CN101023533A - 用于光电子部件的壳体、光电子部件以及用于制造光电子部件的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明说明了一种用于光电子部件的壳体，其具有带有芯片安装面(3)的支承体(7)。在支承体(7)上施加有与支承体(7)分开制造的光学元件(2)，其中支承体(7)与光学元件(2)之间的分离面(15)设置在所述芯片安装面(3)的平面中。此外还说明了一种具有这种壳体的光电子部件以及一种用于制造这种光电子部件的方法。

Description

用于光电子部件的壳体、光电子部件以及用于制造光电子部件的方法
本发明涉及一种用于光电子部件的壳体、一种光电子部件以及一种用于制造光电子部件的方法。
出版物WO02/08 47 49 A2描述了一种引线框架和一种壳体，以及由此构成的辐射发射的部件。在此，在壳体基体中，以辐射出射窗的形式构造凹槽，其中辐射出射窗的侧壁形成反射器。
本发明的任务是说明一种用于光电子部件的壳体，该壳体可以特别多样地使用。此外，本发明的任务是说明一种具有这种壳体的光电子部件以及一种用于制造这种光电子部件的方法。
该任务通过一种根据权利要求1所述的壳体、一种根据权利要求10所述的光电子部件以及一种根据权利要求12所述的用于制造光电子部件的方法来解决。本发明的一些有利的扩展方案是从属权利要求的主题。
说明了一种用于光电子部件的壳体。优选地，涉及一种用于可表面安装的光电子部件的壳体。
在壳体的至少一种实施形式中，该壳体具有带芯片安装面的支承体。即，在支承体上设置有一个面，例如至少一个辐射发射或者辐射接收的半导体芯片可安装到该面上。
支承体例如可以具有基体，该基体包含电绝缘的材料。接着，将包含导电材料的结构化的印制导线施加到支承体的基体的表面的至少一部分上。芯片安装面优选通过支承体的表面的至少一部分来提供。芯片安装面例如可以由印制导线的一部分构成。通过印制导线可以电接触施加到支承体上的芯片。
此外，壳体优选具有光学元件。优选地，光学元件与支承体分开制造并且机械地固定到支承体上。支承体与光学元件之间的分离平面优选设置在芯片安装面的平面中。
优选地，光学元件至少部分地包围芯片安装面。对此，光学元件具有例如侧壁，这些侧壁至少部分地包围芯片安装面。
根据至少一种实施形式，说明了一种用于光电子部件的壳体，该壳体具有带有芯片安装面的支承体和光学元件，其中支承体与光学元件之间的分离平面设置在芯片安装面的平面中。
在此，壳体利用这样的思想，即通过支承体与光学元件的分离的构造得到许多用于光电子部件的新设计可能性。因此，例如在相同的支承体中，可根据使用者的要求通过选择确定的光学元件来匹配辐射特性。因为支承体和光学元件优选分开制造，所以在选择材料系时还提供了更多可能性，其中分别构成支承体和光学元件。
光学元件优选这样地设置在芯片安装面之后，使得施加到芯片安装面上的辐射发射的部件的辐射至少部分碰到光学元件的至少部分区域。
根据壳体的至少一种实施形式，光学元件的至少一部分适于至少部分反射至少确定波长范围的电磁辐射。如果光学元件的侧壁至少部分包围芯片安装面，则设置在芯片安装面后的光学元件的内壁、即例如侧壁的内侧可以适于反射可预给定的波长范围的电磁辐射。光学元件的辐射特性例如可以通过光学元件的内壁的形状以及光学元件所包含的材料来确定。因此，光学元件例如为反射器。
因此在至少一种实施形式中，光学元件为非成像的光学聚焦器，其中光学元件的光输入口为聚焦器的实际的光输出口。光输入口优选设置在芯片安装面后。也就是说，光学聚焦器朝着芯片安装面逐渐变细。因此，光学聚焦器的横截面朝着芯片安装面减小。以这样的方式，光学元件可以适于减小由固定到芯片安装面上的辐射发射的部件所发射的光束在穿过光学元件时的发散。
根据至少一种实施形式，光学元件至少部分按照复合式抛物面聚焦器(Compound Parabolic Concentrator，CPC)、复合式椭圆聚焦器(CompoundElliptic Concentrator，CEC)、复合式双曲线聚焦器(CompoundHyperbolic Concentrator，CHC)或者TIR(Total Internal Reflection全内反射)光学系统来构成。也就是说，例如设置在芯片安装区域后的光学元件的反射地构造的内壁至少部分按照CPC、CEC、CHC或者TIR来构成。此外，还可能的是，光学元件通过至少这些光学元件的至少两个的组合来构成。
根据至少一种实施形式，光学元件具有内壁，这些内壁使光学元件的光输入口与光输出口相连并且在此基本上平直地伸展。在此例如光学元件的内壁构成截顶棱锥或者截顶圆锥。优选地，内壁也反射地构造。
在至少一种实施形式中，光学元件为介电聚焦器。因此，至少其侧壁由具有合适折射率的介电材料构成，使得通过光输入口入射的辐射通过在侧壁或者内壁的界面上的全反射而向包围的介质反射。
此外，可能的是，光学元件为自由形状光学系统(Freiformoptik)。即，设置在芯片安装面后的例如光学元件的内壁的形状，与部件的所希望的辐射特征相匹配。在此，内壁的形状例如可以通过仿真计算(例如光线跟踪(Ray-Tracing)方法)很精确地确定。由于支承体与光学元件的分开制造，因此可特别简单地制造计算所得的光学系统。
此外，可能的是，光学元件为透镜、透镜系统或者其它光折射的光学系统。即，光学元件的至少一部分适于折射通过光学元件的辐射。
在至少一种实施形式中，至少一个附加的光学元件设置在光学元件的光输出口后，该附加的光学元件适于将从光输出口射出的电磁辐射弯曲、折射或者波长变换。特别优选地，附加光学元件完成了这些任务中的至少两个。
按照至少一种实施形式，附加的光学元件具有光输出面，光输出面例如可以球面或者非球面地成拱形。例如，光输出面向外凸成拱形。由此，例如可以实现减小由光学元件的光输出口出射的电磁辐射的发散。
优选地，附加的光学元件的光输出面按照非球面透镜的方式成拱形。即，光输出口为用于折射出射光束的光学面，该光学面既不是球形也不是平面的。特别优选地，这样构造的光学元件可以具有多个形状参数，由此例如可考虑固定到芯片安装面上的辐射发射的半导体芯片的辐射输出耦合面的大小。与此相反，球形透镜对于点状的光源是最佳的，并且在非点状光源的情况下，例如在减小出射光束的发散方面会具有明显更差的特征。
在壳体的至少一种实施形式中，光学元件包含反射材料。优选地，反射材料适于反射例如由安装在芯片安装面上的辐射发射部件所产生的电磁辐射。为此，光学元件例如可以包含塑料，合适的色素颜料被引入该塑料中，该色素颜料反射由芯片发射的辐射。此外，还可能的是，光学元件由陶瓷材料构成。但，光学元件也可以以金属铸造方法由反射材料制造。
此外，光学元件的基体例如可以由不反射的材料构成，并且光学元件的设置在芯片安装面后的内壁设置有反射的涂层。在此，该涂层可以包含以下材料中的至少一种：氧化铝、铝、硅、二氧化硅、氮化硅。反射的涂层可以借助涂布方法例如脉冲化学气相外延(PICVD)以限定的厚度施加到光学元件的内壁上。在此，涂层并非一定要覆盖内壁的整个面。
此外，可能的是，光学元件例如在其光输出口附近非反射地构造。以这样的方式，可以防止例如由安装到芯片安装面上的半导体芯片所发射的特别发散的辐射入射进光学元件中。
有利地，反射层或者多个反射层的厚度和组合可与待安装进壳体内的光电子部件相匹配。在此，例如可能的是，涂层是颜色最优化的并且特别良好地反射确定的波长的光。
特别有利的是光学元件和支承体的分开制造，因为该涂层不必采取预防措施防止电绝缘或者导电的材料覆盖支承体上的芯片安装面或者印制导线，例如在一体式壳体的情况那样。
根据壳体的至少一种实施形式，光学元件包含适于促成光学元件与例如至少部分包围安装到芯片安装面上的芯片的填料之间的粘合的材料。该材料可以作为薄的层施加到光学元件的、设置在芯片安装面后的内壁上。如果填料包含例如硅树脂，则包含二氧化硅的涂层特别良好地适于提高填料在光学元件上的粘合。例如，硅酸盐层借助火焰裂解(Flammenpyrolyse)施加到光学元件的内壁上。
对应用于光电子部件的壳体的至少一种实施形式，可能的是，光学元件包含发光转换材料。该发光转换材料适于对例如由安装到芯片安装面上的半导体芯片所发射的电磁辐射的至少一部分进行波长转换。为此，发光转换材料包含至少一种荧光材料微粒。特别好地适合的是例如无机荧光材料如稀土、掺杂石榴石，或者有机荧光材料如苝(Perylen)荧光材料。例如在出版物WO98/12 757中阐明了其它合适的荧光材料，该出版物关于荧光材料的内容通过引用结合于此。
借助发光转换材料，可以通过主辐射的很大程度上的完全转换，或者通过有目的的部分转换以及主辐射与转换过的辐射的混合产生CIE色彩图表上的所希望的色度坐标的可见光、特别是白光。
发光转换材料例如可以作为薄层施加到光学元件的内壁上。在此，发光转换层有利地包含发光转换材料混合矩阵(Matrixgemisch)。该矩阵包含例如热固性的聚合物或者硅树脂。发光转换材料可以以基本上均匀的浓度例如施加到光学元件的内壁上。但是也可能的是，提高在光学元件的限定区域内的发光转换材料的浓度并且减小在光学元件的其它区域内的浓度。此外可能的是，光学元件具有不包含发光转换材料的区域。通过受限定地调节例如在光学元件的内壁上的发光转换材料的浓度，实现电磁辐射的所限定的转换。
在壳体的至少一种实施形式中，光学元件包含特别耐热的材料如LCP(Liquid Crystal Polymer液晶聚合物)、PEEK(Polyetheretherketon聚醚醚酮)或者PPA(Polyphthalamid聚邻苯二酰胺)。
在此，光学元件例如可以通过压铸方法或者注塑方法来形成。为了形成反射的光学系统，如上所描述的那样，例如可以用反射材料来涂布光学元件的、设置在芯片安装面后的内壁。
在用于光电子部件的壳体的至少一种实施形式中，光学元件借助至少一个压配合件与支承体机械相连。对此，在支承体中例如设置有至少一个凹槽，销钉插入该凹槽中，该销钉具有比该凹槽稍微大一些的伸展，使得通过将销钉压入凹槽中使该销钉与支承体机械上稳定地相连。因此，该销钉可以以相同的方式压入光学元件内的凹槽中。然而，也可能的是，销钉为光学元件的完整的组成部分。即，销钉例如与光学元件一起例如以注塑方法、压铸方法或者金属铸造方法被制造。此外，可能的是，销钉是支承体的完整的组成部分，并且仅仅光学元件具有销钉可配合到其中的凹槽。特别优选地，光学元件借助至少两个压配合件与支承体机械相连。即，光学元件具有例如两个固定销，借助它们，光学元件可以机械地固定在支承体上并且可以相对于芯片进行调节。
凹槽例如可以是钻孔。然而，也可能的是，凹槽已在支承体和/或光学元件的制造时例如通过相应的模具借助所提及的方法中的一种(如注塑或者压铸)来产生。
支承体可以包含例如以下材料中的至少一种：LCP、PEEK、PPA、陶瓷如Al2O3或者AlN。作为两件式构造的优点的是，可以与光学元件的材料无关地选择支承体材料。以这样的方式，鉴于对支承体的要求可以使支承体材料最优化。
此外，还说明了一种具有上述壳体的光电子部件。
根据光电子部件的至少一种实施形式，部件具有至少一个发光二极管芯片，其中发光二极管芯片中所产生的电磁辐射的大部分通过辐射输出耦合面在主辐射方向上出射。特别优选地，电磁辐射仅通过辐射输出耦合面出射。
优选地，发光二极管芯片包含外延生长的层堆。层堆例如为外延生长的层的序列。优选地，层堆包括至少一个有源区，该有源区适于产生电磁辐射。因此，辐射输出耦合面优选通过芯片的主面构成，该主面与层堆的层平行或者基本上平行地延伸。
对此，有源区例如可以具有pn结、双异质结构、单量子阱结构或者特别优选为多量子阱结构(MQW)。
在本申请的范围中，术语量子阱结构包括任意结构，在这种结构中载流子通过限制(“confinement”)经历其能量状态的量子化。特别是，术语量子阱结构不包括对量子化的维数的说明。因此，它可能包括量子槽、量子线和量子点以及这些结构的任意组合。
层堆特别优选地为外延生长的层的序列，在结束外延生长之后生长衬底从这些层剥离。特别优选地，将支承体施加到层堆的背离原始生长衬底的表面上。在生长衬底从外延生长的层序列剥离的情况下所制造的组件经常也用薄膜层组件的上位概念来表示。
例如在1993年10月18日I.Schnitzer等人所著的Appl.Phys.Lett.63(16)，2174-2176页中描述了薄膜层组件的基本原理，其关于薄膜层组件的基本原理的公开内容通过引用结合于此。
薄膜发光二极管芯片很好地近似为朗伯(Lambert)表面辐射器并且因此例如特别良好地适于应用在聚光灯中。
特别有利的是，薄膜层组件的支承体与生长衬底相比可以相对自由地选择。因此，与可供使用的生长衬底相比，支承体在有些特征如导电性或者稳定性方面更适于该组件，其中生长衬底为了制造高品质的外延生长的层序列而受到严格的限制。因此，为了得到高品质的外延层，外延沉积的材料例如必须与生长衬底晶格匹配。
优选地，施加在层堆上的支承体的特色在于与层堆匹配的热膨胀系数。例如，支承体可以包含如锗、砷化镓、氮化镓、碳化硅和其它材料如蓝宝石、钼或者金属。
此外，支承体的特色优选地在于特别良好的热传导性，使得在有源区中产生电磁辐射时所形成的热可至少部分通过支承体向周围环境排出。
根据发光二极管芯片的至少一种优选的扩展方案，反射层设置在所施加的支承体与层堆之间。反射层例如可以包含布拉格反射器或者含金属的反射层。例如包含金、金-锗、银、铝或者铂的含金属的反射器相对于布拉格反射器的特色例如在于反射率的较小的方向相关性。用含金属的反射器也可以达到比布拉格反射器更高的反射率。
优选地，将发光二极管芯片施加到支承体的芯片安装面上。例如，发光二极管芯片可以焊接或者耐热地粘合到芯片安装面上。
在光电子部件的至少一种实施形式中，光学元件具有光输入口，通过该光输入口，发光二极管芯片中所产生的电磁辐射的大部分入射进光学系统中。在此，光输入口优选在主辐射方向上设置在发光二极管芯片的辐射输出耦合面之后。在此，例如发光二极管芯片的主辐射方向基本上垂直于辐射输出耦合面伸展。
优选地，光输入口具有最大两倍于、优选最大1.5倍于、特别优选最大1.25倍于发光二极管芯片的辐射输出耦合面的面。反射的光学系统的这种小的光输入口例如允许显著地使发光二极管装置小型化。在此，两件式壳体结构允许很靠近芯片地设置光学系统。这首先在与发光二极管芯片的连接中以薄膜结构类型导致光电子部件的效率提升，因为在入射到光学元件中之前，没有或者几乎没有辐射例如作为散射辐射而损耗。
此外，这种小的光输入口特别良好地适于借助光学元件减小其中由发光二极管芯片发射的电磁辐射的立体角，因为在半导体芯片的辐射输出耦合面附近，所发射的辐射的辐射锥体的横截面特别小。因此特别有利的是，部件应适于将尽可能高的辐射强度投射到尽可能小的面上。
在此，几何光学系统中的一个重要的守恒量是光学扩展量(Etendue)，即辐射密度。辐射密度是由光源的面积与光源辐射到其中的立体角的乘积。光学扩展量的守恒此外导致不能将散射的辐射源、例如半导体发光二极管的光会聚，即不再可以偏转到具有更小的伸展的面上，因此，辐射束以尽可能小的横截面射入光学元件中是有利的。
此外，还说明了一种用于制造光电子部件的方法。
根据该方法的至少一种实施形式，在第一方法步骤中将半导体芯片固定在支承体上。该支承体例如为如上所描述的支承体，用于电接触芯片的印制导线设置在例如支承体的表面上。半导体芯片优选为薄膜结构类型的发光二极管芯片。
在以下方法步骤中，半导体芯片电连接到支承体上。这例如可以借助芯片接合(Diebonding)或者线接合来实现。
在另一个方法步骤中，光学元件固定在支承体上。优选地，光学元件为上面所描述的光学元件中的一种。特别优选地，光学元件借助至少一个压配合件机械地与支承体相连。然而，光学元件也可以借助粘合或焊接固定在支承体上。光学元件与支承体之间的分离面优选在芯片安装面的平面中，即芯片所安装到其上的支承体的面。
在所描述的方法中，重要的是，在安装光学元件之前实现电接触。与支承体和光学元件一体式构造的部件相反，接触例如可以借助线接合特别简单地实现，因为对例如线接合喷嘴存在足够的位置。随后，可特别靠近芯片并由此靠近芯片的辐射输出耦合面地引入光学元件，因为不必为芯片安装留出额外的位置。以这样的方式，可制造具有最佳光学扩展量的发光二极管芯片。也就是说，在将芯片安装和接触之后才将例如反射器施加到支承体上。
在以下的方法步骤中，发光二极管芯片例如还可以被包含例如环氧材料和/或硅树脂材料的填料至少部分包围。在此，填料优选也润湿支承体和光学元件的内壁的至少部分。以这样的方式，可以附加地提高光学元件与支承体之间的机械的保持。
以下，参照实施例和所附附图更详细地阐述在此所描述的用于光电子部件的壳体以及该光电子部件。
图1示出了在此所描述的光电子部件的第一实施例的示意性截面图。
图2示出了在此所描述的光电子部件的第二实施例的示意性截面图。
图3示出了在此所描述的光电子部件的第三实施例的示意性截面图。
在这些实施例和附图中，相同或者作用相同的组成部分分别标有相同的参考标记。所示的组成部分以及组成部分彼此间的大小比例不应视作符合比例的。更准确地说，为了更好的理解夸大地表示了一些细节。
图1示出了在此所描述的光电子组件的示意性截面图。
发光二极管芯片1在此施加到支承体7的芯片安装面3上。在该实施例中，外部电端子部分5a与热端子部分6电连接，该热端子部分固定在支承体7上。发光二极管芯片1例如焊接到热端子部分6上并且通过热端子部分6与外部电端子部分5a电连接。
热端子部分6优选这样地成形，使得可按照铆钉的方式与支承体7相连。必要时，端子部分6的单个条或者支柱的成型也足够，以便在端子部分6与支承体7之间形成足够坚固的挤压连接。替换地，端子部分6与支承体7之间的连接例如可以通过钎接、焊接或者粘接来提供。
热端子部分6起导热元件的作用，并且将工作时芯片1中所产生的热向支承体7的背离芯片的侧引走。热端子部分6可以在支承体7的背离芯片1的侧上例如与起散热器作用的冷却体(未示出)形成热接触。在该实施例中，支承体7例如可以实施为引线框架(Leadframe)。
通过线接合线4，芯片1还与外部电端子部分5b电连接。
光学元件2施加在支承体7上。如在说明书的共同部分所实施的那样，光学元件2可以借助压配合件、钎焊、粘合或者其它连接技术与支承体7相连。在此，支承体7与光学元件2之间的分离面15在芯片安装面3的平面中。
如上面描述的那样，光学元件例如为反射光学系统。对此，光学元件的内壁14例如按照CPC光学系统的方式来形成。例如，由发光二极管芯片发出的电磁辐射可以借助反射和/或全反射反射到内壁14上。
此外，芯片1还可以至少部分被填料8包围。填料一方面使支承体7与光学元件2之间的机械连接稳定，而另一方面提供了发光二极管芯片1的机械保护。
发光转换材料9可以引入填料8中，该发光转换材料适于对由发光二极管芯片1发出的电磁辐射至少部分进行波长转换。然而，也可能的是，发光转换材料作为薄层施加到发光二极管芯片1的辐射输出耦合面上。此外，发光转换材料可以作为薄层施加到反射器2的内壁14上。
在图2中示出了在此所描述的表面发射的部件的第二实施例的示意性截面图。在此，涂层10施加到光学元件2的设置在发光二极管芯片1后的内壁14上，该涂层可以包含以下材料中的至少一种：发光转换材料、反射材料、适于提高光学元件2的内壁14与填料8之间的粘合的材料。对此，对于含硅树脂的填料8，例如硅酸盐是适合的。优选地，涂层10包含这些材料中的至少两种的组合。
此外，填料8可以具有辐射输出耦合面8a，该辐射输出耦合面具有限定的曲率并且由此形成透镜状的附加的光学元件，如例如在共同部分所描述的那样。由此，借助填料8的折射率和辐射输出耦合面8a的曲率可以调节光电子部件的限定的辐射特性。
如果特别良好地导热的材料用作支承体7，则此外还可以省去个别热端子部分6的使用。在此，支承体7例如可以包含陶瓷材料。
图3示出了在此所描述的光电子部件的第三实施例的示意性截面图。在此，例如光电子部件施加到电路板12上。电路板12例如为印制的电路板(PCB)或者金属芯电路板。部件例如借助钎焊方法与电路板12热和电连接。在此，针对由发光二极管芯片1通过热端子部分6所释放的热，电路板12例如在散热器的意义上用作冷却体。
在该实施例中，附加光学元件11设置在填料8的辐射输出耦合面8a后，如例如在共同部分所描述的那样。附加的光学元件11例如可以为衍射的(defraktiv)、折射的、全息或者菲涅耳光学系统，借助它们可以受限定地调节部件的辐射特性。
此外，附加的光学元件11可以包含发光转换材料9，该发光转换材料适于对由发光二极管芯片发出的电磁辐射进行波长转换。
在图3中，示出了附加的销钉13，借助这些销钉，光学元件2与支承体7通过压配合件机械稳定地相连。在此，销钉13可以是光学元件2的一部分。然而，也可能的是销钉13为单独的元件或者销钉13为支承体7的完整的组成部件。在此，反射器2可以如上面描述的那样来涂布。
本专利申请要求德国专利申请102004045950.9-33的优先权，其公开内容在此通过引用结合于此。
本发明并不受参照实施例的说明限制。更准确地说，本发明包括每个新特征以及这些特征的组合，特别是这些特征包含权利要求中的特征的任意组合，即使这些特征或者组合本身并未明确地在权利要求中或者实施例中说明。

Claims (19)

1.一种用于光电子部件的壳体，具有：
-带芯片安装面(3)的支承体(7)，以及
-光学元件(2)，其中支承体(7)与光学元件(2)之间的分离面(15)设置在所述芯片安装面(3)的平面中。
2.根据权利要求1所述的壳体，其中所述光学元件(2)的至少部分适于反射可预给定的波长范围的电磁辐射。
3.根据权利要求1或者2所述的壳体，其中所述光学元件(2)至少部分根据以下光学元件中的至少一种的方式构成：CPC、CEC、CHC、TIR。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的壳体，其中所述光学元件(2)包含反射的材料。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的壳体，其中所述光学元件(2)包含适于促成所述光学元件(2)的内壁(14)与填料(8)之间的粘合的材料。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的壳体，其中所述光学元件(2)包含发光转换材料(9)。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的壳体，其中所述发光转换材料(9)在一层中至少局部地施加到所述光学元件(2)的内壁(14)上。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的壳体，其中所述光学元件(2)包含以下材料中的至少一种：铝、氧化铝、LCP、PEEK、PPA、二氧化硅、氮化硅。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的壳体，其中所述光学元件(2)借助至少一个压配合件与所述支承体(7)机械地相连。
10.一种光电子部件，具有根据权利要求1至9中任一项所述的壳体和至少一个薄膜结构类型的发光二极管芯片(1)。
11.根据权利要求10所述的光电子部件，其中所述光学元件(2)具有光输入口，在所述发光二极管芯片(1)中所产生的电磁辐射的大部分通过所述光输入口入射，并且所述光输入口具有最大两倍于所述发光二极管芯片的辐射输出耦合面的面。
12.一种用于制造光电子部件的方法，具有以下步骤：
a)将半导体芯片(1)固定在支承体(7)上；
b)电接触所述半导体芯片(1)；
c)将光学元件(2)固定在所述支承体(7)上。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述半导体芯片(1)在所述方法步骤b)中借助线接合(4)来接触。
14.根据权利要求12或者13所述的方法，其中所述光学元件(2)在所述方法步骤c)中借助至少一个压配合件与所述支承体(7)机械地相连。
15.根据权利要求12至14中的任一项所述的方法，其中在方法步骤c)之前将反射的涂层施加到所述光学元件(2)的所述内壁(14)上。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述反射的涂层借助脉冲化学气相外延(PICVD)来施加。
17.根据权利要求12至16中任一项所述的方法，其中在所述方法步骤c)之前，将一个层施加到所述光学元件(2)的内壁(14)上，所述层包括发光转换材料(9)。
18.根据权利要求12至17中任一项所述的方法，其中在方法步骤c)之前，将一个层(10)施加到所述光学元件(2)的所述内壁(14)上，所述层包括增附剂。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述增附剂借助火焰裂解施加到所述光学元件(2)的所述内壁(14)上。
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