环的露出和反射表面720所反射。至少部分由于该环的反射性,外壳就基本上可由任何相关材料构造。此外在某些实施方式中,可以在不考虑材料反射能力的情况用基本上任何相关材料来构造外壳,这是因为环134提供了所期望的光反射。例如,外壳可由一种或多种树脂、环氧树脂、热塑性缩聚物(例如,聚邻苯二酰胺(PPA))、塑料、玻璃、尼龙和/或其他这样的相关材料和/或这些材料的组合所构成。在某些实施例中,外壳可由黑色PPA材料构成。已经发现黑色PPA材料在图像生成SMD封装中(诸如,在视频显示和/或其他图像生成设备中利用的SMD中)是有益的。经常会使用白色PPA材料构造SMD封装。然而,在图像生成和/或视频显示中使用黑色PPA材料通常能够提供优于白色PPA材料的图像质量。但黑色PPA材料会降低SMD封装发出的总亮度。环134增强来自SMD封装120的光发射。由此,外壳122例如可由黑色PPA材料构成,并带有嵌入外壳凹部132内的环134,从而在实现改进质量的同时仍能实现期望的亮度和/或光发射。
许多图像生成SMD和其他SMD封装利用安装在SMD内并耦合至引线以接受电源的一个或多个LED。在图1的SMD封装120的实施例中,SMD包括三个LED(例如,红LED、绿LED和蓝LED)。然而,该SMD也可实施为带有更少或更多的LED或其他电子器件。此外,SMD还包括与LED相耦合以至少部分地为这些LED供电的引线124至129。在某些实施例中提供六根引线124至129,其中每个LED都与六根引线中的两根相耦合。
在某些实施例中,一个或多个LED或其他电子器件150至152都各自由一级引线支持和/或与其相耦合,例如,第一LED 150与第一引线124相耦合,第二LED151与第四引线127相耦合,而第三LED 152与第六引线129相耦合。此外,每个LED都分别与二级引线相耦合,例如第一LED还与第二引线125相耦合,第二LED还与第五引线128相耦合,而第三LED还与第三引线126相耦合。与二级引线相耦合例如可以通过连接160至162实现(例如,接合线、跳线或其他这样的连接)。在某些实施例中,连接160至162还包括连至第二、第三和第五引线125、126和128的额外耦合或二级跳线。
图16至图18根据某些实施例描绘了可以在图1的SMD 120中利用的引线配置1622的简化的俯视透视图和平面图。图19描绘了示出了图16至图18中的引线配置1622的图1的SMD 120的简化的部分透明俯视平面图。参见图1以及图16至图19,引线配置1622包括六根引线124至129,并带有耦合至各引线的电子器件,诸如LED 150至152。每个引线的一部分都通过凹部132露出并且通常从凹部伸入外壳122,穿过并离开该外壳,其中每三个引线各自通过第二和第三侧142和144离开。
引线124至129通常由导电材料制成,诸如铜、铜合金和/或其他这样的相关材料或者材料的组合。在某些实施方式中,引线材料还是导热的,以至少部分地协助将热量从结合入SMD 120的LED或其他电子器件中移除。
这些引线中的三根引线(例如,第一、第四和第六引线124、127和129)被配置成进一步朝向凹部中心(一般地被标记为图19上的1922)延伸,并且包括芯片组区域1624至1626。LED或其他电子器件150至152被安装在第一、第四和第六引线124、127和129的芯片组区域上并由其支承。在某些实施方式中,第一、第四和第六引线与各LED的阴极部分相耦合,并且可以被定义成SMD封装120的阴极引线。此外,第二、第三和第五引线可与各LED的阳极部分相耦合,并且可以被定义成SMD封装120的阳极引线。每个引线都通过一个或多个绝缘间隔1630而与其他引线电隔离和/或绝缘。绝缘间隔1630可以是至少能够让引线与其他引线电绝缘的实质上的任何大小。在某些实施例中,绝缘间隔通常大于0.10mm,并且在某些实例中大于0.20,例如可以是0.25mm。
芯片组区域1624至1626可以被部分配置成支承LED 150至152并与其电耦合。LED可以通过粘合剂、涂层、薄膜、密封剂、焊料、软膏、滑脂和/或其他这样的相关方法或方法组合来与芯片组区域电耦合。例如,LED可以通过焊料突起154至156电耦合至芯片组区域1624至1626并与其固定在一起(例如参见图1)。在某些实施方式中,该耦合还能够额外地提供热耦合以增强热量从结合入SMD 120的LED或其他电子器件中的发散。
此外,每个LED 150至152和/或其他电子器件还与二级引线125、126和128相耦合。例如在某些实施例中,LED通过线连接160至162与二级引线的头或耦合部分1634至1636相耦合。可选地,LED可由一级引线部分支承并与其相耦合,同时在各引线之间的绝缘间隔上延伸以便耦合至二级引线的头部分。
在某些实施例中,一根或多根引线124至129还包括一个或多个凹口、通孔或小孔、伸出部分、锥形和/或能够在某种程度上改善SMD封装120稳定性、整体性和/或坚固性的其他特征。例如,第一、第三、第四和第六引线124、126、127和129包括一般地朝向SMD 120中心延伸、分别沿着第一、第三、第四和第六引线的外缘1826至1829并限定上述外缘的凹口1820至1823。还包括进一步朝向中心1922延伸的附加凹口1830至1833,并且在某些实施方式中,这些附加凹口通常是半圆形的。细长凹口1820至1823与附加凹口1830至1833的大小可由SMD的预期实施方式、要利用的LED或其他电子器件和/或其他这样的因素决定。例如在某些实施方式中,细长凹口在离开外壳的引线宽度422约为0.60mm时可以在引线内凹进约0.20mm,而附加的半圆形凹口则可以具有约为0.175mm的半径。第一、第三、第四和第六引线的外缘1826至1829分别沿着细长凹口1820至1823与附加凹口1830至1833。此外,这些外缘可以不延伸至与附加的半圆形凹口相对侧上的边缘部分对齐。例如,在更接近外壳第二和第三侧142和144的半圆形凹口的那一侧凹口上的外缘部分可以凹进0.20mm,而与半圆形凹口相对的外缘可以凹进0.30mm。
第一和第四引线124和127还可以朝着凹部132和/或SMD的中心1922成锥形。在某些实施方式中,锥形可以通过分级转变或台阶来实现,这样的分级转变或台阶带有分别形成芯片组区域1624和1625的扩大的分级或台阶。第六引线129类似地朝中心成锥形以使得芯片组区域1626靠近第一和第四引线124和127的芯片组区域1624和1625。同样地,第六引线的锥形也可以通过一系列的台阶或分级实现,并且在某些实施例中还可以比第一和第四引线124和127的芯片组区域1624和1625进一步地伸入凹部。
第三引线126可以包括沿着内缘1837并与细长凹口1821大致相对的凹口1836。凹口1836在某些实施方式中也可以呈半径约为0.175mm的半圆形。第三引线126还可以朝向凹部中心进一步成锥形以限定跳线162或其他耦合能够与其相连接的耦合区域1635。
第二和第四引线125和128在它们朝向凹部中心1922延伸以限定耦合区域1634和1636时,各自凸出或膨胀并然后引线变窄。第二和第四引线还可以分别包括小孔或通孔1842和1844。小孔1842和1844可以靠近凸出部分放置,并且在某些实施方式中具有约0.30mm的直径,例如在离开外壳的引线宽度422约为0.60mm的情况下。
在某些实施例中,凹部132至少部分地由填充材料填充。该填充材料为露出的引线124至129和/或LED 150至152提供保护。在某些实例中,该填充材料覆盖LED、引线124至129通过凹部露出的部分、以及电连接160至162。填充材料还可以至少部分地填充绝缘间隙1630、凹口、和/或外壳由引线124至129的凹口、引线锥形和轮廓所露出的区域,由此该填充材料得以伸入这些空区。填充材料还可以为LED和电连接提供保护。此外,填充材料还可以在某种程度上增强对电子器件的光分布和/或检测。填充材料可由一种或多种树脂、环氧树脂、热塑性缩聚物、塑料、玻璃、尼龙和/或其他这样的相关材料和/或这些材料的组合构成。在某些实施例中,还可以向填充材料中添加额外材料以增强进出结合入凹部132的电子器件的光的发射、吸收和/或散射。
引线124至129的凹口、小孔、伸出部分、轮廓、锥形和其他特征与外壳和/或填充材料协作,至少部分地增强SMD封装120的结构稳定性和整体性。在某些实施方式中,壳体材料、填充材料和/或其他材料(例如,环氧树脂、树脂、粘合剂、及其他这样的相关材料)至少部分地围绕、伸入和/或穿过一个或多个绝缘间隙1630以及由引线配置的凹口、小孔和锥形所露出的区域。例如,被外壳122包入的这些区域可以至少部分地由外壳材料、穿过凹口或其他空区的一根或多根销钉以及其他这样的配置所填充。此外,引线124至129的凹口、小孔、伸出部分、轮廓、锥形和其他特征在某种程度上能够在引线124至129周围提供表面接合区,这些表面接合区包括在引线之下由绝缘间隙、凹口、小孔、锥形和其他空区所露出的外壳,以与引线之上和/或延伸通过各间隙、凹口、小孔和空区的填充材料和/或外壳材料接合。
所提供的穿过并围绕各引线的增强型接合至少部分地增强了引线相对于外壳的稳定性以及SMD 120的结构整体性。此外,在外壳材料之间和/或外壳材料与填充材料之间的接合或粘合通常要强于在外壳和引线之间、以及在引线和填充材料之间建立起的接合或粘合。这一在外壳之间、以及在填充材料和外壳之间的增加的粘合度还有助于维持SMD 120的配置、结构整体性和/或坚固性。此外,通过将外壳材料和/或填充材料结合入空区,就能够更为精确地保持芯片组区域1624至1626和/或LED 150至152或其他电子器件的相对定位。各LED增加的稳定性还能够进一步地改善SMD 120的性能并增加其稳定性。
外壳122可以经由一种或多种方法形成和/或装配。在某些实施例中,外壳可以围绕引线124至129形成或模制。附加地或可选地,外壳可以被模制成各个部分,例如顶部和底部。这些部分可以采用模制,该模制在某种程度上有助于将引线与外壳的各部分固定在一起。例如,顶部和底部可以通过诸如用粘合材料、钉和槽、卡接、摩擦配合、和/或其他相关方法或方法组合来固定在一起并将引线的各部分夹在两者之间。在其它实施例中,可以预先模制基部以便为要固定在该外壳基部上的各引线分配空间,并且可以在引线及外壳的基部之上形成、模制或浇注顶部。
例如,外壳的顶部可以通过在包入引线124至129部分的底部上注入模制或浇注的外壳材料而形成。由各引线的凹口1820至1823、1830至1833、1836、绝缘间隙1630、引线锥形和其他轮廓限定的空区中的一些或一部分可在形成顶部时由外壳材料覆盖并由其至少部分填充。在其它实施例中,模制外壳122的底部以使得在各引线之下的外壳材料延伸通过一个或多个空区、绝缘间隙、小孔和/或凹口以便与外壳122在引线之上的顶部匹配或协配。在某些实施方式中,外壳122可以包括一个或多个销钉,这些销钉穿过凹口、绝缘间隙、和/或小孔以便耦合至外壳内与这些销钉相对的各插槽。在某些实施例中,可以向绝缘间隙、小孔和/或凹口中添加粘合材料以将外壳122的各部分在引线周围固定在一起。此外,在某些制造实施例中,填充材料是注入外壳122的凹部132中的液体或半液体。该填充材料粘附至各引线周围通过绝缘间隙1630、小孔1842和1844、凹口1820至1823、1830至1833、1836和/或其他空区所露出的外壳122。
在某些制造方法中,LED在围绕各引线124至129构造和/或装配外壳122之前就被耦合至各引线。可选地,LED或其他电子设备可以在各引线被部分包入外壳122之后耦合至各引线。外壳122可以配置有伸入该外壳的凹部132,从而能够露出至少芯片组区域1624至1626以及耦合区域1634至1636足够多的部分,以接受、安装及电耦合凹部132内的LED或其他电子器件。
图20根据某些实施例描绘了用于制造SMD 120的过程2020的流程图。在步骤2022中,形成引线124至129。引线的形成可以通过金属冲压、注模、切割、蚀刻、弯曲,或者通过其他方法和/或方法的组合实现,从而实现带有由凹口、小孔、锥形、绝缘间隙等所限定的空区的所期望的引线配置1622。例如,引线可以被部分地金属冲压(例如,同时从单片相关材料冲压而成)、适当弯曲、并在最后被完全分离或者在外壳122的部分或全部形成之后被完全分离。在步骤2024中,形成反射环134。类似地,该环可以通过金属冲压、压制、注模、切割、蚀刻、弯曲,或者通过其他方法和/或方法的组合来形成,从而实现所期望的环。在步骤2026中,在环表面涂覆反射涂层,诸如沉积在环表面上的一层银。在该环最初就由反射性足够的材料形成的那些实例中,可以跳过步骤2026。
在步骤2028中,定位各引线并在相对于各引线124至129的所期望位置上定位该环。在某些实施例中,柱或其他结构可与该环的凸片530固定并且可以使用这些柱或其他结构将该环相对各引线保持在位。在步骤2030中,外壳122被形成和/或与环134及引线124至129固定。在某些实施例中,外壳可以通过在环和引线周围以期望的形状模制该外壳的注模工艺来形成。在其它实施方式中,成形该外壳以使其与环和引线相配,并在随后通过粘合剂、摩擦配合、钉和槽、以及其他相关方法与环及引线固定。在步骤2032中,形成凹部132和/或清理并露出芯片组部分1624至1626以及环134。在外壳122是注模的这些实施方式中,凹部可以在模制的同时形成。然而,芯片组部分和/或环可能会包括部分多余的外壳材料和/或其他杂散材料。这些多余或杂散材料可以在步骤2032中去除。在其它实施例中,凹部通过切割、蚀刻或者以其他方式穿过外壳122第一表面140并沿着环134形成。
在某些实施例中,该过程2020包括把引线从支承结构和/或金属板中分离的可选步骤2034。在从相关材料板中切割或冲压引线的某些实施方式中,可以不完全分离各引线,以实现简化引线的处理和/或通过一次性大规模处理多个SMD来提高产量。在步骤2036中,脱开支承各环并与凸片530固定的柱或其他支承结构,例如可通过将各柱切割成与外壳122的第一表面140基本平齐或低于该第一表面来实现。
在步骤2040中,沿着外壳122的第二和第三表面142和144弯曲各引线124至129离开外壳的部分,并沿着第四表面220再次弯曲。在可选实施例中,可以按其他相关配置弯曲外壳外部的引线,也可以不做弯曲。在步骤2042中,诸如LED的一个或多个电子器件与一根或多根引线固定和/或电耦合,从而能够围绕和/或环绕这一个或多个电子器件的至少一部分放置该环。过程2020的一个或多个步骤可以按不同的次序执行,例如可以在步骤2034、2036和2040之前将LED耦合至各引线,或者可以有其他这样的变化。
过程2020的变化可以在某些实施例中得以利用。例如,过程2020可以包括形成带有环134的外壳顶部以及形成外壳底部的步骤。步骤2030可以代替地提供在引线124至129周围被固定在一起的顶部和底部,诸如可以使用从底部伸出,穿过引线的一个或多个凹口和/或空区,以与顶部内的孔或槽相配的钉。还可以根据某些实施例在表面安装器件制造过程中附加地和/或可选地利用其他的步骤。
虽然在此已借助其具体实施例和应用公开了本发明,但是本领域普通技术人员可从中做出各种修改和变化而不背离由所附权利要求书阐明的本发明的范围。

Claims (11)

1.一种表面安装器件,包括:
外壳,包括在所述外壳中形成并伸入所述外壳的凹部;
与所述外壳固定并在所述凹部周围延伸以形成所述凹部一部分表面的插入物,所述插入物包括沿所述凹部露出的反射表面;以及
通过所述凹部而部分露出的多根引线。
2.如权利要求1所述的表面安装器件,其特征在于,所述插入物包括在周围周向延伸并且形成所述凹部的所述一部分表面的环。
3.如权利要求2所述的表面安装器件,其特征在于,所述环的高度小于所述凹部的高度。
4.如权利要求2所述的表面安装器件,其特征在于,所述外壳至少部分地由黑色聚邻苯二酰胺材料构造。
5.如权利要求2所述的表面安装器件,其特征在于,所述插入物具有靠近所述外壳表面放置的第一边缘、以及远离所述外壳的所述表面的第二边缘,其中所述插入物包括四个相邻部分并且从所述第一边缘到所述第二边缘成锥形。
6.如权利要求5所述的表面安装器件,其特征在于,所述四个部分中的每一部分都大致是圆形的一部分,并且具有靠近所述第二边缘的第一半径以及靠近所述第一边缘的第二半径,其中所述第一半径大于所述第二半径,且使每个部分都与两个相邻部分相交。
7.如权利要求2所述的表面安装器件,其特征在于,所述插入物包括大致从所述反射表面延伸离开并伸入所述外壳的凸片。
8.如权利要求1所述的表面安装器件,其特征在于,所述插入物包括靠近所述外壳外表面放置的第一边缘、远离所述外壳外表面的第二边缘、以及靠近所述第一边缘且从所述反射表面延伸离开并伸入所述外壳的凸缘。
9.如权利要求8所述的表面安装器件,其特征在于,所述凸缘还包括从所述凸缘伸入所述外壳的凸片。
10.如权利要求2所述的表面安装器件,其特征在于,还包括与所述第一组引线中的一级引线相耦合的电子器件,其中所述凹部露出所述电子器件的至少一部分。
11.一种表面安装器件,包括:
包括第一表面和凹部的外壳,所述凹部在所述外壳中形成并从所述第一表面伸入所述外壳;
从所述凹部中伸出、穿过所述外壳并离开所述外壳的第一组引线;
与所述引线组中的至少一根相耦合并至少部分地通过所述凹部露出的电子器件;以及
包括反射表面的插入物,所述插入物在所述凹部的至少一部分表面周围延伸并且与所述外壳固定,且使所述插入物的反射表面通过所述凹部露出。
CN2007101423107A 2006-08-16 2007-08-16 用于安装电子元件的装置、系统和方法 Active CN101127350B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210046248.2A CN102569273B (zh) 2006-08-16 2007-08-16 表面安装器件及其制造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/465,120 2006-08-16
US11/465,120 US8367945B2 (en) 2006-08-16 2006-08-16 Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210046248.2A Division CN102569273B (zh) 2006-08-16 2007-08-16 表面安装器件及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101127350A true CN101127350A (zh) 2008-02-20
CN101127350B CN101127350B (zh) 2012-05-09

Family

ID=39095326

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210046248.2A Active CN102569273B (zh) 2006-08-16 2007-08-16 表面安装器件及其制造方法
CN2007101423107A Active CN101127350B (zh) 2006-08-16 2007-08-16 用于安装电子元件的装置、系统和方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210046248.2A Active CN102569273B (zh) 2006-08-16 2007-08-16 表面安装器件及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8367945B2 (zh)
JP (1) JP5442189B2 (zh)
CN (2) CN102569273B (zh)
DE (1) DE102007038320A1 (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102130266A (zh) * 2010-01-20 2011-07-20 旭丽电子(广州)有限公司 封装结构及发光二极管封装结构
CN102280424A (zh) * 2011-06-08 2011-12-14 无敌科技(西安)有限公司 非挥发性内存装置、集成电路装置及集成电路制造方法
CN102956628A (zh) * 2011-08-18 2013-03-06 乐金显示有限公司 发光二极管封装
WO2013075309A1 (en) * 2011-11-24 2013-05-30 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Water resistant led devices and led display including the same
CN103460416A (zh) * 2011-02-10 2013-12-18 日亚化学工业株式会社 发光装置、发光装置的制造方法及封装阵列
CN104396036A (zh) * 2012-05-31 2015-03-04 克利公司 光发射器封装、系统、以及方法
CN105977246A (zh) * 2015-03-11 2016-09-28 Lg伊诺特有限公司 发光器件
CN107431116A (zh) * 2015-03-18 2017-12-01 Lg伊诺特有限公司 发光器件和具有发光器件的相机模块

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US7928462B2 (en) * 2006-02-16 2011-04-19 Lg Electronics Inc. Light emitting device having vertical structure, package thereof and method for manufacturing the same
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US7993038B2 (en) * 2007-03-06 2011-08-09 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting device
CN101388161A (zh) * 2007-09-14 2009-03-18 科锐香港有限公司 Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
JP5416975B2 (ja) * 2008-03-11 2014-02-12 ローム株式会社 半導体発光装置
WO2010022538A1 (zh) * 2008-08-26 2010-03-04 Pan Dingguo 发光二极管多芯片贴片及装有该贴片的灯条
US10431567B2 (en) 2010-11-03 2019-10-01 Cree, Inc. White ceramic LED package
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
USD661262S1 (en) * 2009-10-26 2012-06-05 Nichia Corporation Light emitting diode
DE102009058421A1 (de) * 2009-12-16 2011-06-22 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil, Gehäuse und optoelektronisches Halbleiterbauteil
TWI427745B (zh) * 2010-01-20 2014-02-21 Lite On Electronics Guangzhou 封裝結構及發光二極體封裝結構
US8901583B2 (en) 2010-04-12 2014-12-02 Cree Huizhou Opto Limited Surface mount device thin package
JP5507330B2 (ja) 2010-04-27 2014-05-28 ローム株式会社 Ledモジュール
KR101705700B1 (ko) * 2010-07-01 2017-02-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
US9831393B2 (en) 2010-07-30 2017-11-28 Cree Hong Kong Limited Water resistant surface mount device package
US9240395B2 (en) 2010-11-30 2016-01-19 Cree Huizhou Opto Limited Waterproof surface mount device package and method
JP2012238830A (ja) * 2011-05-09 2012-12-06 Lumirich Co Ltd 発光ダイオード素子
CN103137825B (zh) * 2011-11-30 2016-06-01 光宝电子(广州)有限公司 发光二极管基板结构、发光二极管单元及其光源模块
TW201330332A (zh) * 2012-01-02 2013-07-16 Lextar Electronics Corp 固態發光元件及其固態發光封裝體
US10504719B2 (en) * 2012-04-25 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Cooled reflective adapter plate for a deposition chamber
US9239135B2 (en) * 2012-07-25 2016-01-19 Tyco Electronics Corporation LED connector
US9711489B2 (en) 2013-05-29 2017-07-18 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Multiple pixel surface mount device package
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
DE102014110074A1 (de) * 2014-07-17 2016-01-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauelement, Leiterrahmen und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
USD740998S1 (en) * 2014-09-11 2015-10-13 Michael Olen NEVINS Reflector
JP6811183B2 (ja) * 2015-03-06 2021-01-13 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 非対称分布されたledチップを有するledベースの照明装置
US10311265B2 (en) * 2016-03-04 2019-06-04 Assa Abloy Ab Universal mounting ring
CN110289341A (zh) * 2019-06-12 2019-09-27 浙江英特来光电科技有限公司 一种与印刷线路板增加结合力的全彩smd led及其安装方法

Family Cites Families (168)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3760237A (en) * 1972-06-21 1973-09-18 Gen Electric Solid state lamp assembly having conical light director
FR2436505A1 (fr) * 1978-09-12 1980-04-11 Radiotechnique Compelec Dispositif optoelectronique a emetteur et recepteur couples
US4511425A (en) * 1983-06-13 1985-04-16 Dennison Manufacturing Company Heated pad decorator
EP1187227A3 (de) 1989-05-31 2002-08-28 Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Oberflächenmontierbares Opto-Bauelement und Verfahren zum Herstellen desselben
US5617218A (en) * 1989-09-07 1997-04-01 Advanced Television Test Center Bi-directional television and motion picture film to magnetic tape format digital signal converter
US5167556A (en) * 1990-07-03 1992-12-01 Siemens Aktiengesellschaft Method for manufacturing a light emitting diode display means
US5130761A (en) * 1990-07-17 1992-07-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Led array with reflector and printed circuit board
US5122943A (en) * 1991-04-15 1992-06-16 Miles Inc. Encapsulated light emitting diode and method for encapsulation
US5351106A (en) * 1991-07-01 1994-09-27 Amergraph Corporation Exposure system
US5915752A (en) * 1992-07-24 1999-06-29 Tessera, Inc. Method of making connections to a semiconductor chip assembly
US5790298A (en) * 1994-05-03 1998-08-04 Gentex Corporation Method of forming optically transparent seal and seal formed by said method
DE4446566A1 (de) * 1994-12-24 1996-06-27 Telefunken Microelectron Mehrpoliges, oberflächenmontierbares, elektronisches Bauelement
WO1996036075A2 (en) * 1995-05-10 1996-11-14 Philips Electronics N.V. Miniature semiconductor device for surface mounting
DE19549818B4 (de) * 1995-09-29 2010-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement
US5731547A (en) * 1996-02-20 1998-03-24 International Business Machines Corporation Circuitized substrate with material containment means and method of making same
DE19621124A1 (de) * 1996-05-24 1997-11-27 Siemens Ag Optoelektronischer Wandler und dessen Herstellungsverfahren
JPH09321343A (ja) * 1996-05-31 1997-12-12 Dowa Mining Co Ltd 光通信用の部品装置
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
DE29825022U1 (de) 1997-07-29 2004-04-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US6183100B1 (en) * 1997-10-17 2001-02-06 Truck-Lite Co., Inc. Light emitting diode 360° warning lamp
DE19755734A1 (de) * 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
DE19829197C2 (de) * 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6274924B1 (en) * 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
JP3334864B2 (ja) 1998-11-19 2002-10-15 松下電器産業株式会社 電子装置
US6429583B1 (en) * 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
JP4279388B2 (ja) 1999-01-29 2009-06-17 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその形成方法
US6259608B1 (en) * 1999-04-05 2001-07-10 Delphi Technologies, Inc. Conductor pattern for surface mount devices and method therefor
JP2001042792A (ja) * 1999-05-24 2001-02-16 Sony Corp Led表示装置
US6454437B1 (en) * 1999-07-28 2002-09-24 William Kelly Ring lighting
US6710373B2 (en) * 1999-09-27 2004-03-23 Shih-Yi Wang Means for mounting photoelectric sensing elements, light emitting diodes, or the like
US6296367B1 (en) * 1999-10-15 2001-10-02 Armament Systems And Procedures, Inc. Rechargeable flashlight with step-up voltage converter and recharger therefor
DE19964252A1 (de) 1999-12-30 2002-06-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares Bauelement für eine LED-Weißlichtquelle
DE10002521A1 (de) 2000-01-21 2001-08-09 Infineon Technologies Ag Elektrooptisches Datenübertragungsmodul
US6680568B2 (en) 2000-02-09 2004-01-20 Nippon Leiz Corporation Light source
US6224216B1 (en) * 2000-02-18 2001-05-01 Infocus Corporation System and method employing LED light sources for a projection display
US6517218B2 (en) 2000-03-31 2003-02-11 Relume Corporation LED integrated heat sink
CN1189951C (zh) * 2000-04-24 2005-02-16 罗姆股份有限公司 侧发射型半导体光发射器件及其制造方法
DE10020465A1 (de) * 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US20020066905A1 (en) * 2000-06-20 2002-06-06 Bily Wang Wing-shaped surface mount package for light emitting diodes
JP2002033058A (ja) * 2000-07-14 2002-01-31 Sony Corp 電界放出型表示装置用の前面板
DE60137995D1 (de) 2000-08-09 2009-04-30 Avago Technologies General Ip Lichtemittierende Vorrichtungen
DE10041328B4 (de) 2000-08-23 2018-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verpackungseinheit für Halbleiterchips
EP1187226B1 (en) 2000-09-01 2012-12-26 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type light emitting diode and method of manufacturing same
US6614103B1 (en) 2000-09-01 2003-09-02 General Electric Company Plastic packaging of LED arrays
US7064355B2 (en) 2000-09-12 2006-06-20 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
US6940704B2 (en) * 2001-01-24 2005-09-06 Gelcore, Llc Semiconductor light emitting device
WO2002086972A1 (en) 2001-04-23 2002-10-31 Plasma Ireland Limited Illuminator
US20020163001A1 (en) 2001-05-04 2002-11-07 Shaddock David Mulford Surface mount light emitting device package and fabrication method
JP2002344029A (ja) 2001-05-17 2002-11-29 Rohm Co Ltd 発光ダイオードの色調調整方法
JP3844196B2 (ja) * 2001-06-12 2006-11-08 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP2002374007A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
TW543128B (en) * 2001-07-12 2003-07-21 Highlink Technology Corp Surface mounted and flip chip type LED package
US6686580B1 (en) * 2001-07-16 2004-02-03 Amkor Technology, Inc. Image sensor package with reflector
CN2498694Y (zh) 2001-08-14 2002-07-03 北京利亚德电子科技有限公司 一种带倾角的led像素模块
US6812481B2 (en) * 2001-09-03 2004-11-02 Toyoda Gosei Co., Ltd. LED device and manufacturing method thereof
US7009627B2 (en) * 2001-11-21 2006-03-07 Canon Kabushiki Kaisha Display apparatus, and image signal processing apparatus and drive control apparatus for the same
DE10241989A1 (de) 2001-11-30 2003-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP4009097B2 (ja) * 2001-12-07 2007-11-14 日立電線株式会社 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム
KR100439402B1 (ko) * 2001-12-24 2004-07-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
US6480389B1 (en) * 2002-01-04 2002-11-12 Opto Tech Corporation Heat dissipation structure for solid-state light emitting device package
JP3973082B2 (ja) * 2002-01-31 2007-09-05 シチズン電子株式会社 両面発光ledパッケージ
JP3853279B2 (ja) * 2002-02-01 2006-12-06 シャープ株式会社 半導体レーザ装置及びその製造方法、並びにそれを用いた光ピックアップ
US6924514B2 (en) 2002-02-19 2005-08-02 Nichia Corporation Light-emitting device and process for producing thereof
CN100524703C (zh) * 2002-03-08 2009-08-05 罗姆股份有限公司 使用半导体芯片的半导体装置
JP3939177B2 (ja) 2002-03-20 2007-07-04 シャープ株式会社 発光装置の製造方法
CN2549313Y (zh) * 2002-04-17 2003-05-07 杨英琪 大厦风扇夜光灯
JP3707688B2 (ja) * 2002-05-31 2005-10-19 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
WO2004001862A1 (ja) * 2002-06-19 2003-12-31 Sanken Electric Co., Ltd. 半導体発光装置及びその製法並びに半導体発光装置用リフレクタ
TW546799B (en) * 2002-06-26 2003-08-11 Lingsen Precision Ind Ltd Packaged formation method of LED and product structure
DE10229067B4 (de) 2002-06-28 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2004047748A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード
TW200428268A (en) * 2002-07-15 2004-12-16 Fuji Photo Film Co Ltd Internal touch panel, and process for producing it and display device
JP4407204B2 (ja) 2002-08-30 2010-02-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
US7224000B2 (en) * 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7264378B2 (en) 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
DE10243247A1 (de) * 2002-09-17 2004-04-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leadframe-basiertes Bauelement-Gehäuse, Leadframe-Band, oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
US6686609B1 (en) * 2002-10-01 2004-02-03 Ultrastar Limited Package structure of surface mounting led and method of manufacturing the same
TW200414572A (en) 2002-11-07 2004-08-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd LED lamp
DE10255932A1 (de) 2002-11-29 2004-06-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US7692206B2 (en) * 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
JP2004214380A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Polyplastics Co リードフレーム形成用金属箔、電子部品用パッケージ、その製造方法、及び表面実装型発光部品
CN2617039Y (zh) 2003-02-21 2004-05-19 游尚桦 粘着型led引线架
KR101025234B1 (ko) 2003-02-28 2011-04-01 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 구조화 방식으로 금속화된 하우징 바디를 갖는 광전자소자,상기 광전자소자의 제조 방법 및 플라스틱을 포함하는하우징 바디를 구조화 방식으로 금속화하기 위한 방법
JP4504662B2 (ja) * 2003-04-09 2010-07-14 シチズン電子株式会社 Ledランプ
EP2270887B1 (en) 2003-04-30 2020-01-22 Cree, Inc. High powered light emitter packages with compact optics
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US7021797B2 (en) * 2003-05-13 2006-04-04 Light Prescriptions Innovators, Llc Optical device for repositioning and redistributing an LED's light
JP2004356506A (ja) * 2003-05-30 2004-12-16 Stanley Electric Co Ltd ガラス封止型発光ダイオード
JP4120813B2 (ja) * 2003-06-12 2008-07-16 セイコーエプソン株式会社 光学部品およびその製造方法
JP4645071B2 (ja) * 2003-06-20 2011-03-09 日亜化学工業株式会社 パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置
JP4034241B2 (ja) 2003-06-27 2008-01-16 日本ライツ株式会社 光源装置および光源装置の製造方法
JP4085917B2 (ja) * 2003-07-16 2008-05-14 松下電工株式会社 高熱伝導性発光素子用回路部品及び高放熱モジュール
TWI312582B (en) * 2003-07-24 2009-07-21 Epistar Corporatio Led device, flip-chip led package and light reflecting structure
JP4360858B2 (ja) 2003-07-29 2009-11-11 シチズン電子株式会社 表面実装型led及びそれを用いた発光装置
US6876008B2 (en) 2003-07-31 2005-04-05 Lumileds Lighting U.S., Llc Mount for semiconductor light emitting device
JP2005064047A (ja) 2003-08-13 2005-03-10 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2005079167A (ja) * 2003-08-28 2005-03-24 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
US6995402B2 (en) 2003-10-03 2006-02-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Integrated reflector cup for a light emitting device mount
US20050077535A1 (en) 2003-10-08 2005-04-14 Joinscan Electronics Co., Ltd LED and its manufacturing process
CN2646873Y (zh) 2003-10-16 2004-10-06 上海三思科技发展有限公司 表面贴装式、光轴倾斜的发光二极管
TWI291770B (en) 2003-11-14 2007-12-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Surface light source device and light emitting diode
JP4231391B2 (ja) 2003-11-19 2009-02-25 パナソニック株式会社 半導体装置用リードフレームとそれを用いた面発光装置
JP2005191530A (ja) 2003-12-03 2005-07-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
US7439667B2 (en) 2003-12-12 2008-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device with specific four color arrangement
JP2005183531A (ja) * 2003-12-17 2005-07-07 Sharp Corp 半導体発光装置
US7321161B2 (en) * 2003-12-19 2008-01-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc LED package assembly with datum reference feature
JP4442216B2 (ja) 2003-12-19 2010-03-31 豊田合成株式会社 Ledランプ装置
JP2005191111A (ja) * 2003-12-24 2005-07-14 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
US7675231B2 (en) 2004-02-13 2010-03-09 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting diode display device comprising a high temperature resistant overlay
US20050179041A1 (en) 2004-02-18 2005-08-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Illumination system with LEDs
US7514867B2 (en) 2004-04-19 2009-04-07 Panasonic Corporation LED lamp provided with optical diffusion layer having increased thickness and method of manufacturing thereof
JP2005310935A (ja) * 2004-04-20 2005-11-04 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 発光素子収納用パッケージ
TWM258416U (en) * 2004-06-04 2005-03-01 Lite On Technology Corp Power LED package module
JP4547569B2 (ja) 2004-08-31 2010-09-22 スタンレー電気株式会社 表面実装型led
EP1794808B1 (en) 2004-09-10 2017-08-09 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package having multiple molding resins
JP4796293B2 (ja) 2004-11-04 2011-10-19 株式会社 日立ディスプレイズ 照明装置の製造方法
US7303315B2 (en) * 2004-11-05 2007-12-04 3M Innovative Properties Company Illumination assembly using circuitized strips
JP2006140281A (ja) 2004-11-11 2006-06-01 Stanley Electric Co Ltd パワーled及びその製造方法
GB2420221B (en) 2004-11-12 2009-09-09 Unity Opto Technology Co Ltd Solid-state semiconductor light emitting device
US7419839B2 (en) 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
US7119422B2 (en) * 2004-11-15 2006-10-10 Unity Opto Technology Co., Ltd. Solid-state semiconductor light emitting device
JP5038147B2 (ja) 2004-11-18 2012-10-03 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光体、及び前記発光体を製造する方法
WO2006065007A1 (en) 2004-12-16 2006-06-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Leadframe having a heat sink supporting ring, fabricating method of a light emitting diodepackage using the same and light emitting diodepackage fabbricated by the method
US7285802B2 (en) * 2004-12-21 2007-10-23 3M Innovative Properties Company Illumination assembly and method of making same
CN100389503C (zh) 2005-01-07 2008-05-21 北京大学 分立晶粒垂直结构的led芯片制备方法
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
TWI255566B (en) 2005-03-04 2006-05-21 Jemitek Electronics Corp Led
JP4915052B2 (ja) 2005-04-01 2012-04-11 パナソニック株式会社 Led部品およびその製造方法
US7994702B2 (en) 2005-04-27 2011-08-09 Prysm, Inc. Scanning beams displays based on light-emitting screens having phosphors
KR100757196B1 (ko) 2005-08-01 2007-09-07 서울반도체 주식회사 실리콘 렌즈를 구비하는 발광소자
US7847302B2 (en) * 2005-08-26 2010-12-07 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Blue LED with phosphor layer for producing white light and different phosphor in outer lens for reducing color temperature
JP4724618B2 (ja) 2005-11-11 2011-07-13 株式会社 日立ディスプレイズ 照明装置及びそれを用いた液晶表示装置
JP3992059B2 (ja) 2005-11-21 2007-10-17 松下電工株式会社 発光装置の製造方法
JP2009087538A (ja) 2006-01-20 2009-04-23 Sharp Corp 光源ユニット、及びそれを用いた照明装置、及びそれを用いた表示装置
US20070170449A1 (en) 2006-01-24 2007-07-26 Munisamy Anandan Color sensor integrated light emitting diode for LED backlight
USD572670S1 (en) * 2006-03-30 2008-07-08 Nichia Corporation Light emitting diode
JP2009534866A (ja) 2006-04-24 2009-09-24 クリー, インコーポレイティッド 横向き平面実装白色led
US7635915B2 (en) * 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
US20070269586A1 (en) * 2006-05-17 2007-11-22 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing composition
KR100904152B1 (ko) 2006-06-30 2009-06-25 서울반도체 주식회사 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광다이오드 패키지
US7960819B2 (en) 2006-07-13 2011-06-14 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state emitting devices
TWM303325U (en) 2006-07-13 2006-12-21 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting diode package
JP5564162B2 (ja) 2006-09-29 2014-07-30 フューチャー ライト リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光ダイオード装置
USD572210S1 (en) * 2006-11-01 2008-07-01 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting diode (LED)
JP5277960B2 (ja) 2006-12-28 2013-08-28 日亜化学工業株式会社 発光装置、パッケージ、発光装置の製造方法及びパッケージの製造方法
US7800304B2 (en) * 2007-01-12 2010-09-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Multi-chip packaged LED light source
JP5106862B2 (ja) 2007-01-15 2012-12-26 昭和電工株式会社 発光ダイオードパッケージ
US7777412B2 (en) * 2007-03-22 2010-08-17 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Phosphor converted LED with improved uniformity and having lower phosphor requirements
US7622795B2 (en) * 2007-05-15 2009-11-24 Nichepac Technology Inc. Light emitting diode package
US7923831B2 (en) 2007-05-31 2011-04-12 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED-based light source having improved thermal dissipation
JP5233170B2 (ja) 2007-05-31 2013-07-10 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光装置を構成する樹脂成形体及びそれらの製造方法
US7999283B2 (en) * 2007-06-14 2011-08-16 Cree, Inc. Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes
USD576574S1 (en) * 2007-07-17 2008-09-09 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode module
CN100574543C (zh) 2007-07-30 2009-12-23 深圳莱特光电有限公司 一种暖白光led封装过程中隔离银层的方法
US11114594B2 (en) * 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
US7968899B2 (en) 2007-08-27 2011-06-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED light source having improved resistance to thermal cycling
US7791093B2 (en) * 2007-09-04 2010-09-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with particles in encapsulant for increased light extraction and non-yellow off-state color
CN101388161A (zh) 2007-09-14 2009-03-18 科锐香港有限公司 Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器
US7524087B1 (en) 2007-11-16 2009-04-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical device
CN101897040B (zh) 2007-12-11 2013-06-12 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有混合顶部反射器的侧发射器件
US8049230B2 (en) 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
GB2458972B (en) 2008-08-05 2010-09-01 Photonstar Led Ltd Thermally optimised led chip-on-board module
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
US7841747B2 (en) * 2008-12-11 2010-11-30 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting device
US20110049545A1 (en) 2009-09-02 2011-03-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led package with phosphor plate and reflective substrate

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102751426B (zh) * 2010-01-20 2015-08-12 光宝电子(广州)有限公司 封装结构及发光二极管封装结构
CN102751426A (zh) * 2010-01-20 2012-10-24 旭丽电子(广州)有限公司 封装结构及发光二极管封装结构
CN102130266A (zh) * 2010-01-20 2011-07-20 旭丽电子(广州)有限公司 封装结构及发光二极管封装结构
CN103460416A (zh) * 2011-02-10 2013-12-18 日亚化学工业株式会社 发光装置、发光装置的制造方法及封装阵列
CN103460416B (zh) * 2011-02-10 2016-11-09 日亚化学工业株式会社 发光装置、发光装置的制造方法及封装阵列
CN102280424A (zh) * 2011-06-08 2011-12-14 无敌科技(西安)有限公司 非挥发性内存装置、集成电路装置及集成电路制造方法
CN102956628A (zh) * 2011-08-18 2013-03-06 乐金显示有限公司 发光二极管封装
US8895954B2 (en) 2011-08-18 2014-11-25 Lg Display Co., Ltd. Light emitting diode package
US9373607B2 (en) 2011-08-18 2016-06-21 Lg Display Co., Ltd. Light emitting diode package
WO2013075309A1 (en) * 2011-11-24 2013-05-30 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Water resistant led devices and led display including the same
US9054257B2 (en) 2011-11-24 2015-06-09 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Water resistant LED devices and an LED display including same
CN104396036A (zh) * 2012-05-31 2015-03-04 克利公司 光发射器封装、系统、以及方法
US10439112B2 (en) 2012-05-31 2019-10-08 Cree, Inc. Light emitter packages, systems, and methods having improved performance
CN105977246A (zh) * 2015-03-11 2016-09-28 Lg伊诺特有限公司 发光器件
CN105977246B (zh) * 2015-03-11 2020-04-28 Lg伊诺特有限公司 发光器件
CN107431116A (zh) * 2015-03-18 2017-12-01 Lg伊诺特有限公司 发光器件和具有发光器件的相机模块
CN107431116B (zh) * 2015-03-18 2020-02-11 Lg伊诺特有限公司 发光器件和具有发光器件的相机模块

Also Published As

Publication number Publication date
CN102569273B (zh) 2015-09-30
US8367945B2 (en) 2013-02-05
US20080041625A1 (en) 2008-02-21
CN102569273A (zh) 2012-07-11
JP5442189B2 (ja) 2014-03-12
JP2008047916A (ja) 2008-02-28
CN101127350B (zh) 2012-05-09
DE102007038320A1 (de) 2008-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101127350B (zh) 用于安装电子元件的装置、系统和方法
CN101432875B (zh) 用于安装电子元件的装置和方法
KR100961493B1 (ko) 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광 다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광 다이오드 패키지
CN104798214B (zh) 发光装置及包括该发光装置的电子设备
CN105674207A (zh) 照明装置
CN102792474A (zh) 具有大引脚垫的微型表面安装器件
US8455970B2 (en) Lead frame assembly, package structure and LED package structure
CN103378268A (zh) 封装件和封装件的制造方法
US20060181877A1 (en) LED assembly with LED position template and method of making an LED assembly using LED position template
US7985001B2 (en) LED light fixture and method for manufacturing the same
KR100820122B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법
US20150198294A1 (en) Light bar, backlight device, and manufacturing methods thereof
KR102001775B1 (ko) Led 렌즈 및 이를 포함한 led 패키지
JP6125463B2 (ja) Led素子固定装置、それ用のcobシートカバー、リフレクター装置、および、led光源モジュール
JP2004095576A (ja) 光半導体装置及び光半導体モジュール及び光半導体装置の製造方法
KR102119808B1 (ko) 백라이트 장치
CN103035816A (zh) 发光模块及其发光装置
CN105874620B (zh) 用作完整led封装的深模制反射器杯体
JP2005020029A (ja) 赤外線データ通信モジュールの製造方法
CN202103048U (zh) 表面安装器件
CN103907250A (zh) 光通信模块
CN212537759U (zh) Led灯座结构
KR100877550B1 (ko) 엘이디리드패널을 이용한 발광다이오드 패키지
KR20100039987A (ko) 리모콘 수신모듈 및 이의 실장구조
KR101335585B1 (ko) 일체형 엘이디 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: HUIZHOU KERUI OPTOELECTRONICS CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: CREE HONGKONG CO., LTD.

Effective date: 20110128

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 6/F, OPTOELECTRONICS CENTER, NO.2, EAST OF KEJI AVENUE, SCIENCE PARK, SHA TIN, HONG KONG, CHINA TO: 516003 TCL INDUSTRIAL PARK, NO.21, YUNSHAN EAST ROAD, JIANGBEI, HUIZHOU CITY, GUANGDONG PROVINCE, CHINA

TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20110128

Address after: 516003 TCL Industrial Park, 21 Yunshan East Road, Jiangbei, Guangdong, Huizhou, China

Applicant after: Cree Huizhou Opto Ltd.

Address before: Floor 6, optoelectronics centre, 2 East Science Avenue, Sha Tin Science Park, Hongkong, China

Applicant before: Cree Hong Kong Ltd.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210219

Address after: 516029 No.38, Hechang 6th Road East, Zhongkai high tech Zone, Huizhou City, Guangdong Province

Patentee after: CREE HUIZHOU SOLID STATE LIGHTING Co.,Ltd.

Address before: 516003 TCL Industrial Park, 21 Yunshan East Road, Jiangbei, Huizhou, Guangdong

Patentee before: Cree Huizhou Opto Ltd.